JPS59936B2 - 発光スクリ−ンの製造方法 - Google Patents
発光スクリ−ンの製造方法Info
- Publication number
- JPS59936B2 JPS59936B2 JP6905876A JP6905876A JPS59936B2 JP S59936 B2 JPS59936 B2 JP S59936B2 JP 6905876 A JP6905876 A JP 6905876A JP 6905876 A JP6905876 A JP 6905876A JP S59936 B2 JPS59936 B2 JP S59936B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- luminescent screen
- manufacturing
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子線励起用の効率の高い発光スクリーンの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
従来、陰極線管のけい光面は、フェースプレート内面に
、水ガラスやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などを結
合剤としてけい光体粒子を沈降、又は塗布により付着さ
せて形成される。
、水ガラスやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などを結
合剤としてけい光体粒子を沈降、又は塗布により付着さ
せて形成される。
一方、けい光体粒子は、スラリー中での分散性をよくし
たり、塗布工程中での化学的安定性を高めたり、又基面
への接着性をよくするため、あらかじめ表面をシリカの
ような化学的に安定な酸化物膜で保護することが多い。
たり、塗布工程中での化学的安定性を高めたり、又基面
への接着性をよくするため、あらかじめ表面をシリカの
ような化学的に安定な酸化物膜で保護することが多い。
現用の白黒や、カラー受像管に使用されている硫化亜鉛
系けい光体やイツトリウム酸化物又はイブ） ＩＪウム
硫酸化物けい光体ではスラリー中での化学的安定性を高
める見地から表面保護膜によるコーチイブは必ず必要と
されている。
系けい光体やイツトリウム酸化物又はイブ） ＩＪウム
硫酸化物けい光体ではスラリー中での化学的安定性を高
める見地から表面保護膜によるコーチイブは必ず必要と
されている。
しかし、これら結合剤きして使用された水ガラスや表面
コーティングによるシリカなどがけい光体表面に最終的
に付着したま＼残っているため、電子線は励起すべきけ
い光体に達する前にこれらの膜を通過せねばならず、そ
の間に失われるエネルギーは無視できない程大きく、ス
クリーンの発光効率を低下させる大きな原因となってい
る。
コーティングによるシリカなどがけい光体表面に最終的
に付着したま＼残っているため、電子線は励起すべきけ
い光体に達する前にこれらの膜を通過せねばならず、そ
の間に失われるエネルギーは無視できない程大きく、ス
クリーンの発光効率を低下させる大きな原因となってい
る。
又、複雑なスクリーン形成工程中に生じたけい光体内部
表面の加工層や汚染物質の拡散による非発光層などもス
クリーンの発光効率低下の大きな原因と考えられる。
表面の加工層や汚染物質の拡散による非発光層などもス
クリーンの発光効率低下の大きな原因と考えられる。
本発明は、沈降又は塗布などによって形成した発光スク
リーンにおいて、けい光体表面被着物や表面加工層、非
発光層を電離した気体（ガスプロズマ）との化学反応に
よって除去することを目的とし、それによって高効率の
発光スクリーンを得ようとするものである。
リーンにおいて、けい光体表面被着物や表面加工層、非
発光層を電離した気体（ガスプロズマ）との化学反応に
よって除去することを目的とし、それによって高効率の
発光スクリーンを得ようとするものである。
電離した気体による化学反応を、集積回路のウェーバ処
理工程に利用することは、ガス−プラズマ・エツチング
として知られ公知である。
理工程に利用することは、ガス−プラズマ・エツチング
として知られ公知である。
その特徴は、従来の化学薬品の代わりに、ガス−プラズ
マを使い、エツチングを行うものであり、液体を使わな
い乾式１程であること、プロセス管理が簡単であること
、安全性が高いことにある。
マを使い、エツチングを行うものであり、液体を使わな
い乾式１程であること、プロセス管理が簡単であること
、安全性が高いことにある。
本発明はこれらの特徴をけい光面の表面処理に生かそう
とするものである。
とするものである。
即ち、液体の化学薬品を使ってけい光塗布面を処理しよ
うとすれば、塗布膜をはくすさせたり、膜厚の均一性を
損わせ７、又残留薬品の洗滌を完全に行わなければなら
ないなど、技術的に難かしい問題が多々発生するが、ガ
ス−プラズマエツチングでは塗布膜に接解するのは気体
であり、しかも、除去した物質を気体として排出してし
まうので簡単な工程で、塗布膜に損傷を与えることなく
表面処理を行うことができる。
うとすれば、塗布膜をはくすさせたり、膜厚の均一性を
損わせ７、又残留薬品の洗滌を完全に行わなければなら
ないなど、技術的に難かしい問題が多々発生するが、ガ
ス−プラズマエツチングでは塗布膜に接解するのは気体
であり、しかも、除去した物質を気体として排出してし
まうので簡単な工程で、塗布膜に損傷を与えることなく
表面処理を行うことができる。
具体的には、従来、陰極線管のけい光面の製造工程で行
われているように、シリカなどの化学的に安定な物質で
表面コートされたけい光体を、水ガラスやＰＶＡを結合
剤として、基面上に付着させ熱処理した後、高周波電力
などにより所定のガスプラズマを発生させた反応管の中
でけい光面の表面処理を行う。
われているように、シリカなどの化学的に安定な物質で
表面コートされたけい光体を、水ガラスやＰＶＡを結合
剤として、基面上に付着させ熱処理した後、高周波電力
などにより所定のガスプラズマを発生させた反応管の中
でけい光面の表面処理を行う。
アルミニウムドックは必要に応じてその後で行う。
使用されるガスは除去（エツチング）すべき物質の種類
によって最適なものを選ばなければならないが、シリカ
や水ガラスのようなシリコン化合物の除去には弗素系ガ
スが有効であり、ＣＦ２゜Ｃ２Ｆ２ 、Ｃ２Ｆ２ Ｃ１
１２，ＳＦ６などが利用できる。
によって最適なものを選ばなければならないが、シリカ
や水ガラスのようなシリコン化合物の除去には弗素系ガ
スが有効であり、ＣＦ２゜Ｃ２Ｆ２ 、Ｃ２Ｆ２ Ｃ１
１２，ＳＦ６などが利用できる。
この中ではＣＦ４が最も一般的である。
ＣＦ４ガス−プラズマによるシリコン化合物、例えばＳ
ｉＯ□膜のエツチングは、プラズマ中の弗素原子中性ラ
ジカルがＳｉＯ２と化学反応を起し、ガス状の５ＩＦ４
゜５ｉＯＦ 、 Ｆ２０などを生成することによると一
般に考えられている。
ｉＯ□膜のエツチングは、プラズマ中の弗素原子中性ラ
ジカルがＳｉＯ２と化学反応を起し、ガス状の５ＩＦ４
゜５ｉＯＦ 、 Ｆ２０などを生成することによると一
般に考えられている。
エツチング速度を速めるため、必要に応じて上記ガスに
数％の酸素ガスを混合してもよい。
数％の酸素ガスを混合してもよい。
但し、けい光体そのものの酸化に対しては充分な考慮が
はられれなければならない。
はられれなければならない。
ガス・プラズマに反応させる時間は、通常の条件下でＣ
Ｆ４を用いる場合、Ｓ ｉｏ ２膜１０００人除去する
のに３〜５分間でよい。
Ｆ４を用いる場合、Ｓ ｉｏ ２膜１０００人除去する
のに３〜５分間でよい。
但し、反応管内のガス圧、印加高周波電力によって大き
く影響される。
く影響される。
又、ＣＦ４ガス・プラズマエツチングＳｉＯ２膜の他に
ＧｅＯ２にも同様に有効である。
ＧｅＯ２にも同様に有効である。
次に実施例を挙げて具体的に説明する。
実施例 １
市販のシリカコートした白黒陰極線管用けい光体（Ｚｎ
Ｓ：Ａｇと（Ｚｎ 、Ｃｄ ）Ｓ ：Ｃｕ 、Ａｌの混
合物、１３２ｇｒを６８０ｃｃの０．４％カリ水ガラス
水溶液中に分散させた後、６００ＣＣの０．０４％硝酸
バリウム水溶液と混合し、基面上に凝集沈降させる。
Ｓ：Ａｇと（Ｚｎ 、Ｃｄ ）Ｓ ：Ｃｕ 、Ａｌの混
合物、１３２ｇｒを６８０ｃｃの０．４％カリ水ガラス
水溶液中に分散させた後、６００ＣＣの０．０４％硝酸
バリウム水溶液と混合し、基面上に凝集沈降させる。
このようにして作ったけい光面を図に示すガス−プラズ
マ反応管中で５分間表面処理を行った。
マ反応管中で５分間表面処理を行った。
図において、１は処理すべきけい光面を有する基板、２
はボート、３はガス・プラズマ反応管、４はガス流入口
、５はガス流出口、６はプラズマ発生用の高周波コイル
である。
はボート、３はガス・プラズマ反応管、４はガス流入口
、５はガス流出口、６はプラズマ発生用の高周波コイル
である。
エツチングはＣＦ４で、ガス圧はＯ−２Ｔｏｒｒ、印加
高周波電力は２００Ｗであった。
高周波電力は２００Ｗであった。
このようにして得られた発光スクリーンを、全く同じ条
件で塗布し、ガス−プラズマによる表面処理を行なわな
いけい光スクリーンと共に、アルミニウムパックを施し
て、電子線照射による発光輝度を比較した結果、ガス−
プラズマ表面処理を行なったスクリーンの方が２０〜３
０％高い輝度を示した。
件で塗布し、ガス−プラズマによる表面処理を行なわな
いけい光スクリーンと共に、アルミニウムパックを施し
て、電子線照射による発光輝度を比較した結果、ガス−
プラズマ表面処理を行なったスクリーンの方が２０〜３
０％高い輝度を示した。
実施例 ２
市販のシリカコートしたカラー受像管用けい光体（赤：
Ｙ２０□Ｓ：Ｅｕ１緑： ＺｎＳ ： Ｃｕ 、 Ａｌ
。
Ｙ２０□Ｓ：Ｅｕ１緑： ＺｎＳ ： Ｃｕ 、 Ａｌ
。
ｇ： ＺｎＳ ：Ａｇ）をポリビニルアルコール−重ク
ロム酸アンモニウム系の感光性結合剤と共にスラリー状
に混合し、基面上に塗布した後、フォトマスクを用いた
光印刷法によって、光硬化ＰＶＡで結合したけい光体粒
子からなる３色のドツトを得た。
ロム酸アンモニウム系の感光性結合剤と共にスラリー状
に混合し、基面上に塗布した後、フォトマスクを用いた
光印刷法によって、光硬化ＰＶＡで結合したけい光体粒
子からなる３色のドツトを得た。
これを４２０℃で２０分間焼成しＰＶＡを除去した後実
施例１と同じ条件でＣＦ４ガス−プラズマによるシリカ
コートのエツチングを行なった。
施例１と同じ条件でＣＦ４ガス−プラズマによるシリカ
コートのエツチングを行なった。
このようにして得られた発光スクリーンを、全く同じ条
件で塗布し、ガスプラズマによる表面処理を行なわない
けい光スクリーンと共に、アルミニウムパックを施して
、電子線照射による発光輝度を比較した結果、ガス−プ
ラズマ処理を行なったスクリーンの方が１５〜２０％高
い輝度を示した。
件で塗布し、ガスプラズマによる表面処理を行なわない
けい光スクリーンと共に、アルミニウムパックを施して
、電子線照射による発光輝度を比較した結果、ガス−プ
ラズマ処理を行なったスクリーンの方が１５〜２０％高
い輝度を示した。
本発明は以上のごとく、電離した気体をけい光面と化学
反応させて、けい光面の表面処理を行うことによって、
電子線励起用の効率の高い発光スクリーンを製造するこ
とができるものである。
反応させて、けい光面の表面処理を行うことによって、
電子線励起用の効率の高い発光スクリーンを製造するこ
とができるものである。
図は、けい光面を表面処理するガス・プラズマ反応管の
断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ボート、３・・・
・・・ガスプラズマ反応管、６・・・・・・高周波コイ
ル。
断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ボート、３・・・
・・・ガスプラズマ反応管、６・・・・・・高周波コイ
ル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にけい光膜を形成した後、電離した気体を化
学反応させることによって、膜面を処理する工程を含む
ことを特徴とする発光スクリーンの製造方法。 ２ 上記電離した気体の主たる成分として弗素系ガスプ
ラズマを使用することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の発光スクリーンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6905876A JPS59936B2 (ja) | 1976-06-11 | 1976-06-11 | 発光スクリ−ンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6905876A JPS59936B2 (ja) | 1976-06-11 | 1976-06-11 | 発光スクリ−ンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52151555A JPS52151555A (en) | 1977-12-16 |
| JPS59936B2 true JPS59936B2 (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=13391579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6905876A Expired JPS59936B2 (ja) | 1976-06-11 | 1976-06-11 | 発光スクリ−ンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59936B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431573Y2 (ja) * | 1985-04-02 | 1992-07-29 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740586A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-06 | Toshiba Corp | Treatment of fluorescent substance and its device |
| JP2587658B2 (ja) * | 1987-11-13 | 1997-03-05 | 株式会社興人 | 分散型ｅｌ素子の製造方法 |
| TW200417594A (en) | 2002-10-07 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phosphor and method of treating phosphor |
| JP6460056B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体の製造方法 |
-
1976
- 1976-06-11 JP JP6905876A patent/JPS59936B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431573Y2 (ja) * | 1985-04-02 | 1992-07-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52151555A (en) | 1977-12-16 |
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