JPS5982975A - 半導体基板塗布装置 - Google Patents
半導体基板塗布装置Info
- Publication number
- JPS5982975A JPS5982975A JP19320182A JP19320182A JPS5982975A JP S5982975 A JPS5982975 A JP S5982975A JP 19320182 A JP19320182 A JP 19320182A JP 19320182 A JP19320182 A JP 19320182A JP S5982975 A JPS5982975 A JP S5982975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cup
- photoresist
- coating
- photoresist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板塗布装置にかかり、とくに半導体素
子製造工程における半導体基板塗布装置に関するもので
ある。
子製造工程における半導体基板塗布装置に関するもので
ある。
半導体素子製造の各工程において写真触刻工程及び半導
体基板（以下ウェハと呼ぶ）の表面保腹膜の形成工程で
は、ウェハ表面に塗布液、主に感光材（以下、フォトレ
ジストと呼ぶ）等を回転塗布する処理が行われる。
体基板（以下ウェハと呼ぶ）の表面保腹膜の形成工程で
は、ウェハ表面に塗布液、主に感光材（以下、フォトレ
ジストと呼ぶ）等を回転塗布する処理が行われる。
その回転塗布の処理は、通常、処理槽（以下、カップと
呼ぶ）内に設けられた回転機構を備えた搭載台上に真空
吸着されたウェハ表面上に７オトレジストを滴下し、そ
れを回転し、その回転叙及び回転時間を調整する事によ
り、ウェハ表面に所望の厚さの７オトレジスト膜を塗布
するものである。
呼ぶ）内に設けられた回転機構を備えた搭載台上に真空
吸着されたウェハ表面上に７オトレジストを滴下し、そ
れを回転し、その回転叙及び回転時間を調整する事によ
り、ウェハ表面に所望の厚さの７オトレジスト膜を塗布
するものである。
フォトレジスト塗布処理の後工程において、フォトレジ
ストによる微細なパターンを形成する為、塗布処理によ
り得られるフォトレジスト膜の平坦度は非常に精度の良
いものが必要となる事はいう腟でもない。
ストによる微細なパターンを形成する為、塗布処理によ
り得られるフォトレジスト膜の平坦度は非常に精度の良
いものが必要となる事はいう腟でもない。
平坦度の良いフォトレジスト膜は、そのフォトレジスト
の粘度及び分子量等の特徴と塗布処理時の回転による遠
心力及び向心力とウェハ周囲の雰囲気の流れ及びウェハ
表面上に減下したフォトレジストからの溶材揮発速度等
の条件によシ決定される。
の粘度及び分子量等の特徴と塗布処理時の回転による遠
心力及び向心力とウェハ周囲の雰囲気の流れ及びウェハ
表面上に減下したフォトレジストからの溶材揮発速度等
の条件によシ決定される。
フォトレジストの粘度及び塗布処理時の回転数によシ、
主に得られるフォトレジスト膜厚は決定されるが、膜厚
の均一性、及び膜面での微小突起の発生等の７オトレジ
スト膜質は塗布処理時のウェハ周囲の雰囲気の流れ及び
ウェハ表面上に腋下した７、トレジストからの溶材揮発
速度等の条件により主に決定される。
主に得られるフォトレジスト膜厚は決定されるが、膜厚
の均一性、及び膜面での微小突起の発生等の７オトレジ
スト膜質は塗布処理時のウェハ周囲の雰囲気の流れ及び
ウェハ表面上に腋下した７、トレジストからの溶材揮発
速度等の条件により主に決定される。
前記したフォトレジスト膜質を決定する条件は塗布処理
を行うカップの形状及びカップ内の排気量によシ大きく
左右され、その調整要素としてカップ内の排気量が大き
な割合を占める。
を行うカップの形状及びカップ内の排気量によシ大きく
左右され、その調整要素としてカップ内の排気量が大き
な割合を占める。
前記したフォトレジスト膜質の膜厚の均一性を得る為に
は、ウェハ表面上に滴下したフォトレジストからの溶材
揮発速度を低く押える必要があり、カップ内排気箪を小
さくしなければならない。
は、ウェハ表面上に滴下したフォトレジストからの溶材
揮発速度を低く押える必要があり、カップ内排気箪を小
さくしなければならない。
しかしながら、カップ内排気量を小さくした場合、回転
塗布処理時ウェハより振り切られたフォトレジストの噴
霧がウェハ表面に再付着し、膜面での微小突起発生の原
因となる。
塗布処理時ウェハより振り切られたフォトレジストの噴
霧がウェハ表面に再付着し、膜面での微小突起発生の原
因となる。
１〜たがって、従来の半導体基板塗布装置では、前記し
たフォトレジスト膜質である三者の妥協点を見い出すべ
くカップ形状の工夫及び微妙なカップ内排気量の調整を
必要とし安定性を維持する為、短期間でのカップ洗浄、
カップ内排気量の確認等多くの工数を必要とした。フォ
トレジスト膜質の安定維持がくずれると、直ちに後工程
での微細パターン形成を阻止する要因となり、半導体製
造工程における良品率を低下させる大きな原因となる。
たフォトレジスト膜質である三者の妥協点を見い出すべ
くカップ形状の工夫及び微妙なカップ内排気量の調整を
必要とし安定性を維持する為、短期間でのカップ洗浄、
カップ内排気量の確認等多くの工数を必要とした。フォ
トレジスト膜質の安定維持がくずれると、直ちに後工程
での微細パターン形成を阻止する要因となり、半導体製
造工程における良品率を低下させる大きな原因となる。
本発明は前記した問題を解決し、半導体製造装置の安定
性維持を可能とし、良品率を低下させる原因を解消する
ものでるる。
性維持を可能とし、良品率を低下させる原因を解消する
ものでるる。
本発明の特徴はウェハ表面に塗布液を回転塗布する装置
において、カップ内の排気量を塗布処理動作に準じ自動
的に変更する手段を備えだ半導基板塗布装置にある。
において、カップ内の排気量を塗布処理動作に準じ自動
的に変更する手段を備えだ半導基板塗布装置にある。
前記したフォトレジストの膜質を決定する条件である、
ウェハ表面上に滴下したフォトレジストからの溶材揮発
速度を低く押える必要性は、フォトレジスｉｆウェハ表
面上に滴下し、ウェハを低速で回転しフォトレジストを
ウェノ・全面に広げるまでであバ又、所望の膜質を得る
為の尚速回転時に発生するフォトレジストの噴霧を吸引
するだけの力、プ内排気量を必要とする。
ウェハ表面上に滴下したフォトレジストからの溶材揮発
速度を低く押える必要性は、フォトレジスｉｆウェハ表
面上に滴下し、ウェハを低速で回転しフォトレジストを
ウェノ・全面に広げるまでであバ又、所望の膜質を得る
為の尚速回転時に発生するフォトレジストの噴霧を吸引
するだけの力、プ内排気量を必要とする。
したがって、本発明によシ前記したフォトレジストの、
膜質を法尻する条件を、相反する事なく満すことができ
る。
膜質を法尻する条件を、相反する事なく満すことができ
る。
本発明の実施世」を図によシ説明すると（第１図参照）
、回転機構を備えた搭載台１の上に真空吸着されたウェ
ハ２と、そのウェハの中央付近に７オトレジストを滴下
するノズル３と、それらを被う処理カップ４と処理カッ
プ内の排気量を変更する電動式等の機構５よυ基本構成
され、ウェノ・表面にフォ）Ｌ／シストを滴下し、設定
条件に従いウェハを中心＠６を中心に回転させ所望の７
オトレジスト膜を得るという一連の動作に準じ排気量を
機構５によシ自動的に変更するものである。
、回転機構を備えた搭載台１の上に真空吸着されたウェ
ハ２と、そのウェハの中央付近に７オトレジストを滴下
するノズル３と、それらを被う処理カップ４と処理カッ
プ内の排気量を変更する電動式等の機構５よυ基本構成
され、ウェノ・表面にフォ）Ｌ／シストを滴下し、設定
条件に従いウェハを中心＠６を中心に回転させ所望の７
オトレジスト膜を得るという一連の動作に準じ排気量を
機構５によシ自動的に変更するものである。
本発明を採用する事によｐ艮買なフォトレジスト膜をウ
ェハ表面に形成する事を安定維持する事を容易に可能と
し、半導体製造工程における良品率の向上を計る為、多
大な効果を持たらす事は明白である。
ェハ表面に形成する事を安定維持する事を容易に可能と
し、半導体製造工程における良品率の向上を計る為、多
大な効果を持たらす事は明白である。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図である。
尚、図において、Ｊ・・・回転機構を備えた搭載台、２
・・・ウェハ、３・・・フォトレジスト滴下用ノズル、
４・・・処理カップ、５・・・排気量変更機構である。
・・・ウェハ、３・・・フォトレジスト滴下用ノズル、
４・・・処理カップ、５・・・排気量変更機構である。
Claims (1)
- 半導体基板の表面に塗布液を回転塗布する装置において
、塗布処理槽内の排気量を該塗布処理動作に準じ自動的
に変更する手段を備えた事を特徴とする半導体基板塗布
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19320182A JPS5982975A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体基板塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19320182A JPS5982975A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体基板塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982975A true JPS5982975A (ja) | 1984-05-14 |
Family
ID=16303979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19320182A Pending JPS5982975A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体基板塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982975A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932353A (en) * | 1987-12-18 | 1990-06-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical coating apparatus |
| US5070813A (en) * | 1989-02-10 | 1991-12-10 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus |
| JP2012038968A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 回転塗布方法 |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP19320182A patent/JPS5982975A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932353A (en) * | 1987-12-18 | 1990-06-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical coating apparatus |
| US5070813A (en) * | 1989-02-10 | 1991-12-10 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus |
| JP2012038968A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 回転塗布方法 |
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