JPS5986982A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS5986982A JPS5986982A JP57198234A JP19823482A JPS5986982A JP S5986982 A JPS5986982 A JP S5986982A JP 57198234 A JP57198234 A JP 57198234A JP 19823482 A JP19823482 A JP 19823482A JP S5986982 A JPS5986982 A JP S5986982A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は単板カラー固体撮像装置に関し、特に、その画
素配列技術と上記の画素配列から発生する信号を分離す
るのに好適な色分離回路に関する。
素配列技術と上記の画素配列から発生する信号を分離す
るのに好適な色分離回路に関する。
背景技術
規則的に配置された8種類の画素を備える単板カラー固
体撮像装置(以下において単にカフ−センサと略称され
る。)は公知である。特開56−120281に開示さ
れる第1の先行技術において、各水平行はIt B G
の順に配列された画素を持つ。U8P 8971065
に開示される第2の先行技術において、GL!J!I素
は市松模様状に配置される。そしてit画素は2N行に
配置され、B画素は2N+1行に配置される。インクラ
イン配列と呼ばれる第8の先行技術において、G画素は
市松模様状に配置される。そしてlL画素とB画素は水
平方向に交互に配置される。そして第N性と第N+2行
は同じ画素配列を持つ。特願50−128752に開示
される第4の先行技術において、第N性はY(またはW
)画素とR画素が交互に配置され、第ぺ+1行はY(−
!i−たはW)画素とG画素が交互に自己性される。そ
して第N性のX画素と第N+1行のY ii!ii素は
同じ列位置に配置される。
体撮像装置(以下において単にカフ−センサと略称され
る。)は公知である。特開56−120281に開示さ
れる第1の先行技術において、各水平行はIt B G
の順に配列された画素を持つ。U8P 8971065
に開示される第2の先行技術において、GL!J!I素
は市松模様状に配置される。そしてit画素は2N行に
配置され、B画素は2N+1行に配置される。インクラ
イン配列と呼ばれる第8の先行技術において、G画素は
市松模様状に配置される。そしてlL画素とB画素は水
平方向に交互に配置される。そして第N性と第N+2行
は同じ画素配列を持つ。特願50−128752に開示
される第4の先行技術において、第N性はY(またはW
)画素とR画素が交互に配置され、第ぺ+1行はY(−
!i−たはW)画素とG画素が交互に自己性される。そ
して第N性のX画素と第N+1行のY ii!ii素は
同じ列位置に配置される。
特開55−41057は高い感度を持つW画素と他の色
画素間の感度差を補償するためにW画素上の光透過領域
(有効感光領域)を狭くする事を開示する。そして特開
56−108578は光4電膜を感光素子として使用す
る固体撮像装置を開示する。なお、本明細書において、
画業は特定の分光感度を代表する信号を意味し、感光素
子とその上に配置される色フィルタによって構成される
。
画素間の感度差を補償するためにW画素上の光透過領域
(有効感光領域)を狭くする事を開示する。そして特開
56−108578は光4電膜を感光素子として使用す
る固体撮像装置を開示する。なお、本明細書において、
画業は特定の分光感度を代表する信号を意味し、感光素
子とその上に配置される色フィルタによって構成される
。
感光素子は入射光によって光電荷を発生し、そして蓄積
する半導体累子である。XフィルタとX画素はX光を透
過する色フィルタと上記の色フイρりを備える感光素子
を意味する。R,G、B、Y、Ye、Gyは赤、緑、青
、輝度、黄、シアンを意味する。W画素は色フィルタを
持たない画素である。上記の感光素子に蓄積された信号
電荷を読み出すために多くの信号伝送方式が提案されて
いる。垂直信号線と水平信号線を備えるカラーセンサは
MOSカラーセンサと呼ばれる。特開56−18777
4に開示されるような垂直信号線と水平電荷結合装置(
水平00D )を備えるカフ−センサはハイブリッドカ
ラーセンサと呼ばれる。垂直C(3Dと水平C(、Dを
備えるカフ−センサはCODカラーセンサと呼ばれる。
する半導体累子である。XフィルタとX画素はX光を透
過する色フィルタと上記の色フイρりを備える感光素子
を意味する。R,G、B、Y、Ye、Gyは赤、緑、青
、輝度、黄、シアンを意味する。W画素は色フィルタを
持たない画素である。上記の感光素子に蓄積された信号
電荷を読み出すために多くの信号伝送方式が提案されて
いる。垂直信号線と水平信号線を備えるカラーセンサは
MOSカラーセンサと呼ばれる。特開56−18777
4に開示されるような垂直信号線と水平電荷結合装置(
水平00D )を備えるカフ−センサはハイブリッドカ
ラーセンサと呼ばれる。垂直C(3Dと水平C(、Dを
備えるカフ−センサはCODカラーセンサと呼ばれる。
発明の開示
上記の先行技術にも関らず、単板カラー固体撮像装置(
カラーセンサ)は解決しなければならないいくつかの課
題を持っている。解像度と感度の改良は最も重要な課題
である。しかし、解像度と感度は相反する関係を持つの
で、両者を同時に改良する事は非常に回帰である。たと
えば、画素面積の縮少は解像度を改善するが、感度を悪
くする。
カラーセンサ)は解決しなければならないいくつかの課
題を持っている。解像度と感度の改良は最も重要な課題
である。しかし、解像度と感度は相反する関係を持つの
で、両者を同時に改良する事は非常に回帰である。たと
えば、画素面積の縮少は解像度を改善するが、感度を悪
くする。
GIIIII素を市松模様状に配置する事によって、水
平解像度は改善されるが垂直解像度は悪くなる。本発明
の第1の目的はカラーセンサの解像度または感度を改善
する事である。本発明の第2の目的はカラーセンサの解
像度と感度を両方共改善する事である。上記の目的を達
成するために新規な色画素配列が開発された。さらに上
記の色画素配列から発生ずる各色信号の感度バランスを
改善するために、第2の新規な色画素配列が開発された
。本発明の色I+!1素配列は解像度と感度とダイナミ
ックレンジを改善する。さらに、本発明の色画素配列か
ら発生するカラー信号を処理するのに好適な色分離回路
が開示される。本発明の色分離回路な固定ノイズまたは
ランダムノイズを低減するので、可能である。本発明の
特徴と効果が以下に記載される。
平解像度は改善されるが垂直解像度は悪くなる。本発明
の第1の目的はカラーセンサの解像度または感度を改善
する事である。本発明の第2の目的はカラーセンサの解
像度と感度を両方共改善する事である。上記の目的を達
成するために新規な色画素配列が開発された。さらに上
記の色画素配列から発生ずる各色信号の感度バランスを
改善するために、第2の新規な色画素配列が開発された
。本発明の色I+!1素配列は解像度と感度とダイナミ
ックレンジを改善する。さらに、本発明の色画素配列か
ら発生するカラー信号を処理するのに好適な色分離回路
が開示される。本発明の色分離回路な固定ノイズまたは
ランダムノイズを低減するので、可能である。本発明の
特徴と効果が以下に記載される。
独立発明1.(クレーム1)
3種類の画素を備えるカラーセンサにおいて、輝度信号
(Y)またはY信号に相当する色信号を発生する第1色
画素は全画素の65%以上配置され、第2または第3色
画素は全画素の20%以下配置される。このようにすれ
ば輝度信号の解像度は高くなシ、画質は非常に改善され
る。第2または第3色画素から発生する第2色値号また
は第3色付号は低い信号周波数を持つが、現在のカラー
信号伝送方式において、色差信号または第2色値号と第
3色付号の帯域は0.5 M Hz 〜1.4 M H
Z (Dよりなひじように少さくできるので問題は発生
しない。
(Y)またはY信号に相当する色信号を発生する第1色
画素は全画素の65%以上配置され、第2または第3色
画素は全画素の20%以下配置される。このようにすれ
ば輝度信号の解像度は高くなシ、画質は非常に改善され
る。第2または第3色画素から発生する第2色値号また
は第3色付号は低い信号周波数を持つが、現在のカラー
信号伝送方式において、色差信号または第2色値号と第
3色付号の帯域は0.5 M Hz 〜1.4 M H
Z (Dよりなひじように少さくできるので問題は発生
しない。
従属発明1.(クレーム2ン
好ましい1実施例において、水平方向に配列された第2
または第8色画素の間に2個または8個の第1色画素が
配置される。そして、2行の第2または第3色画素にょ
−て、第2色値号と第8色付号が合成される。その結果
、似孝調輝度解像度は非n′に改善される。この場合、
第2または第8色信+jti84’l、 1色信号の1
/8以下の帯域を持つ。そして欠落した第1色値号は1
行または2行はなれた第1色値号によって代用される。
または第8色画素の間に2個または8個の第1色画素が
配置される。そして、2行の第2または第3色画素にょ
−て、第2色値号と第8色付号が合成される。その結果
、似孝調輝度解像度は非n′に改善される。この場合、
第2または第8色信+jti84’l、 1色信号の1
/8以下の帯域を持つ。そして欠落した第1色値号は1
行または2行はなれた第1色値号によって代用される。
従属発明2.(クレーム3)
好ましい実施例において、第1色画素は輝度(Y)信号
に近似する分光感度を持つ第1色光を代表する。ぞの結
果、画質は向上する。そして、第1色177素はその上
に少くとも2種類の色フィルタを持つ。上記の第1色フ
ィルタは几フィルタまたはYeフィルタであシ、上記の
第2色フィルタはBフィルタまたはCYフィルタである
。このようにすれば1t[Ye)フィルりとB(cy)
フィルタの面積を変更できるので、第1色画素の分光感
度は自由に変更できる。さらに上記の第1または第2色
フィルタは第2画素フィルタまたは第8画素フィルタと
共用できる。
に近似する分光感度を持つ第1色光を代表する。ぞの結
果、画質は向上する。そして、第1色177素はその上
に少くとも2種類の色フィルタを持つ。上記の第1色フ
ィルタは几フィルタまたはYeフィルタであシ、上記の
第2色フィルタはBフィルタまたはCYフィルタである
。このようにすれば1t[Ye)フィルりとB(cy)
フィルタの面積を変更できるので、第1色画素の分光感
度は自由に変更できる。さらに上記の第1または第2色
フィルタは第2画素フィルタまたは第8画素フィルタと
共用できる。
従属発明8.(クレーム4)
従属発明2において、第1色画素のE[Ye )フィル
タとB(Oy)フィルタの面積は隣接する第2−!たけ
第3色画素から混入する第2信号電荷または第8信号電
荷の量に応じて調節される。たとえば第1色画素がR画
素に隣接する時、第1色画素上のR(Ye )フィルタ
の面積は小さくされる。このようにすれば、第1色画素
に混入する色信号電荷にも関らず、第1色画素の分光感
度は一定となシ、画質は大巾に向上する。
タとB(Oy)フィルタの面積は隣接する第2−!たけ
第3色画素から混入する第2信号電荷または第8信号電
荷の量に応じて調節される。たとえば第1色画素がR画
素に隣接する時、第1色画素上のR(Ye )フィルタ
の面積は小さくされる。このようにすれば、第1色画素
に混入する色信号電荷にも関らず、第1色画素の分光感
度は一定となシ、画質は大巾に向上する。
従属発明4.(クレーム5)
従属発明2において、第1色画素上のR(Ye)フィル
タは第1色画素上のB(Cy)フィルタよシもB(Cy
)画素から離れて配置され、第1色画素上のB(Oy)
フィルタは第1色画素上のR(Ye )フィルタよルも
R(Ye )画素から離れて配置される。このようにす
れば第2″l!たけ第8色画素は第1色画素にかこまれ
ているので、R(Ye)画素に混入するB@′号電荷と
n(cY)M素に混入する几信号電荷は最小になる。そ
の結果、画質は改善される。
タは第1色画素上のB(Cy)フィルタよシもB(Cy
)画素から離れて配置され、第1色画素上のB(Oy)
フィルタは第1色画素上のR(Ye )フィルタよルも
R(Ye )画素から離れて配置される。このようにす
れば第2″l!たけ第8色画素は第1色画素にかこまれ
ているので、R(Ye)画素に混入するB@′号電荷と
n(cY)M素に混入する几信号電荷は最小になる。そ
の結果、画質は改善される。
従属発明5.(クレーム6)
従属発明2において、第1色画素上に2種類の色フイル
りが配置される。上記の第1の色フィルタけYeフィル
タであシ、上記の第2の色フィルタはCyフィルりであ
る。YeフィルタとCYフィルタVJ:、爪ねて配置し
ても良く、共通の被染色物質(たとえばゼラチン)を2
回染色しても良い。上記の第1色画素はG光をほとんど
完全に透過する。干してYeフィルタとCYフィルタの
面積は第1色画素出方がY信号特性(0,81(+0.
59G+0.1113)を持つ様に選択される。第1画
素はG光のすべてとI?・光の1mとB光の1部を受は
入れるので5第1IIIJI素の感度は非常に大きくな
る。さらに本発明によれば上記のYeフィルタまたはC
Yフィルタの寸法誤差によって第1色画素のG光感度が
変化しないので輝度感度のばらつきは非常に小さくなる
。最適なYeフィルタとOYフィルタの面積は入射光の
色温度と赤外カットフィルタの分光感度と感光素子の分
光pI&度とYe、Cy:yイルタの分光感度によって
決定される。好ましい実施例において8′200°にの
色温度が選択される。もちろん他の色温度を選択する事
は可能である。好ましい実施例において、Yeフィルタ
は有効画素面積の55%〜70%の面積を持ち、Cyフ
イμりは40%〜80%の面積を持つ。
りが配置される。上記の第1の色フィルタけYeフィル
タであシ、上記の第2の色フィルタはCyフィルりであ
る。YeフィルタとCYフィルタVJ:、爪ねて配置し
ても良く、共通の被染色物質(たとえばゼラチン)を2
回染色しても良い。上記の第1色画素はG光をほとんど
完全に透過する。干してYeフィルタとCYフィルタの
面積は第1色画素出方がY信号特性(0,81(+0.
59G+0.1113)を持つ様に選択される。第1画
素はG光のすべてとI?・光の1mとB光の1部を受は
入れるので5第1IIIJI素の感度は非常に大きくな
る。さらに本発明によれば上記のYeフィルタまたはC
Yフィルタの寸法誤差によって第1色画素のG光感度が
変化しないので輝度感度のばらつきは非常に小さくなる
。最適なYeフィルタとOYフィルタの面積は入射光の
色温度と赤外カットフィルタの分光感度と感光素子の分
光pI&度とYe、Cy:yイルタの分光感度によって
決定される。好ましい実施例において8′200°にの
色温度が選択される。もちろん他の色温度を選択する事
は可能である。好ましい実施例において、Yeフィルタ
は有効画素面積の55%〜70%の面積を持ち、Cyフ
イμりは40%〜80%の面積を持つ。
他のwS2まだは第8色画素に比べて感度がよすぎるの
で有効ダイナミックレンジが小さくなる欠点がある。カ
ラー信号のダイナミックレンジの上限は第1(Y)画素
の飽和照度によって決定され、その下限けB(Oy)画
素から発生するB信号の最低照度によって決定される。
で有効ダイナミックレンジが小さくなる欠点がある。カ
ラー信号のダイナミックレンジの上限は第1(Y)画素
の飽和照度によって決定され、その下限けB(Oy)画
素から発生するB信号の最低照度によって決定される。
シリコン受光素子の青感度は悪いので実用ダイナミック
レンジは非常に圧縮される。
レンジは非常に圧縮される。
本発明は有効感光素子面積を画素の種類ごとに変更する
4丁によって上記の落度の差を補償するものである。
4丁によって上記の落度の差を補償するものである。
1実施例において、3画素またはOy−画素他のIII
]l素よシ広い感光素子面積を持つ。IL画素またはY
eIltII素が他の色画素よシ広いまたは狭い感光素
子面積を持つ事も可能である。従来、感度バランスをと
るために、高い感度を持つ色画素表面に光シールド領域
を設置する技術があった。しかしこの方法において、感
度は低下する。第1画素がG光を100%透過するY画
素である時、第1画素の感度は0画素よシもさらに高く
なるが、■画素またけ3画素の感光素子面積を増加する
事によって、各画素の感度差は小さくなる。そしてカラ
ー信号のダイナミックレンジと8N比は向上する。
]l素よシ広い感光素子面積を持つ。IL画素またはY
eIltII素が他の色画素よシ広いまたは狭い感光素
子面積を持つ事も可能である。従来、感度バランスをと
るために、高い感度を持つ色画素表面に光シールド領域
を設置する技術があった。しかしこの方法において、感
度は低下する。第1画素がG光を100%透過するY画
素である時、第1画素の感度は0画素よシもさらに高く
なるが、■画素またけ3画素の感光素子面積を増加する
事によって、各画素の感度差は小さくなる。そしてカラ
ー信号のダイナミックレンジと8N比は向上する。
もし、独立発明1と独立発明2を一緒に実施すれば、解
像度と感度とダイナミックレンジが大きいカラーセンサ
が製造できる。
像度と感度とダイナミックレンジが大きいカラーセンサ
が製造できる。
従属発明1.(クレーム8)
好ましい1実施例において、カフ−センサは垂直信号線
と垂直スイッチを備えるbtosセンサまたはハイブリ
ッドセンサである。そして各画素は垂直スイッチのソー
ス領域に接続され、垂直ヌイ。
と垂直スイッチを備えるbtosセンサまたはハイブリ
ッドセンサである。そして各画素は垂直スイッチのソー
ス領域に接続され、垂直ヌイ。
チのドレン領域に垂直信4j#!が接続される。そして
上記のソース領域とドレン領域は半導体基板表面に作ら
れる。さらに、第R行の1個の画素と第N+1行の1個
の画素は異なる垂直スイッチによって共通のドレン領域
に接続される。その結果、垂直スイッチのゲート電極と
ドレン領域と分離領域に等しい面積だけ片方の画素面積
を拡大できる。この面積の拡大は他の画素の面積を縮少
する事な〈実施できるので効果は非常に大きい。従来、
並列に接続される2個のΔ108トランジスタのドレン
領域を共通にする事はよく知られていたが、上記の構造
をカラーセンサに使用する事によって特定の種類の画素
感度を向上する事は公知では寿かった。画素密度力門曽
加する程、本発明の効果はよυ大きくなる。1実施例に
おいて、カフ−センサの撮像領域が8800px660
0μの面積を持ち、489(V)X489(11)の画
素が配置される時、1画素は185μ(V)x13μ(
H)の全面積を持つ。分離領域専の巾を8μと仮定する
時、本発明の狭い内素は121μ2の有効感光面積を持
ち1本発明の広い画素は157μ2の有効感光面折を持
つ。結局、広い画素は狭い画素よシ80%高い感度を持
つ事ができる。広い画素は2個に1個以下の割合で配置
でき、市松模様の他に多くの配置パターンを設計できる
。広い画素によって13画素を構成すれば、B感度は8
0%増加する。一般に八10Sまたはハイブリッドセン
サは垂直信号線を使用するのでCODカラーセンサよシ
大きなノイズを持つ欠点があった。しかし、上記の条件
において、CODカフ−センサの1rA素は約68 p
”の有効感光面積を持つ。ただし、この場合、垂gcc
Dの水平チャンネル巾は6μに設計される。その結果、
もっとも感度の悪い3画素で比較した場合、本発明のM
OSまたはハイプリ。
上記のソース領域とドレン領域は半導体基板表面に作ら
れる。さらに、第R行の1個の画素と第N+1行の1個
の画素は異なる垂直スイッチによって共通のドレン領域
に接続される。その結果、垂直スイッチのゲート電極と
ドレン領域と分離領域に等しい面積だけ片方の画素面積
を拡大できる。この面積の拡大は他の画素の面積を縮少
する事な〈実施できるので効果は非常に大きい。従来、
並列に接続される2個のΔ108トランジスタのドレン
領域を共通にする事はよく知られていたが、上記の構造
をカラーセンサに使用する事によって特定の種類の画素
感度を向上する事は公知では寿かった。画素密度力門曽
加する程、本発明の効果はよυ大きくなる。1実施例に
おいて、カフ−センサの撮像領域が8800px660
0μの面積を持ち、489(V)X489(11)の画
素が配置される時、1画素は185μ(V)x13μ(
H)の全面積を持つ。分離領域専の巾を8μと仮定する
時、本発明の狭い内素は121μ2の有効感光面積を持
ち1本発明の広い画素は157μ2の有効感光面折を持
つ。結局、広い画素は狭い画素よシ80%高い感度を持
つ事ができる。広い画素は2個に1個以下の割合で配置
でき、市松模様の他に多くの配置パターンを設計できる
。広い画素によって13画素を構成すれば、B感度は8
0%増加する。一般に八10Sまたはハイブリッドセン
サは垂直信号線を使用するのでCODカラーセンサよシ
大きなノイズを持つ欠点があった。しかし、上記の条件
において、CODカフ−センサの1rA素は約68 p
”の有効感光面積を持つ。ただし、この場合、垂gcc
Dの水平チャンネル巾は6μに設計される。その結果、
もっとも感度の悪い3画素で比較した場合、本発明のM
OSまたはハイプリ。
ドカラーセンサはCODカラーセンサに比べて、25倍
の画素g度を持つ。M 08またはハイブリッドカフ−
センサが比較的簡単な製造工程と高い歩留まシを持つ4
イを考えれば、本発明の重要性はさらに大きくなる。さ
らに、本実施例はクレーム4〜クレーム6と一緒に実施
する事が好ましい。
の画素g度を持つ。M 08またはハイブリッドカフ−
センサが比較的簡単な製造工程と高い歩留まシを持つ4
イを考えれば、本発明の重要性はさらに大きくなる。さ
らに、本実施例はクレーム4〜クレーム6と一緒に実施
する事が好ましい。
八1−08またはハイブリ、ドヵラーセンサはCODカ
ラーセンサに比べて約2倍の寄生信号電荷を持つので、
クレーム4〜6の効果は大きい。
ラーセンサに比べて約2倍の寄生信号電荷を持つので、
クレーム4〜6の効果は大きい。
従属発明2.(クレーム9)
好ましい実施例において、画素を構成する感光素子は半
導体基板上に配置された光導電膜である。
導体基板上に配置された光導電膜である。
そして光導電膜をはさむ2つの電極の1方の電極は画素
によって異なる面積を持つ。その結果、画素感度は簡単
に制御される。
によって異なる面積を持つ。その結果、画素感度は簡単
に制御される。
発明を実施するだめの最良の形態
図1は本発明の1実施例を表わす色画素配置図である。
奇数行はR画素と1画素によって構成され、几画素の間
に2個の1画素が配置されている。偶数行ば3画素と1
画素によって構成され、3画素の間に2個の1画素が配
置されている。図2は本発明の他の実施例を表わす色画
素配置図である。
に2個の1画素が配置されている。偶数行ば3画素と1
画素によって構成され、3画素の間に2個の1画素が配
置されている。図2は本発明の他の実施例を表わす色画
素配置図である。
各行は4画素に1個の割合でR画素または3画素が配置
され、R画素と3画素の間に3個の1画素が配置されて
いる。図1または図2において、N十2行のRまたは3
画素は第8行のRまたは3画素より2画素だけ左または
右にシフトしている。
され、R画素と3画素の間に3個の1画素が配置されて
いる。図1または図2において、N十2行のRまたは3
画素は第8行のRまたは3画素より2画素だけ左または
右にシフトしている。
図3は図2の色画素配置を持つ単板カラーセンサの色信
号分離回路を表わす。単板カラーセンサ1の出力はセン
スアング2で増巾された後で、サンプルホールド回路3
(A、B、O)によって分離される。サンプルホールド
回路3AばY信号を分離する。ただし、¥33個は2画
素期間ボールドされる。サンプルホールド回路3Aの出
力電圧を1画素期間ごとにサンプリングする事は可能で
ある。YlとY33個によって作られた平均値信号によ
って欠落したY信号を作る事は可能である。
号分離回路を表わす。単板カラーセンサ1の出力はセン
スアング2で増巾された後で、サンプルホールド回路3
(A、B、O)によって分離される。サンプルホールド
回路3AばY信号を分離する。ただし、¥33個は2画
素期間ボールドされる。サンプルホールド回路3Aの出
力電圧を1画素期間ごとにサンプリングする事は可能で
ある。YlとY33個によって作られた平均値信号によ
って欠落したY信号を作る事は可能である。
サンプルホールド回路3 BばR信号を分離する。
そして、分離されたR信号は1■遅延回路4Aによって
遅延され、加算回路5Aによって元のR信号に加算され
る。サンプルホールド回路3cと111遅延回路4 B
と加算回路5Bは同じ動作によってB信号を合成する。
遅延され、加算回路5Aによって元のR信号に加算され
る。サンプルホールド回路3cと111遅延回路4 B
と加算回路5Bは同じ動作によってB信号を合成する。
図4は図2の色画素配置を持つMO8形単板カラーセン
サの1実施例平面図を表わす。宵(B)セル9Xと輝度
セル9Yと赤(几)セル9zは酸化物分離領域6によっ
てお互いに分離されている。−信号電圧を垂直方向に伝
達する垂直信号線10は酸化物領域6上に垂直方向に配
線される。光セル9(X、Y、Z)と垂直信号線10は
MO8垂直スイッチ7によって接続される。
サの1実施例平面図を表わす。宵(B)セル9Xと輝度
セル9Yと赤(几)セル9zは酸化物分離領域6によっ
てお互いに分離されている。−信号電圧を垂直方向に伝
達する垂直信号線10は酸化物領域6上に垂直方向に配
線される。光セル9(X、Y、Z)と垂直信号線10は
MO8垂直スイッチ7によって接続される。
Mi08垂直ス垂直スイッチ−ト電極は酸化物領域6上
に水平方向に配線される垂直走査線11に接続される。
に水平方向に配線される垂直走査線11に接続される。
垂直信号線10は酸化物領域6と垂直スイッチ7によっ
て分離されたN+ドレン領域8に接続される。輝度セル
9Yの上にシアンフィルタOYと黄フィルタYeが配置
される。シアンフィルタOyは宵(B)フィルタの近く
に配置され、黄フィルタYeは赤(R)フィルタの近く
に配置される。黄フィルタyeとシアンフィルタCYの
面積は隣接する色画素から混入する光または信号電荷の
R成分とB成分の量に応じて変化する。黄フィルタye
とシアンフィルタCYの重なる第1色画素9Yの部分感
光領域は緑フイルタ領域になる。
て分離されたN+ドレン領域8に接続される。輝度セル
9Yの上にシアンフィルタOYと黄フィルタYeが配置
される。シアンフィルタOyは宵(B)フィルタの近く
に配置され、黄フィルタYeは赤(R)フィルタの近く
に配置される。黄フィルタyeとシアンフィルタCYの
面積は隣接する色画素から混入する光または信号電荷の
R成分とB成分の量に応じて変化する。黄フィルタye
とシアンフィルタCYの重なる第1色画素9Yの部分感
光領域は緑フイルタ領域になる。
YeフィルタとOYフィルタが重ならない事は可能であ
る。青画素Bの有効感光面積は赤画素Bの有効感光面積
よシ広く設計される。R画素が蓄積する最大信号電荷量
Qsmaxを増加するために、ボロン等の不純物を露出
する光セル領域に注入し、各画素の接合容量を増加する
事は可能である。
る。青画素Bの有効感光面積は赤画素Bの有効感光面積
よシ広く設計される。R画素が蓄積する最大信号電荷量
Qsmaxを増加するために、ボロン等の不純物を露出
する光セル領域に注入し、各画素の接合容量を増加する
事は可能である。
図1と図2は本発明の単板カラーセンサの色画素配置図
である。図3は図2の色画素配置を持つ単板カラーセン
サの色信号分離回路である。図4は図2の色画素配置を
持つMO8形単板カラーセンサの1実施例平面図である
。 \・、c工二′二ノ 1iJ/ )刀 乙
である。図3は図2の色画素配置を持つ単板カラーセン
サの色信号分離回路である。図4は図2の色画素配置を
持つMO8形単板カラーセンサの1実施例平面図である
。 \・、c工二′二ノ 1iJ/ )刀 乙
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)0行列状に配置された8種類の色画素を備え、各
色画素は感光素子とその上に配置された色フィルタを備
え、各色画素はそれぞれ異なる分光感度を持つ単板カラ
ー固体撮像装置において、輝度信号、または白色信号、
または緑色成分を多く含む信号を発生する第1色画素は
全画素の65%以上配置される事を特徴とする単板カラ
ー固体撮像装置。 (2)、各水平行において、第2色画素または第8色ρ
11素の曲に2個または8個の第1色画素が配置される
事を特徴とする第1項記載の単板カラー固体撮像装置。 (3)、少くとも2椋類の色フィルりを持つ第1色IL
i+1素は輝度(Y)信号に近い分光感度を持つ事を特
徴とする第1項記載の単板カラー固体撮像装置。 (4)、第1色画素の上に配置される第1色フィルタま
たは第2色フィルタの面積は第1色画素に隣接する色画
素の種類によって調節される事を特徴とする第8項記載
の単板カラー固体撮像装置。 (5)、第1色画素の上に配置されるRまたはYeフィ
ルタは第3色画素から離れて配置され、第8色画素の上
にBまたはCyフィルタが配置される事を特徴とする第
3項記載の単板カラー固体撮像装置。 (6)、第1色画素上にYeフィルタとCyフイμ(7
)0行列状に配置された複数種類の色画素を備え、各色
画素は感光素子とその上に配置された色フィルタを備え
、各色画素はそれぞれ異なる分光感度を持つ単板カラー
固体撮像装置において、青色成分をよシ多く含む信号を
発生する第2色画素は残シの色画素の1部または全部よ
ルも広い感光素子面積を持つ事を特徴とする特許カラー
固体撮像装置。 (g)、m光素子はMID)ランジスタのソース領域で
あり、異なる行に配置される2個の感光素子の信号電荷
は異なるMISゲート電極によって、共通のドレン領域
に電気的に接続され、上記の共通のドレン領域に電気的
に接続される2個のソース領域は異なる面積を持ち、よ
り広いソース領域は責色成分をよシ多く含む信号を発生
する第2色画素を構成する事を特徴とする第7項記載の
単板カラー固体撮像装置。 (9)、上記の感光素子は半導体基板上に配置される光
導電膜であシ、光導電膜の上側に光透過性電極が配置さ
れ、光導電膜の下に感光素子の有効面積を指定する第1
電極が配置され、上記の第1電極と垂直信号伝達手段は
MISスイッチによって接続され、もつとも多量の青色
光を含む色光を受は取る感光素子の第1電極は他の第1
電極の1部または全部よシも広い有効面積を持つ事を特
徴とする第7項記載の単板カラー固体撮像装置。 −1と
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57198234A JPS5986982A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57198234A JPS5986982A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5986982A true JPS5986982A (ja) | 1984-05-19 |
Family
ID=16387732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57198234A Pending JPS5986982A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5986982A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4642678A (en) * | 1984-09-10 | 1987-02-10 | Eastman Kodak Company | Signal processing method and apparatus for producing interpolated chrominance values in a sampled color image signal |
US5251019A (en) * | 1991-01-25 | 1993-10-05 | Eastman Kodak Company | Solid state color image sensor using a field-staggered color filter pattern |
US5604530A (en) * | 1992-08-14 | 1997-02-18 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid-state image sensing device for endoscope and endoscope imaging apparatus |
EP1530873A2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-05-18 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | One chip, low light level color camera |
JP2011239460A (ja) * | 2011-07-25 | 2011-11-24 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2013042530A (ja) * | 2006-12-01 | 2013-02-28 | Eastman Kodak Company | イメージ・センサーにおける改善された光感度 |
-
1982
- 1982-11-11 JP JP57198234A patent/JPS5986982A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4642678A (en) * | 1984-09-10 | 1987-02-10 | Eastman Kodak Company | Signal processing method and apparatus for producing interpolated chrominance values in a sampled color image signal |
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JP2005525052A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ボール エアロスペース アンド テクノロジーズ コーポレイション | 単一チップ低光レベルカラーカメラ |
EP1530873A4 (en) * | 2002-05-08 | 2006-04-26 | Ball Aerospace & Tech Corp | COLOR CAMERA WITH A CHIP FOR LOW LEVELS |
US7535504B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-05-19 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | One chip camera with color sensing capability and high limiting resolution |
JP2013042530A (ja) * | 2006-12-01 | 2013-02-28 | Eastman Kodak Company | イメージ・センサーにおける改善された光感度 |
JP2011239460A (ja) * | 2011-07-25 | 2011-11-24 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
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