JPS5986101A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5986101A JPS5986101A JP57196467A JP19646782A JPS5986101A JP S5986101 A JPS5986101 A JP S5986101A JP 57196467 A JP57196467 A JP 57196467A JP 19646782 A JP19646782 A JP 19646782A JP S5986101 A JPS5986101 A JP S5986101A
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- JP
- Japan
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- dielectric constant
- high dielectric
- composition
- porcelain composition
- capacitors
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は特に積層セラミックコンテンザのような薄膜誘
電体として利用されるチタン酸バリウム（Ｂａ’ｌ’１
０５）を主体とする高誘電率でかつ緻密なセラミック構
造を有する高誘電率磁器＋Ｙｉｌｌ成物に関するもので
ある。
電体として利用されるチタン酸バリウム（Ｂａ’ｌ’１
０５）を主体とする高誘電率でかつ緻密なセラミック構
造を有する高誘電率磁器＋Ｙｉｌｌ成物に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
従来より磁器コンデンサの組成物として、チタン酸バリ
ウムを主体とするものが数多く知られている。チタン酸
バリウムは周知のように強誘電性を有する！侍異な物質
で高温では立方晶畜のペロブスカイト形の構造を有し、
１２０℃以下ではＣ軸が僅かに伸びて正方晶となり、さ
らに０℃付近で斜方晶、−８０℃付近で菱面体晶へと変
化する。
ウムを主体とするものが数多く知られている。チタン酸
バリウムは周知のように強誘電性を有する！侍異な物質
で高温では立方晶畜のペロブスカイト形の構造を有し、
１２０℃以下ではＣ軸が僅かに伸びて正方晶となり、さ
らに０℃付近で斜方晶、−８０℃付近で菱面体晶へと変
化する。
上記１２０°Ｃ付近の相転移点をキュリ一点というが、
このキュリ一点を境にそれより高温で常誘電性を示し、
低温では強誘電性を示す。そして、このキー一点におい
て、誘・電率が１００００と極めて高い値を示す。ここ
で、チタン酸ノくリウムたけでは常温で高誘電率とはな
り得ない。チタン酸ノくリウムのキーリ一点付近の高誘
電率を低温側に移動させることにより、常温付近で適当
な静電容量を有する小型のコンデンサを実用化すること
は従来より敢多く行われている。誘電率のピーク値のあ
られれる温度を移動させる添加剤はシフターと呼ばれ、
Ｂａ５ｎＯｓ 、５ｒＳｎＯｓ 、Ｃａ５ｎＯｓ 、Ｐ
ｂＳｎＯ３゜Ｃｕ５ｎ０３．Ｚｎ５ｎＯｓ、ＣｄＳｎＯ
ｓ 等のスズ酸塩、ＢａＺｒＯ３，ｃａｚｒｏ３．５
ｒＺｒＯｓ 等のジルコン酸塩およびＳｒＴｉＯ３，
ＰｂＴｉＯｓ （ｒ）チｊ’７酸塩が一般的に知られ、
上記の順にシック−としての作用が強い。こ扛らのシフ
ターを利用したチタン酸ノくリウム系磁器コンデンザは
単板型リード線付きタイプのものとして利用されてきた
。しかしながら、ｊ（Ｑ近ｆＬｌＩ層チップ化技術が進
歩し、３０〜１００μｍｌ”＋： ＩＪＪｌの誘電体ノ
ートが容易に（４’ｒられ、この薄膜を電極を挾持する
形で幾層も積層したいわゆる積層セラミックチップコン
デンサが種々のエレクトロニクス業界に進出してきてお
り、従来の誘′屯体磁ＸＨ＃ｌＩ成物をこのような積層
用２、り膜誘７Ｌ体として利＋１Ｊされることが多くな
っている。しかしながら、従来のＪｐ、版型の１蔽器コ
ンデンサでは誘電体の厚みが１０１）’ ｐ ｍ 〜１
００００ ｌｔ ｍと厚いが、積層セラミックコンデン
サでは１０μｍ〜２０μｍ トンλりいため、５〜１０
倍以上の電界強度を受ける。しン′こがって、従来の単
板型コンデンサに比較して、より電比１人存ゼ１−の小
さい組成１夕が安水されている。
このキュリ一点を境にそれより高温で常誘電性を示し、
低温では強誘電性を示す。そして、このキー一点におい
て、誘・電率が１００００と極めて高い値を示す。ここ
で、チタン酸ノくリウムたけでは常温で高誘電率とはな
り得ない。チタン酸ノくリウムのキーリ一点付近の高誘
電率を低温側に移動させることにより、常温付近で適当
な静電容量を有する小型のコンデンサを実用化すること
は従来より敢多く行われている。誘電率のピーク値のあ
られれる温度を移動させる添加剤はシフターと呼ばれ、
Ｂａ５ｎＯｓ 、５ｒＳｎＯｓ 、Ｃａ５ｎＯｓ 、Ｐ
ｂＳｎＯ３゜Ｃｕ５ｎ０３．Ｚｎ５ｎＯｓ、ＣｄＳｎＯ
ｓ 等のスズ酸塩、ＢａＺｒＯ３，ｃａｚｒｏ３．５
ｒＺｒＯｓ 等のジルコン酸塩およびＳｒＴｉＯ３，
ＰｂＴｉＯｓ （ｒ）チｊ’７酸塩が一般的に知られ、
上記の順にシック−としての作用が強い。こ扛らのシフ
ターを利用したチタン酸ノくリウム系磁器コンデンザは
単板型リード線付きタイプのものとして利用されてきた
。しかしながら、ｊ（Ｑ近ｆＬｌＩ層チップ化技術が進
歩し、３０〜１００μｍｌ”＋： ＩＪＪｌの誘電体ノ
ートが容易に（４’ｒられ、この薄膜を電極を挾持する
形で幾層も積層したいわゆる積層セラミックチップコン
デンサが種々のエレクトロニクス業界に進出してきてお
り、従来の誘′屯体磁ＸＨ＃ｌＩ成物をこのような積層
用２、り膜誘７Ｌ体として利＋１Ｊされることが多くな
っている。しかしながら、従来のＪｐ、版型の１蔽器コ
ンデンサでは誘電体の厚みが１０１）’ ｐ ｍ 〜１
００００ ｌｔ ｍと厚いが、積層セラミックコンデン
サでは１０μｍ〜２０μｍ トンλりいため、５〜１０
倍以上の電界強度を受ける。しン′こがって、従来の単
板型コンデンサに比較して、より電比１人存ゼ１−の小
さい組成１夕が安水されている。
また、誘電体層が）専くなるにしｌこがい５士ラミック
の構造的な欠陥が特性に出や′、「くなるので、結晶粒
子が均一でかつ微細であることと、１３孔が少なくかつ
小さいことが安水されてい／Ｉ、 、。
の構造的な欠陥が特性に出や′、「くなるので、結晶粒
子が均一でかつ微細であることと、１３孔が少なくかつ
小さいことが安水されてい／Ｉ、 、。
発明の目的
ミックの構造欠陥が少なく、′面圧依存性の小さい、か
つセラミックの構造欠陥が少なく、高耐圧な高誘電率磁
器組成物を提供しようとするものである。
つセラミックの構造欠陥が少なく、高耐圧な高誘電率磁
器組成物を提供しようとするものである。
発明の構成
本発明（ｄチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、［化ザ
マリウム（Ｓｍ２０ｓ） および酸化チタン（Ｔｉ０
２）からなろ＋’ｒｔ誘７ａ率磁器組成物である。
マリウム（Ｓｍ２０ｓ） および酸化チタン（Ｔｉ０
２）からなろ＋’ｒｔ誘７ａ率磁器組成物である。
実施例の説・明
以下、本発明の実施１りＵについて詳細に説明する。
丑ず、チタン酸バリウム（Ｂｋ’ｌ’１０ｓ）を次のよ
うに合成した。すなわち、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）
とｆｉ’ｉ化チタフチタンｉＯ２）を〔Ｂａ〕／〔Ｔｌ
〕比が１．０００−１−０．００５の精度で混合し、１
１００〜１１６０’Ｃで仮焼後、粉砕して得た。このＢ
ａＴｉＯ３にＳｍ２Ｏ３および°Ｉ’ｉ０ｚを［ｌＳｍ
１／［ＩＴｉ〕＝ ”の割合になるように添カール、混
合して佼、バインダーを加えて造粒し、角板状に成型し
て１２５０〜１３６０℃の範囲で焼成した。この俊、銀
電極を形成した。
うに合成した。すなわち、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）
とｆｉ’ｉ化チタフチタンｉＯ２）を〔Ｂａ〕／〔Ｔｌ
〕比が１．０００−１−０．００５の精度で混合し、１
１００〜１１６０’Ｃで仮焼後、粉砕して得た。このＢ
ａＴｉＯ３にＳｍ２Ｏ３および°Ｉ’ｉ０ｚを［ｌＳｍ
１／［ＩＴｉ〕＝ ”の割合になるように添カール、混
合して佼、バインダーを加えて造粒し、角板状に成型し
て１２５０〜１３６０℃の範囲で焼成した。この俊、銀
電極を形成した。
下記の第１表は各組成における’ｌ’：＋’ （／１−
（６焼成温度１１ｊに示したものである。
（６焼成温度１１ｊに示したものである。
（以下余白）
上記第１表から明らかなように、組成陽２．３および４
はＥＩＡ規格Ｙ６Ｖ特性として利用できることがわかる
。すなわち、第１図に詳細ｌ靜電δ量変化”ｊ’ ４：
示すように一３０’Ｃ〜−１−ｓ６°Ｃの温度範囲で＋
２２９０〜−８２９６の規格内の変化率（２０’Ｃ基準
）を十分満足し、また一般に市販されているＹ５Ｖ特性
磁器コンテンサの誘電率１００００前後のものと比較し
て同等の誘電率を示し−Ｃ（・）る。第１表の末尾に従
来１タリとしてジルコン酸塩小力ＩＩ系のＹＳＶ竹性粗
性組成物した。セラミックし）グレインサイズ（粒径）
は本発明の組成１′］では１〜３μｍであり、ポアサイ
ズ（空孔径）が最大３．７７ ｍ前段であるが、従来１
刈ではグレインサイズ１０〜２０ ｐ ｍと大きく、ポ
アサイズが最大２０μｍ前後でβる。
はＥＩＡ規格Ｙ６Ｖ特性として利用できることがわかる
。すなわち、第１図に詳細ｌ靜電δ量変化”ｊ’ ４：
示すように一３０’Ｃ〜−１−ｓ６°Ｃの温度範囲で＋
２２９０〜−８２９６の規格内の変化率（２０’Ｃ基準
）を十分満足し、また一般に市販されているＹ５Ｖ特性
磁器コンテンサの誘電率１００００前後のものと比較し
て同等の誘電率を示し−Ｃ（・）る。第１表の末尾に従
来１タリとしてジルコン酸塩小力ＩＩ系のＹＳＶ竹性粗
性組成物した。セラミックし）グレインサイズ（粒径）
は本発明の組成１′］では１〜３μｍであり、ポアサイ
ズ（空孔径）が最大３．７７ ｍ前段であるが、従来１
刈ではグレインサイズ１０〜２０ ｐ ｍと大きく、ポ
アサイズが最大２０μｍ前後でβる。
組成ｔ１１Ｏ，３について第２［図に示すような積層セ
ラミックコンデンサを試作し足。このものとジルコン酸
塩系の積層セラミックコンデンサと比較対応した結果を
下記・；）４２表に示す。
ラミックコンデンサを試作し足。このものとジルコン酸
塩系の積層セラミックコンデンサと比較対応した結果を
下記・；）４２表に示す。
尚、第２図において１は誘′「ａ体で電惨間の厚さは３
６μｍ、２はパラジウム電極、３は端子電極である。
６μｍ、２はパラジウム電極、３は端子電極である。
（以下余白）
上記第２表から明らかなように従来の２倍の抗折強度と
３倍の破壊電圧を有することが判明した。
３倍の破壊電圧を有することが判明した。
発明の効果
以上述べたことから本発明の組成物はダレインが細かく
、ボアの小さい緻密なセラミックが得られ、高誘電率で
あり、誘電率の温度変化がＥＩＡ規格ＹｓＶ特性を満足
する磁器コンデンザ用として、とりわけ積層セラミック
コンデンザとしての用途に供することができる。そして
、従来の約３倍の破壊電圧値を有するため、積層セラミ
、クコンデンサでは誘電体厚みを従来の偽程度まで薄く
することが可能であり、静電容箱取得範囲を従来の３倍
まで拡大することができるといった特徴を有している等
、産業的価値は極めて高い。
、ボアの小さい緻密なセラミックが得られ、高誘電率で
あり、誘電率の温度変化がＥＩＡ規格ＹｓＶ特性を満足
する磁器コンデンザ用として、とりわけ積層セラミック
コンデンザとしての用途に供することができる。そして
、従来の約３倍の破壊電圧値を有するため、積層セラミ
、クコンデンサでは誘電体厚みを従来の偽程度まで薄く
することが可能であり、静電容箱取得範囲を従来の３倍
まで拡大することができるといった特徴を有している等
、産業的価値は極めて高い。
尚、上記実施例ではチタン酸バリウムを合成したが、市
販のチタン酸バリウムを用いてもかまわないものである
。
販のチタン酸バリウムを用いてもかまわないものである
。
第１図は本発明の組成物に関する静電容量の温度変化率
の範囲を示す図、第２図は本発明の組成物を適用した積
層セラミックコンデンサの断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 モ ５ 丸 Ｉへ ＪＩ［ → ンー■髪 イ１ｒ ｔ′ｃ） 第２図
の範囲を示す図、第２図は本発明の組成物を適用した積
層セラミックコンデンサの断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 モ ５ 丸 Ｉへ ＪＩ［ → ンー■髪 イ１ｒ ｔ′ｃ） 第２図
Claims (1)
- チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｘ） １ｏ０モル部、酸
化サマリウム（Ｓｍ２０ｓ）７ （７ｌ−１）モル部
及び酸化チタン（Ｔｉ０２） Ｔ±１モル都からなる高
誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196467A JPS6051205B2 (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196467A JPS6051205B2 (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986101A true JPS5986101A (ja) | 1984-05-18 |
| JPS6051205B2 JPS6051205B2 (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=16358282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196467A Expired JPS6051205B2 (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051205B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267162A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02267164A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US5866494A (en) * | 1996-08-13 | 1999-02-02 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | High dielectric ceramic composition for computer module |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP57196467A patent/JPS6051205B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267162A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02267164A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US5866494A (en) * | 1996-08-13 | 1999-02-02 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | High dielectric ceramic composition for computer module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6051205B2 (ja) | 1985-11-13 |
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