JPS5997593A - 結晶製造装置 - Google Patents
結晶製造装置Info
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- JPS5997593A JPS5997593A JP20648782A JP20648782A JPS5997593A JP S5997593 A JPS5997593 A JP S5997593A JP 20648782 A JP20648782 A JP 20648782A JP 20648782 A JP20648782 A JP 20648782A JP S5997593 A JPS5997593 A JP S5997593A
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- long
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/002—Continuous growth
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たと先ばシリコン等の融液から結晶を成長さ
せる結晶製造装置に係り、特に結晶を引上げる装置部分
の改良忙関するものである。
せる結晶製造装置に係り、特に結晶を引上げる装置部分
の改良忙関するものである。
従来、融液かも結晶を成長させるための装置は種々ある
。
。
たとえば、従来例の米１番目として、米１図に示すよう
に、るつぼ（１）内接あるシリコン融液（２）をスリッ
トを有するダイ（３）を介してリボン状結晶として引上
げる装置がある。この装置は、リボン引上げ駆動装置部
（４）にてシリコンリボンを引上げるわけであるが、引
上げられたシリコンリボンはドラム（５）にて巻きとる
。この装置の欠点は、ドラム（５）にシリコンリボンを
巻きとるため、後で定寸に切断する際、直径７００〜１
２００＋１ｆｉ、重量３０〜５０ゆ程度のドラム（５）
を取外し、後の工程の定寸切断装置にドラムごと搬送す
る必要があり、作業性が悪かった。またシリコンリボン
を連続して巻取ることには限界があり（通常３〜６巻）
、長時間にわたる連続引上げはできなかった。
に、るつぼ（１）内接あるシリコン融液（２）をスリッ
トを有するダイ（３）を介してリボン状結晶として引上
げる装置がある。この装置は、リボン引上げ駆動装置部
（４）にてシリコンリボンを引上げるわけであるが、引
上げられたシリコンリボンはドラム（５）にて巻きとる
。この装置の欠点は、ドラム（５）にシリコンリボンを
巻きとるため、後で定寸に切断する際、直径７００〜１
２００＋１ｆｉ、重量３０〜５０ゆ程度のドラム（５）
を取外し、後の工程の定寸切断装置にドラムごと搬送す
る必要があり、作業性が悪かった。またシリコンリボン
を連続して巻取ることには限界があり（通常３〜６巻）
、長時間にわたる連続引上げはできなかった。
従来例の矛２番目として、第２図に示すようＫ。
リボン引上げ駆動装置部（４）の上部で、ダイヤモンド
針（７）にてシリコンリボンなげかきし、一定形状に割
るようにした装置がある。なお引上げ駆動装置部（４）
からるっぽ（１１までの装置構成は米１図のものとｔま
ぼ同様である。この装置忙は次の欠点がある。それは、
ダイヤモンド針（７）にて切断を行５ため、シリコンリ
ボンの熱歪を除去するアニールが十分性われていないと
、シリコンリボンの引上げ軸上にクランクが入ることが
あり、製品の歩留りを著しく下げている。また引上げ駆
動装置部（４）の上部で切断を行うため、作業性が悪く
、無人機への発展性をもたせることも、切断の信頼性か
ら無理があった。
針（７）にてシリコンリボンなげかきし、一定形状に割
るようにした装置がある。なお引上げ駆動装置部（４）
からるっぽ（１１までの装置構成は米１図のものとｔま
ぼ同様である。この装置忙は次の欠点がある。それは、
ダイヤモンド針（７）にて切断を行５ため、シリコンリ
ボンの熱歪を除去するアニールが十分性われていないと
、シリコンリボンの引上げ軸上にクランクが入ることが
あり、製品の歩留りを著しく下げている。また引上げ駆
動装置部（４）の上部で切断を行うため、作業性が悪く
、無人機への発展性をもたせることも、切断の信頼性か
ら無理があった。
従来例の矛３番目として、特開昭５３−７３４８１号公
報に示されるものがある。これは、米３図に示すように
、るつぼ（１）内で発熱体により融解さり、たシリコン
融液（２）を結晶成長用となる所望の形状のダイ（３１
により結晶成長させる装置およびその結晶成長量に応じ
て連続的にるつぼ（１）に原料を供給するための原料供
給機構（９）からなるリボン結晶成長装置部αωと、こ
のリボン結晶成長装置部ａ＠から供給されるリボン状結
晶としてのシリコンリボン（ＩＩ）を引上げるために一
定周速度で回転する複数対のリボン結晶送り用ローラａ
ｚからなる結晶引上げ駆動装置部０３）と、この結晶引
上げ駆動装置部０から連続的に送られてきたシリコンリ
ボン（ｌ］１ヲ切断するレーザビーム（Ｉ４）を発生す
る高田力し−ザ装ｖＯ（ト）およびこのレーザ装置ａ９
の並行移動機構αｅからなる結晶切断機構部面と忙より
構成されている。
報に示されるものがある。これは、米３図に示すように
、るつぼ（１）内で発熱体により融解さり、たシリコン
融液（２）を結晶成長用となる所望の形状のダイ（３１
により結晶成長させる装置およびその結晶成長量に応じ
て連続的にるつぼ（１）に原料を供給するための原料供
給機構（９）からなるリボン結晶成長装置部αωと、こ
のリボン結晶成長装置部ａ＠から供給されるリボン状結
晶としてのシリコンリボン（ＩＩ）を引上げるために一
定周速度で回転する複数対のリボン結晶送り用ローラａ
ｚからなる結晶引上げ駆動装置部０３）と、この結晶引
上げ駆動装置部０から連続的に送られてきたシリコンリ
ボン（ｌ］１ヲ切断するレーザビーム（Ｉ４）を発生す
る高田力し−ザ装ｖＯ（ト）およびこのレーザ装置ａ９
の並行移動機構αｅからなる結晶切断機構部面と忙より
構成されている。
この牙３番目の装置の欠点は、レーザ切断時忙発生する
スプラッシュおよびベーパ等の集塵機能がないため、そ
れらが上記結晶引上げ駆動装置部（１３１やるつぼ（１
）等に入り、新たに成長してくるシリコンリボンに付着
する。また送りローラ（１ｚにスブラッシュカ付着し、
引上げ中のシリコンリボン０１）の表面に傷を付ける。
スプラッシュおよびベーパ等の集塵機能がないため、そ
れらが上記結晶引上げ駆動装置部（１３１やるつぼ（１
）等に入り、新たに成長してくるシリコンリボンに付着
する。また送りローラ（１ｚにスブラッシュカ付着し、
引上げ中のシリコンリボン０１）の表面に傷を付ける。
これらにより、シリコンリボン（１１）は品質が低下し
たり、ひどいものは不良品となり、歩留りを下げる大き
な要因となる。この改善案として、リボン切断部に集塵
チャンバを設けることｂｔ容易に推測できるが、レーザ
切断のスプラッシュやベーパは飛散する際、かなりの速
度を有しており、一般に工場忙施設されている真壁ライ
ンの能力では、スプラッシュ、ベーパを１゜Ｏチ吸引す
ることは困難であり、若干のものはやはり前記結晶引上
げ駆動装置部側等に落下することになり、完壁に上述の
問題に対処することはできない。また本例の欠点として
、切断された結晶が整列されないため、結晶同士でぶつ
かり合い、欠損やクラックが発生するおそれがある。
たり、ひどいものは不良品となり、歩留りを下げる大き
な要因となる。この改善案として、リボン切断部に集塵
チャンバを設けることｂｔ容易に推測できるが、レーザ
切断のスプラッシュやベーパは飛散する際、かなりの速
度を有しており、一般に工場忙施設されている真壁ライ
ンの能力では、スプラッシュ、ベーパを１゜Ｏチ吸引す
ることは困難であり、若干のものはやはり前記結晶引上
げ駆動装置部側等に落下することになり、完壁に上述の
問題に対処することはできない。また本例の欠点として
、切断された結晶が整列されないため、結晶同士でぶつ
かり合い、欠損やクラックが発生するおそれがある。
本発明の目的は、上記各従来例の欠点に鑑みなされたも
ので、長尺結晶を方向転換して引上げ駆動装置部による
引上げ軸上からずれた位置で長尺結晶を切断することに
より、切断時に発生して落下するスプラッシュ、ベーパ
による長尺結晶および各装置部の汚染をなくし、より良
い品質の長尺結晶が得られるようにするとともに、長時
間の結晶の成長を可能にする結晶製造装置を提供するこ
とにある。
ので、長尺結晶を方向転換して引上げ駆動装置部による
引上げ軸上からずれた位置で長尺結晶を切断することに
より、切断時に発生して落下するスプラッシュ、ベーパ
による長尺結晶および各装置部の汚染をなくし、より良
い品質の長尺結晶が得られるようにするとともに、長時
間の結晶の成長を可能にする結晶製造装置を提供するこ
とにある。
本発明の結晶製造装置の構成は、るつぼ内の融液から成
長した長尺結晶を連続的に引上げる結晶製造装置におい
て、結晶成長の容量接合せてるつぼ内に原料を供給する
原料供給装置部と、上記るつぼ内で原料を融解する加熱
装置部と、この融解した融液を移動させるために一部が
るつぼ内の融液に浸ったスリットを有するダイと、この
ダイから長尺結晶を引上げる引上げ駆動装置部と、この
引上げた長尺結晶の熱歪な除去するアニール装置部と、
長尺結晶の搬送方向を方向転換させる方向転換装置部と
、この方向転換された長尺結晶を一定長さに切断する切
断装置部と、この切断された結晶を収納する収納装置部
と、上記各々の装置部を固足支持する架台とを具備した
ことを特徴とするものであり、そうｌ−て、成長した長
尺結晶を方向転換して引上げ駆動装置部による引上げ軸
上からずれた位置で長尺結晶を切断することＫより、切
断時に発生するスプラッシュ、ベーパ等が引上げ駆動装
置部等に落下しないようＫする。
長した長尺結晶を連続的に引上げる結晶製造装置におい
て、結晶成長の容量接合せてるつぼ内に原料を供給する
原料供給装置部と、上記るつぼ内で原料を融解する加熱
装置部と、この融解した融液を移動させるために一部が
るつぼ内の融液に浸ったスリットを有するダイと、この
ダイから長尺結晶を引上げる引上げ駆動装置部と、この
引上げた長尺結晶の熱歪な除去するアニール装置部と、
長尺結晶の搬送方向を方向転換させる方向転換装置部と
、この方向転換された長尺結晶を一定長さに切断する切
断装置部と、この切断された結晶を収納する収納装置部
と、上記各々の装置部を固足支持する架台とを具備した
ことを特徴とするものであり、そうｌ−て、成長した長
尺結晶を方向転換して引上げ駆動装置部による引上げ軸
上からずれた位置で長尺結晶を切断することＫより、切
断時に発生するスプラッシュ、ベーパ等が引上げ駆動装
置部等に落下しないようＫする。
以下、本発明を米４図および第５図に示す実施例を参照
して説明する。
して説明する。
架台圓により、支柱のを介して原料供給装置部（至）を
支持し、また加熱装置部ＣＩ！４）を支持し、また図示
しない支持手段を介してアニール装置部（ハ）を支持し
、また支柱ｆ２６１ｃｌｌ力を介して引上げ駆動装置部
（ハ）を支持し、また支柱四四を介して方向転換装置部
（７）を支持し、また支持板６υを介して測長装置部（
２および切断装置部（ハ）を支持し、また後部に収納装
置部Ｏａを支持する。
支持し、また加熱装置部ＣＩ！４）を支持し、また図示
しない支持手段を介してアニール装置部（ハ）を支持し
、また支柱ｆ２６１ｃｌｌ力を介して引上げ駆動装置部
（ハ）を支持し、また支柱四四を介して方向転換装置部
（７）を支持し、また支持板６υを介して測長装置部（
２および切断装置部（ハ）を支持し、また後部に収納装
置部Ｏａを支持する。
上記原料供給装置部器は、原料としてのシリコン顆粒ｃ
３７）を容器例に収納し、結晶成長の容量に合せてこの
容器（支））から樋（至）および管（４〔を経てシリコ
ン顆粒的を取出すようＫしたものである。
３７）を容器例に収納し、結晶成長の容量に合せてこの
容器（支））から樋（至）および管（４〔を経てシリコ
ン顆粒的を取出すようＫしたものである。
上記加熱装置部（２４）は、図示しない支持手段により
架台（２Ｉｌ上に固定されたるつぼ（４３の前後ｆｆＦ
ｉ側に加熱ヒータ（４４）を配設してなり、るつぼ（４
３内に供給されたシリコン顆粒ｃ３Ｄを融解してシリコ
ン融液的にするものである。上記るつぼ（４３の内部に
は、シリコン融液（４５１を上昇移動させるために一部
がるつば（４３）内のシリコン融液（４５１に浸ったス
リット（４６）を有するダイＧ４７）を挿入しておく。
架台（２Ｉｌ上に固定されたるつぼ（４３の前後ｆｆＦ
ｉ側に加熱ヒータ（４４）を配設してなり、るつぼ（４
３内に供給されたシリコン顆粒ｃ３Ｄを融解してシリコ
ン融液的にするものである。上記るつぼ（４３の内部に
は、シリコン融液（４５１を上昇移動させるために一部
がるつば（４３）内のシリコン融液（４５１に浸ったス
リット（４６）を有するダイＧ４７）を挿入しておく。
上記引上げ駆動装置部（至）は、このダイ（４ηにより
上昇され板状に結晶化されたシリコンを引上げるために
、一定周速度で回転する複数対の送りローラ（５■およ
びこのローラ（５０を駆動するモータ６υを有している
。
上昇され板状に結晶化されたシリコンを引上げるために
、一定周速度で回転する複数対の送りローラ（５■およ
びこのローラ（５０を駆動するモータ６υを有している
。
上記アニール装置部（ハ）は、上記引上げ駆動装置部［
２８）により引−とげたリボン状の長尺結晶としてのシ
リロンリボン■の熱歪を除去するもので、加熱部６３）
を設けてなり、その上側に一対の冷却板６ａを配設する
。
２８）により引−とげたリボン状の長尺結晶としてのシ
リロンリボン■の熱歪を除去するもので、加熱部６３）
を設けてなり、その上側に一対の冷却板６ａを配設する
。
上記方向転換装置部（至）は、シリコンリボンの２の搬
送方向を方向転換させるもので、支柱１２６１ Ｍの上
部に設けた一対の支持板軸により反転ドラム鏝を回動自
在に軸支し、支持板ｆ５り忙設けたモータ６ηにより、
伝動ベルト６〜およびプーリ（５ωを介して反転ドラＡ
（イ）を回転するよう忙し、また上記支持板（５５）に
よって複数のローラ支持部材−を固定支持し、このロー
ラ支持部材−の先端部に回動自在に設けたロー５６υに
よって、無端ベルト［２）を反転ドラムωの上半部の外
周面に沿って支持する。無端ベルト呻の内側部は反転ド
ラム側の外周面に附勢される。
送方向を方向転換させるもので、支柱１２６１ Ｍの上
部に設けた一対の支持板軸により反転ドラム鏝を回動自
在に軸支し、支持板ｆ５り忙設けたモータ６ηにより、
伝動ベルト６〜およびプーリ（５ωを介して反転ドラＡ
（イ）を回転するよう忙し、また上記支持板（５５）に
よって複数のローラ支持部材−を固定支持し、このロー
ラ支持部材−の先端部に回動自在に設けたロー５６υに
よって、無端ベルト［２）を反転ドラムωの上半部の外
周面に沿って支持する。無端ベルト呻の内側部は反転ド
ラム側の外周面に附勢される。
上記測長装置部Ｇ旧よりボン測長ローラ１１を有し、ま
た上Ｗ；切切断室置部ト）は、シリコンリボン６邊を一
定長さに切断するもので、牙５図に示すレーザビーム１
６）を発振するレーザスキャナｆＪυを有するとともＫ
、切断位置に集塵チャンバ鏝を設けてなる。
た上Ｗ；切切断室置部ト）は、シリコンリボン６邊を一
定長さに切断するもので、牙５図に示すレーザビーム１
６）を発振するレーザスキャナｆＪυを有するとともＫ
、切断位置に集塵チャンバ鏝を設けてなる。
上記収納装置部Ｇ４は、切断されたシリコン結晶四を収
納するもので、マガジン側の内部に複数の垂直突条の仕
切りσυを設け、この仕切り（７η間にシリコン結晶１
！Ｊを収納するごとに仕切りσυが１ピツチずつずれる
よう忙マガジン佇υを水平移動させる機構（７２が設け
られている。
納するもので、マガジン側の内部に複数の垂直突条の仕
切りσυを設け、この仕切り（７η間にシリコン結晶１
！Ｊを収納するごとに仕切りσυが１ピツチずつずれる
よう忙マガジン佇υを水平移動させる機構（７２が設け
られている。
次にこの実施例の作用を説明する。
シリコン顆粒（３カは、原料供給装置部Ｑ■からシリコ
ンリボン６２の成長容量接合せてるつぼ（４１に供給さ
れる。供給されたシリコン顆粒０７）は、加熱装置部Ｃ
２４）の加熱ヒータ０４）により融解されたシリコン融
液（４５ｉの中に入り、瞬時に融解する。シリコン融液
（４９は、ダイ（４７）の中央部に設けた０、２〜０．
５π１程度のスリット（１６）の毛細管現象によりダイ
（４７１の上端まで到達する。ダイ０ηの上端まで到達
したシリコン融液は種結晶と称されるリボン状のもので
、種何けされ、種結晶の上昇ととも忙成長を開始する。
ンリボン６２の成長容量接合せてるつぼ（４１に供給さ
れる。供給されたシリコン顆粒０７）は、加熱装置部Ｃ
２４）の加熱ヒータ０４）により融解されたシリコン融
液（４５ｉの中に入り、瞬時に融解する。シリコン融液
（４９は、ダイ（４７）の中央部に設けた０、２〜０．
５π１程度のスリット（１６）の毛細管現象によりダイ
（４７１の上端まで到達する。ダイ０ηの上端まで到達
したシリコン融液は種結晶と称されるリボン状のもので
、種何けされ、種結晶の上昇ととも忙成長を開始する。
成長したシリコンリボン６２は、まずアニール装置部（
ハ）にて再加熱され冷却板６４）により所望の冷却特性
曲線にて冷却される。
ハ）にて再加熱され冷却板６４）により所望の冷却特性
曲線にて冷却される。
種結晶およびシリコンリボン６２１は引上げ駆動装置部
翰により引上げられて上昇する。この引上げ駆動装置部
儲を通過したシリコンリボン報は、方向転換装置部Ｃ３
０グ）反転ドラム■と無端ベルト輸との間に入り、反転
ドラム（至）の連続回転により反転を開始する。シリコ
ンリボン６２は、１８００反転した後にリボン測長ロー
ラ特に入り、シリコンリボン（！５２の測長を開始する
。そして所定長さのシリコンリボン姉が通過すると、制
御部より切断信号が出され、リボン切断装置部Ｑのレー
ザスキャナ６ηがレーザビーム輪を発振するとともに横
移動を開始する。切断は集塵チャンバ關の中で行われ、
切断時に発生するスプラッシュ、ベーパは真空ポンプＫ
ｊｉ！！：！されたパイプ（ハ）を経て真空圧釦より集
塵する。この際、スプラッシュ、ベーパの１０ｏ％の集
塵はできないが、集塵チャンバ呻の下方にそれらが落ち
ても、シリコンリボン５２および装置部２４＋ ＆５１
（２８ＩＣ３Ｚ等を傷つけることはない。
翰により引上げられて上昇する。この引上げ駆動装置部
儲を通過したシリコンリボン報は、方向転換装置部Ｃ３
０グ）反転ドラム■と無端ベルト輸との間に入り、反転
ドラム（至）の連続回転により反転を開始する。シリコ
ンリボン６２は、１８００反転した後にリボン測長ロー
ラ特に入り、シリコンリボン（！５２の測長を開始する
。そして所定長さのシリコンリボン姉が通過すると、制
御部より切断信号が出され、リボン切断装置部Ｑのレー
ザスキャナ６ηがレーザビーム輪を発振するとともに横
移動を開始する。切断は集塵チャンバ關の中で行われ、
切断時に発生するスプラッシュ、ベーパは真空ポンプＫ
ｊｉ！！：！されたパイプ（ハ）を経て真空圧釦より集
塵する。この際、スプラッシュ、ベーパの１０ｏ％の集
塵はできないが、集塵チャンバ呻の下方にそれらが落ち
ても、シリコンリボン５２および装置部２４＋ ＆５１
（２８ＩＣ３Ｚ等を傷つけることはない。
切断されたシリコン結晶−は、リボン収納装置部ｃ１４
）のマガジン１７０１の仕切りση間に整列収納される
。
）のマガジン１７０１の仕切りση間に整列収納される
。
このマガジン（７（Ｄは切断されたシリコン結晶ＦＪ！
ｊが入ると水平移動し、次のシリコン結晶を収納可能と
するＯ これにより作業者の装置の常時監視を不要とし、自動化
が可能となった。
ｊが入ると水平移動し、次のシリコン結晶を収納可能と
するＯ これにより作業者の装置の常時監視を不要とし、自動化
が可能となった。
なお以上の実施例では、シリコンリボン６２な引上げた
後に１８０°反転しているが、特にこの角度に限定する
ことはｆｚ ＜、また引上げる結晶の材質も方向転換す
ることが可能であればシリコンに限定することはなく、
形状も方向転換することが可能であれば偏平のリボン状
のみに限定することはない。
後に１８０°反転しているが、特にこの角度に限定する
ことはｆｚ ＜、また引上げる結晶の材質も方向転換す
ることが可能であればシリコンに限定することはなく、
形状も方向転換することが可能であれば偏平のリボン状
のみに限定することはない。
本発明によれば、長尺結晶を方向転換した後に切ｌ！５
′Ｔｊ′るようにしたから、引上げ駆動装置部、加熱装
置部等に切断時のスプラッシュ、ベーパが入らないとと
もに、長尺結晶にこれらが付着することがなく、高品質
の結晶を得ることができ、さらに原料供給装置部、切断
装置部および収納装置部を１本化したことにより、装置
の長時間の連続運転が可能となった。また上方に成長し
た長尺結晶を下方忙方向転換することにより、作業数の
多い切断装置部および収納装置部が低い位置になるため
に作業性がよい。
′Ｔｊ′るようにしたから、引上げ駆動装置部、加熱装
置部等に切断時のスプラッシュ、ベーパが入らないとと
もに、長尺結晶にこれらが付着することがなく、高品質
の結晶を得ることができ、さらに原料供給装置部、切断
装置部および収納装置部を１本化したことにより、装置
の長時間の連続運転が可能となった。また上方に成長し
た長尺結晶を下方忙方向転換することにより、作業数の
多い切断装置部および収納装置部が低い位置になるため
に作業性がよい。
瀾・１図は士１従来例を示す側断面図、米２図は芝・２
従来例を示す側断面図、十３図は十３従来例を示″ｆ側
断面図、第４図は本発明σ）結晶製造装置の一実施例を
示す鰐視図、牙５図はその概略を示す側断面図である。 （２１１・・架台、關・幸原料供給装置部、（２４）・
・加熱装置部、Ｃ２５１−・アニール装置部、■・・引
上げ駆動装置部、Ｃ０Ｄ）・・方向転換装置部、（ト）
・・切断装置部、 （３４）・・収納装部′部、０７１
・・原料としてのシリコン顆粒、（４３１・・るつぼ、
（４５１・・シリコン融液、（４６）・・スリット、
（４Ｄ・・ダイ、６２・・長尺結晶としてσ）シリコン
リボン。 ５９９
従来例を示す側断面図、十３図は十３従来例を示″ｆ側
断面図、第４図は本発明σ）結晶製造装置の一実施例を
示す鰐視図、牙５図はその概略を示す側断面図である。 （２１１・・架台、關・幸原料供給装置部、（２４）・
・加熱装置部、Ｃ２５１−・アニール装置部、■・・引
上げ駆動装置部、Ｃ０Ｄ）・・方向転換装置部、（ト）
・・切断装置部、 （３４）・・収納装部′部、０７１
・・原料としてのシリコン顆粒、（４３１・・るつぼ、
（４５１・・シリコン融液、（４６）・・スリット、
（４Ｄ・・ダイ、６２・・長尺結晶としてσ）シリコン
リボン。 ５９９
Claims (2)
- （１） るつぼ内の融液から成長した長尺結晶を連続
的に引上げる結晶製造装置において、結晶成長の容態に
合せてるつぼ内に原料を供給する原料供給装信部と、上
記るつぼ内で原料を融解する加熱装置部と、この融解し
た融液な移動させるために一部がるつぼ内の融液に浸っ
たスリットを有するグイと、このダイから長尺結晶を引
上げる引上げ駆動装置部と、この引上げた長尺結晶の熱
歪を除去するアニール装置部と、長尺結晶の搬送方向を
方向転換させる方向転換装置部と、この方向転換された
長尺結晶を一定長さに切断する切断装置部と、この切断
された結晶を収納する収納装置部と、上記各々の装置部
を固定支持する架台とを具備したことを特徴とする結晶
製造装置。 - （２）上方に成長した長尺結晶を方向転換して引上げ駆
動装置部による引上げ軸上からずれた位置で切断するこ
とを特徴とする特許請求の範囲士１項記載の結晶製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20648782A JPS5935877B2 (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20648782A JPS5935877B2 (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 結晶製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997593A true JPS5997593A (ja) | 1984-06-05 |
| JPS5935877B2 JPS5935877B2 (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=16524183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20648782A Expired JPS5935877B2 (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935877B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000066818A1 (fr) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Ebara Corporation | Procede et dispositif permettant de tirer un cristal en continu |
| WO2008055067A2 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Evergreen Solar, Inc. | Method and apparatus for forming a silicon wafer |
| JP2014070016A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Apple Inc | 連続的なサファイア成長 |
| WO2015104575A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Up-drawing continuous casting method and up-drawing continuous casting apparatus |
| US9945613B2 (en) | 2012-09-20 | 2018-04-17 | Apple Inc. | Heat exchangers in sapphire processing |
| US10328605B2 (en) | 2014-02-04 | 2019-06-25 | Apple Inc. | Ceramic component casting |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP20648782A patent/JPS5935877B2/ja not_active Expired
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000066818A1 (fr) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Ebara Corporation | Procede et dispositif permettant de tirer un cristal en continu |
| US6663710B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-12-16 | Ebara Corporation | Method for continuously pulling up crystal |
| WO2008055067A2 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Evergreen Solar, Inc. | Method and apparatus for forming a silicon wafer |
| WO2008055067A3 (en) * | 2006-10-27 | 2009-06-11 | Evergreen Solar Inc | Method and apparatus for forming a silicon wafer |
| US9945613B2 (en) | 2012-09-20 | 2018-04-17 | Apple Inc. | Heat exchangers in sapphire processing |
| JP2014070016A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Apple Inc | 連続的なサファイア成長 |
| JP2016193833A (ja) * | 2012-09-28 | 2016-11-17 | アップル インコーポレイテッド | 連続的なサファイア成長 |
| US9777397B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-10-03 | Apple Inc. | Continuous sapphire growth |
| WO2015104575A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Up-drawing continuous casting method and up-drawing continuous casting apparatus |
| US10328605B2 (en) | 2014-02-04 | 2019-06-25 | Apple Inc. | Ceramic component casting |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5935877B2 (ja) | 1984-08-31 |
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