JPS5996642A - 二次電子増倍器の製造方法 - Google Patents
二次電子増倍器の製造方法Info
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- JPS5996642A JPS5996642A JP20577082A JP20577082A JPS5996642A JP S5996642 A JPS5996642 A JP S5996642A JP 20577082 A JP20577082 A JP 20577082A JP 20577082 A JP20577082 A JP 20577082A JP S5996642 A JPS5996642 A JP S5996642A
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- JP
- Japan
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- glass
- electron multiplier
- secondary electron
- glass plate
- lead
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
- H01J9/125—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes of secondary emission electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/32—Secondary emission electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は並行に配列した多数の貫通孔（以下チャンネル
と言う）の内壁に抵抗層と、二次電子放出層を備え、前
記チャンネルの両端に電圧を加えたとき、低電圧側のチ
ャンネルの開孔端より入射した電子がチャンネルの内壁
に衝突を繰返し、その数を増倍する形式の二次電子増倍
器の製造方法、さらに詳しく言えば、前記チャンネルの
電子の入射する側と出射する側で、内壁の抵抗が異なる
二次電子増倍器の製造方法に関する。
と言う）の内壁に抵抗層と、二次電子放出層を備え、前
記チャンネルの両端に電圧を加えたとき、低電圧側のチ
ャンネルの開孔端より入射した電子がチャンネルの内壁
に衝突を繰返し、その数を増倍する形式の二次電子増倍
器の製造方法、さらに詳しく言えば、前記チャンネルの
電子の入射する側と出射する側で、内壁の抵抗が異なる
二次電子増倍器の製造方法に関する。
前記形式のもっとも一般的な二次電子増倍器のチャンネ
ルの内壁の抵抗は、電子の入射する側から出射する側ま
で均一に形成されている。
ルの内壁の抵抗は、電子の入射する側から出射する側ま
で均一に形成されている。
一方、前記チャンネルの電子の入射する側と出射する側
で抵抗が異なると種々の優れた性質が得られることも良
く知られている。
で抵抗が異なると種々の優れた性質が得られることも良
く知られている。
特公昭４３−２２４２７号公報に記載されている発明は
、前記チャンネルの電子の入射する側と出射する側で抵
抗を異ならせると、チャンネルの軸線の方向へ電子を指
向させることができる効果を指摘している。
、前記チャンネルの電子の入射する側と出射する側で抵
抗を異ならせると、チャンネルの軸線の方向へ電子を指
向させることができる効果を指摘している。
また特公昭５７−２４６３０号公報に記載されている発
明は、前記チャンネルの電子の入射する側と出射する側
で抵抗を異ならせると大きな利得が得られることを指摘
している。
明は、前記チャンネルの電子の入射する側と出射する側
で抵抗を異ならせると大きな利得が得られることを指摘
している。
さらに本願発明者らの研究により、前記チャンネルの電
子の入射する側と出射する側で抵抗を異ならせると二次
電子増倍器の寿命、すなわら使用時間に対する二次電子
増倍機能の低下を少なくすることができることが判明し
た。
子の入射する側と出射する側で抵抗を異ならせると二次
電子増倍器の寿命、すなわら使用時間に対する二次電子
増倍機能の低下を少なくすることができることが判明し
た。
前記特公昭４３−２２４２７号公報に示されている発明
は、スズ、アンチモンあるいは酸化鉛の組成分からなる
電気抵抗物質を管の内壁に電子源から出力醋）に至るに
従って厚さを減らす構成により、前記チャンネルの電子
の入射する側と出射する側で抵抗を異ならせることがで
きると述べられている。
は、スズ、アンチモンあるいは酸化鉛の組成分からなる
電気抵抗物質を管の内壁に電子源から出力醋）に至るに
従って厚さを減らす構成により、前記チャンネルの電子
の入射する側と出射する側で抵抗を異ならせることがで
きると述べられている。
しかしながら、チャンネルの内径が数十ミクロン以下で
長さは内径の５０倍以上もあるような細い管の内径にこ
のような厚さの分布を持つ電気抵抗層を塗布することは
容易ではない。
長さは内径の５０倍以上もあるような細い管の内径にこ
のような厚さの分布を持つ電気抵抗層を塗布することは
容易ではない。
前記特公昭５７−２４６３０号公報に示されている発明
では、異なる抵抗率を有するチタン酸バリウム系半導体
磁器の筒を導電性接着剤で接合することにより、前記チ
ャンネルの電子の入射する側と出射する側で抵抗を異な
らせている。
では、異なる抵抗率を有するチタン酸バリウム系半導体
磁器の筒を導電性接着剤で接合することにより、前記チ
ャンネルの電子の入射する側と出射する側で抵抗を異な
らせている。
この方法は、前記公報に示されているように内径１．２
鰭程度の比較的径の大きいチャンネルに適している。
鰭程度の比較的径の大きいチャンネルに適している。
しかしながら、本願発明者等が目的とするチャンネルの
内径が数十ミクロン以下の二次電子増倍器の製造に適用
することば困難である。
内径が数十ミクロン以下の二次電子増倍器の製造に適用
することば困難である。
またチャンネルが一つの面に多数並行に配列されたいわ
ゆるマイクロチャンネルプレートにおいては僅かにチャ
ンネルのピッチが違っていても全てのチャンネルを一対
一に接続することが困ｌｉｔであることから前記方法は
採用できない。
ゆるマイクロチャンネルプレートにおいては僅かにチャ
ンネルのピッチが違っていても全てのチャンネルを一対
一に接続することが困ｌｉｔであることから前記方法は
採用できない。
本発明の目的は、チャンネルの内径が数十ミクロンのよ
うに極めて細いチャンネルを無数に配列した二次電子増
倍器において前記チャンネルの電子の入射する側と出射
する側で抵抗を異ならせた二次電子増倍器を製造する方
法を提供することにある。
うに極めて細いチャンネルを無数に配列した二次電子増
倍器において前記チャンネルの電子の入射する側と出射
する側で抵抗を異ならせた二次電子増倍器を製造する方
法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明による二次電子増倍
器の製造方法は、芯部は腐食剤により容易に腐食される
ガラスで外周被覆部は腐食され難く釦を含有するガラス
よりなるガラス棒を多数結束し融着する工程と、前記工
程で形成されたガラス棒組体の各ガラス棒と交叉する平
行な２平面で切断してガラス板を形成する切出し工程と
、腐食剤により前記芯部を侵食除去してチャンネルを形
成し前記チャンネルを形成する内壁面に抵抗層を形成す
る工程と、前記ガラス板の両面に前記無数の抵抗層に接
続する電極を形成する電極形成工程を含む二次電子増倍
器の製造方法において、前記ガラス板の一方の面にその
面からの侵食を阻止するための保護層を形成し、腐食剤
に浸漬して、前記保護層を形成した面と異なる面から芯
部を一部分熔解する第１の腐食工程と、前記芯部が一部
分熔解除去されたガラス板を水素雰囲気中で加熱し°ζ
前記除去された部分の外周の被覆部の表面に鉛層を形成
する第１の鉛抵抗層形成工程と、前記保護層を除去した
後、再び前記腐食剤に浸漬し、前記第１の腐食工程にお
いて除去されなかった芯部を溶解する第２の腐食工程と
、前記芯部が溶解除去されたガラス板を水素雰囲気中で
加熱して被覆部の表面に鉛抵抗層を形成する第２の鉛抵
抗層形成工程とを設りて構成されている。
器の製造方法は、芯部は腐食剤により容易に腐食される
ガラスで外周被覆部は腐食され難く釦を含有するガラス
よりなるガラス棒を多数結束し融着する工程と、前記工
程で形成されたガラス棒組体の各ガラス棒と交叉する平
行な２平面で切断してガラス板を形成する切出し工程と
、腐食剤により前記芯部を侵食除去してチャンネルを形
成し前記チャンネルを形成する内壁面に抵抗層を形成す
る工程と、前記ガラス板の両面に前記無数の抵抗層に接
続する電極を形成する電極形成工程を含む二次電子増倍
器の製造方法において、前記ガラス板の一方の面にその
面からの侵食を阻止するための保護層を形成し、腐食剤
に浸漬して、前記保護層を形成した面と異なる面から芯
部を一部分熔解する第１の腐食工程と、前記芯部が一部
分熔解除去されたガラス板を水素雰囲気中で加熱し°ζ
前記除去された部分の外周の被覆部の表面に鉛層を形成
する第１の鉛抵抗層形成工程と、前記保護層を除去した
後、再び前記腐食剤に浸漬し、前記第１の腐食工程にお
いて除去されなかった芯部を溶解する第２の腐食工程と
、前記芯部が溶解除去されたガラス板を水素雰囲気中で
加熱して被覆部の表面に鉛抵抗層を形成する第２の鉛抵
抗層形成工程とを設りて構成されている。
以下、図面等を参照して本発明方法を工程の順に８“（
シフ説明する。
シフ説明する。
〔ガラス棒を多数結束し融着する工程〕腐食剤（エツチ
ング液）により熔解することができる直径１９暉の芯と
なるガラス棒２を用意する。
ング液）により熔解することができる直径１９暉の芯と
なるガラス棒２を用意する。
腐食剤により熔解するガラスとして、特公昭４９−４７
９７４号に記述されている ５ｉ０２５〜４２重量％、８２０３２０〜７５重足％。
９７４号に記述されている ５ｉ０２５〜４２重量％、８２０３２０〜７５重足％。
Ｋ ２０ ＋ Ｎ ａ ２０１９．５〜４３重量％の組
成を有するガラスを利用できる。
成を有するガラスを利用できる。
腐食剤（エツチング液）は前記公報に記載された１０％
の弗化水素酸と２０％の硝酸を含有する水溶液である。
の弗化水素酸と２０％の硝酸を含有する水溶液である。
次に鉛を含有する内径２０鰭のガラス管１を用意する。
ガラス管ｌば、前記特公昭４９−４７９７４号に記述さ
れた５ｉ０２３０〜７０重量％。
れた５ｉ０２３０〜７０重量％。
Ａ１２０３０．５〜１０重足％、８２０３≦１０重量。
Ｐｂ０６〜３０重量％、１３ｉ２０３２〜４５重量％。
ＣａＯ＋ＳｒＯ≦８重量％１
Ｍｇ００．５〜７重量％、５ｂ２０３≦２重量％の組成
を有するガラス材を利用することができる。
を有するガラス材を利用することができる。
第１図に示すように、前記のガラス管１の中へ前記芯祠
形成用のガラス棒２を挿入し加熱して軟化させ、充分に
軟らかくなったとごろで両端を引っ張ることにより、直
径１鰭以下の繊維状のガラス棒をＩＭる。
形成用のガラス棒２を挿入し加熱して軟化させ、充分に
軟らかくなったとごろで両端を引っ張ることにより、直
径１鰭以下の繊維状のガラス棒をＩＭる。
このガラス繊維を数千率束ね、加熱して軟らかくなった
ところで両α１！１を引っ張ると元のガラス棒ば２０μ
ｍ以下の直径となる。
ところで両α１！１を引っ張ると元のガラス棒ば２０μ
ｍ以下の直径となる。
このようにし−（得られたガラス繊維を数千率束ね加熱
して融着する。このようにして１００万本以上のガラス
棒（中心の腐食可能な芯を腐食しにくい鉛含有ガラスで
被覆したガラス棒）よりなる直径２５闘のガラス棒組体
３が形成される。
して融着する。このようにして１００万本以上のガラス
棒（中心の腐食可能な芯を腐食しにくい鉛含有ガラスで
被覆したガラス棒）よりなる直径２５闘のガラス棒組体
３が形成される。
前記工程で得られた直径２５龍のガラス棒組体３を、各
ガラス棒に直角に交叉する一対の平面で切断することに
より、ガラス板４を得る。
ガラス棒に直角に交叉する一対の平面で切断することに
より、ガラス板４を得る。
ガラス棒組体３と切り出されたガラス板４を第２図に略
図示しである。
図示しである。
〔第１の腐食工程〕
次に前記ガラス板４の一方の面にその面からの腐食を阻
止するためにシリコン樹脂塗料を塗布して保護層５を形
成する。
止するためにシリコン樹脂塗料を塗布して保護層５を形
成する。
この保護層５が形成されたガラス板を、前記１０％の弗
化水素と２０％の硝酸を含有する液に浸漬して保護層の
形成されていない面から前記芯の部分を腐食させる。３
時間浸漬した後に取り出して十分にずずぎ、乾燥する。
化水素と２０％の硝酸を含有する液に浸漬して保護層の
形成されていない面から前記芯の部分を腐食させる。３
時間浸漬した後に取り出して十分にずずぎ、乾燥する。
前記一方の面からの腐食の状態を第３図に略図的に示し
である。
である。
図において、２ａは芯材の腐食されずに残っている部分
２ｂは腐食されて除去された部分を示ず。
２ｂは腐食されて除去された部分を示ず。
１ａばガラス管ｌが引き伸ばされた鉛を含有するガラス
部分である。
部分である。
〔第１の鉛抵抗層形成工程〕
前記ガラス板４を水素ガス雰囲気中３３０’ｃで３０分
間加熱する。ここで、前記ガラス板４の一面から腐食剤
によって除去されたガラス部分２ｂ（第３図参照）に対
応する内壁１ａに鉛が析出し、比較的高抵抗の導電性と
、二次電子放出性を有する鉛抵抗層が形成される。
間加熱する。ここで、前記ガラス板４の一面から腐食剤
によって除去されたガラス部分２ｂ（第３図参照）に対
応する内壁１ａに鉛が析出し、比較的高抵抗の導電性と
、二次電子放出性を有する鉛抵抗層が形成される。
〔第２の腐食工程〕
前記保護層５を除去した後、再び前記腐食剤に浸漬し、
前記第１の腐食工程において除去されなかった芯部を溶
解する。
前記第１の腐食工程において除去されなかった芯部を溶
解する。
この腐食工程は、前記第１の腐食工程と同様に、腐食溶
液に浸漬し、第３図に示す２ａの部分を除去し、すすぎ
、乾燥する。
液に浸漬し、第３図に示す２ａの部分を除去し、すすぎ
、乾燥する。
〔第２の鉛抵抗層形成工程〕
前記芯部が完全に除去され貫通孔（チャンネル６）が形
成されたガラス板４を水素雰囲気中で加熱し°ζ被覆部
の表面に再度鉛層を形成する。
成されたガラス板４を水素雰囲気中で加熱し°ζ被覆部
の表面に再度鉛層を形成する。
第４図に抵抗層が形成された一つのチャンネルを拡大し
て示しである。
て示しである。
シリコン、樹脂塗Ｈの保護膜５を形成しなかった、面の
側の部分は水素ガス中での加熱が２回実行されるので鉛
の析出量が多く抵抗層７ａの抵抗は保護膜５を形成した
側の抵抗層７ｂに比較して低くなる。
側の部分は水素ガス中での加熱が２回実行されるので鉛
の析出量が多く抵抗層７ａの抵抗は保護膜５を形成した
側の抵抗層７ｂに比較して低くなる。
前記各工程を経て製造されたガラス板のチャンネルは、
内径１５μｍ、長さ１龍である。
内径１５μｍ、長さ１龍である。
一つのチャンネルの一方の端から０．５鮪までの抵抗層
の抵抗値は、約１００ＭΩ、残り０．５ｍｍは抵抗層２
００ＭΩとなった。
の抵抗値は、約１００ＭΩ、残り０．５ｍｍは抵抗層２
００ＭΩとなった。
なおチャンネルはピッチ１５μｍで配列し、円形２０開
φの中に１５０万本存在する。
φの中に１５０万本存在する。
（電極形成工程〕
最後に前記ガラス板４の両面にクロムを蒸着する。
このような二次電子増倍器を低抵抗面を入射面として像
増強管に組み込むことにより像増強管を形成する。この
ようにして形成された像増強管は解像度が優れ、比較的
強い光の入射に対しても対応する輝度の出力をし、寿命
は長い。
増強管に組み込むことにより像増強管を形成する。この
ようにして形成された像増強管は解像度が優れ、比較的
強い光の入射に対しても対応する輝度の出力をし、寿命
は長い。
本願発明者等の実験によれは、前記構成による像増強管
の二次電子増倍器は従来の相当品と比較して、寿命が１
０〜２０倍になることが確認できた。
の二次電子増倍器は従来の相当品と比較して、寿命が１
０〜２０倍になることが確認できた。
第１図は、ガラス棒の累月となる芯材とガラス管を示す
概略斜視図、第２図はガラス捧組立とガラス板を示す概
略斜視図、第３図は第１の腐食工程を説明するための拡
大断面図、第４図は一つのチャンネルを拡大して示した
拡大断面図である。 ■・・・ガラス管 ２・・・芯材の累月３・・・ガ
ラス捧組体 ４・・・ガラス板 ５・・・保護膜６・・・チャン
ネル ７ａ、７ａ・・・抵抗層 特許出願人 浜松テレビ株式会社 代理人 弁理士 井、ノ ロ 壽
概略斜視図、第２図はガラス捧組立とガラス板を示す概
略斜視図、第３図は第１の腐食工程を説明するための拡
大断面図、第４図は一つのチャンネルを拡大して示した
拡大断面図である。 ■・・・ガラス管 ２・・・芯材の累月３・・・ガ
ラス捧組体 ４・・・ガラス板 ５・・・保護膜６・・・チャン
ネル ７ａ、７ａ・・・抵抗層 特許出願人 浜松テレビ株式会社 代理人 弁理士 井、ノ ロ 壽
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ 芯部は腐食剤により容易に腐食されるガラス
で外周被覆部は腐食され難く鉛を含有するガラスよりな
るガラス棒を多数結束し融着する工程と、前記工程で形
成されたガラス棒組体の各ガラス棒と交叉する平行な２
平面で切断してガラス板を形成する切出し工程と、腐食
剤により前記芯部を侵食除去し゛ζチャンネルを形成し
前記チャンネルを形成する内壁面に抵抗層を形成する工
程と、前記ガラス板の両面に前記無数の抵抗層に接続す
る電極を形成する電極形成工程を含む二次電子増倍器の
製造方法において、前記ガラス板の一方の面にその面か
らの侵食を阻止するための保護層を形成し、腐食剤に浸
漬して、前記保護層を形成した面と異なる面から芯部を
一部分溶解する第１の腐食工程と、前記芯部が一部分溶
解除去されたガラス板を水素雰囲気中で加熱して前記除
去された部分の外周の被覆部の表面に鉛層を形成する第
１の鉛抵抗層形成工程と、前記保護層を除去した後、再
び前記腐食剤に浸漬し、前記第１の腐食工程において除
去されなかった芯部を溶解する第２の腐食工程と、前記
芯部が熔解除去されたガラス板を水素雰囲気中で加熱し
て被覆部の表面に鉛抵抗層を形成する第２の鉛抵抗層形
成工程とを設けて構成したことを特徴とする二次電子増
倍器の製造方法。 （２）前記保護面を形成した））すに接続するチャンネ
ルの内壁面に形成される抵抗層は前記保護面を形成しな
かった側に接続するチャンネルの内壁面に形成される抵
抗層よりも鉛の析出量が少なく製造され同一ヂ中ンネル
内壁の抵抗値分布が段階的に形成されている特許請求の
範囲第１項記載の二次電子増倍器の製造方法。 （３）前記保護面を形成した側に接続するチャンネルの
内壁面に形成される抵抗層の抵抗値は前記保護面を形成
しなかった側に接続するチャンネルの内壁面に形成され
る抵抗層の抵抗値の約１７２である特許請求の範囲第２
項記載の二次電子増倍器の製造方法。 （４）前記切出し工程の切断面は、前記芯部に垂直であ
る特許請求の範囲第１項記載の二次電子増倍器の製造方
法。 （５） 前記ガラス板の両面に形成される電極は、ク
ロムの蒸着により形成される特許請求の範囲第１項記載
の二次電子増倍器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20577082A JPS5996642A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 二次電子増倍器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20577082A JPS5996642A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 二次電子増倍器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996642A true JPS5996642A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16512374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20577082A Pending JPS5996642A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 二次電子増倍器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996642A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4978885A (en) * | 1989-03-02 | 1990-12-18 | Galileo Electro-Optics Corporation | Electron multipliers with reduced ion feedback |
| JPH0712578U (ja) * | 1993-08-05 | 1995-03-03 | 文夫 平野 | マンホールの管連結部 |
| JP2008181124A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-08-07 | Applied Materials Israel Ltd | マスクの評価すべきパターンを評価するための方法及びシステム |
| CN112782547A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-05-11 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种铯原子钟电子倍增器使用寿命的预测方法 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP20577082A patent/JPS5996642A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4978885A (en) * | 1989-03-02 | 1990-12-18 | Galileo Electro-Optics Corporation | Electron multipliers with reduced ion feedback |
| JPH0712578U (ja) * | 1993-08-05 | 1995-03-03 | 文夫 平野 | マンホールの管連結部 |
| JP2008181124A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-08-07 | Applied Materials Israel Ltd | マスクの評価すべきパターンを評価するための方法及びシステム |
| CN112782547A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-05-11 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种铯原子钟电子倍增器使用寿命的预测方法 |
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