JPS5983767A - 鉄鋼の表面処理方法 - Google Patents
鉄鋼の表面処理方法Info
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- JPS5983767A JPS5983767A JP19414482A JP19414482A JPS5983767A JP S5983767 A JPS5983767 A JP S5983767A JP 19414482 A JP19414482 A JP 19414482A JP 19414482 A JP19414482 A JP 19414482A JP S5983767 A JPS5983767 A JP S5983767A
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- Japan
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、鉄鋼の表面処理方法に関するものである。
従来、鉄鋼の表面硬度及び耐摩耗性を向上せしめる手段
として、（ａｌモリブデン、タングステン等の高融点金
属を溶射する方法、（ｂｌ硬質クロームメッキ等の電気
メッキによる方法、（Ｃ）浸炭焼入れ法、浸炭窒化法、
ガス軟窒化法、塩浴窒化法、イオン窒化法等の表面硬化
熱処理法、（ｄ）Ｊ−、記表面硬化熱処理を行なった後
、Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｃｒ 、 Ｔｉ 、 Ｎｉ 。
として、（ａｌモリブデン、タングステン等の高融点金
属を溶射する方法、（ｂｌ硬質クロームメッキ等の電気
メッキによる方法、（Ｃ）浸炭焼入れ法、浸炭窒化法、
ガス軟窒化法、塩浴窒化法、イオン窒化法等の表面硬化
熱処理法、（ｄ）Ｊ−、記表面硬化熱処理を行なった後
、Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｃｒ 、 Ｔｉ 、 Ｎｉ 。
ＴｉＣ、ＴｉＮ等をイオンブレーティング法、スパッタ
リング法等により被覆する二重コーティング処理法等が
行なわれている。上記（ａ］の方法によるときは、後加
工が面倒であり、かつ密着性が悪（使用中剥離するおそ
れがあると共に均一な被覆を行なうには問題がある。ま
たｆｂ）の方法によるときは、同様に高負荷部品として
用いる場合には剥離を生じ易く、また廃液処理」−の問
題もある。上記（Ｃ）の方法は比較的安価で多量生産に
適し一般に行なわれているが、充分な耐久性を得るには
なお問題がある。これに対し上記（ｄｉの方法は、耐摩
耗性については前記各方法に比して優れているが、第１
層の硬化層を形成した後、次の硬化層を形成せしめる間
に表面が酸化し、或は空気またはガスが浸透するため被
覆層間の密着性に問題かある。
リング法等により被覆する二重コーティング処理法等が
行なわれている。上記（ａ］の方法によるときは、後加
工が面倒であり、かつ密着性が悪（使用中剥離するおそ
れがあると共に均一な被覆を行なうには問題がある。ま
たｆｂ）の方法によるときは、同様に高負荷部品として
用いる場合には剥離を生じ易く、また廃液処理」−の問
題もある。上記（Ｃ）の方法は比較的安価で多量生産に
適し一般に行なわれているが、充分な耐久性を得るには
なお問題がある。これに対し上記（ｄｉの方法は、耐摩
耗性については前記各方法に比して優れているが、第１
層の硬化層を形成した後、次の硬化層を形成せしめる間
に表面が酸化し、或は空気またはガスが浸透するため被
覆層間の密着性に問題かある。
また、傳産化を目的としてイオン窒化処理とスパッタリ
ング処理とを同一真空炉内で連続的に行なわしめること
か提案されている（例えば特開昭６．２−／／♂ソ／号
公報参照）か、この方法は通常Ａｒガス等不活性ガスの
雰囲気で行なわれ、被スパツタリング材としては高硬度
材料、例えはＴｉＮ 。
ング処理とを同一真空炉内で連続的に行なわしめること
か提案されている（例えば特開昭６．２−／／♂ソ／号
公報参照）か、この方法は通常Ａｒガス等不活性ガスの
雰囲気で行なわれ、被スパツタリング材としては高硬度
材料、例えはＴｉＮ 。
ＴｉＣ等が用いられるが、高価であり、ターゲットとし
ての加工か困Ｎ１であるなど工業的に問題かある。
ての加工か困Ｎ１であるなど工業的に問題かある。
不発り］はかかる点に鑑みてなされたもので、Ｎ２又は
Ｃ３Ｈ８等の反応性ガスと化合して窒化物あるいは炭化
物を形成する材料を被スパツタリング材とし、スパッタ
リング装置において先ずＮ２あるいはＮ２と他の不活性
ガス混合雰囲気中でスパッタリングと逆方向に電圧を印
加して逆スパツタリング処理を行ない、次いでＮ２、あ
るいはＣ３Ｈ８等の反応性ガス雰囲気中あるいはそれら
の反応性ガスと他の不活性ガス混合雰囲気中でスパッタ
リング処理を行うことにより被処理物表面に被スパツタ
リング材の窒化物または炭化物を密着性が良好に被覆せ
しめ、鉄鋼の表面硬度及び耐芹耗性を高めることを目的
とするものである。
Ｃ３Ｈ８等の反応性ガスと化合して窒化物あるいは炭化
物を形成する材料を被スパツタリング材とし、スパッタ
リング装置において先ずＮ２あるいはＮ２と他の不活性
ガス混合雰囲気中でスパッタリングと逆方向に電圧を印
加して逆スパツタリング処理を行ない、次いでＮ２、あ
るいはＣ３Ｈ８等の反応性ガス雰囲気中あるいはそれら
の反応性ガスと他の不活性ガス混合雰囲気中でスパッタ
リング処理を行うことにより被処理物表面に被スパツタ
リング材の窒化物または炭化物を密着性が良好に被覆せ
しめ、鉄鋼の表面硬度及び耐芹耗性を高めることを目的
とするものである。
以下、本発明を実施例について図面に基づいて説明する
。
。
実施例／
本例は第１図乃至第５図に示す。第１図に示すようにス
パッタリング処理炉１は、炉体２の中心部に中空状のタ
ーゲットろが設けられ、該ターゲット６は、被スパツタ
リング材（例えばＴｉ ）を以て構成され、または被ス
パツタリング材が外周に被着されてなるもので、更に該
ターゲット６を取かこみ、かつ同心状に被処理物４を支
持せしめるための支持枠５が収納され、放電を安定させ
るためのターゲット６と被処理物４との間の電界に直交
して磁界を与えるように、ターゲット３内には永久磁石
６が、また炉体２の外周には電磁コイル７がそれぞれ配
備されている。該スパッタリング処理炉１には真空ポン
プ８と雰囲気ガス供給用ボンベ群９が接続され、ターゲ
ット６と支持枠５とば、印加電極を切換える転極機１１
に連結され、これらスパッタリング処理炉フキ、真空ポ
ンプ８と、ボンベ群？および転極機１１とを主体として
スパッタリング装置１２が構成されている。なお、１０
は直流電源である。
パッタリング処理炉１は、炉体２の中心部に中空状のタ
ーゲットろが設けられ、該ターゲット６は、被スパツタ
リング材（例えばＴｉ ）を以て構成され、または被ス
パツタリング材が外周に被着されてなるもので、更に該
ターゲット６を取かこみ、かつ同心状に被処理物４を支
持せしめるための支持枠５が収納され、放電を安定させ
るためのターゲット６と被処理物４との間の電界に直交
して磁界を与えるように、ターゲット３内には永久磁石
６が、また炉体２の外周には電磁コイル７がそれぞれ配
備されている。該スパッタリング処理炉１には真空ポン
プ８と雰囲気ガス供給用ボンベ群９が接続され、ターゲ
ット６と支持枠５とば、印加電極を切換える転極機１１
に連結され、これらスパッタリング処理炉フキ、真空ポ
ンプ８と、ボンベ群？および転極機１１とを主体として
スパッタリング装置１２が構成されている。なお、１０
は直流電源である。
また、−ヒ記炉体２およびターゲラ！・６は、冷却水に
より必要に応じ冷却されている。
より必要に応じ冷却されている。
次に被処理物４として５ｓ４１材を、また被スパツタリ
ンゲイぢとして純Ｔｉを使用して処理する要頭を説明す
る。
ンゲイぢとして純Ｔｉを使用して処理する要頭を説明す
る。
まず、通常のスパッタリングとは逆に、被処理物４を陰
極に、ターゲット６を陽極に接続して直流電圧を印加し
逆スパツタリングを行なう。このときの処理条件の一例
は、 雰囲気 Ｎ２：Ｈ２＝／：／ （但し流量比） 炉内圧力 ６ＴＯ１ｊｒ 処理時間 ７６分 次いでターゲット３および被処理物４に対する印加電極
を転極してターゲ７１・３は陰極に、被処理物は陽極に
接続して直流電流を印加しスパッタリング処理を行なう
。この場合の処理条件の一例は次の通りである。
極に、ターゲット６を陽極に接続して直流電圧を印加し
逆スパツタリングを行なう。このときの処理条件の一例
は、 雰囲気 Ｎ２：Ｈ２＝／：／ （但し流量比） 炉内圧力 ６ＴＯ１ｊｒ 処理時間 ７６分 次いでターゲット３および被処理物４に対する印加電極
を転極してターゲ７１・３は陰極に、被処理物は陽極に
接続して直流電流を印加しスパッタリング処理を行なう
。この場合の処理条件の一例は次の通りである。
雰囲気 １す２：８２＝、２：／
（但し流量比）
炉内圧力 ｊ Ｘ ／ ＯＴｏｒｒ
中心磁場 、２００エルステツド
処理時間 ７．２０分
これによって得られた断面ミクロ組織を第５図１に示す
。但し図は６％ナイタール腐蝕によるものである。その
Ｘ線回折図形を第２図に示す。但しこのＸ線回折は、Ｃ
ｏＫα線を使用し、電圧、３０ＫＶ、電流２０ 、、、
Ａで行ったものである。このＸ線回折図形と断面ミクロ
組織から明らかなように、第５図における厚さ約ｊμの
表面層２ｏはＴｉＮ組織であり、その下部に形成された
厚さ約Ｊμの中間層２１はγ’−Ｆｅ４Ｎ４Ｊｌ織であ
ることが確認される。この表面層及び中間層は、第５図
から明らかな如く密着されており、これは逆スパツタリ
ング処理により表面が活性化され、真空を維持したまま
次のスパッタリング処理を行なったためと、逆スパツタ
リング処理および次のスパッタリング処理により被処理
物表面は加熱されており、従って該被処理物に浸透した
窒素原子の一部が熱拡散反応により表面層とγ’−Ｆｅ
４Ｎ化合物層界面で相互拡散するためと考えられる。な
お、中間のγ’−Ｆｅ４Ｎ層から内部のフェライト組織
内には、γ’−Ｆｅ４Ｎの針状晶２２が存在する窒素拡
散層２６が形成されている。
。但し図は６％ナイタール腐蝕によるものである。その
Ｘ線回折図形を第２図に示す。但しこのＸ線回折は、Ｃ
ｏＫα線を使用し、電圧、３０ＫＶ、電流２０ 、、、
Ａで行ったものである。このＸ線回折図形と断面ミクロ
組織から明らかなように、第５図における厚さ約ｊμの
表面層２ｏはＴｉＮ組織であり、その下部に形成された
厚さ約Ｊμの中間層２１はγ’−Ｆｅ４Ｎ４Ｊｌ織であ
ることが確認される。この表面層及び中間層は、第５図
から明らかな如く密着されており、これは逆スパツタリ
ング処理により表面が活性化され、真空を維持したまま
次のスパッタリング処理を行なったためと、逆スパツタ
リング処理および次のスパッタリング処理により被処理
物表面は加熱されており、従って該被処理物に浸透した
窒素原子の一部が熱拡散反応により表面層とγ’−Ｆｅ
４Ｎ化合物層界面で相互拡散するためと考えられる。な
お、中間のγ’−Ｆｅ４Ｎ層から内部のフェライト組織
内には、γ’−Ｆｅ４Ｎの針状晶２２が存在する窒素拡
散層２６が形成されている。
その硬さ分布を第３図に示す。但し図は表面からの各深
さ位置におけるマイクロビッカース硬度を示したもので
ある。この硬さ分布からでも、表面層２０は高硬度のＴ
ｉＮ層が形成され、その内部の中間層２１はγ’−Ｆｅ
４Ｎ層であり、更にその内部には窒素拡散層２２が形成
され母料より硬さが上昇していることがわかる。
さ位置におけるマイクロビッカース硬度を示したもので
ある。この硬さ分布からでも、表面層２０は高硬度のＴ
ｉＮ層が形成され、その内部の中間層２１はγ’−Ｆｅ
４Ｎ層であり、更にその内部には窒素拡散層２２が形成
され母料より硬さが上昇していることがわかる。
第り図は、本発明方法によって処理された被処理材と、
従来のイオン窒化処理によるもの並びに未処理材料との
摩耗試験結果を示す。但し母材は何れも５ｓ４１材であ
り、試験機は大越式迅速摩耗試験機を使用し、相手材料
として５Ｃ１ｉ１４１５浸炭材を使用し、摩擦距離、２
０θｍ、最終荷重は２７Ｋｇ、乾式にて行なった結果で
あり、本発明方法によるときは、摩耗がきわめて少ない
ことが判明する。
従来のイオン窒化処理によるもの並びに未処理材料との
摩耗試験結果を示す。但し母材は何れも５ｓ４１材であ
り、試験機は大越式迅速摩耗試験機を使用し、相手材料
として５Ｃ１ｉ１４１５浸炭材を使用し、摩擦距離、２
０θｍ、最終荷重は２７Ｋｇ、乾式にて行なった結果で
あり、本発明方法によるときは、摩耗がきわめて少ない
ことが判明する。
実施例！
本実施例は、被処理物表面にγ’−Ｆｅ４Ｎ層を形成す
ることな（、該γ’−Ｆｅ４Ｎの拡散層の上に直接Ｔｉ
Ｎ層を形成せしめるようにしたもので、その処理要領を
次に示す。
ることな（、該γ’−Ｆｅ４Ｎの拡散層の上に直接Ｔｉ
Ｎ層を形成せしめるようにしたもので、その処理要領を
次に示す。
（ａ）被処理物 Ｓ／ｊ；Ｃ
（ｂｌ 被スパッタリング利 純Ｔ１（Ｃ） 逆ス
パツタリング処理条件 雰囲気 Ｎ２：Ｎ２−、／ ： ３ （但し流量比） 炉内圧力 ／ Ｔｏｒｒ 処理時間 ７２０分 （ｄｌ スパッタリンク処理条件 雰囲気 Ｎ２： Ｎ２−．２ ： ／ 炉内圧力 、３ＶＸ／θ Ｔｏｒｒ 中心磁場 、２００エルステ、ド 時 間 ２０分 これによって得られた断面組織を第乙図に示す。
パツタリング処理条件 雰囲気 Ｎ２：Ｎ２−、／ ： ３ （但し流量比） 炉内圧力 ／ Ｔｏｒｒ 処理時間 ７２０分 （ｄｌ スパッタリンク処理条件 雰囲気 Ｎ２： Ｎ２−．２ ： ／ 炉内圧力 、３ＶＸ／θ Ｔｏｒｒ 中心磁場 、２００エルステ、ド 時 間 ２０分 これによって得られた断面組織を第乙図に示す。
この場合は、前記実施例／と異なりγ’、−Ｆｅ４Ｎ層
がみられず、フェライト組織内にγ’−Ｆｅ４Ｎの針状
晶２５が拡散されて形成された窒素拡散層２６」二に直
接ＴｉＮよりなる表面層２７か被着されている。
がみられず、フェライト組織内にγ’−Ｆｅ４Ｎの針状
晶２５が拡散されて形成された窒素拡散層２６」二に直
接ＴｉＮよりなる表面層２７か被着されている。
しかしこの場合においても逆スパツタリング処理とスパ
ッタリンク処理とを真空中において連続して行なうこと
により、逆スパツタリングによる窒素原子の浸透と共に
被処理物の表面を清浄化し、同時に活性化が計られるた
めスパッタリングによりＴｉＮは密着され、更に上記被
処理物の窒素拡散層２６は、逆スパツタリングにより加
熱されており、従って引続きスパッタリング処理を行な
うとき−、窒素原子は熱拡散反応によって表面層と窒素
拡散層界面を相互拡散し密着性を良好ならしめることが
できる。
ッタリンク処理とを真空中において連続して行なうこと
により、逆スパツタリングによる窒素原子の浸透と共に
被処理物の表面を清浄化し、同時に活性化が計られるた
めスパッタリングによりＴｉＮは密着され、更に上記被
処理物の窒素拡散層２６は、逆スパツタリングにより加
熱されており、従って引続きスパッタリング処理を行な
うとき−、窒素原子は熱拡散反応によって表面層と窒素
拡散層界面を相互拡散し密着性を良好ならしめることが
できる。
実施例３
本実施例は、被処理材としてＳＫＤ ６１ （合金工具
鋼）を使用した場合であって、処理条件は、逆スパツタ
リング処理、スパッタリング処理とも前記実施例２と同
様である。
鋼）を使用した場合であって、処理条件は、逆スパツタ
リング処理、スパッタリング処理とも前記実施例２と同
様である。
この場合は、第７図に示す如くγ’−Ｆｅ４Ｎは針状と
しては認められず、該γ’−Ｆｅ、ｌＮが拡散された窒
素拡散層２９は、芯部２８に比べて黒くエツチングされ
、その」二にＴｉＮよりなる表面層ろ０が形成されてい
る。このようにγ’−Ｆｅ４Ｎが光学顕微鏡で針状とし
て認められないのは、上記合金工具鋼の他に構造用低合
金鋼、窒化鋼、高速度鋼においても同様である。しかし
この場合においても実施例／、−７で示した理由により
同様に密着性は良好である。
しては認められず、該γ’−Ｆｅ、ｌＮが拡散された窒
素拡散層２９は、芯部２８に比べて黒くエツチングされ
、その」二にＴｉＮよりなる表面層ろ０が形成されてい
る。このようにγ’−Ｆｅ４Ｎが光学顕微鏡で針状とし
て認められないのは、上記合金工具鋼の他に構造用低合
金鋼、窒化鋼、高速度鋼においても同様である。しかし
この場合においても実施例／、−７で示した理由により
同様に密着性は良好である。
なお、上記各実施例は、窒素雰囲気中においてスパッタ
リング処理を行なった例を示したが、必ずしも窒素雰囲
気のみとは限らず、例えばＣ３Ｈ８の雰囲気においてス
パッタリング処理を行ない、表面層として被スパツタリ
ング材の炭化物（例えばＴコＣ、ＷＣ、５ｉＣ）を形成
せしめてもよく、あるいは、Ｎ２とＣ３Ｈ８との混合ガ
ス雰囲気においてスパッタリング処理を行なうことによ
り、被スパッタリング拐の窒化物と炭化物とが混合され
た表面層を得ることができる。
リング処理を行なった例を示したが、必ずしも窒素雰囲
気のみとは限らず、例えばＣ３Ｈ８の雰囲気においてス
パッタリング処理を行ない、表面層として被スパツタリ
ング材の炭化物（例えばＴコＣ、ＷＣ、５ｉＣ）を形成
せしめてもよく、あるいは、Ｎ２とＣ３Ｈ８との混合ガ
ス雰囲気においてスパッタリング処理を行なうことによ
り、被スパッタリング拐の窒化物と炭化物とが混合され
た表面層を得ることができる。
なお、逆スパツタリングは」二重したように被処理物の
清浄化、活性化および窒化を目的として行なうため、そ
の条件として雰囲気ガス圧力、組成、放電電圧ならひに
放電電流を適切に選択する必要がある。
清浄化、活性化および窒化を目的として行なうため、そ
の条件として雰囲気ガス圧力、組成、放電電圧ならひに
放電電流を適切に選択する必要がある。
以北の如（本発明によるときは、窒素雰囲気中の逆スパ
ツタリング処理と、反応性ガス雰囲気中のスパッタリン
グ処理とを同一炉内で真空を維持しつつ連続して行なわ
しめるようにしたから、逆スパツタリング処理により清
浄かつ活性化された被処理物表面に被スパツタリング材
と雰囲気ガスとの化合物層か形成される故、両者の密着
が良好であり、かつ被処理物中には窒素が浸透され、該
窒素の一部は熱拡散反応により相互拡散される故、密着
性は一層良好である。また被処理物は窒化されているの
で高硬度となり、剪断変形に対し強度を有し、従って表
面の上記化合物層は該被処理材の表面強度に補強されて
耐摩耗性、耐疲労性、耐熱性等を増加せしめることがで
きる。更にまた、ターゲットとしての被スパツタリング
材は、高硬度の窒素化合物、炭素化合物等の化合物を使
用する必要かな（、該化合物の基材金属を以て構成され
るから、調達並ひに加工が容易で、かつ比較的安価に入
手することができる。
ツタリング処理と、反応性ガス雰囲気中のスパッタリン
グ処理とを同一炉内で真空を維持しつつ連続して行なわ
しめるようにしたから、逆スパツタリング処理により清
浄かつ活性化された被処理物表面に被スパツタリング材
と雰囲気ガスとの化合物層か形成される故、両者の密着
が良好であり、かつ被処理物中には窒素が浸透され、該
窒素の一部は熱拡散反応により相互拡散される故、密着
性は一層良好である。また被処理物は窒化されているの
で高硬度となり、剪断変形に対し強度を有し、従って表
面の上記化合物層は該被処理材の表面強度に補強されて
耐摩耗性、耐疲労性、耐熱性等を増加せしめることがで
きる。更にまた、ターゲットとしての被スパツタリング
材は、高硬度の窒素化合物、炭素化合物等の化合物を使
用する必要かな（、該化合物の基材金属を以て構成され
るから、調達並ひに加工が容易で、かつ比較的安価に入
手することができる。
図面は本発明の実施態様を例示し、第１図乃至第５図は
実施例／に関し、第１図はスパッタリング装置の概略説
明図、第２図は被覆層の組成を示すχ線回折図形、第３
図は表面からの深さ方向の硬度分布を示すグラフ、第７
図は摩耗試験結果を示すグラフ、第５図は断面の金属組
織を示す顕微鏡写真、また第２図および第７図は、それ
ぞれ実施例！、実施例３の断面の金属組織を示す顕微鏡
写真である。 １・・・・・・スパッタリング処理炉、３・・・・・・
ターゲット、４・・・・・・被処理物、１２・・・・・
・スパッタリング装置
実施例／に関し、第１図はスパッタリング装置の概略説
明図、第２図は被覆層の組成を示すχ線回折図形、第３
図は表面からの深さ方向の硬度分布を示すグラフ、第７
図は摩耗試験結果を示すグラフ、第５図は断面の金属組
織を示す顕微鏡写真、また第２図および第７図は、それ
ぞれ実施例！、実施例３の断面の金属組織を示す顕微鏡
写真である。 １・・・・・・スパッタリング処理炉、３・・・・・・
ターゲット、４・・・・・・被処理物、１２・・・・・
・スパッタリング装置
Claims (1)
- （１）鉄鋼材料よりなる被処理物と窒化物あるいは炭化
物を形成するＴｉ 、 Ｔａ 、 Ｃｒ 、 Ｚｒ 、
Ｓｉ等の被スパッタリング利とをイオンスパックリン
グ装置内に配置し、まずＮ２あるいはＮ２と不活性ガス
混合雰囲気中で、被処理物を陰極、被スパツタリング材
を陽極として直流電圧を印加する逆スパツタリング処理
を行ない、次いて真空状態を維持し、かつ被処理物と被
スパツタリング材に対し、すみやかに被処理物を陽極、
被スパツタリング材を陰極に転極して直流電圧を印加し
、所定圧力のＮ２、あるいは０３８８等反応性ガス雰囲
気中あるいはそれらの反応性ガスと他の不活性ガス混合
雰囲気中でスパッタリングを行ない、被処理物に被スパ
ツタリング材と雰囲気ガスとの化合物を被覆することを
特徴とする鉄鋼の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19414482A JPS5983767A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 鉄鋼の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19414482A JPS5983767A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 鉄鋼の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983767A true JPS5983767A (ja) | 1984-05-15 |
Family
ID=16319641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19414482A Pending JPS5983767A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 鉄鋼の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983767A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6017065A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-28 | Seikosha Co Ltd | スパツタリングによる鉄鋼への窒化チタン膜形成方法 |
| EP0583736A1 (en) * | 1992-08-14 | 1994-02-23 | Hughes Aircraft Company | Plasma-enhanced magnetron-sputtered deposition of materials |
| GB2402403A (en) * | 2003-06-04 | 2004-12-08 | Winsky Technologies Ltd | A method of forming a nanocomposite coating |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19414482A patent/JPS5983767A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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