JPS5987889A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS5987889A JPS5987889A JP57198247A JP19824782A JPS5987889A JP S5987889 A JPS5987889 A JP S5987889A JP 57198247 A JP57198247 A JP 57198247A JP 19824782 A JP19824782 A JP 19824782A JP S5987889 A JPS5987889 A JP S5987889A
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Classifications
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
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- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
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- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（〜 発明の技術分野
本発明は、鉛（ｐｂ）を含む化合物半導体を用いた半導
体素子の特にＰ側非贅流性軍極の形成方法の改良に関す
る。
体素子の特にＰ側非贅流性軍極の形成方法の改良に関す
る。
（ｂ） 技術の背景
エネルギーギャップの狭い半導体レーザ素子の形成材料
としては、一般１ｃｐｂを含む化合物半導体結晶、例え
ば鉛、錫、テルル（Ｐｂ、ｘＳｎＸ’ｒｅ） １や鉛、
硫黄、セレン（Ｐｂ１−ｘ ＳＸ Ｓｅ）等が用いられ
ている。
としては、一般１ｃｐｂを含む化合物半導体結晶、例え
ば鉛、錫、テルル（Ｐｂ、ｘＳｎＸ’ｒｅ） １や鉛、
硫黄、セレン（Ｐｂ１−ｘ ＳＸ Ｓｅ）等が用いられ
ている。
（ｃ） 従来技術と問題点
このようなｐｂ、−ｘＳｎ、 Ｔｅの材料を用いた従来
のメサストライプ製造の半導体レーザ素子の製造方法に
ついて第１図を用いながら説明する。
のメサストライプ製造の半導体レーザ素子の製造方法に
ついて第１図を用いながら説明する。
図示するように、Ｐ型のテルル化膜（ｐｂｒｅ）の基板
１上にＰ型のＰｂＴｅよりなるバッフ１層２を液相エピ
タキシャル成長方法を用いて形成し、その上にＰ型のｐ
ｂ、−ＸＳｎｘ Ｔｅの活性層３を更にその上にＮ型の
ＰｂＴｅの閉じ込め層４をそれぞれ液相エピタキシャル
方法によって形成する。その後肢積層したそれぞれの結
晶層をバッフ１層２に到るまで上部閉じ込め層４よりメ
サエッチしたのち、該閉じ込め層４の表面に陽極酸化膜
よりなる絶縁膜５を形成したのちその絶縁膜５の一部Ａ
をエツチングして窓開きする。
１上にＰ型のＰｂＴｅよりなるバッフ１層２を液相エピ
タキシャル成長方法を用いて形成し、その上にＰ型のｐ
ｂ、−ＸＳｎｘ Ｔｅの活性層３を更にその上にＮ型の
ＰｂＴｅの閉じ込め層４をそれぞれ液相エピタキシャル
方法によって形成する。その後肢積層したそれぞれの結
晶層をバッフ１層２に到るまで上部閉じ込め層４よりメ
サエッチしたのち、該閉じ込め層４の表面に陽極酸化膜
よりなる絶縁膜５を形成したのちその絶縁膜５の一部Ａ
をエツチングして窓開きする。
その後絶縁膜上にＡｕの導電体膜６を蒸着によって形成
し、前述の窓開きした部分Ａで接続を取るようにしてオ
ーミック電極を形成する。そしてこの電極と下部の銅（
Ｃｕ）よりなるヒートシンク１２と接続させる。一方、
Ｐ型のＰｂＴｅの基板ｌの底部にはＡｕ Ｊ凶７を蒸着
により形成し、その上にＣｒ層８およびＡｕ層９を順次
蒸着により形成後インジウウ（Ｉｎ）ろう１０を用いて
Ａｕのリボン１１を融着して引き出し用電極を形成して
いる。
し、前述の窓開きした部分Ａで接続を取るようにしてオ
ーミック電極を形成する。そしてこの電極と下部の銅（
Ｃｕ）よりなるヒートシンク１２と接続させる。一方、
Ｐ型のＰｂＴｅの基板ｌの底部にはＡｕ Ｊ凶７を蒸着
により形成し、その上にＣｒ層８およびＡｕ層９を順次
蒸着により形成後インジウウ（Ｉｎ）ろう１０を用いて
Ａｕのリボン１１を融着して引き出し用電極を形成して
いる。
ここでＩｎろう１０とＡｕとは室温で容易に合金化し、
このＩｎろうと勤との合金の形成されるのを抑制するた
めにＣｒ層８をＡｕ層７とＡｕ層９との間に介在させて
形成している。ところでこのＣｒ層８を顕微鏡にて観察
すると蒸着膜中にとンホールが発生しており、このピン
ホールを通じてＩｎとＡｕの合金化したうちのＩｎがＰ
ｂＴｅの基板１内へ拡散し、この拡散した箇所でＩｎは
Ｐｂ Ｔｅの基板においては、Ｎ型の導電型を付与する
ことになるので、Ｐ型のＰｂ Ｔｅ基板の不純物原子例
えばタリウム（形成される半導体レーザ素子の特性を劣
化させ、レーザ素子の歩留りを低下させる不都合を生じ
て（由 発明の目的 本発明は上述した欠点を除去し、前述のＣｒのピンホー
ルによって、Ｉｎ金属が基板内部に拡散するのを防止す
るようにした新規な電極形成法を含む半導体素子の製造
方法の提供を目的とするものである。
このＩｎろうと勤との合金の形成されるのを抑制するた
めにＣｒ層８をＡｕ層７とＡｕ層９との間に介在させて
形成している。ところでこのＣｒ層８を顕微鏡にて観察
すると蒸着膜中にとンホールが発生しており、このピン
ホールを通じてＩｎとＡｕの合金化したうちのＩｎがＰ
ｂＴｅの基板１内へ拡散し、この拡散した箇所でＩｎは
Ｐｂ Ｔｅの基板においては、Ｎ型の導電型を付与する
ことになるので、Ｐ型のＰｂ Ｔｅ基板の不純物原子例
えばタリウム（形成される半導体レーザ素子の特性を劣
化させ、レーザ素子の歩留りを低下させる不都合を生じ
て（由 発明の目的 本発明は上述した欠点を除去し、前述のＣｒのピンホー
ルによって、Ｉｎ金属が基板内部に拡散するのを防止す
るようにした新規な電極形成法を含む半導体素子の製造
方法の提供を目的とするものである。
（ｅ） 発明の構成
このような目的を達成するための本発明の半導体素子の
提供方法は、鉛を含むＰ型の化合物半導簾結晶上にＡｕ
層を形成後、Ｃｒ−Ａｕ−Ｃｒ−Ａｕ層の非整流性の四
層膜を形成して、その上にＩｎ金属層を介して引き出し
用正極を形成することを特徴とするものである。
提供方法は、鉛を含むＰ型の化合物半導簾結晶上にＡｕ
層を形成後、Ｃｒ−Ａｕ−Ｃｒ−Ａｕ層の非整流性の四
層膜を形成して、その上にＩｎ金属層を介して引き出し
用正極を形成することを特徴とするものである。
（ｆ） 発明の実施例
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき細切に説
明する。
明する。
第２図は本発明の方法によって形成した半導体レーザ素
子の斜視図である。
子の斜視図である。
図示するように、本発明の半導体レーザ素子はＰ型のＰ
ｂ Ｔｅの基板２１上にＰ型のＰｂ Ｔｅの結晶層をバ
ッファ層２２として液相エピタキシャル成長方法によっ
て形成する。次いでその上にＰ型ＰｂＸ−ｘＳｎｘＴｅ
の結晶層を活性ｊθ２３として形ＦＬ後、更にその上に
Ｎ型のＰｂ１−ＸｓれｘＴｅの結晶層２４を閉じ込め層
として形成し、その後バッファ層に至るまヅ で前記結晶層をメナエッチングする。
ｂ Ｔｅの基板２１上にＰ型のＰｂ Ｔｅの結晶層をバ
ッファ層２２として液相エピタキシャル成長方法によっ
て形成する。次いでその上にＰ型ＰｂＸ−ｘＳｎｘＴｅ
の結晶層を活性ｊθ２３として形ＦＬ後、更にその上に
Ｎ型のＰｂ１−ＸｓれｘＴｅの結晶層２４を閉じ込め層
として形成し、その後バッファ層に至るまヅ で前記結晶層をメナエッチングする。
次いで該基板上に陽極酸化膜２５を形成後、該陽極酸化
膜の一部Ａをホトリソグラフィ法を用いてエツチング除
去する。
膜の一部Ａをホトリソグラフィ法を用いてエツチング除
去する。
その後、該基板２１の底面および陽極酸化膜２５上ＩＣ
Ａｕ ）’Ｊ ２６．２７をＭ着によって形成する。こ
こでそしてその上に前述した第１図のＩｎＰＪＩＯを介
してＡｕリボン１１をボンディングし、引き出し用、＃
Ｍ、極を形成する。
Ａｕ ）’Ｊ ２６．２７をＭ着によって形成する。こ
こでそしてその上に前述した第１図のＩｎＰＪＩＯを介
してＡｕリボン１１をボンディングし、引き出し用、＃
Ｍ、極を形成する。
このようにＡｕの蒸着層２６上にＣｒ −Ａｕ −Ｃｒ
−Ａｕの四層溝造に金属層を形成することでＣｒ層２
９．３１にピンホールが生じていてもこのとンホールが
同一箇所に形成される確率は小さく、金リボン１１の融
着に用いたＩｎろう１０（７）ＩｎがＣｒのピンホール
を通して基板２１内部に拡散するのが防止される。
−Ａｕの四層溝造に金属層を形成することでＣｒ層２
９．３１にピンホールが生じていてもこのとンホールが
同一箇所に形成される確率は小さく、金リボン１１の融
着に用いたＩｎろう１０（７）ＩｎがＣｒのピンホール
を通して基板２１内部に拡散するのが防止される。
（ｇｉ 発明の効果
以上述べたように本発明の半導体素子の製造方法によれ
ば、Ｃｒ層のとンホールを通じて基板にＩｎが拡散する
のが防止されるので、基板に添加されている不純物原子
が補償されることがなくなり、高信頼度の半導体レーザ
素子等が得られる利点を生じる。また以上の実施例にお
いてはメサストライ？°構造のレーザ素子を用いて説明
したが、その他Ｐ側の電極にＩｎろうを用いて菓子組立
て工程を有する半導体素子の製造方法において、本発明
の方法はきわめて有益である。
ば、Ｃｒ層のとンホールを通じて基板にＩｎが拡散する
のが防止されるので、基板に添加されている不純物原子
が補償されることがなくなり、高信頼度の半導体レーザ
素子等が得られる利点を生じる。また以上の実施例にお
いてはメサストライ？°構造のレーザ素子を用いて説明
したが、その他Ｐ側の電極にＩｎろうを用いて菓子組立
て工程を有する半導体素子の製造方法において、本発明
の方法はきわめて有益である。
第１図は従来の半導体レーザ索子の斜視図、第２図は本
発明の方法により形成した半導体レーザ素子の斜視図で
ある。 図において、１，２１はＰｂ Ｔｅ基板、２，２２はノ
（ッファ層、３，２３は活性層、４，２４は上部閉じ込
め層、５，２５は陽極酸化膜、６．７． ９．２６．
２７３０．３２はＡｕｉ、８．２９．３１はＣｒ層、１
０はＩｎ層、１１はＡｕリボン、臣、２８はヒートシン
ク、Ａは接続部を示す。 イｊ’、 １ １’Ｃ１ １ ｔａｒ ２ １Ｔ４
発明の方法により形成した半導体レーザ素子の斜視図で
ある。 図において、１，２１はＰｂ Ｔｅ基板、２，２２はノ
（ッファ層、３，２３は活性層、４，２４は上部閉じ込
め層、５，２５は陽極酸化膜、６．７． ９．２６．
２７３０．３２はＡｕｉ、８．２９．３１はＣｒ層、１
０はＩｎ層、１１はＡｕリボン、臣、２８はヒートシン
ク、Ａは接続部を示す。 イｊ’、 １ １’Ｃ１ １ ｔａｒ ２ １Ｔ４
Claims (1)
- 鉛を含むＰ型の化合物半導体結晶上に導電性電極を形成
する方法において、上記Ｐ型化合物半導体結晶上に金（
Ａｕ）層を形成後、クロム（Ｃｒ） −Ａｕ −Ｃｒ
−Ａｕ層の非整流性の四層膜を形成してその上にインジ
ウム（Ｉｎ）金属層を介して引き出し用電極を形成する
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198247A JPS5987889A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198247A JPS5987889A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987889A true JPS5987889A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16387947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198247A Pending JPS5987889A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987889A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0205338A2 (en) * | 1985-06-11 | 1986-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| CN105989929A (zh) * | 2015-02-27 | 2016-10-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种导电薄膜制作方法及导电薄膜 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57198247A patent/JPS5987889A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0205338A2 (en) * | 1985-06-11 | 1986-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4819244A (en) * | 1985-06-11 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| CN105989929A (zh) * | 2015-02-27 | 2016-10-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种导电薄膜制作方法及导电薄膜 |
| CN105989929B (zh) * | 2015-02-27 | 2017-11-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种导电薄膜制作方法及导电薄膜 |
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