JPS5990627A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS5990627A JPS5990627A JP19769482A JP19769482A JPS5990627A JP S5990627 A JPS5990627 A JP S5990627A JP 19769482 A JP19769482 A JP 19769482A JP 19769482 A JP19769482 A JP 19769482A JP S5990627 A JPS5990627 A JP S5990627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drum
- electrode
- plasma
- cylindrical electrode
- plasma treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ処理装置、さらに詳細に言えば、低温
プラズマ処理装置に関するものである。
プラズマ処理装置に関するものである。
近年、プラズマを利用しての、プラスチック。
あるいは繊維の表面改質の研究が盛んに行なわれている
。そして「低温プラズマ化学」 (穂積啓一部編、南江
堂出版、1976年発行)には、プラズマの物理的、化
学的な現象、処理方法、装置などとともに、これらの現
実的な応用の可能性についても示唆されている。
。そして「低温プラズマ化学」 (穂積啓一部編、南江
堂出版、1976年発行)には、プラズマの物理的、化
学的な現象、処理方法、装置などとともに、これらの現
実的な応用の可能性についても示唆されている。
しかし、かかる従来のプラズマ処理装置は、処理効率が
悪く、処理に長時間を要し、まだ、処理費用がかかるな
どの欠点があった。
悪く、処理に長時間を要し、まだ、処理費用がかかるな
どの欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を解消したもの、すなわち、
プラスチックフィルムや繊維布なとの長尺で、かつ広い
幅の基材を効率よく連続的にプラズマ処理する装置を提
供するものである。
プラスチックフィルムや繊維布なとの長尺で、かつ広い
幅の基材を効率よく連続的にプラズマ処理する装置を提
供するものである。
本発明は、上記目的を達成するン穎め次の構成。
すなわちドラムと、該ドラムの外側に設けた棒壕だは円
筒状電極と、磁石とを具備し、該磁石を磁石によって作
られる磁力線が棒1/ζは円筒状電極とドラムの間を通
る位置で、かつ該磁力線が棒または円筒状電極(以下、
単に円筒状電極という)とドラムの雨中心線を含む面に
対し45°〜90’となる位置に配(6″、したプラズ
マ処理装置を特徴とするものである。
筒状電極と、磁石とを具備し、該磁石を磁石によって作
られる磁力線が棒1/ζは円筒状電極とドラムの間を通
る位置で、かつ該磁力線が棒または円筒状電極(以下、
単に円筒状電極という)とドラムの雨中心線を含む面に
対し45°〜90’となる位置に配(6″、したプラズ
マ処理装置を特徴とするものである。
以下1図面に基づいて本発明の一実施態様を説明する。
第1図は本発明のプラズマ処理装置の概略の断面図、第
2〜第4図は本発明のプラズマ処理装置の要部を示す断
面図である。
2〜第4図は本発明のプラズマ処理装置の要部を示す断
面図である。
図において、1はプラズマ処Jfu装置、2け外箱。
6は被処理基材、4,5は気密Ifツク部、6il″i
円筒状電極、7は被処理基材を移送し、かつ円筒状円筒
状電極の中心線、12は磁石8によって作られる磁力線
である。
円筒状電極、7は被処理基材を移送し、かつ円筒状円筒
状電極の中心線、12は磁石8によって作られる磁力線
である。
第1図について説明すると、プラズマ処理装置1内は、
真空系、処理ガス供給系に接続されて。
真空系、処理ガス供給系に接続されて。
その装置1内はプラズマ処理に必要な条件に&(n持さ
れている。′!f、た。プラスチックフィルl5.繊維
布などの被処理基材3は、気密I]ツク部4から気密を
保持した状態で導入され、“、さらにトラl、7によっ
て移送されながら1円筒状電極6とドラム7との間に印
加された高電圧によって開始、持続し磁石8によってさ
らに活成化された放電、いわゆるプラズマ90群によっ
て次々と連続的に処理され、気密ロック部5から装置1
の外へ取り出される。なお、第1図において真空系、処
理ガス供給系1円筒状電極6およびドラム7に電圧を印
加するだめの配線と電源装置1円筒状電極6やドラム7
や磁石8などの冷却系ならびにドラム7の駆動系に1図
示省略した。
れている。′!f、た。プラスチックフィルl5.繊維
布などの被処理基材3は、気密I]ツク部4から気密を
保持した状態で導入され、“、さらにトラl、7によっ
て移送されながら1円筒状電極6とドラム7との間に印
加された高電圧によって開始、持続し磁石8によってさ
らに活成化された放電、いわゆるプラズマ90群によっ
て次々と連続的に処理され、気密ロック部5から装置1
の外へ取り出される。なお、第1図において真空系、処
理ガス供給系1円筒状電極6およびドラム7に電圧を印
加するだめの配線と電源装置1円筒状電極6やドラム7
や磁石8などの冷却系ならびにドラム7の駆動系に1図
示省略した。
円筒状電極6は金属の棒状才たは円筒状(多角11ニ状
のものを含む)のものであれはよい。また。
のものを含む)のものであれはよい。また。
その電極は、外側が誘電体1例えばガラス、ホーロー、
セラミックなどで被覆されたもの、さらには、電極内部
に水、空気、フレオンなどの冷媒を流通せしめ、該電極
がプラズマ発生時に温度上昇するのを防ぐ構造であって
もよい。また9円筒状電極6の径は対向するドラム7の
径にくらべ小さいことが望ましく、このように両電極の
径が異なり、非対称であることが放電を効率よく、かつ
均一に開始、持続させ、放電を効率的に行なわせしめる
うえで好ましい。
セラミックなどで被覆されたもの、さらには、電極内部
に水、空気、フレオンなどの冷媒を流通せしめ、該電極
がプラズマ発生時に温度上昇するのを防ぐ構造であって
もよい。また9円筒状電極6の径は対向するドラム7の
径にくらべ小さいことが望ましく、このように両電極の
径が異なり、非対称であることが放電を効率よく、かつ
均一に開始、持続させ、放電を効率的に行なわせしめる
うえで好ましい。
ドラム7は1通常、金属であることが好ましいが、その
一部あるいは全ての表面を誘電体などで被覆したもので
あってもよい。丑だ、プラズマ発生時に温度」二昇する
ことを防ぐため、内部に冷媒を通す構造であるのが留置
(7い。このドラム7は。
一部あるいは全ての表面を誘電体などで被覆したもので
あってもよい。丑だ、プラズマ発生時に温度」二昇する
ことを防ぐため、内部に冷媒を通す構造であるのが留置
(7い。このドラム7は。
被処理基材3を移送する役割を果たすととも・に。
円間状電極乙の対向電極となっており、該両電極間(6
および7の間)に印加された高電j正によって、該両電
極間にプラズマを発生せしめる。
および7の間)に印加された高電j正によって、該両電
極間にプラズマを発生せしめる。
円筒状電極6とドラム7はほぼ平行に配置されており1
両電極間の間隔は可変できるのが望寸しい。
両電極間の間隔は可変できるのが望寸しい。
円筒状電極6とドラム7との電源との接続方法は特に限
定されるものではないが、ドラム7を接地電極とする方
が望寸しい。
定されるものではないが、ドラム7を接地電極とする方
が望寸しい。
磁石8は、永久磁石あるいは電磁石のいずれであっても
よく、その磁石全体が包まれ、キュリ一点以下に冷却さ
れるのが望ましい。また、形状はラム7の両表面の中間
において磁場の強さが一定となる形状であればよい。な
お、この中間の磁場の強さ、すなわち磁束密度は、10
0〜5000ガウス、好ましくは200〜6000ガウ
スが望ましい。
よく、その磁石全体が包まれ、キュリ一点以下に冷却さ
れるのが望ましい。また、形状はラム7の両表面の中間
において磁場の強さが一定となる形状であればよい。な
お、この中間の磁場の強さ、すなわち磁束密度は、10
0〜5000ガウス、好ましくは200〜6000ガウ
スが望ましい。
磁石8を設ける個所は1円筒状電極6の近傍1極6とド
ラノ、7の雨中心線を含む面内で、かつ円筒状電極6と
ドラム7の両表面の中間において。
ラノ、7の雨中心線を含む面内で、かつ円筒状電極6と
ドラム7の両表面の中間において。
その面に対し45°〜90°、好ましくば70’〜90
゜となる位置が留置しい。
゜となる位置が留置しい。
第1図では凹形の磁石を例示しているが、前述の構成配
置条件を満たすものであれば第2図のごとく、複数の棒
磁石8の組合せによる磁石配列を具備してもよく、丑だ
第6図のごとくドラムZ内に磁石を設けてもよい。
置条件を満たすものであれば第2図のごとく、複数の棒
磁石8の組合せによる磁石配列を具備してもよく、丑だ
第6図のごとくドラムZ内に磁石を設けてもよい。
々お9本発明のプラズマ処理装置は1図示した装置に限
定されるもので(寸ない。
定されるもので(寸ない。
以下実施例にて本発明の一実施態様を説明する。
実施例
第1図のごとき装置において内部を水冷した直径61冊
の銅製の円筒状電極6とステンレス製のドラム7の表面
間の距離を5mに設定した。磁石8を第1図のとどく2
円筒状電極6とドラム7の両中心7む面内で、かつ円筒
状電極6とドラム7の両表面の中間における磁束密度が
600ガウスになるよう配置した。該装置でポリエチレ
ンテ1/フタレート繊維布をプラズマによる減量加工処
理[7)乙ところ、同一の減量を行なうに9本発明のご
とく磁石をイ・]加した装置では、磁石を伺加しない装
置にくらべ4倍の処理速度で処理することができた。な
お磁石8を円筒状電極6の中心線を軸にして回転し9円
筒状電極6とドラム70両中心線を含む面に対する磁力
線の交わる角度を90°から50 に変更した。この装
置による処理は、処理の速度が極端に低下した。
の銅製の円筒状電極6とステンレス製のドラム7の表面
間の距離を5mに設定した。磁石8を第1図のとどく2
円筒状電極6とドラム7の両中心7む面内で、かつ円筒
状電極6とドラム7の両表面の中間における磁束密度が
600ガウスになるよう配置した。該装置でポリエチレ
ンテ1/フタレート繊維布をプラズマによる減量加工処
理[7)乙ところ、同一の減量を行なうに9本発明のご
とく磁石をイ・]加した装置では、磁石を伺加しない装
置にくらべ4倍の処理速度で処理することができた。な
お磁石8を円筒状電極6の中心線を軸にして回転し9円
筒状電極6とドラム70両中心線を含む面に対する磁力
線の交わる角度を90°から50 に変更した。この装
置による処理は、処理の速度が極端に低下した。
第1図〜第6図は9本発明のプラズマ処理装置の要部断
面図である。 1:プラズマ処理装置 2:夕(箱 ろ:被処理基材 4,5:気密ロック部6:円筒
状電極 7:ドラム 8:磁石 9:生成プラズマ10:I−ラ
ムの中心線 1′l:円T:゛:)状電極の中心線 12:磁力線 !1γThl出願人 東し株式会社 手 続 補 正 書 58.1t25 昭和 イ[月 日 特許庁長官 若杉和夫殿 ′1.1仕事表示 昭和57年’tLiT[+第19769482、発明の
名称 ブラズ7処理装置 3、補正をする者 事(’lどの関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋室町2’J−r”12番地
4、補正命令の日イ;1 自ブと 5、補正により増加する発明の数 なし 6、補正の対象 明1銅の[発明の詳細な説明 7、補正の内容 (1) 明細書 第4頁14行〜15行[l[ことが放
電を効率よく・・・・・・・・・・・・行なわけし」を
[ことが放電を均一に開始、持続さ1!、かつ効率的に
{1なわけし」ど補正づる。
面図である。 1:プラズマ処理装置 2:夕(箱 ろ:被処理基材 4,5:気密ロック部6:円筒
状電極 7:ドラム 8:磁石 9:生成プラズマ10:I−ラ
ムの中心線 1′l:円T:゛:)状電極の中心線 12:磁力線 !1γThl出願人 東し株式会社 手 続 補 正 書 58.1t25 昭和 イ[月 日 特許庁長官 若杉和夫殿 ′1.1仕事表示 昭和57年’tLiT[+第19769482、発明の
名称 ブラズ7処理装置 3、補正をする者 事(’lどの関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋室町2’J−r”12番地
4、補正命令の日イ;1 自ブと 5、補正により増加する発明の数 なし 6、補正の対象 明1銅の[発明の詳細な説明 7、補正の内容 (1) 明細書 第4頁14行〜15行[l[ことが放
電を効率よく・・・・・・・・・・・・行なわけし」を
[ことが放電を均一に開始、持続さ1!、かつ効率的に
{1なわけし」ど補正づる。
Claims (1)
- (1) ドラムと、該ドラムの外側に設けた捧または
円筒状電極と、磁石とを具備し、該磁石を磁石によって
作られる磁力線が棒または円筒状電極とドラムの間を通
る位置で、かつ該磁力線が棒まだは円筒状電極とドラム
の雨中心線を含む面に対し45°〜90° となる位置
に配置したプラズマ処理装置0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19769482A JPS5990627A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19769482A JPS5990627A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5990627A true JPS5990627A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16378795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19769482A Pending JPS5990627A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5990627A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2175047B1 (en) * | 2008-10-09 | 2017-02-08 | Bobst Manchester Ltd | Apparatus for plasma treating substrates and method |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19769482A patent/JPS5990627A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2175047B1 (en) * | 2008-10-09 | 2017-02-08 | Bobst Manchester Ltd | Apparatus for plasma treating substrates and method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10370757B2 (en) | Thin substrate processing device | |
JPS6388314A (ja) | 動圧空気軸受 | |
JPH10121254A (ja) | 三次元物品にバリヤーフィルムを付着させる方法 | |
JPS5961763A (ja) | 均一磁界発生装置 | |
JPS5990627A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US6187160B1 (en) | Apparatus for the coating of substrates in a vacuum chamber | |
JP7030290B2 (ja) | 異方性を有する樹脂成形体の製造方法 | |
Sanpei et al. | First observation of crystallike configuration of microorganisms in an RF plasma | |
US4851799A (en) | Producing high uniformity magnetic field or magnetic shielding using passive compensating coils | |
JP2006291308A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JPS58190037A (ja) | 静電チヤツク装置およびその製造方法 | |
JP2000230064A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JPS63279599A (ja) | マイクロ波プラズマ発生方法 | |
JP2001064100A (ja) | 磁気力による擬似微小重力場を利用した浮遊溶融 | |
JPS6350463A (ja) | イオンプレ−テイング方法とその装置 | |
JP2001068427A (ja) | 基板冷却装置 | |
Abdirakhmanov et al. | Dynamics of dust particles in the glow discharge stratum in crossed E× B field | |
JPS6130027B2 (ja) | ||
JPH01179685A (ja) | 細胞培養容器とその内表面処理方法 | |
JPH05217951A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH03100175A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS6456869A (en) | Thin film forming device | |
CN117626180A (zh) | 一种碳基类金刚石薄膜制备用镀膜装置 | |
JP3099801B2 (ja) | 成膜処理方法及び装置 | |
JPH0512033B2 (ja) |