JPS5990902A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPS5990902A JPS5990902A JP57200412A JP20041282A JPS5990902A JP S5990902 A JPS5990902 A JP S5990902A JP 57200412 A JP57200412 A JP 57200412A JP 20041282 A JP20041282 A JP 20041282A JP S5990902 A JPS5990902 A JP S5990902A
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- voltage nonlinear
- nonlinear resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は酸化物半導体からなる・１正非直線抵抗体に関
する。
する。
半導体全応用した回路素子の一つに電圧非直線抵抗体が
あシ、その代表的なものとして２口０−Ｂｉ、Ｏ。
あシ、その代表的なものとして２口０−Ｂｉ、Ｏ。
系焼結体を用いたバリスタが知られている。
この種のバリスタは非直線的なｌ毬ＩＥ−電流特性を有
しており電圧の増大に伴ない抵抗が急激に減少して電流
が著しく増加するため異常な過α圧の吸収や電圧安定化
用として広く実用されている。
しており電圧の増大に伴ない抵抗が急激に減少して電流
が著しく増加するため異常な過α圧の吸収や電圧安定化
用として広く実用されている。
ところで電圧非直＋ｌｉ１！抵抗体の特性は一般に次の
近似式で示される電圧−（流特性をもって評価されてい
る。
近似式で示される電圧−（流特性をもって評価されてい
る。
Ｉ ＝ （ｖ）
（但しＩはバリスタに流れる４流、■は印加′ｒ区圧、
Ｃは定数、αは非直線係数） 従つＣバリスタの一般特性はＣ七αの２つの定ａＣ表示
することができ１通常Ｆｉｃの代り Ｋ ＩｎｔＡにお
ける電圧ｖ、Ｃ示され、またイ圧非１ぼ線特性を示す指
数Ｃあるα値の大きいことが重視されている。
Ｃは定数、αは非直線係数） 従つＣバリスタの一般特性はＣ七αの２つの定ａＣ表示
することができ１通常Ｆｉｃの代り Ｋ ＩｎｔＡにお
ける電圧ｖ、Ｃ示され、またイ圧非１ぼ線特性を示す指
数Ｃあるα値の大きいことが重視されている。
上記ＺｎＯ−Ｂ輸０．系バリスタ（’４圧非直ａ抵抗体
）は前記４１．Ｅ−４流特性が良好なこと、さらに素子
の厚さ制御に工す＃区・Ｅ−１シ流特性を任意Ｋ ｔＡ
！ｉ Ｌうるなど多くの特長を備えている。しかしな
がら次のような不都合さが認められる。即ちＺｎ０−Ｂ
ｉ、Ｏ。
）は前記４１．Ｅ−４流特性が良好なこと、さらに素子
の厚さ制御に工す＃区・Ｅ−１シ流特性を任意Ｋ ｔＡ
！ｉ Ｌうるなど多くの特長を備えている。しかしな
がら次のような不都合さが認められる。即ちＺｎ０−Ｂ
ｉ、Ｏ。
系バリスタの一つの特長とも云うべき対称型電流域正特
性についてみると、衝撃電流、直流負荷、或いは温度サ
イクルなどによる負方向における変化率が大きく、信頼
性が劣ると云う欠点がある。
性についてみると、衝撃電流、直流負荷、或いは温度サ
イクルなどによる負方向における変化率が大きく、信頼
性が劣ると云う欠点がある。
本発明は、ｈ記欠点に鑑みなされたもので、対称型電圧
−電流特性及び信頼性を向上させた電圧非直線抵抗体の
製造方法を提供することを目的とする。
−電流特性及び信頼性を向上させた電圧非直線抵抗体の
製造方法を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するため本発明は主成分としてのＺｎ
ＯｊＣＢｉ、Ｏ，などの金属酸化物を添加混合し、これ
を成形焼結してなる電圧非直線抵抗素体をＰを含有する
溶液中に所定時間浸した後、熱処理を行いついで４髄付
を行うことをその特徴とする。
ＯｊＣＢｉ、Ｏ，などの金属酸化物を添加混合し、これ
を成形焼結してなる電圧非直線抵抗素体をＰを含有する
溶液中に所定時間浸した後、熱処理を行いついで４髄付
を行うことをその特徴とする。
溶液はＰを０．０５〜５モルチ含有するものが好適であ
り、熱処理は３００〜８５０℃の範囲が望ましい。
り、熱処理は３００〜８５０℃の範囲が望ましい。
（実施例１）
主成分のＺｎＯにＢ４Ｏ１などの金属酸化物を添加し、
ボットミルなどで湿式混合した後乾燥させる。
ボットミルなどで湿式混合した後乾燥させる。
ついでポリビニルアルコールなどのバインダを添加配合
し、１００〜１ｏｏｏ屑−程度の圧力で加圧成形して、
例えば、直径２０ Ｉｌｍ、厚さ２朋程度のディスク形
に仕上げ成形体を得る。次いでこの成形体を例えば１１
００〜１４００℃程度の高温空気雰囲気中にて焼成し、
電圧非直線抵抗素体（以下、抵抗素体という）を得る。
し、１００〜１ｏｏｏ屑−程度の圧力で加圧成形して、
例えば、直径２０ Ｉｌｍ、厚さ２朋程度のディスク形
に仕上げ成形体を得る。次いでこの成形体を例えば１１
００〜１４００℃程度の高温空気雰囲気中にて焼成し、
電圧非直線抵抗素体（以下、抵抗素体という）を得る。
このようにして得た抵抗素体の両面を平行に研磨する。
この抵抗素体をたとえばリン酸（Ｉ（、ＰＯ，） １モ
ルチの水溶液中に所牢時間浸す。その後空気中、５００
℃で熱処理を行ない、室温まで冷却した後、ＡＪを両面
に溶射し、電極付を行うことによシ所要の電圧非直線抵
抗体が得られる。
ルチの水溶液中に所牢時間浸す。その後空気中、５００
℃で熱処理を行ない、室温まで冷却した後、ＡＪを両面
に溶射し、電極付を行うことによシ所要の電圧非直線抵
抗体が得られる。
本発明において、抵抗素体を上記の溶液中に浸す際前記
溶液の周囲を真空吸引することによシ、抵抗素体へのＰ
の含浸が短時間に且つ確実に実施できる。向、前記熱処
理温度！″Ｌ３００℃〜８５０“Ｃのうちいずれか１点
の温度でよ＜、８５０℃をこえないようにすることが望
ましい。この電圧非直線抵抗体について］ｍＡの一流が
流れるときの印加電圧■１、非直線係数αおよび商用周
波数（５０Ｈｚ）での漏れ電流几、及び極性特性、即ち
衝撃大電流特性および直流負荷特性を正方向の変化率と
負方向の変化率として求めた結果等を第１表に示した。
溶液の周囲を真空吸引することによシ、抵抗素体へのＰ
の含浸が短時間に且つ確実に実施できる。向、前記熱処
理温度！″Ｌ３００℃〜８５０“Ｃのうちいずれか１点
の温度でよ＜、８５０℃をこえないようにすることが望
ましい。この電圧非直線抵抗体について］ｍＡの一流が
流れるときの印加電圧■１、非直線係数αおよび商用周
波数（５０Ｈｚ）での漏れ電流几、及び極性特性、即ち
衝撃大電流特性および直流負荷特性を正方向の変化率と
負方向の変化率として求めた結果等を第１表に示した。
向、上記において衝撃大電流特性１ｉ５００Ａのサージ
電流をｉｏ、ｏｏｏ回印加した場合のＶ、値の変化率で
あシ、直流負荷特性は周囲温度８５’０．２Ｗの負荷を
連続５００時間印加後の■、値の変化率をそれぞれ求め
たものである。また比較のためＰ含有溶液へ浸す１穆が
ない従来のＺｎＯ系電圧非ｉｆ線抵抗体の揚台も（参考
例１）に示した。
電流をｉｏ、ｏｏｏ回印加した場合のＶ、値の変化率で
あシ、直流負荷特性は周囲温度８５’０．２Ｗの負荷を
連続５００時間印加後の■、値の変化率をそれぞれ求め
たものである。また比較のためＰ含有溶液へ浸す１穆が
ない従来のＺｎＯ系電圧非ｉｆ線抵抗体の揚台も（参考
例１）に示した。
（実施例２）
非直線低抗素体′ｔｌ−シん酸（Ｈ，ＰＯ４） ０．０
５モルチ水溶液中に所定時間浸し、他は実施例１と同一
の条件で非直線抵抗体を得て、実施例１と同一の条件Ｃ
特性評価を行なった。その結果を第１表に示した。
５モルチ水溶液中に所定時間浸し、他は実施例１と同一
の条件で非直線抵抗体を得て、実施例１と同一の条件Ｃ
特性評価を行なった。その結果を第１表に示した。
（実施例３）
非直線抵抗素体をシんｅ （ｋ’ｓＰＯ＜ ） ０．０
４モルチ水溶液中に所定時間浸し、他は実施例１と同一
の条件で非直線抵抗体を得て、実施例Ｊと同一の条件で
特性評価を行なった。その結果を第１表に示した。
４モルチ水溶液中に所定時間浸し、他は実施例１と同一
の条件で非直線抵抗体を得て、実施例Ｊと同一の条件で
特性評価を行なった。その結果を第１表に示した。
（実施例４）
抵抗素体をシん酸（Ｈ８ＰＯ，） ０．１モルチ水溶液
中に所定時間浸し、他は実施例１と同一の条件で非直線
抵抗体を得て、実施例１と同一の条件で特性評価を行な
った。その結果を第１表に示した。
中に所定時間浸し、他は実施例１と同一の条件で非直線
抵抗体を得て、実施例１と同一の条件で特性評価を行な
った。その結果を第１表に示した。
（実施例５）
抵抗素体をりん酸（Ｈ３ＰＯ，） ５モルチ水溶液中に
所定時間浸し、他は実施例１と同一の条件で非直線抵抗
体を得て、実施例１と同一の条件で特性評価を行な゛り
たＯその結果を第１表に示した。
所定時間浸し、他は実施例１と同一の条件で非直線抵抗
体を得て、実施例１と同一の条件で特性評価を行な゛り
たＯその結果を第１表に示した。
（実施例６）
抵抗素体をりん酸（１，１，ＰＵ、） ６モルチ水溶液
中に所定時間浸し、他は実施例１と同一の条件で非直線
抵抗体を得て、実施例１と同一の条件で特性評価を行な
った。その結果全第１表に示した。
中に所定時間浸し、他は実施例１と同一の条件で非直線
抵抗体を得て、実施例１と同一の条件で特性評価を行な
った。その結果全第１表に示した。
（実施例７）
抵抗素体をりんＭ （ｎ３ｐｏ、） １モル係水溶液中
に浸し、この後酸素気流中で５００℃で熱処理を行ない
他は実施例１と同一の条件で抵抗体を得て、実施例１と
同一の条件で特性評価を行なった。その結果を第１表に
示した。
に浸し、この後酸素気流中で５００℃で熱処理を行ない
他は実施例１と同一の条件で抵抗体を得て、実施例１と
同一の条件で特性評価を行なった。その結果を第１表に
示した。
（実施例８）
抵抗素体をりん酸アンモニウム（（ＮＩｌ＋）ｓＰＯａ
） １モル係水溶液中に浸し、以下実施例１と同一の条
件で低抗体を得゛Ｃ１実施例１と同一の条件で特性評価
を行なった。結果を第１表に示した。
） １モル係水溶液中に浸し、以下実施例１と同一の条
件で低抗体を得゛Ｃ１実施例１と同一の条件で特性評価
を行なった。結果を第１表に示した。
（実施例９）
抵抗素体を亜りん酸トリエチル（（ＣｔＨ＋０）ｓＰ）
１モル係水溶液中に浸し、以下実施例１と同一の条件
で抵抗体金得て、実施例１と同一の条件で特性評価を行
なった。結果を第１表に示した。
１モル係水溶液中に浸し、以下実施例１と同一の条件
で抵抗体金得て、実施例１と同一の条件で特性評価を行
なった。結果を第１表に示した。
（実施例１０）
抵抗素体を亜りん酸トリエチル（（Ｃｙ’（ｓＯ）ｓ
Ｐ ） １モルチェチルアルコール溶液中に浸し、他は
実施例１と同一の条件で抵抗体ケ得て、実施例１と同一
の条件で特性評価を行なった。その結果を第１表に示し
た。
Ｐ ） １モルチェチルアルコール溶液中に浸し、他は
実施例１と同一の条件で抵抗体ケ得て、実施例１と同一
の条件で特性評価を行なった。その結果を第１表に示し
た。
第１表
メ月治
第２表
第１表に示す結果よ）明らかなようにＰの濃度が０．０
５モモル係り小さい場合および５モル係よシ大きい’ｊ
Ｊ ｆｔには第１表に示す負方向の直流負荷特性（Δｖ
Ｉ）が−１０％を越え処理の効果が低減する。
５モモル係り小さい場合および５モル係よシ大きい’ｊ
Ｊ ｆｔには第１表に示す負方向の直流負荷特性（Δｖ
Ｉ）が−１０％を越え処理の効果が低減する。
さらに１１（抗素本について厚さを変え実施例１と同一
の条件で抵抗体を得て、電１函材料等を変えて、非直線
係数αを求めた結果を第２表に示す。
の条件で抵抗体を得て、電１函材料等を変えて、非直線
係数αを求めた結果を第２表に示す。
第２表から明らかなように抵抗素体の厚さおよび＋ｔ
Ｊｆｉｉ材料の変動に−よりては、りん化合物の含浸効
果に相異は見られない。
Ｊｆｉｉ材料の変動に−よりては、りん化合物の含浸効
果に相異は見られない。
父、第１表から明らかなように本発明に係る一非直直線
低抗体は特に、直流負荷特性のすぐれていることで特長
づけられる。この特長は寿命特性、素子自体のＩＲ頼性
に寄与するもので、例えば半導体回路の保獲、避雷器と
しての機能保証、信頼性などの点から実用上極めて重要
な機能である。
低抗体は特に、直流負荷特性のすぐれていることで特長
づけられる。この特長は寿命特性、素子自体のＩＲ頼性
に寄与するもので、例えば半導体回路の保獲、避雷器と
しての機能保証、信頼性などの点から実用上極めて重要
な機能である。
以上説明した様に、本発明によれば対称型電流−電圧特
性及び１ｄ頼性を向上さすた′４圧非直線抵抗体を提供
することができる。
性及び１ｄ頼性を向上さすた′４圧非直線抵抗体を提供
することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 主成分のＺｎＯにＢ輸０．などの金属酸化物を添加
混合し、これを成形焼結してなる磁圧非直線抵抗素体を
Ｐを含有する溶液中に所定時間浸した後、熱処理を行い
ついで電極付を行うことを特徴とする電圧非直線抵抗体
の製造方法。 ２ 熱処理は３００℃〜８５０℃で行う特許請求の範囲
第１項記載の電圧非直線抵抗体の製造方法。 ３ ＃液はＰを０．０５〜５モルチ含有する特許請求の
範囲第１項及び第２項記載の電圧非直線抵抗体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57200412A JPS5990902A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57200412A JPS5990902A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990902A true JPS5990902A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16423883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57200412A Pending JPS5990902A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990902A (ja) |
-
1982
- 1982-11-17 JP JP57200412A patent/JPS5990902A/ja active Pending
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