JPH03100175A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH03100175A JPH03100175A JP23808089A JP23808089A JPH03100175A JP H03100175 A JPH03100175 A JP H03100175A JP 23808089 A JP23808089 A JP 23808089A JP 23808089 A JP23808089 A JP 23808089A JP H03100175 A JPH03100175 A JP H03100175A
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- Japan
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- thin film
- wire rod
- wire
- hollow part
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
光ファイバー、銅線などの線材の表面に金属や絶縁物な
どの薄膜を形成するために用いられる薄膜形成装置に関
するものである。
どの薄膜を形成するために用いられる薄膜形成装置に関
するものである。
真空排気した真空容器にガス導入口よりアルゴンガスを
導入し、真空容器内に設置された円環形状ターゲットに
高周波電圧を印加することにより、高周波放電が起こり
、プラズマが生成され、ターゲットがスパッタリングさ
れる。
導入し、真空容器内に設置された円環形状ターゲットに
高周波電圧を印加することにより、高周波放電が起こり
、プラズマが生成され、ターゲットがスパッタリングさ
れる。
線材は線材送り装置と線材巻取装置によって円環形状タ
ーゲットの中空部内を走行する。このとき、スパッタリ
ングされた粒子が線材に付着し、薄膜が形成される。
ーゲットの中空部内を走行する。このとき、スパッタリ
ングされた粒子が線材に付着し、薄膜が形成される。
（従来の技術〕
従来は、湿式めっき法や真空蒸着法により薄膜を形成し
ていた。
ていた。
湿式めっき法では、基材となる線材や薄膜の材料の種類
に制限がある。
に制限がある。
真空蒸着法では、線材の周囲に均一な薄膜を形成するに
は線材を回転させる必要があり、そのため、蒸着装置の
真空容器より長い線材に薄膜を形成することは不可能で
あった。
は線材を回転させる必要があり、そのため、蒸着装置の
真空容器より長い線材に薄膜を形成することは不可能で
あった。
（ｖｌＡＩｌｌを解決するための手段）ターゲットを円
環形状とし、ターゲットに電圧を印加し、アルゴンガス
の放電によりプラズマを生成し、円環形状ターゲットを
スパッタリングすることにより、円環形状ターゲット中
空部内を走行する線材の表面に薄膜を形成する。
環形状とし、ターゲットに電圧を印加し、アルゴンガス
の放電によりプラズマを生成し、円環形状ターゲットを
スパッタリングすることにより、円環形状ターゲット中
空部内を走行する線材の表面に薄膜を形成する。
真空容器にアルゴンガスを導入し、円環形状ターゲ−／
）に高周波電圧を印加すると、高周波放電により、ア
ルゴンプラズマが生成される０円環形状ターゲットはプ
ラズマにスパッタリングされ、線材の表面に薄膜を形成
する。
）に高周波電圧を印加すると、高周波放電により、ア
ルゴンプラズマが生成される０円環形状ターゲットはプ
ラズマにスパッタリングされ、線材の表面に薄膜を形成
する。
円環形状ターゲットの中空部内を線材が走行しながら薄
膜を形成するため、線材の周囲からスパッタリングされ
た粒子が飛来、付着するため、均一な薄膜が形成される
。
膜を形成するため、線材の周囲からスパッタリングされ
た粒子が飛来、付着するため、均一な薄膜が形成される
。
本発明の実施例を図面とともに説明する。第１図は本発
明の実施例の構成を示す断面図である。
明の実施例の構成を示す断面図である。
真空排気された真空容器ｌ内には円環形状ターゲット２
が設置されている。真空容器１にガス導入口３よりアル
ゴンガスを導入し、円環形状ターゲット２に周波数１３
．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加することにより、高周
波放電が起こり、プラズマが生成され、円環形状ターゲ
ット２がスパッタリングされる。プラズマは磁石４の磁
場によって閉じ込められるため、その生成効率を向上さ
せることができる。
が設置されている。真空容器１にガス導入口３よりアル
ゴンガスを導入し、円環形状ターゲット２に周波数１３
．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加することにより、高周
波放電が起こり、プラズマが生成され、円環形状ターゲ
ット２がスパッタリングされる。プラズマは磁石４の磁
場によって閉じ込められるため、その生成効率を向上さ
せることができる。
線材５は線材送り装置６と線材巻取装置７によって円環
形状ターゲット２の中空部内を走行する。
形状ターゲット２の中空部内を走行する。
このとき、アルゴンプラズマによってスパッタリングさ
れた粒子が線材５に付着し、薄膜を形成する。
れた粒子が線材５に付着し、薄膜を形成する。
加熱装置８はあらかじめ薄膜形成前に線材５を加熱し、
薄膜の密着性を向上させるためのものである。
薄膜の密着性を向上させるためのものである。
線材に形成する薄膜の膜厚を厚くしたい場合には、線材
送り装置、巻取装置による線材の送り速度を遅くすれば
よ（、成膜速度を速めたい場合はターゲットの数を増や
せばよい、また、異なる材料からなる複数のターゲット
を設ければ、連続して多層膜を形成することが可能であ
る。
送り装置、巻取装置による線材の送り速度を遅くすれば
よ（、成膜速度を速めたい場合はターゲットの数を増や
せばよい、また、異なる材料からなる複数のターゲット
を設ければ、連続して多層膜を形成することが可能であ
る。
円環形状ターゲットの中空部内を線材が走行しながら薄
膜を形成するため、線材の周囲からスパッタリングされ
た粒子が飛来、付着するため、均一な薄膜を形成するこ
とができる。したがって、真空蒸着法のように線材を回
転させる必要がなく、線材巻取装置を付加することがで
き、極端に長い線材であっても薄膜形成が可能である。
膜を形成するため、線材の周囲からスパッタリングされ
た粒子が飛来、付着するため、均一な薄膜を形成するこ
とができる。したがって、真空蒸着法のように線材を回
転させる必要がなく、線材巻取装置を付加することがで
き、極端に長い線材であっても薄膜形成が可能である。
また、高周波スパッタリング法を用いれば、金属のみな
らず、他の方法では薄膜形成の困難な高融点材料やセラ
ミックスなどの薄膜も形成可能である。
らず、他の方法では薄膜形成の困難な高融点材料やセラ
ミックスなどの薄膜も形成可能である。
第１図は本発明の実施例の構成を示す断面図である。
３゜
４゜
５゜
６゜
７゜
８゜
９゜
ｌ ０゜
１１゜
１２゜
１３゜
ガス導入口
磁石
線材
線材送り装置
線材巻取装置
加熱装置
真空ポンプ
高周波電源
整合器
絶縁材
ガイドローラー
Claims (1)
- 高周波放電プラズマによってターゲットをスパッタリ
ングすることにより、基材表面にターゲット材料からな
る薄膜を形成する薄膜形成装置において、円環形状ター
ゲットを有し、円環形状ターゲットをスパッタリングす
ることにより、上記円環形状ターゲットの中空部内を走
行する線材の表面に薄膜を形成することを特徴とする薄
膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23808089A JPH03100175A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23808089A JPH03100175A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100175A true JPH03100175A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=17024860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23808089A Pending JPH03100175A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03100175A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0647961A1 (de) * | 1993-09-28 | 1995-04-12 | MAT GmbH Dresden | Vorrichtung zum Beschichten von langgestreckten biegsamen Erzeugnissen |
| CN103255380A (zh) * | 2013-04-18 | 2013-08-21 | 青岛科技大学 | 一种金属导线表面等离子处理方法 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP23808089A patent/JPH03100175A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0647961A1 (de) * | 1993-09-28 | 1995-04-12 | MAT GmbH Dresden | Vorrichtung zum Beschichten von langgestreckten biegsamen Erzeugnissen |
| CN103255380A (zh) * | 2013-04-18 | 2013-08-21 | 青岛科技大学 | 一种金属导线表面等离子处理方法 |
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