JPH0335086A - 蛍光体層の処理方法 - Google Patents
蛍光体層の処理方法Info
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- JPH0335086A JPH0335086A JP16890889A JP16890889A JPH0335086A JP H0335086 A JPH0335086 A JP H0335086A JP 16890889 A JP16890889 A JP 16890889A JP 16890889 A JP16890889 A JP 16890889A JP H0335086 A JPH0335086 A JP H0335086A
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- fluorescent
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は蛍光表示管等に用いられる低速電子線励起蛍光
体の発光効率を向上させる蛍光体層の処理方法に関する
ものである。
体の発光効率を向上させる蛍光体層の処理方法に関する
ものである。
蛍光表示管に用いられる蛍光体は、低電圧にて明るい輝
度が得られるＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体が一般的であって、こ
れらは青緑色の発光を呈する。近年、青緑色以外の発光
色を呈するものとしては、青色の発光を呈するＺｎＳ：
Ａｇ、Ｃ２，赤または橙色の発光を呈する（ＺｎＣｄ）
Ｓ ： Ａｇ 、 ＣＬ、黄色の発光を呈するＺｎＳ
：Ａｕ、Ａ４等の蛍光体が提案されている。
度が得られるＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体が一般的であって、こ
れらは青緑色の発光を呈する。近年、青緑色以外の発光
色を呈するものとしては、青色の発光を呈するＺｎＳ：
Ａｇ、Ｃ２，赤または橙色の発光を呈する（ＺｎＣｄ）
Ｓ ： Ａｇ 、 ＣＬ、黄色の発光を呈するＺｎＳ
：Ａｕ、Ａ４等の蛍光体が提案されている。
しかしながら、これらの低速電子線励起蛍光体は、ごく
表面（〜１０Ａ）で蛍光体励起が起るため、わずかな表
面コンタミネーションによシ発光効率を低下させるとい
う問題があった。すなわち、蛍光表示管の製造工程にか
いては、蛍光体層が電着またはスクリーン印刷法によシ
形成された後、熱工程（ＳＯＯ〜５７０℃）が必要ｉた
め、蛍光面形成工程で付着したコンタミネーションは熱
工程時に蛍光体層と反応し、その表面を劣化させる。ま
た、近年の蛍光表示管の用途拡大とともにより高輝度の
蛍光表示管がｌＩＥ請されるように逢ってきた。
表面（〜１０Ａ）で蛍光体励起が起るため、わずかな表
面コンタミネーションによシ発光効率を低下させるとい
う問題があった。すなわち、蛍光表示管の製造工程にか
いては、蛍光体層が電着またはスクリーン印刷法によシ
形成された後、熱工程（ＳＯＯ〜５７０℃）が必要ｉた
め、蛍光面形成工程で付着したコンタミネーションは熱
工程時に蛍光体層と反応し、その表面を劣化させる。ま
た、近年の蛍光表示管の用途拡大とともにより高輝度の
蛍光表示管がｌＩＥ請されるように逢ってきた。
このような課題を解決するために本発明は、陽極上に形
成された蛍光体層をその熱処理前に活性酸素による処理
を施すものである。
成された蛍光体層をその熱処理前に活性酸素による処理
を施すものである。
本発明においては、活性酸素の処理によう蛍光体層表面
のコンタミネーションがガス化されることになる。
のコンタミネーションがガス化されることになる。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による蛍光体層の処理方法の一実施例を
説明するための蛍光体を処理している状態を示す図であ
る。同図において、１は蛍光表示管のガラス基板、２は
ガラス基板１上に形成された陽極電極、３は陽極電極２
上に約１０μｍの膜厚で形成され処理を行なう例えばＺ
ｎ Ｏ： Ｚ ｎの蛍光体層である。このように配置
された基板組立体４を、例えば０２を約２０％の割合で
混合した窒素ガス５が封入されたカプセル６内に収容し
、上方、すなわち蛍光体層３側から紫外線ランプ７によ
う矢印で示す紫外線ｈｖを照射する。この実施例では紫
外線ｈｖの強度は約３００ ｍＷ／ ｃｄである。
説明するための蛍光体を処理している状態を示す図であ
る。同図において、１は蛍光表示管のガラス基板、２は
ガラス基板１上に形成された陽極電極、３は陽極電極２
上に約１０μｍの膜厚で形成され処理を行なう例えばＺ
ｎ Ｏ： Ｚ ｎの蛍光体層である。このように配置
された基板組立体４を、例えば０２を約２０％の割合で
混合した窒素ガス５が封入されたカプセル６内に収容し
、上方、すなわち蛍光体層３側から紫外線ランプ７によ
う矢印で示す紫外線ｈｖを照射する。この実施例では紫
外線ｈｖの強度は約３００ ｍＷ／ ｃｄである。
このような紫外線ｈｖによる処理方法によると、この紫
外線処理中に発生した活性酸素は、下記に示すような反
応式に基づいて蛍光体層３の表面のコンタミネーション
をガス化させ除去される。
外線処理中に発生した活性酸素は、下記に示すような反
応式に基づいて蛍光体層３の表面のコンタミネーション
をガス化させ除去される。
ｈｖ（紫外線）＋ｏ２−＋ｏ”＋ｏ”３’（活性酸素）
ＣｘＨｙＯｚ（蛍光体層３表面のコンタミネーション）
＋０＊→Ｃｏｔ 、 ＣＯ２↑、Ｈ２０↑この反応は、
熱を伴なわないので、蛍光体自体への悪影響は全く生じ
ない。また、この処理によシ表面が清浄化された蛍光体
層３は、その後の熱工程による熱処理によって表面の劣
化を生じることがなかった。
ＣｘＨｙＯｚ（蛍光体層３表面のコンタミネーション）
＋０＊→Ｃｏｔ 、 ＣＯ２↑、Ｈ２０↑この反応は、
熱を伴なわないので、蛍光体自体への悪影響は全く生じ
ない。また、この処理によシ表面が清浄化された蛍光体
層３は、その後の熱工程による熱処理によって表面の劣
化を生じることがなかった。
筐た、このようにして処理された蛍光体層３を有する陽
極電極２と、処理の行なわれていない蛍光体層を有する
陽極電極とをそれぞれ使用し、複数の陽極電極を有する
蛍光表示管を形成して輝度測定を行なった。この結果、
紫外線ｈｖの照射処理を行なった蛍光体層３を用いてい
る陽極電極２の輝度は、処理を行なわなかった蛍光体層
を用いている陽極電極の輝度に対して１３０〜１５０係
の発光効率が得られた。
極電極２と、処理の行なわれていない蛍光体層を有する
陽極電極とをそれぞれ使用し、複数の陽極電極を有する
蛍光表示管を形成して輝度測定を行なった。この結果、
紫外線ｈｖの照射処理を行なった蛍光体層３を用いてい
る陽極電極２の輝度は、処理を行なわなかった蛍光体層
を用いている陽極電極の輝度に対して１３０〜１５０係
の発光効率が得られた。
第２図および第３図は本発明の他の実施例を説明する蛍
光体層の処理状態を示す断面図であシ、第１図と同一部
分には同一符号を付しである。同図においては、ガス注
入口８ａおよび排気口８ｂを有する真空容器８と、高周
波電源９に接続された対向電極１０ｍ 、 １０ｂとを
備えたプラズマ発生装置１１内に前記蛍光体層３を形成
した基板組立体４を負極側の対向電極１０ｂと接続して
収容し、内部に例えば０２ガス１２を封入してプラズマ
放電を行たつて蛍光体層３の表面を活性酸素による処理
を行なっても前述と同様に蛍光体層３の表面が清浄化さ
れ、同様な効果が得られる。なか、この場合、プラズマ
処理の条件は、ｏ２ガス流量４０ｃｅ／分、圧力０．５
Ｔｏｒｒ、高周波入力電力（１３，５６ＭＨｚ ） １
００Ｗ 、処理時間１５分間である。
光体層の処理状態を示す断面図であシ、第１図と同一部
分には同一符号を付しである。同図においては、ガス注
入口８ａおよび排気口８ｂを有する真空容器８と、高周
波電源９に接続された対向電極１０ｍ 、 １０ｂとを
備えたプラズマ発生装置１１内に前記蛍光体層３を形成
した基板組立体４を負極側の対向電極１０ｂと接続して
収容し、内部に例えば０２ガス１２を封入してプラズマ
放電を行たつて蛍光体層３の表面を活性酸素による処理
を行なっても前述と同様に蛍光体層３の表面が清浄化さ
れ、同様な効果が得られる。なか、この場合、プラズマ
処理の条件は、ｏ２ガス流量４０ｃｅ／分、圧力０．５
Ｔｏｒｒ、高周波入力電力（１３，５６ＭＨｚ ） １
００Ｗ 、処理時間１５分間である。
以上説明したように本発明による蛍光体層の処理方法は
、蛍光体層形成時に付着混入したコンタミネーションを
、熱を伴なわない活性酸素による処理によシ除去したの
で、その後の熱工程においてコンタミネーションによる
蛍光体層の劣化がなくなり１高発光効率の蛍光体層が得
られ、高輝度の蛍光表示管を製造することができるとい
う極めて優れた効果が得られる。
、蛍光体層形成時に付着混入したコンタミネーションを
、熱を伴なわない活性酸素による処理によシ除去したの
で、その後の熱工程においてコンタミネーションによる
蛍光体層の劣化がなくなり１高発光効率の蛍光体層が得
られ、高輝度の蛍光表示管を製造することができるとい
う極めて優れた効果が得られる。
第１図は本発明による蛍光体層の処理方法の一実施例を
説明する蛍光体層の処理状態を示す図、第２図および第
３図は本発明の他の実施例を説明する蛍光体層の処理状
態を示す断面図である。 １・・・・ガラス基板、２・・・・陽極基板、３・・・
・蛍光体層、４・・・・基板組立体、５・・・・ガス、
６・・・・カプセル、７・・・・紫外線ランプ、８ａ・
・・・ガス注入口、８ｂ・・・・排気口、８・・・・真
空容器、９・・・・高周波電源、１０ｍ 、 １０ｂ・
・・・対向電極、１１・・・・プラズマ発生装置、１２
・・・・ガス。
説明する蛍光体層の処理状態を示す図、第２図および第
３図は本発明の他の実施例を説明する蛍光体層の処理状
態を示す断面図である。 １・・・・ガラス基板、２・・・・陽極基板、３・・・
・蛍光体層、４・・・・基板組立体、５・・・・ガス、
６・・・・カプセル、７・・・・紫外線ランプ、８ａ・
・・・ガス注入口、８ｂ・・・・排気口、８・・・・真
空容器、９・・・・高周波電源、１０ｍ 、 １０ｂ・
・・・対向電極、１１・・・・プラズマ発生装置、１２
・・・・ガス。
Claims (1)
- 陽極電極上に形成された蛍光体層を熱処理前に活性酸素
による処理を行なうことを特徴とした蛍光体層の処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16890889A JPH0335086A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 蛍光体層の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16890889A JPH0335086A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 蛍光体層の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335086A true JPH0335086A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15876794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16890889A Pending JPH0335086A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 蛍光体層の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861713A (en) * | 1996-06-26 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Low voltage electron beam display apparatus having brightness increased by reducing an oxide inevitably formed on a surface of an oxisulfide phosphor on manufacture |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP16890889A patent/JPH0335086A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861713A (en) * | 1996-06-26 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Low voltage electron beam display apparatus having brightness increased by reducing an oxide inevitably formed on a surface of an oxisulfide phosphor on manufacture |
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