JPS5988322A - 欠陥型タンタル酸リチウム系強誘電体組成物 - Google Patents
欠陥型タンタル酸リチウム系強誘電体組成物Info
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- JPS5988322A JPS5988322A JP57199493A JP19949382A JPS5988322A JP S5988322 A JPS5988322 A JP S5988322A JP 57199493 A JP57199493 A JP 57199493A JP 19949382 A JP19949382 A JP 19949382A JP S5988322 A JPS5988322 A JP S5988322A
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- lithium tantalate
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、タンタル酸リチウム(Li−’1.’aO3
)やニオブ酸リチウム(LiNb03) k母体として
、そる。
)やニオブ酸リチウム(LiNb03) k母体として
、そる。
Li’i’aO3およびり、i、Nbo3は共にへ方晶
糸に属する同形の結晶で、前者は6乙O″Cに、後者は
7795°Cにそれぞれ高いキュリ一点を持つ強誘電体
である。多くは単結晶の形で用いられるが、電気光学た
めに単結晶育成において融液の組成変動が起り単結晶に
割れ目が入りやすく、更にはレーザー光による光損傷を
受けやすい短所がある。また高周波用圧電材料として用
いる場合には、高い異方性のために高緻密な焼結体を得
ることは困難となっている。これらの問題へ全改善する
ために、LiTa0aやLiNbO31母体として、L
i位置のNa置換やその両隅イオン位置にCa冑オンと
Zrイオンの複合置換などの試みがあるが、この結晶型
は融通性に欠けるために置換固溶範囲は狭く、四に置換
固溶量に対して強誘電的性質は急激に変動するために一
定した性能を再現性よく製造することはむづかしい。
糸に属する同形の結晶で、前者は6乙O″Cに、後者は
7795°Cにそれぞれ高いキュリ一点を持つ強誘電体
である。多くは単結晶の形で用いられるが、電気光学た
めに単結晶育成において融液の組成変動が起り単結晶に
割れ目が入りやすく、更にはレーザー光による光損傷を
受けやすい短所がある。また高周波用圧電材料として用
いる場合には、高い異方性のために高緻密な焼結体を得
ることは困難となっている。これらの問題へ全改善する
ために、LiTa0aやLiNbO31母体として、L
i位置のNa置換やその両隅イオン位置にCa冑オンと
Zrイオンの複合置換などの試みがあるが、この結晶型
は融通性に欠けるために置換固溶範囲は狭く、四に置換
固溶量に対して強誘電的性質は急激に変動するために一
定した性能を再現性よく製造することはむづかしい。
本発明者はLj−’I’aO3型構造の不定比性につい
て研究を重ねた結果、L1位置iZrイオンなどで固溶
置換することにより陽イオン空格子点を持つL j ’
J’ a、o3固溶体が広範囲に生成することを見出し
、その欠陥型固溶体はキュリ一点において非常に高い誘
電率を示す強誘電体で、母体材料に比べて焼結性が良く
、更に融点も低くなることから単結晶育成に有利な点を
持ち、誘電圧電材料や電気光学材料として応用可能なセ
ラミック機能性拐料を提供するものである。
て研究を重ねた結果、L1位置iZrイオンなどで固溶
置換することにより陽イオン空格子点を持つL j ’
J’ a、o3固溶体が広範囲に生成することを見出し
、その欠陥型固溶体はキュリ一点において非常に高い誘
電率を示す強誘電体で、母体材料に比べて焼結性が良く
、更に融点も低くなることから単結晶育成に有利な点を
持ち、誘電圧電材料や電気光学材料として応用可能なセ
ラミック機能性拐料を提供するものである。
本発明による欠陥型強誘電体磁器は、一般式%式%(1
) (式中のMはzn 、 Nx 、 MgオよびCa)中
から選ばれた少なくとも7種の金属元素、Xは003〜
0.53の数、yは00〜10の数を示す)に相当する
組成を持つLi’I’aO3型化合物である。すなわち
上記の組成式に相当するモル比で混合し焼成すると、陽
イオン欠損性の安定な六方晶Li−TaO3固溶体が形
成される。この欠陥型固溶体では、2つのLiイオンに
対して1つの2価金属イオンが固溶置換すると、7つの
割合で陽イオン空格子点が形成されることになる。Zn
系ではL1位置全最大2g%も空格子点にすることがで
きる。このような多くの空格子点を持つLiTaO3型
強誘電体の報告例はない。
) (式中のMはzn 、 Nx 、 MgオよびCa)中
から選ばれた少なくとも7種の金属元素、Xは003〜
0.53の数、yは00〜10の数を示す)に相当する
組成を持つLi’I’aO3型化合物である。すなわち
上記の組成式に相当するモル比で混合し焼成すると、陽
イオン欠損性の安定な六方晶Li−TaO3固溶体が形
成される。この欠陥型固溶体では、2つのLiイオンに
対して1つの2価金属イオンが固溶置換すると、7つの
割合で陽イオン空格子点が形成されることになる。Zn
系ではL1位置全最大2g%も空格子点にすることがで
きる。このような多くの空格子点を持つLiTaO3型
強誘電体の報告例はない。
この欠陥型固溶体の製造にあたって、調合成分はいずれ
も微細粉末状で混合されるが、混合方式としては乾式混
合、湿式混合のいずれを用いてもよい。焼成温度は固溶
体組成にもよるが、g00〜//夕0′Cで仮焼し、粉
砕混合後、金型で加圧成形して900〜/S00°Cで
本焼成する。
も微細粉末状で混合されるが、混合方式としては乾式混
合、湿式混合のいずれを用いてもよい。焼成温度は固溶
体組成にもよるが、g00〜//夕0′Cで仮焼し、粉
砕混合後、金型で加圧成形して900〜/S00°Cで
本焼成する。
本発明によって任意的に形成された陽イオン空格子点の
存在は隣接する酸素八面体に対して静電的な相互作用が
外部的に働き、強誘電性の起因となっている極性的なイ
オン変位に影響力を及ばず結果となる。それ故この欠陥
型固溶体の強誘電性はZnイオンなどの置換固溶によっ
て比較的なだらかに変性される。また多くの陽イオン空
格子点の発生は結晶中において化学結合の切れ目を作り
、融点を低Fさせるものと考えられる。
存在は隣接する酸素八面体に対して静電的な相互作用が
外部的に働き、強誘電性の起因となっている極性的なイ
オン変位に影響力を及ばず結果となる。それ故この欠陥
型固溶体の強誘電性はZnイオンなどの置換固溶によっ
て比較的なだらかに変性される。また多くの陽イオン空
格子点の発生は結晶中において化学結合の切れ目を作り
、融点を低Fさせるものと考えられる。
この欠陥型固溶体の形成する範囲において、強誘電体の
キュリ一点温度は置換固溶量(x)の増加と共にZn糸
、Mg系およびCa系では低温側に、N1系では高温側
に移動する傾向を示す。また欠陥型固溶体のキュリ一点
温度と軸比Q /a(aおよびCは六方晶の格子定数)
とは相関性があり、軸比が人きく(小さく)なると、キ
ュリ一点温度は」二昇(降下)する傾向を示す。
キュリ一点温度は置換固溶量(x)の増加と共にZn糸
、Mg系およびCa系では低温側に、N1系では高温側
に移動する傾向を示す。また欠陥型固溶体のキュリ一点
温度と軸比Q /a(aおよびCは六方晶の格子定数)
とは相関性があり、軸比が人きく(小さく)なると、キ
ュリ一点温度は」二昇(降下)する傾向を示す。
本発明にかかる欠陥型固溶体は置換固溶量によってキュ
リ一点温度を選定したり最大誘電率を大きくすることが
でき、まrc L:h’l’aO3やLi−NbO3ノ
/3)体材料に比較して、一段と焼結性がよく、強誘電
体磁器の低眞焼成化を導き、更にLi原料に比べて酸化
亜鉛や酸化マグネシウムなどの原料は安価であるために
製造コス)1下げることができ、誘″tE圧電材料や電
気光学材料として有利な応用面を持っている。
リ一点温度を選定したり最大誘電率を大きくすることが
でき、まrc L:h’l’aO3やLi−NbO3ノ
/3)体材料に比較して、一段と焼結性がよく、強誘電
体磁器の低眞焼成化を導き、更にLi原料に比べて酸化
亜鉛や酸化マグネシウムなどの原料は安価であるために
製造コス)1下げることができ、誘″tE圧電材料や電
気光学材料として有利な応用面を持っている。
以下に実施例を示す。
前記の欠陥型固溶体組成式(υにおいてy 二o、 。
で、M’(Hzn元素としてx= 00.0/、02.
03.04tおよび05となる6個の配合組成およびM
全Ni元素として工= 0.03.0ハ0.2.03と
なるグ個の配合組成全炭酸リチウム、五酸化タンクル、
酸化亜鉛および酸化ニッケルを月Jいてそれぞれ所定量
秤量し、よく攪拌混合した。この70種の調合配合物は
まず7100°Cにて20時間仮焼し、更に粉砕混合後
、成形圧2トン/ Caで直径10肩肩厚さ/朋の円板
状にブレス成3f6し、その円板状試料を数枚重ねて密
閉したアルミナルツボ 本焼成した。誘電率の測定は試料の両面に銀ペーストを
焼付はキャパシタンスブリッヂを用いて行なった。この
ようにして得られた試料はX線回折装置を用いて検査し
、いずれも単一+11の六方晶LiTaO3型に特有な
X線パターンであった。第図にはZn系の格子定数変化
を、第2図にはzn系およびNi系のキュリ一点温度変
化を示す。いずれの試料についてもキュリ一点において
誘電率の極大値を示し、その最大誘電率はZn系および
Ni−系においてもX値の増加と共に大きくなり、例え
ばNj系で:J:、=03の場合には最大誘電率は乙、
t30にも達し、m体月料LiTa03(x二00)に
比べておよそグ倍も大きい。これらの結果はこの欠陥型
L j−T IJ、 03固溶体が連続的に且つ広範囲
に生成していることを示しており、四に強誘電体である
ことは明らかである。
03.04tおよび05となる6個の配合組成およびM
全Ni元素として工= 0.03.0ハ0.2.03と
なるグ個の配合組成全炭酸リチウム、五酸化タンクル、
酸化亜鉛および酸化ニッケルを月Jいてそれぞれ所定量
秤量し、よく攪拌混合した。この70種の調合配合物は
まず7100°Cにて20時間仮焼し、更に粉砕混合後
、成形圧2トン/ Caで直径10肩肩厚さ/朋の円板
状にブレス成3f6し、その円板状試料を数枚重ねて密
閉したアルミナルツボ 本焼成した。誘電率の測定は試料の両面に銀ペーストを
焼付はキャパシタンスブリッヂを用いて行なった。この
ようにして得られた試料はX線回折装置を用いて検査し
、いずれも単一+11の六方晶LiTaO3型に特有な
X線パターンであった。第図にはZn系の格子定数変化
を、第2図にはzn系およびNi系のキュリ一点温度変
化を示す。いずれの試料についてもキュリ一点において
誘電率の極大値を示し、その最大誘電率はZn系および
Ni−系においてもX値の増加と共に大きくなり、例え
ばNj系で:J:、=03の場合には最大誘電率は乙、
t30にも達し、m体月料LiTa03(x二00)に
比べておよそグ倍も大きい。これらの結果はこの欠陥型
L j−T IJ、 03固溶体が連続的に且つ広範囲
に生成していることを示しており、四に強誘電体である
ことは明らかである。
またこの欠陥型固溶体磁器はいずれも良好な焼結性を示
し、理論密度に対して90%以上の相対密度を持つ。L
j−’1’a03単味<X=OOに相当する〕の場合に
は相対密度は7/%であるので、この欠陥型固溶体磁器
は格段に高緻密化された焼結体であると云える。
し、理論密度に対して90%以上の相対密度を持つ。L
j−’1’a03単味<X=OOに相当する〕の場合に
は相対密度は7/%であるので、この欠陥型固溶体磁器
は格段に高緻密化された焼結体であると云える。
第1図は(/ −x ) Li2O−x ZnO−’r
azo5系固溶体においてX値に対する格子定数(六方
晶、砦およびCは格子定数パラメータ)の変化全示しt
ものである。第2図は(/−x ) Lj−20−xM
。 ’t’a205系固溶体において、M i Zn元素お
よびNi元素とした時のX値に対するキュリ一点温度の
変化を示したものである。この場合 曲線1はZn系で
、曲線BはNi糸である。
azo5系固溶体においてX値に対する格子定数(六方
晶、砦およびCは格子定数パラメータ)の変化全示しt
ものである。第2図は(/−x ) Lj−20−xM
。 ’t’a205系固溶体において、M i Zn元素お
よびNi元素とした時のX値に対するキュリ一点温度の
変化を示したものである。この場合 曲線1はZn系で
、曲線BはNi糸である。
Claims (1)
- 一般式(/−x ) Li−zo−r:Mo −(/−
W )T a205 ・W N bz Osにおいて、
M成分を亜鉛、ニッケル、マグネシウムおよび力μシウ
ムの中から選ばれた少なくとも7種の金属酸化物とし、
X−003〜θSSおよびy=oo〜10の成分範囲の
組成混合物fg00〜/300′Cにて加熱焼成するこ
とによって生成するタンタル酸リチウム(rJi’i’
ao3)型固溶体で、陽イオン空格子点を有することを
特徴とする、誘電圧電材料や電気光学材料として応用可
能な強誘電体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57199493A JPS5988322A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 欠陥型タンタル酸リチウム系強誘電体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57199493A JPS5988322A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 欠陥型タンタル酸リチウム系強誘電体組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5988322A true JPS5988322A (ja) | 1984-05-22 |
JPS6247818B2 JPS6247818B2 (ja) | 1987-10-09 |
Family
ID=16408725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57199493A Granted JPS5988322A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 欠陥型タンタル酸リチウム系強誘電体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5988322A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1346966A2 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-24 | Denso Corporation | Piezoelectric ceramic composition, its production method and piezoelectric device |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57199493A patent/JPS5988322A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1346966A2 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-24 | Denso Corporation | Piezoelectric ceramic composition, its production method and piezoelectric device |
EP1346966A3 (en) * | 2002-03-20 | 2004-12-01 | Denso Corporation | Piezoelectric ceramic composition, its production method and piezoelectric device |
US7150838B2 (en) * | 2002-03-20 | 2006-12-19 | Denso Corporation | Piezoelectric ceramic composition, its production method and piezoelectric device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6247818B2 (ja) | 1987-10-09 |
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