JPS5984581A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5984581A JPS5984581A JP19575482A JP19575482A JPS5984581A JP S5984581 A JPS5984581 A JP S5984581A JP 19575482 A JP19575482 A JP 19575482A JP 19575482 A JP19575482 A JP 19575482A JP S5984581 A JPS5984581 A JP S5984581A
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- JP
- Japan
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- beta
- layer
- semiconductor
- radioactive
- small amount
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
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- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 3
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 235000010005 Catalpa ovata Nutrition 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
込）本発明はダイオード（及びトランジスタ）に関すや
新たな効果の発見に基づくものである。特にコンピュー
ターのスイッチ用ダイオードの高速化が可能にしたもの
である。
新たな効果の発見に基づくものである。特にコンピュー
ターのスイッチ用ダイオードの高速化が可能にしたもの
である。
ｔＢｌ 従来ダイオードに於て下記の如き欠点があっ
たため、スイッチ作動に時間を要しこれには種々改良さ
れているが未だ満足なものが開発されずにいる実情であ
る。
たため、スイッチ作動に時間を要しこれには種々改良さ
れているが未だ満足なものが開発されずにいる実情であ
る。
特にコンピューターの高速スイッチングの要求に応じら
れるものは未だ開発されず電子産業界では日夜その開発
に悩まされている実情である。即ち、ダイオードに順方
向の電圧がかけられるとＰ形からＮ形に正孔が注入され
るが、この時Ｎ影領域内には多数の正孔が存在すること
になる。そこに急に逆電圧に切換えられると、との正孔
が再びＰ領域に逆戻りし、結果的に外部回路にはＮから
Ｐ電極に向って相当な大きい電流が流れることになる。
れるものは未だ開発されず電子産業界では日夜その開発
に悩まされている実情である。即ち、ダイオードに順方
向の電圧がかけられるとＰ形からＮ形に正孔が注入され
るが、この時Ｎ影領域内には多数の正孔が存在すること
になる。そこに急に逆電圧に切換えられると、との正孔
が再びＰ領域に逆戻りし、結果的に外部回路にはＮから
Ｐ電極に向って相当な大きい電流が流れることになる。
そしてとの正孔が段々少なくなって電流が少なくなり、
最後には逆方向リーク電流丈になる。最初の工□の値１
／ １０ Ｋ減るまでの時間の逆回復時間（ｔｒｒ）
を少さくするにはＮ領域内の正孔が早くなくなるよう（
電子と中和結合して）に正孔の寿命時間を少なくするた
めに、現在まで微量の金Ａｕを混入する方法などカーと
られているが未だｔｒｒ時間をＩ□ｅｃ（Ｉ Ｘ ｔｏ
−’ ＠ｅａｒ）以下におさえることがどうにかなさ
れているに過ぎない実情である。。
最後には逆方向リーク電流丈になる。最初の工□の値１
／ １０ Ｋ減るまでの時間の逆回復時間（ｔｒｒ）
を少さくするにはＮ領域内の正孔が早くなくなるよう（
電子と中和結合して）に正孔の寿命時間を少なくするた
めに、現在まで微量の金Ａｕを混入する方法などカーと
られているが未だｔｒｒ時間をＩ□ｅｃ（Ｉ Ｘ ｔｏ
−’ ＠ｅａｒ）以下におさえることがどうにかなさ
れているに過ぎない実情である。。
ＦＣ＋ 上記の如き欠点を解決するため本発明がなさ
れたものである。以下の順で説明する。
れたものである。以下の順で説明する。
（１）半導体Ｐ層の中に微量の（３価）β１放射性同位
元素（又は放射性元素）を混合加工し、一方半導体Ｎ層
の中に微量のく５価）β−放射性同位元素（又は放射性
元素）を混合加工したものを夫々接合させたことを特徴
とした半導体装置によるダイオードは下記の如く働く。
元素（又は放射性元素）を混合加工し、一方半導体Ｎ層
の中に微量のく５価）β−放射性同位元素（又は放射性
元素）を混合加工したものを夫々接合させたことを特徴
とした半導体装置によるダイオードは下記の如く働く。
（２） 上記（１）の装置のダイオードに順バイアス
された後逆バイアスした時には、ＰからＮに注入されて
いた正孔はＮ層内の′−放射性元素（微ｆｉ）から発生
するβ−放射線である電子線と結合し中和されることで
、Ｎ層内の正孔は存在しないことになるため事実上正孔
の寿命時間は少なくなる。一方Ｐ層内に入った電子はβ
１放射線の陽電子が正電荷を持っているためこの正電荷
による正孔と結合して中和されることになる。これらの
効果によって逆回復時間、叫、は現状のものより遥かに
早くなり、約１０ ｓｅｃ以上になることで超高速
スイッチングが可能となる。又このほか記憶素子として
の効果も生ずる。
された後逆バイアスした時には、ＰからＮに注入されて
いた正孔はＮ層内の′−放射性元素（微ｆｉ）から発生
するβ−放射線である電子線と結合し中和されることで
、Ｎ層内の正孔は存在しないことになるため事実上正孔
の寿命時間は少なくなる。一方Ｐ層内に入った電子はβ
１放射線の陽電子が正電荷を持っているためこの正電荷
による正孔と結合して中和されることになる。これらの
効果によって逆回復時間、叫、は現状のものより遥かに
早くなり、約１０ ｓｅｃ以上になることで超高速
スイッチングが可能となる。又このほか記憶素子として
の効果も生ずる。
ｐ）本発明の効果
本発明装置を付けたコンピューターは現在のものよりも
遥かに高速スイッチングが可能となり（又、一方記憶素
子としても働く）計り知れない利益が生ずる。
遥かに高速スイッチングが可能となり（又、一方記憶素
子としても働く）計り知れない利益が生ずる。
その他トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳ Ｉ等は勿
論、ダイオード全般に於ける効果は多大なものがある。
論、ダイオード全般に於ける効果は多大なものがある。
号 梓４゛糾ず
３、槽”４ｔ’（：ｚ邊゛。
４、屑゛ｔ−外つψイ。
＜６ｊ＆！−２−ηｚｇ。（ｅｉ ｇ 、 ｎ襲−夕３
１− ｚ ｐ ｚｚ−ａ）。
１− ｚ ｐ ｚｚ−ａ）。
６、Ａ４１＆り（８奄。
刷ｈ〜熾夷′り車ν。
Claims (1)
- 半導体Ｐ層の中に微量の（３価）β放射性同位元素（又
は放射性元素）を混合加工し、−男手導体Ｎ層の中に微
量の（５価）β−放射性同位元素（又は放射性元素）を
混合加工したものを夫々接合させたことを特徴とした半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19575482A JPS5984581A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19575482A JPS5984581A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984581A true JPS5984581A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16346402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19575482A Pending JPS5984581A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984581A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10981183B2 (en) | 2016-11-09 | 2021-04-20 | Medaxis Ag | Handpiece for spraying on a fluid jet and insertion member for this handpiece |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP19575482A patent/JPS5984581A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10981183B2 (en) | 2016-11-09 | 2021-04-20 | Medaxis Ag | Handpiece for spraying on a fluid jet and insertion member for this handpiece |
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