JPS5989757A - 無電解めつき制御装置 - Google Patents

無電解めつき制御装置

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Publication number
JPS5989757A
JPS5989757A JP19855982A JP19855982A JPS5989757A JP S5989757 A JPS5989757 A JP S5989757A JP 19855982 A JP19855982 A JP 19855982A JP 19855982 A JP19855982 A JP 19855982A JP S5989757 A JPS5989757 A JP S5989757A
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JP
Japan
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control
plating
compsn
plating solution
concn
Prior art date
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Pending
Application number
JP19855982A
Other languages
English (en)
Inventor
Genji Morizaki
森崎 源次
Takao Goshima
五島 隆夫
Sadao Noguchi
野口 節生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP19855982A priority Critical patent/JPS5989757A/ja
Publication of JPS5989757A publication Critical patent/JPS5989757A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1617Purification and regeneration of coating baths

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Control Of Non-Electrical Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は無電解めっき制御装置に関し、とくに制御装置
を制御端末部と主制御部とに分割し、分割各部にマイク
ロコンビ纂−夕を搭載した装置に関する。
従来、無電解めっき制御装置は、めっき槽内のめっき液
をサンプリングし、各組成を検知するセンサを用いて各
組成濃度を電気信号に変換したのち、電気信号を増幅し
、この増幅された電気信号と、制御しよりとする組成濃
度に予め対応させて設定した電気信号とを比較し、めっ
き液の組成濃度が制御しようとする組成濃度に達してい
ない時、一定量あるいは、不足分に比例する量のめっき
液組成に対応した薬液を補充する構造にしている。
しかしかかる従来の無電解めっき制御装置は、めっき液
サンプリングのための配管や、センサからの信号線を長
く引き延ばすことができないため、環境条件の悪いめっ
き槽の近くに設置せざるを得なかった。一方、制御装置
をめっき槽から離れた例えば分析室内などに設置し、補
充ポンプ系とセンサと、とのセンサからの電気信号をイ
ンピーダンス変換する変換部とをめりき槽の近くに設置
し、制御装置との間を電線で接続する制御装置もあるが
、周囲からの雑音信号の影響を受け、誤動作し易い欠点
があった。
さらに、かかる制御装置では、組成濃度の設定値を変更
することが容易でないという欠点もあった。これは一つ
の組成濃度が変動すると、他の組成濃度を検知している
センサの出力に影響を与えるためであシ、一つの組成濃
度の制御値を変更するには他の組成濃度を制御している
電気信号の設定値をも変更する必要があったためである
不発明の目的は、かかる従来の無電解めっき制御装置の
欠点を除去し、めっき液組成濃度制御が正確で、かつ、
制御設定値の変更も容易な無電解めっき制御装置を提供
するものである。
本発明によれば、無電解めっき槽のめっき液の組成濃度
を検知するセンサと、このセンサの出力情報を入力する
手段と、この入力情報を演算する手段と、めっき槽にめ
っき液組成薬液を補充するポンプのスイッチを制御する
手段を有する制御端末部と、この制御端末部から通信回
線を介して送られてくるめっき液の状態を示す情報を処
理する手段と、情報を表示する手段と、制御端末部に対
し、めっき液の制御条件を指示する手段とを有する主制
御部、及び制御端末部と主制御部とを通信回線を介して
接続する手段を有することを特徴とする無電解めっき制
御装置が得られる。
以下、本発明を第1図を用いて説明する。まず本発明の
無電解めっき制御装置の構成を説明する〇不装置は大別
して主制御部1、制御端末部2、及び、主制御部1と制
御端末部2との間で情報授受をする通信口#3とから成
る。さらに主制御部1は、パーンナルコンピニータ等の
主計算mla。
フロッピーディスク等の記憶装置1b、プリンタやレコ
ーダ等の記録装[1cとから構成される。
前記制御端末部2から通信回線3を介して送られてくる
無電解めっき液組成&度センサの出力情報を主計算機1
aで演算加工し、組成濃度を得て、予め設定されている
標準組成濃度との差異から組成薬液の補充量を決定し、
制御端末部2対して補充の指示を出す。また組成濃度、
組成薬液の補充量は、記録装置1cで記録すると共に、
その後の組成濃度管理のデータとして役立てるために、
記憶装置1bに記憶させる。
制御端末部2は、無電解めっき液の組成濃度を電気信号
(主として電圧)に変換する、例えば、pH電極のよう
なセンサS1〜Snの出力を増幅する増幅器A1〜An
 、増幅器A1〜Anの出力をマイクロコンピュータ(
以下CPU : CentralProcessor 
Unitと略す) 2aが取扱えるようなディジタル値
に変換するアナログ/ディジタル変換器C1〜Cn 、
アナログ/ディジタル変換器C1〜Cnを通して送られ
てくるセンサ出力を蓄積し演算するCPU 2a 、及
びCPU 2aによって制御され、めっき液組成に対応
する薬液を補充するポンプ(図示省略)のスイッチを制
御するスイッチ制御部8W1〜8Wnとから構成される
通信口fi13は、几8−232C規格、あるいはIE
EE−488規格、もしくはそれらを簡略化した規格等
に合致するよう構成され確実に情報の授受がなされるよ
う設計されている。
次に、本発明による無電解めっき制御装置の動作原理に
ついて説明する。
無電解めっき槽(図示省略)よシ、めっき液をポンプ及
び配管チューブ(図示省略)によシサンプリングし、セ
ンサS1〜Snまで導く。例えばpH電極のように、特
定のめっき液組成に反応するセンサS1〜Snの出力値
は、CPU 2aによシ、一定の時間、例えば1秒毎に
収集されて蓄積される。これらの蓄積データは、主制御
部1からの要求があった時、一定期量分、例えば、要求
前の1分間分を平均して、主制御部1へ通信回線3を介
して送付する。主制御部1では、送付された各センサの
出力値よシ、一定の式に従って計算を行い、各組成濃度
を求める。例えは、めっき液が無電解銅めっき液の場合
には以下のような式になる。
pH=A@Vpi+B・(T  a)+C・・−・−−
(1)Cu=D・Vcu+B−(pH−b)+F’ ・
+−++++・=42)HCHO=G −VHcao+
H@ (’l’−a)+I +1(pI4−b)+J 
=13)ここで、pHはpH値、Cuは銅イオン濃度、
1、(CHOはホルマリン濃度を表わし、VpH,Vc
u 。
VHCHOはそれぞれ、pH電極、銅イオンセンサホル
マリンセンサの出力値、Tはサンプリングされためっき
液の温度を表わす。またA、11.C,D、E、F。
G、H,I、Jは、計算の為の係数、定数であり、実験
値より求めたものである。
通常一つの組成濃度が変化すると、他の組成濃度は変化
していなくても、相互作用が働くため、これらのめっき
液組成のセンサ出力値は変化する。
このため、従来の無電解めっき制御装置では、一つのセ
ンサ出力の増幅器に他のセンサ出力から帰還をかけるこ
とによシ相互作用の調整を行っていた。従って増幅器の
調整が困難であったばかシでなく、めっき液の組成濃度
制御値の変更も極めて困難であった。
これに対し、本発明による制御装置においては、前記式
(1)〜(3)ヲ用いて主計算機1aで補正計算を行い
組成濃度を求めるため、センサ出力の増幅器相互に帰還
をかける必要がなく、極めて簡単な回路で済む。さらに
各組成濃度制御値は数値で記憶させれば良いので、制御
値の設定も簡単である。
このようにして、めっき液の各組成濃度が求められると
予め設定された各組成の制御値と比較し、組成濃度が不
足している場合、主計算機1aは不足量を計算し、その
不足分を補充するよう、通信回線3を介して制御端末部
2のCPU 2aに対して指示を出す。CPU 2aで
は、主計算機1aの指示を受け、不足量の補充を行うた
めに、めっき液組成補充ポンプ制御部8W1〜SWn 
f制御してめっき液組成に対応する薬液の補充を行う。
このような手順で、不発明の無電解めっき制御装置は、
めっき液の組成濃度を制御する。
以上、無電解銅めっき液を例にとって動作原理を述べた
が・不発明の無電解めっき制御装置は、■雑音信号の影
響による誤動作がなくなシ、■めっき液組成濃度の設定
値を容易に変更できるようにな)、さらに■他の無電解
めっき液に対しても、組成濃度セ゛ンサと、主計算機の
濃度計算式及び、組成補充液を変更するだけで容易に対
応できる、という極めて融通性の高い装置である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図を示す。 1・・・・・・主制御部、1a・・・・・・主計算機、
1b・・・・・記憶装置、1c・・・・・・記録装置、
2・・・・・・制御端末部、2a・・・・・・CPU、
3・・・・・通信回線、S1〜Sn・・・・・・センサ
、A1〜An  ・・・増幅器、C1〜Cn ・・・・
・・アナログ/ディジタル変換器、8W1〜8Wn・・
・・・めっき液組成補充ポンプスイッチ制御部@

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 無電解めっき槽のめつき液の組成濃度を検知するセンサ
    と、前記センサの出力情報を入力する手段と、前記入力
    情報を演算する手段と、前記めっき槽にめっき液組成薬
    液を補充するポンプのスイッチを制御する手段を有する
    制御端末部と、前記制御端末部から通信回線を介して送
    られてくる前記めっき液の状態を示す情報管処理する手
    段と、前記情報を表示する手段と、前記制御端末部に対
    し、めっき液の制御条件を指示する手段とを有する主制
    御部、及び前記制御端末部と主制御部とを通信回線を介
    して接続する手段とを有することを特徴とする無電解め
    っき制御装置。
JP19855982A 1982-11-12 1982-11-12 無電解めつき制御装置 Pending JPS5989757A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1744233A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-17 Murata Co., Ltd. Regeneration apparatus and regeneration method for electroless plating

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1744233A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-17 Murata Co., Ltd. Regeneration apparatus and regeneration method for electroless plating
KR100850090B1 (ko) * 2005-07-12 2008-08-04 가부시키가이샤 무라타 무전해 도금용액 재생장치 및 그 방법
US7892603B2 (en) 2005-07-12 2011-02-22 Murata Co., Ltd. Regeneration apparatus and regeneration method for electroless plating
US7968149B2 (en) 2005-07-12 2011-06-28 Murata Co., Ltd. Regeneration apparatus and regeneration method for electroless plating

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