JPS5997515A - 非晶質シリコン - Google Patents
非晶質シリコンInfo
- Publication number
- JPS5997515A JPS5997515A JP57205537A JP20553782A JPS5997515A JP S5997515 A JPS5997515 A JP S5997515A JP 57205537 A JP57205537 A JP 57205537A JP 20553782 A JP20553782 A JP 20553782A JP S5997515 A JPS5997515 A JP S5997515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- fluorine
- atoms
- film
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池をはじめ各種の半導体装置に用いら几
る非晶質シリコンに関する。
る非晶質シリコンに関する。
非晶質シリコンは太陽電池、光センサ、電界効果形トラ
ンジスタ、撮像管、電子写真用感光体などに応用が進め
らｆしている。こｎはＳｉＨ，ガスをり゛ロー放電によ
りプラズマ分解して基板上に堆積することによって得ら
れ、膜中に組み込まれる水玉がＳｉネットワーク中に存
在するダングリングホーンドを終端することにより優ｎ
た光電特性かもだｉらさ几る。しかしこの非晶質シリコ
ン膜（以下ａ−ｓ；：ｉ−ｉと記す）は光照射によって
その電気的“特性が劣化する、いわゆるステープラ・ロ
ンスキ（５ｔａｃｌ：＋Ｉｃｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ）効果
を示す。この効果を、Ｓｔ、Ｉｅｂｌｃｒ お工びＣ
、Ｒ，〜Ｖｒｏｎｓｋｉがアプライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌ ｉｃｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔ−ｅ：ｒｓ ）第３１巻（１９７７年）２９２頁 に
発表した第１図に示す実験結果から述べると、２００
ｍＷ／ｃＪの白色光下で４時間光を照射することによっ
て照射前のａ−８ｉ：Ｈ膜の暗導電率１１はおよそ４桁
低下し線１２の水準となり、光導電率１３も照射中にお
よそ１桁低下する。
ンジスタ、撮像管、電子写真用感光体などに応用が進め
らｆしている。こｎはＳｉＨ，ガスをり゛ロー放電によ
りプラズマ分解して基板上に堆積することによって得ら
れ、膜中に組み込まれる水玉がＳｉネットワーク中に存
在するダングリングホーンドを終端することにより優ｎ
た光電特性かもだｉらさ几る。しかしこの非晶質シリコ
ン膜（以下ａ−ｓ；：ｉ−ｉと記す）は光照射によって
その電気的“特性が劣化する、いわゆるステープラ・ロ
ンスキ（５ｔａｃｌ：＋Ｉｃｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ）効果
を示す。この効果を、Ｓｔ、Ｉｅｂｌｃｒ お工びＣ
、Ｒ，〜Ｖｒｏｎｓｋｉがアプライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌ ｉｃｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔ−ｅ：ｒｓ ）第３１巻（１９７７年）２９２頁 に
発表した第１図に示す実験結果から述べると、２００
ｍＷ／ｃＪの白色光下で４時間光を照射することによっ
て照射前のａ−８ｉ：Ｈ膜の暗導電率１１はおよそ４桁
低下し線１２の水準となり、光導電率１３も照射中にお
よそ１桁低下する。
本発明はこのステープラ・ロンスキ効果の少ない非晶質
シリコンを提供することを目的とする。
シリコンを提供することを目的とする。
この目的は、非晶質シリコンが１０原子チ以下の水素と
０．２〜２原子チの弗素を含有することによって達成さ
几る。
０．２〜２原子チの弗素を含有することによって達成さ
几る。
本発明はａ−８ｉ：Ｈ膜に弗素を添加した非晶質シリコ
ン（ａ−ｓｉ：Ｆ’：）１）膜について系統的な実執全
行って得ら庇た次の結果に基づく。
ン（ａ−ｓｉ：Ｆ’：）１）膜について系統的な実執全
行って得ら庇た次の結果に基づく。
１１１１）、水素含有量１０原子チ以上の膜この範囲で
作成したａ−ｓｉ：ｐ：ｉ−ｉ膜ではステープ゛う・ロ
ンスキ効果が太きい。例えば弗素台布量１５原子チ、水
素含有量１５原子チのａ−８ｉ ： Ｆ：Ｈ膜では第１
囚に示したＷｒｏｎｓｋｉ等の結果と同月産のステープ
ラΦロンスキ効果があり、また電気的特性の低い膜であ
った。こｎは膜中に組みこまｎる過剰の弗素原子および
水素原子が、そｎ自体で電気的欠陥を形成するためであ
る。
作成したａ−ｓｉ：ｐ：ｉ−ｉ膜ではステープ゛う・ロ
ンスキ効果が太きい。例えば弗素台布量１５原子チ、水
素含有量１５原子チのａ−８ｉ ： Ｆ：Ｈ膜では第１
囚に示したＷｒｏｎｓｋｉ等の結果と同月産のステープ
ラΦロンスキ効果があり、また電気的特性の低い膜であ
った。こｎは膜中に組みこまｎる過剰の弗素原子および
水素原子が、そｎ自体で電気的欠陥を形成するためであ
る。
（２）水素含有量１０原子チ以下の脱
水素含有量１０原子チ以下の範囲で、弗素含有量を変化
させたとき得らｎる膜の光導電率を第２図に示す。すな
わち、弗素含有量０．２〜２原子チにおいて高い光導電
率をもち、２原子チ以上および０．２原子チ以下では極
端に低下する。この範囲にあるａ Ｓｉ：Ｆ：Ｈ膜は
ステープラ・ロンスキ効果が低く、４時間の露光の間に
光導電率の減少は５％程度であった。
させたとき得らｎる膜の光導電率を第２図に示す。すな
わち、弗素含有量０．２〜２原子チにおいて高い光導電
率をもち、２原子チ以上および０．２原子チ以下では極
端に低下する。この範囲にあるａ Ｓｉ：Ｆ：Ｈ膜は
ステープラ・ロンスキ効果が低く、４時間の露光の間に
光導電率の減少は５％程度であった。
（３）水素含有量１０原子チ以下、弗素含有量０原子チ
このようなａ−８ｉ：Ｈ膜では、第１図に示したと同程
度のステープラ・ロンスキ効果がみら扛た。
度のステープラ・ロンスキ効果がみら扛た。
以上（１１〜（３）の結果より、ａ−８ｉ膜のステープ
ラ・ロンスキ効果を低減するためには弗素および水素の
最適含有量が存在し、そ扛ぞれ０．２〜２原子チ、１０
原子チ以下である。
ラ・ロンスキ効果を低減するためには弗素および水素の
最適含有量が存在し、そ扛ぞれ０．２〜２原子チ、１０
原子チ以下である。
本発明に基づき、実際にこの最適含有量範囲にあるａ−
８ｉ：Ｆ：Ｈ膜および比較試料としてその範皿外にある
ａ−８ｉ：Ｆ：Ｈ膜を用いてｎ−１−ｐ構用ヲステンレ
ス鋼基板上に形成し１表面１ＩＴＯ透羽導電膜で覆って
太陽電池を試作した。第３図はｔのＡＭ−１（１００ｍ
Ｗ／ｉ ）の照射条件における出、力特性を示し、各特
性値は第１表の通りである。
８ｉ：Ｆ：Ｈ膜および比較試料としてその範皿外にある
ａ−８ｉ：Ｆ：Ｈ膜を用いてｎ−１−ｐ構用ヲステンレ
ス鋼基板上に形成し１表面１ＩＴＯ透羽導電膜で覆って
太陽電池を試作した。第３図はｔのＡＭ−１（１００ｍ
Ｗ／ｉ ）の照射条件における出、力特性を示し、各特
性値は第１表の通りである。
第、３図において曲線３１が本発明の実施例試料、曲線
３２が比較試料の特性である。
３２が比較試料の特性である。
第 １ 表
こｎらよシ明らかなように１本発明の実施例と比較試料
の間には大きな差異が生じ、最適含有量範囲にあるａ−
８ｉ：Ｆ：Ｈ膜は良好な出力特性を有する太陽電池材料
であることが確認された。
の間には大きな差異が生じ、最適含有量範囲にあるａ−
８ｉ：Ｆ：Ｈ膜は良好な出力特性を有する太陽電池材料
であることが確認された。
太陽電池以外への応用例としては、前述したように弗素
添加によシＳｉネットワーク中のダングリングボンドが
少ない膜であるため、光センサ、屯界効果トランジスタ
への適用も有効である。
添加によシＳｉネットワーク中のダングリングボンドが
少ない膜であるため、光センサ、屯界効果トランジスタ
への適用も有効である。
以上述べたように本発明にａ−８ｉ中に水素および弗素
を最適含有量範囲で添加することにより、ダングリング
ボンドが少ない上にステープラ・ロンスキ効果も低いす
ぐｎた非晶質材料を得るものす、太陽電池をはじめ各種
半導体装置に極めて有効に使用することができる。
を最適含有量範囲で添加することにより、ダングリング
ボンドが少ない上にステープラ・ロンスキ効果も低いす
ぐｎた非晶質材料を得るものす、太陽電池をはじめ各種
半導体装置に極めて有効に使用することができる。
第１図はステープラ・ロンスキ効果を示す導電率一時間
関係線図、第２図は水素含有量１０原子チ以下の非晶質
シリコンの光導電率−弗素含有量関係線図、第３図は本
発明の一実施例試料および比較試料の出力電流・電圧特
性線図である。 ３１・・・一実施例試料。 特許出願・八 石 坂 誠 − ７１図 ７２図 第３図 出力１口Ｅ（Ｖ）
関係線図、第２図は水素含有量１０原子チ以下の非晶質
シリコンの光導電率−弗素含有量関係線図、第３図は本
発明の一実施例試料および比較試料の出力電流・電圧特
性線図である。 ３１・・・一実施例試料。 特許出願・八 石 坂 誠 − ７１図 ７２図 第３図 出力１口Ｅ（Ｖ）
Claims (1)
- １）１０原子饅以下の水素と０．２〜２原子−の弗素を
含有することを特徴とする非晶質シリコン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205537A JPS5997515A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 非晶質シリコン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205537A JPS5997515A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 非晶質シリコン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997515A true JPS5997515A (ja) | 1984-06-05 |
| JPH0355406B2 JPH0355406B2 (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=16508527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57205537A Granted JPS5997515A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 非晶質シリコン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5997515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182551U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-24 |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP57205537A patent/JPS5997515A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182551U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355406B2 (ja) | 1991-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008153646A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| ES478453A1 (es) | Un metodo de produccion de una pelicula semiconductora amor-fa. | |
| JP3037461B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2933177B2 (ja) | 非単結晶炭化珪素半導体、及びその製造方法、及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPS59971A (ja) | 補償アモルフアスシリコン太陽電池 | |
| JPS6233479A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS5997515A (ja) | 非晶質シリコン | |
| JP2855300B2 (ja) | 非単結晶ゲルマニウム半導体 | |
| JPH0150905B2 (ja) | ||
| JP2835798B2 (ja) | 非単結晶シリコン半導体 | |
| JPH0220095B2 (ja) | ||
| JP2775460B2 (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 | |
| Stetsyura et al. | The influence of an amorphous silicon layer on the adsorption properties of a semiconductor structure under photostimulation conditions | |
| JP3150681B2 (ja) | 薄膜非晶質半導体装置 | |
| JPS59101879A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH0575153A (ja) | 光電変換素子用透明導電膜及びその製造方法 | |
| JPS599978A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6410066B2 (ja) | ||
| JPS61201481A (ja) | 光導電体 | |
| JPS63244888A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3014912B2 (ja) | 非晶質半導体の製造方法及び非晶質半導体 | |
| JP3037466B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH11103083A (ja) | 非晶質シリコン系半導体膜及びそれを用いた光起電力装置 | |
| JPS618979A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0376020B2 (ja) |