JPS5982150A - 鋼表面の品質判定方法および装置 - Google Patents
鋼表面の品質判定方法および装置Info
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- JPS5982150A JPS5982150A JP58180958A JP18095883A JPS5982150A JP S5982150 A JPS5982150 A JP S5982150A JP 58180958 A JP58180958 A JP 58180958A JP 18095883 A JP18095883 A JP 18095883A JP S5982150 A JPS5982150 A JP S5982150A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、連続鋳造機に光電センサを設け、監視すべき
製品をこの光電センサのそばを通過させ、光電センサの
出力側に処理装置を接続して表面欠陥を自動的に検出し
かつ計算する、鋼表面の品質判定方法、特に高温連続鋳
造製品における亀裂のような表面欠陥の検出方法に関す
る。
製品をこの光電センサのそばを通過させ、光電センサの
出力側に処理装置を接続して表面欠陥を自動的に検出し
かつ計算する、鋼表面の品質判定方法、特に高温連続鋳
造製品における亀裂のような表面欠陥の検出方法に関す
る。
鋼の連続鋳造の際、特に特定の冷却条件を維持せねばな
らない。そうしないと製品に亀裂が生じ、それが特定の
大きさを越えると、工作物を直ちに加工するために使用
できなくするからである。これまで亀裂を常温の工作物
で視覚により見出すことしかできなかったので、欠陥の
発生とその検出との間に比較的長い時間が経過し、既に
多量の欠陥をもつ月影が生じた後はじめて欠陥原因を除
くことができた。したがって欠陥の検査を高温の製品に
おいて行なうことが試みられた。凝固したストランドが
連続鋳造機の出口においてもつような700ないし11
00℃の温度における表面欠陥は、付加的な処理なしで
は人間の眼によって検出できないので、ダイオード列カ
メラが使用され、閉じた軌道上を常にストランドのまわ
りに移動せしめられる。放射を行なうストランド表面の
欠陥はカメラにより列状に強さ変動として検出され、電
子制御兼引算装置へ供給される。
らない。そうしないと製品に亀裂が生じ、それが特定の
大きさを越えると、工作物を直ちに加工するために使用
できなくするからである。これまで亀裂を常温の工作物
で視覚により見出すことしかできなかったので、欠陥の
発生とその検出との間に比較的長い時間が経過し、既に
多量の欠陥をもつ月影が生じた後はじめて欠陥原因を除
くことができた。したがって欠陥の検査を高温の製品に
おいて行なうことが試みられた。凝固したストランドが
連続鋳造機の出口においてもつような700ないし11
00℃の温度における表面欠陥は、付加的な処理なしで
は人間の眼によって検出できないので、ダイオード列カ
メラが使用され、閉じた軌道上を常にストランドのまわ
りに移動せしめられる。放射を行なうストランド表面の
欠陥はカメラにより列状に強さ変動として検出され、電
子制御兼引算装置へ供給される。
公知の装置は高温の表面にある欠陥を検出するのには充
分でなく、工作物の観察は特定のイ」加的条件で行なわ
ねばならないことがわかった。
分でなく、工作物の観察は特定のイ」加的条件で行なわ
ねばならないことがわかった。
さてまず製品のスケールを除去し、温度平衡による温度
領域の短時間の乱れから製品が回復する所定時間後短時
間露光しながらこの製品を電子カメラのセンサのそばを
通過させ、製品から出てセンサへ到達する製品の表面放
射を計算可能な信号に変換し、所定の判定基準に従って
品質判定のため処理すると、高温の連続鋳造製品におい
て表面品質を確実に判定できることがわかった。
領域の短時間の乱れから製品が回復する所定時間後短時
間露光しながらこの製品を電子カメラのセンサのそばを
通過させ、製品から出てセンサへ到達する製品の表面放
射を計算可能な信号に変換し、所定の判定基準に従って
品質判定のため処理すると、高温の連続鋳造製品におい
て表面品質を確実に判定できることがわかった。
スケール除去は、非常に高い圧力(約200 bar
)で工作物へ噴射される水で行なうことができる。
)で工作物へ噴射される水で行なうことができる。
ノズルがつまらず、あるいは沈着物により損傷しないよ
うにするため、水を適当に処理せねばならない。所望の
スケール除去効果を得るために、ノズルの出口開口と製
品表面との間隔を短くシ、水が斜めに製品へ当るように
せねばならない。
うにするため、水を適当に処理せねばならない。所望の
スケール除去効果を得るために、ノズルの出口開口と製
品表面との間隔を短くシ、水が斜めに製品へ当るように
せねばならない。
本発明による方法によって、700ないし1100°C
の高温の連続鋳造片において1%の対比でまわ4遍ノ りの表面より大きく放射を行なつとして現われる亀裂を
自動的に検出して、画像処理に利用することができる。
の高温の連続鋳造片において1%の対比でまわ4遍ノ りの表面より大きく放射を行なつとして現われる亀裂を
自動的に検出して、画像処理に利用することができる。
それにより連続鋳造製品をさらに加工する操業の経済性
が著しく改善される。なぜならば、これまで表面の判定
に必要であった冷却と、それにより次の加工に必要な再
加熱が不要になるからである。連続鋳造製品を圧延によ
りさらに加工しようとすれば、連続鋳造製品の熱エネル
ギーをこの加工のために利用することができる。
が著しく改善される。なぜならば、これまで表面の判定
に必要であった冷却と、それにより次の加工に必要な再
加熱が不要になるからである。連続鋳造製品を圧延によ
りさらに加工しようとすれば、連続鋳造製品の熱エネル
ギーをこの加工のために利用することができる。
それにより圧延機を鋳造機にすぐ続けることができる。
品質についての要求を満たさない工作物は高温状態で労
連することがてきる。欠陥のある表面を例えば火炎によ
り再加工する場合にも、本発明による方法は利点を生ず
る。本発明による方法によって、所定の標準に達しない
品質の表面部分が検出されて、欠陥のある個所のみ再加
工を行なうことができると、同様に著しい経済的利点が
得られる。例えばこれまで、火炎により除去すべき欠陥
が生じた工作物を全体として火炎に当てることが必要で
あった。なぜならば再加工を必要とする個所は、高温の
工作物では検出できなかったからである。とりわけ火炎
を当てると工作物重量の3%までの!A旧損失が生ずる
ので、この加工段階の改善は経済性に特に大きい影響を
及ばす。
連することがてきる。欠陥のある表面を例えば火炎によ
り再加工する場合にも、本発明による方法は利点を生ず
る。本発明による方法によって、所定の標準に達しない
品質の表面部分が検出されて、欠陥のある個所のみ再加
工を行なうことができると、同様に著しい経済的利点が
得られる。例えばこれまで、火炎により除去すべき欠陥
が生じた工作物を全体として火炎に当てることが必要で
あった。なぜならば再加工を必要とする個所は、高温の
工作物では検出できなかったからである。とりわけ火炎
を当てると工作物重量の3%までの!A旧損失が生ずる
ので、この加工段階の改善は経済性に特に大きい影響を
及ばす。
本発明による方法の実施態様は特許請求の範囲第2項な
いし第21項に記載されている。
いし第21項に記載されている。
この方法を実施する本発明の装置は特許請求の範囲第2
2項に規定されている。
2項に規定されている。
本発明による装置の発展は特許請求の範囲第23項ない
し第51項かられかる。
し第51項かられかる。
本発明の*、別な利点は、高温の連続鋳造製品における
表面欠陥が連続鋳造機の検査区間で既に検出されること
である。したがって表面欠陥のある製品を速やかに分類
するか、または高温状態で焼鈍炉へ供給することが有利
に可能となる。本発明の別の利点は、検出された表面欠
陥を例えば塗料吹付はガンにより簡単に標識付けできる
ことである。
表面欠陥が連続鋳造機の検査区間で既に検出されること
である。したがって表面欠陥のある製品を速やかに分類
するか、または高温状態で焼鈍炉へ供給することが有利
に可能となる。本発明の別の利点は、検出された表面欠
陥を例えば塗料吹付はガンにより簡単に標識付けできる
ことである。
図面には本発明の実施例が示されている。
第1図において連続鋳造ビレット1はその表面に亀裂2
をもち、と・のビレットlは約800°Cの表面温度を
もち、例えば! tn / sの速度で連続鋳造機内を
送られる。約1mmの長さで蛇行状の亀裂は、なるべく
ビレットlの高温状態で検出されかつ計算されるように
する。
をもち、と・のビレットlは約800°Cの表面温度を
もち、例えば! tn / sの速度で連続鋳造機内を
送られる。約1mmの長さで蛇行状の亀裂は、なるべく
ビレットlの高温状態で検出されかつ計算されるように
する。
第2図に示す装置は環状に構成された光電センサ3をも
ち、高温のビレット】を包囲している。センサ3の直径
は、センサ3の内周面とビレット1の表面との間に高す
ぎる温度によるセンサ3の損傷を回避する充分な間隔が
あるような大きさに選ばれている。センサ3の出力端は
ケーブル4を介して電子装置箱5に接続されている。こ
の箱5は、後述するセンサ3のセンサ素子を駆動し整合
させる装置6.2進化装@7、表面欠陥2を検出する装
置8、表面欠陥2を位置測定しかつ分類しさらに表面欠
陥2の現われる際警報を発生する装置9をもっている。
ち、高温のビレット】を包囲している。センサ3の直径
は、センサ3の内周面とビレット1の表面との間に高す
ぎる温度によるセンサ3の損傷を回避する充分な間隔が
あるような大きさに選ばれている。センサ3の出力端は
ケーブル4を介して電子装置箱5に接続されている。こ
の箱5は、後述するセンサ3のセンサ素子を駆動し整合
させる装置6.2進化装@7、表面欠陥2を検出する装
置8、表面欠陥2を位置測定しかつ分類しさらに表面欠
陥2の現われる際警報を発生する装置9をもっている。
電子装置箱5は、さらにセンサ3またはセンサ素子への
給電装置と、電源線路のパルス状外乱を抑制するフィル
タ装置とを含んでいるが、これらの装置は図示してない
。2進化装置7と表面欠陥検出装置8との間には画像記
憶装置10が接続され、その出力端は電子装置箱5外に
設けられた監視器11に導電接続されている。装置8な
いし】0は実際上画像処理装置を構成している。電子装
置箱5からセンサ3へ供給電圧と親局波数が送られ、逆
にアナログセンサ信号と周期同期信号が送られる。
給電装置と、電源線路のパルス状外乱を抑制するフィル
タ装置とを含んでいるが、これらの装置は図示してない
。2進化装置7と表面欠陥検出装置8との間には画像記
憶装置10が接続され、その出力端は電子装置箱5外に
設けられた監視器11に導電接続されている。装置8な
いし】0は実際上画像処理装置を構成している。電子装
置箱5からセンサ3へ供給電圧と親局波数が送られ、逆
にアナログセンサ信号と周期同期信号が送られる。
光電センサ3は図示してない所定数のセンサ素子をもち
、これらのセンサ素子はアルミニウム環に設けられて、
環の周囲に均一に分布されている。各センサ素子は、セ
ンサ3に通されるビレット1の特定の区分を走査する。
、これらのセンサ素子はアルミニウム環に設けられて、
環の周囲に均一に分布されている。各センサ素子は、セ
ンサ3に通されるビレット1の特定の区分を走査する。
センサ3はセンサ素子により発生される画像信号を整合
装置6を介して画像処理装置8ないし】0へ送る。
装置6を介して画像処理装置8ないし】0へ送る。
センサ3の形状は製品の形状に合わせるのがよい。例え
ば連続鋳造スラブに対しては長刀形のセンサが必要で、
個々のセンサ素子はセンサの辺に分布されている。セン
サまたはセンサ素子として種々のピックアップ装置が用
いられる。
ば連続鋳造スラブに対しては長刀形のセンサが必要で、
個々のセンサ素子はセンサの辺に分布されている。セン
サまたはセンサ素子として種々のピックアップ装置が用
いられる。
例えば電荷結合素子(CCD )−列センサ組合わせ、
CCD−マトリックスセンサ構成、電子管に基く短時間
露光カメラ、あるl/′I4a CCD−マド1ノツク
スセンサに基く短時間露光カメラをイ吏1羽覆−ること
ができる。
CCD−マトリックスセンサ構成、電子管に基く短時間
露光カメラ、あるl/′I4a CCD−マド1ノツク
スセンサに基く短時間露光カメラをイ吏1羽覆−ること
ができる。
センサ素子の数はビレット1の直径、セン→少素子間の
動作間隔およびセン勺°累子の解イ象度もこよって決定
され、この例では】6である。対応する区分を走査する
各セン→す素子力’、256個の素子からなるフォトダ
イオード列力)ら構成されるようにすることもてきる。
動作間隔およびセン勺°累子の解イ象度もこよって決定
され、この例では】6である。対応する区分を走査する
各セン→す素子力’、256個の素子からなるフォトダ
イオード列力)ら構成されるようにすることもてきる。
この場合図示してない刻時パルス発生器があり、セン→
+g子を周期的に駆動して、1周期あ1こり連続信号力
3特定数の画素から構成されるようもこしてvする。画
素の数は16個のセンサ素子と256個の素子との乗算
により得られ、したがって4096である。
+g子を周期的に駆動して、1周期あ1こり連続信号力
3特定数の画素から構成されるようもこしてvする。画
素の数は16個のセンサ素子と256個の素子との乗算
により得られ、したがって4096である。
200 inの直径とit X 200 mmの円周と
4096個の画素をもつビレット1に対して、d\さし
1亀裂幅にとって適当な約0.15mmの画素間隔力3
得られる。刻時パルスにより規定される周期力14m5
であると、45−60 m/ minまたは0−75−
1 mm/msのビレツl〜移送速度で3〜4mmのス
テップでビレット1が走査される。このステップ長は典
型的な蛇行状縦亀裂2の解析に充分である。
4096個の画素をもつビレット1に対して、d\さし
1亀裂幅にとって適当な約0.15mmの画素間隔力3
得られる。刻時パルスにより規定される周期力14m5
であると、45−60 m/ minまたは0−75−
1 mm/msのビレツl〜移送速度で3〜4mmのス
テップでビレット1が走査される。このステップ長は典
型的な蛇行状縦亀裂2の解析に充分である。
個々のセンサ素子を収容するセンサ3は、図示してない
冷却水通路をもち、この冷却水通路が高温のビレット1
から発生される多量の熱によるセンサ素子の損傷を防止
する。冷却水通路のそばに同様に図示しない圧縮空気通
路を設けて、複数の出口開口とつなぐことができる。こ
れらの出口開口は、各センサ素子に付属する対物レンズ
の前面の前における汚物を除去するために設けられてい
る。
冷却水通路をもち、この冷却水通路が高温のビレット1
から発生される多量の熱によるセンサ素子の損傷を防止
する。冷却水通路のそばに同様に図示しない圧縮空気通
路を設けて、複数の出口開口とつなぐことができる。こ
れらの出口開口は、各センサ素子に付属する対物レンズ
の前面の前における汚物を除去するために設けられてい
る。
例えば外径を約700 mm 、内径を約580+n+
n。
n。
幅を約100mmとすることができるアルミニウム環が
、焼きはめ接合された2つのアルミニウム部分からでき
ており、放射の反射をできるだけよくするためその表面
が光沢めっきされているのがよい、センサ素子と220
IIII11直径のビレツ1−1の表面との動作間隔は
、上述したビレット直径において181.6mmである
。アルミニウム環はセンサ素子用のこじんまりした完全
な電子装置を収容するために設けることもできる。
、焼きはめ接合された2つのアルミニウム部分からでき
ており、放射の反射をできるだけよくするためその表面
が光沢めっきされているのがよい、センサ素子と220
IIII11直径のビレツ1−1の表面との動作間隔は
、上述したビレット直径において181.6mmである
。アルミニウム環はセンサ素子用のこじんまりした完全
な電子装置を収容するために設けることもできる。
連続鋳造機に設けられる光電センサ3は、その出力側に
接続される画像処理装置+3−、zlOと共に、高温の
連続鋳造製品例えば第1図および第2図に示すビレット
1における表面欠陥を自動的に検出し計算するのに用い
られる。このため製品またはビレット1がセンサ3のそ
ばを通過せしめられ、欠陥のない製品表面または欠陥の
ない製品表面範囲に対する温度差に基いて、このセンサ
3が表面欠陥を測定技術的に検出する。
接続される画像処理装置+3−、zlOと共に、高温の
連続鋳造製品例えば第1図および第2図に示すビレット
1における表面欠陥を自動的に検出し計算するのに用い
られる。このため製品またはビレット1がセンサ3のそ
ばを通過せしめられ、欠陥のない製品表面または欠陥の
ない製品表面範囲に対する温度差に基いて、このセンサ
3が表面欠陥を測定技術的に検出する。
表面欠陥の長さと幅はその量子化のために利用すること
ができる0表面欠陥の大きさを分類し、監視すべき製品
に関する表面欠陥の位置特にその座標を自動的に検出し
て紺算し、あるいは表面欠陥を監視器11上に見えるよ
うに表示することも可能である。この場合長い残光の監
視器あるいはハードコピーレコーダを使用することがで
きる。個々の表面区域を静止画像あるいは移動画像で監
視器11上に表示することもできる0表面欠陥の出現を
特定の画像の凍結に自動的に利用し、続いてこの画像を
呼出して監視器11に表示することができる。画像の一
時記憶のためビデオレコーダを使用し、表面欠陥の出現
の際このビデオレコーダにより最後の画像のプレイバッ
クを行なうことができる。さらに画像処理袋@8ないし
1oにより検出される統計的データを監視器11の画像
へ書込むこともできる。
ができる0表面欠陥の大きさを分類し、監視すべき製品
に関する表面欠陥の位置特にその座標を自動的に検出し
て紺算し、あるいは表面欠陥を監視器11上に見えるよ
うに表示することも可能である。この場合長い残光の監
視器あるいはハードコピーレコーダを使用することがで
きる。個々の表面区域を静止画像あるいは移動画像で監
視器11上に表示することもできる0表面欠陥の出現を
特定の画像の凍結に自動的に利用し、続いてこの画像を
呼出して監視器11に表示することができる。画像の一
時記憶のためビデオレコーダを使用し、表面欠陥の出現
の際このビデオレコーダにより最後の画像のプレイバッ
クを行なうことができる。さらに画像処理袋@8ないし
1oにより検出される統計的データを監視器11の画像
へ書込むこともできる。
装置9は、表面欠陥の数あるいは大きさが所定の限界値
を超過すると警報信号を発生するのに役だっ。警報の発
生は例えば継電器接点を介して行なうことができ、この
接点に対して並列に表示灯を付勢することができる。
を超過すると警報信号を発生するのに役だっ。警報の発
生は例えば継電器接点を介して行なうことができ、この
接点に対して並列に表示灯を付勢することができる。
監視すべき製品の検査をその表面のスケール除去後行な
うのがよい。スケール除去を加圧水により行ない、加圧
水の作用個所を、製品の損傷を防止する大きい速度で製
品にわたって動かすことができる。連続鋳造ビレットの
場合、スケール除去装置を製品が高速で通過する際スケ
ール除去を行ない、同じ速度で製品をセンサのそばを通
過させるのが有利である。連続鋳造スラブあるいは連続
鋳造ブルームの品質監視のため、スケール除去を連続鋳
a機で行ない、センサ3による表面検査をスケール除去
のずぐ後で行なうのが最もよい。
うのがよい。スケール除去を加圧水により行ない、加圧
水の作用個所を、製品の損傷を防止する大きい速度で製
品にわたって動かすことができる。連続鋳造ビレットの
場合、スケール除去装置を製品が高速で通過する際スケ
ール除去を行ない、同じ速度で製品をセンサのそばを通
過させるのが有利である。連続鋳造スラブあるいは連続
鋳造ブルームの品質監視のため、スケール除去を連続鋳
a機で行ない、センサ3による表面検査をスケール除去
のずぐ後で行なうのが最もよい。
表面欠陥を引算するため、監視すべき製品の速度および
温度を検出することが必要である。
温度を検出することが必要である。
このために光電センサ3を利用することができる。
センサ素子が連続信号を出ずようなセンサ3の出力信号
は、整合装置6へ供給される。この出力信号は加算補正
および乗算補正に使用されて、例えば4096個のフォ
トダイオードの暗流および感度の差をなくすので、ビレ
ット1の表面の放射が均一であると、最適に均一な画像
信号が生ずる。暗流および感度の差をなくすために、セ
ンサ素子の数に対応する数の記憶場所をもつ2つの消去
可能な半固定記憶装置(lEPROM )が設けられて
、個々のセンサ素子の暗電圧または感度の変動の加算ま
たは乗算信号補償のため8ビツトに量子化された補正信
号を記憶するのに用いられるようにすることができる。
は、整合装置6へ供給される。この出力信号は加算補正
および乗算補正に使用されて、例えば4096個のフォ
トダイオードの暗流および感度の差をなくすので、ビレ
ット1の表面の放射が均一であると、最適に均一な画像
信号が生ずる。暗流および感度の差をなくすために、セ
ンサ素子の数に対応する数の記憶場所をもつ2つの消去
可能な半固定記憶装置(lEPROM )が設けられて
、個々のセンサ素子の暗電圧または感度の変動の加算ま
たは乗算信号補償のため8ビツトに量子化された補正信
号を記憶するのに用いられるようにすることができる。
EPROMはセンサ素子に同期して読出し可能である。
その出力信号はディジタル−アナログ変換器によりアナ
ログ信号に変換することができる。アナログ加算補正信
号はアナログ加算素子によりセンサ素子の出力信号に加
算され、またセンサ素子の出力信号の乗算補正はアナロ
グ乗算器により行なわれる。過露出を回避するためセン
サ素子ニ自動露光装置が設けられて、センサ3の出力電
圧が所定値を超過するのを防止する。所定値は例えば0
.8vとすることができる。温度がもつと高いとセンサ
素子の積分時間が自動的に調整されて、センサの出力電
圧が所定値を超過しないようにする。監視すべき製品の
始端における急激な信号跳躍の場合、約40 msの周
期扱立上り過渡状態に達するように、調整装置の調整時
定数が選択可能である。
ログ信号に変換することができる。アナログ加算補正信
号はアナログ加算素子によりセンサ素子の出力信号に加
算され、またセンサ素子の出力信号の乗算補正はアナロ
グ乗算器により行なわれる。過露出を回避するためセン
サ素子ニ自動露光装置が設けられて、センサ3の出力電
圧が所定値を超過するのを防止する。所定値は例えば0
.8vとすることができる。温度がもつと高いとセンサ
素子の積分時間が自動的に調整されて、センサの出力電
圧が所定値を超過しないようにする。監視すべき製品の
始端における急激な信号跳躍の場合、約40 msの周
期扱立上り過渡状態に達するように、調整装置の調整時
定数が選択可能である。
センサ3により検出された表面欠陥を引算するために、
ディジタル画像処理装置8ないし1゜を使用するのがよ
い。この装置により、例えば亀裂により発生される狭い
正あるいは負のパルスだけが検出され、残留スケールに
対応する幅の広い信号が抑制される。次の周期において
第1のパルスに近い所に別のパルスが検出されたときに
のみ、検出された狭いパルスが表示される。点状あるい
は面状でなくビレットlの移送方向にのみ延びる外乱が
表示され、すなわちディジタル画像処理装置8ないし1
0は、残留スケールを示す大きい対象物を校正時間にお
いて既に抑制することができる。
ディジタル画像処理装置8ないし1゜を使用するのがよ
い。この装置により、例えば亀裂により発生される狭い
正あるいは負のパルスだけが検出され、残留スケールに
対応する幅の広い信号が抑制される。次の周期において
第1のパルスに近い所に別のパルスが検出されたときに
のみ、検出された狭いパルスが表示される。点状あるい
は面状でなくビレットlの移送方向にのみ延びる外乱が
表示され、すなわちディジタル画像処理装置8ないし1
0は、残留スケールを示す大きい対象物を校正時間にお
いて既に抑制することができる。
ディジタル画像処理装置は1周期あたり複数の表面欠陥
を解析することができる。この場合1mm/msの移送
速度と4msの電子周期において、ビL/ット表面の2
進化された画像は1周期あたりそれぞれ4096個の画
素からなり、移送方向における個々の周期は4mmの間
隔をもっている。π弓97 mmの平均円周をもつビレ
ットでは、画素はd=π弓97/4096 = 0.1
5 mmの横寸法をもっている。周期に関して別の考察
に使用される縦寸法は、5=4mmで、周期より短い露
光時間における真の長さもそれに応して短くすることが
できる。これまでの知識によれば、品質をそこなうため
検出せねばならない亀裂は51より長<、Idないし1
5dの幅である。これに反しスケール除去後も残ること
のある微小スケールはほば正方形の構造をもっている。
を解析することができる。この場合1mm/msの移送
速度と4msの電子周期において、ビL/ット表面の2
進化された画像は1周期あたりそれぞれ4096個の画
素からなり、移送方向における個々の周期は4mmの間
隔をもっている。π弓97 mmの平均円周をもつビレ
ットでは、画素はd=π弓97/4096 = 0.1
5 mmの横寸法をもっている。周期に関して別の考察
に使用される縦寸法は、5=4mmで、周期より短い露
光時間における真の長さもそれに応して短くすることが
できる。これまでの知識によれば、品質をそこなうため
検出せねばならない亀裂は51より長<、Idないし1
5dの幅である。これに反しスケール除去後も残ること
のある微小スケールはほば正方形の構造をもっている。
したがってそれが例えば]Odの幅であると、その長さ
は11以下であり、それが5ノより長いと、15dより
著しく幅広い。亀裂の長さ検出の際、約±32dの振れ
をもつその典型的な蛇行経過と1〜2I!、の中断部の
出現を注意すべきである。この中断部は亀裂の狭い部分
によって生ずる可能性がある。
は11以下であり、それが5ノより長いと、15dより
著しく幅広い。亀裂の長さ検出の際、約±32dの振れ
をもつその典型的な蛇行経過と1〜2I!、の中断部の
出現を注意すべきである。この中断部は亀裂の狭い部分
によって生ずる可能性がある。
1周期あたり複数の表面欠陥を腰する際、マイクロプロ
セッサのソフトウェアが種々の周期から複数の重要な表
面欠陥を処理し、長さおよび幅を引算するため、それか
ら新しい周期ごとに、実際の表面欠陥が既に処理された
表面欠陥と関連しているかどうかを検査することができ
る。ディジタル画像処理装置が、−の亀裂を解析するた
め、周期ごとに最後の表面欠陥により位置きめされる予
想探索範囲窓を設定することができる。マイクロプロセ
ッサのラフ1−ウェアが、星形亀裂を検出するため、短
い亀裂の累積を解析することができる(集団化)。
セッサのソフトウェアが種々の周期から複数の重要な表
面欠陥を処理し、長さおよび幅を引算するため、それか
ら新しい周期ごとに、実際の表面欠陥が既に処理された
表面欠陥と関連しているかどうかを検査することができ
る。ディジタル画像処理装置が、−の亀裂を解析するた
め、周期ごとに最後の表面欠陥により位置きめされる予
想探索範囲窓を設定することができる。マイクロプロセ
ッサのラフ1−ウェアが、星形亀裂を検出するため、短
い亀裂の累積を解析することができる(集団化)。
別の視覚的な表面欠陥を検出するために、ディジタル画
像処理装置8ないし10がこう配画像プロセッサを備え
ていることができる。また視覚的な表面欠陥を検出する
ために、中間調画像処理装置 設けられて、平均値、分
散あるいは局部整合限界値計算を介して、表面欠陥効果
の画素量解析を行なうことができる。この場合画像処理
は整合装置6のすぐ後て始まる。
像処理装置8ないし10がこう配画像プロセッサを備え
ていることができる。また視覚的な表面欠陥を検出する
ために、中間調画像処理装置 設けられて、平均値、分
散あるいは局部整合限界値計算を介して、表面欠陥効果
の画素量解析を行なうことができる。この場合画像処理
は整合装置6のすぐ後て始まる。
センサ素子3の検査のために、センサ3へ入れられて均
一に拡散した放射を行なう円筒が校正源として使用され
る。センサの検査を行なうために、電子装置箱5が、検
査キーにより駆動可能な計算回路装置(図示せず)をも
ち、この計算回路装置が出力信号のピーク−ピーク値お
よび直流分を測定するかまたは検査することができる。
一に拡散した放射を行なう円筒が校正源として使用され
る。センサの検査を行なうために、電子装置箱5が、検
査キーにより駆動可能な計算回路装置(図示せず)をも
ち、この計算回路装置が出力信号のピーク−ピーク値お
よび直流分を測定するかまたは検査することができる。
さらに電子装M W 5が表示灯をもち、センサ検査の
際センサ素子に異常がないと、表示灯が点灯することが
できる。検査装置に典型的な表面構造をもつ半固定記憶
装置(FROM )を設け、この半固定記憶装置が検査
キーを介してセンサ素子の代りに画像処理装置へ接続可
能であるようにすることも可能である。
際センサ素子に異常がないと、表示灯が点灯することが
できる。検査装置に典型的な表面構造をもつ半固定記憶
装置(FROM )を設け、この半固定記憶装置が検査
キーを介してセンサ素子の代りに画像処理装置へ接続可
能であるようにすることも可能である。
第3図によれば、図示しない鋳造機から到来するビレツ
1−1は、ガス切断機をもつローラテーブル12へ供給
される。ガス切断機も同様に図示してない。ビレットを
所定の長さに切断した後、矢印13で示すようにビレッ
ト1の横移送が行なわれる。横移送によりビレット1は
、図示しない加工装置例えば圧延機の前にある炉へ直接
送られる。
1−1は、ガス切断機をもつローラテーブル12へ供給
される。ガス切断機も同様に図示してない。ビレットを
所定の長さに切断した後、矢印13で示すようにビレッ
ト1の横移送が行なわれる。横移送によりビレット1は
、図示しない加工装置例えば圧延機の前にある炉へ直接
送られる。
横移送から所定の選択基準に従ってビレット1を検査線
路14へ供給することができる。ここでビレットはまず
表面のスケールを除去するスケール除去装置15を通過
する。加圧水によるスケール途去の際、連続鋳造製品が
損傷されないような大きさにスケール除去速度を選ばね
ばならない。
路14へ供給することができる。ここでビレットはまず
表面のスケールを除去するスケール除去装置15を通過
する。加圧水によるスケール途去の際、連続鋳造製品が
損傷されないような大きさにスケール除去速度を選ばね
ばならない。
スケール除去装置15の直後に光学装置16が設けられ
て、大きい通過速度(2m/sまで)および高い温度(
1000°Clにもかかわらず連続鋳造製品1の表面欠
陥2を検出する。この場合第2図に示した装置が用いら
れ、そのセンサ3はビレットlを完全に包囲し、それに
付属して監視器11を出力側に設けられる電子装置箱5
は、センサ3がら空間的に離れて配置されている。
て、大きい通過速度(2m/sまで)および高い温度(
1000°Clにもかかわらず連続鋳造製品1の表面欠
陥2を検出する。この場合第2図に示した装置が用いら
れ、そのセンサ3はビレットlを完全に包囲し、それに
付属して監視器11を出力側に設けられる電子装置箱5
は、センサ3がら空間的に離れて配置されている。
製鋼所の品質部が規定する品質との比較後、装置の17
の所で、ビレット1をさらに検査および再処理のため別
のローラテーブル18へ送るかどうか、あるいはビレッ
ト1を線路19を通しかつ装fi120においてさらに
加工するため解放するかどうかについて、決定が行なわ
れる。
の所で、ビレット1をさらに検査および再処理のため別
のローラテーブル18へ送るかどうか、あるいはビレッ
ト1を線路19を通しかつ装fi120においてさらに
加工するため解放するかどうかについて、決定が行なわ
れる。
本発明による装置では、感度を高めるため画像増幅管ま
たは画像変換管例えばEB−CCDセンサ組合わせの使
用が、近赤外線スペクトル範囲において可能である。放
射熱が漏れないように、しやへい板を設けることもでき
る。
たは画像変換管例えばEB−CCDセンサ組合わせの使
用が、近赤外線スペクトル範囲において可能である。放
射熱が漏れないように、しやへい板を設けることもでき
る。
亀裂の深さを検出するために、画像装置の後に適当な装
置を接続することができる。この装置はうず電流測定法
により動作することができ、このうず電流測定法は検出
された縦亀裂あるいは横亀裂に応じて縦方向あるいは横
方向に使用される。画像処理装置により検出される亀裂
の警報の最終的な発生も、うず電流測定法により共に決
定することができる。
置を接続することができる。この装置はうず電流測定法
により動作することができ、このうず電流測定法は検出
された縦亀裂あるいは横亀裂に応じて縦方向あるいは横
方向に使用される。画像処理装置により検出される亀裂
の警報の最終的な発生も、うず電流測定法により共に決
定することができる。
第1図は表面欠陥として複数の亀裂をもつ連続鋳造ビレ
ットの一部の側面図、第2図は表面欠陥を検出して計算
する装置の構成図、第3図は第2図による装置を備えた
連続鋳造機における方法経過を示す図である。 1・・・連続鋳造ビレットm2・−・表面欠陥(亀裂)
、3・・・センサ、8−/10・・・画像処理装置、1
1・・・監視器。 特許出願人 ライセンティア・パテントーフエルヴア
ルトウンクスーゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレンク
テル・ハフトウンク 第1頁の続き ■発 明 者 力ルルーハインツ・マイニルドイツ連邦
共和国デュースブル ク・ヴアルデルベンヴ工−り38 0発 明 者 ゲルト−ヨーアヒム・デツペドイツ連邦
共和国デュースブル ク・デユーシルシュ1−ラーセ1フ 0発 明 者 ペーテル・ガイスビュッシュドイツ連邦
共和国う−テインゲ ン・アム・ホーレダイ24 @出 願 人 マンネスマン・アクチェンゲゼルシャフ
ト ドイツ連邦共和国デュツセルド ルフ1マンネスマンウーフエル 昭和58年10月2811 Q’!j許庁長官若杉和夫殿 1、事件の表示 +1H和58年特 許 M975180958 JF
3゜2、発明の名称 鋼表面の品質判定方法および装置 3、補正をする者 J+件との関係特許出願人 4、代 理 人 〒103
ットの一部の側面図、第2図は表面欠陥を検出して計算
する装置の構成図、第3図は第2図による装置を備えた
連続鋳造機における方法経過を示す図である。 1・・・連続鋳造ビレットm2・−・表面欠陥(亀裂)
、3・・・センサ、8−/10・・・画像処理装置、1
1・・・監視器。 特許出願人 ライセンティア・パテントーフエルヴア
ルトウンクスーゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレンク
テル・ハフトウンク 第1頁の続き ■発 明 者 力ルルーハインツ・マイニルドイツ連邦
共和国デュースブル ク・ヴアルデルベンヴ工−り38 0発 明 者 ゲルト−ヨーアヒム・デツペドイツ連邦
共和国デュースブル ク・デユーシルシュ1−ラーセ1フ 0発 明 者 ペーテル・ガイスビュッシュドイツ連邦
共和国う−テインゲ ン・アム・ホーレダイ24 @出 願 人 マンネスマン・アクチェンゲゼルシャフ
ト ドイツ連邦共和国デュツセルド ルフ1マンネスマンウーフエル 昭和58年10月2811 Q’!j許庁長官若杉和夫殿 1、事件の表示 +1H和58年特 許 M975180958 JF
3゜2、発明の名称 鋼表面の品質判定方法および装置 3、補正をする者 J+件との関係特許出願人 4、代 理 人 〒103
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 連続鋳造機に光電センサを設け、監視すべき製品を
この光電センサのそばを通過させ、光電センサの出力側
に処理装置を接続して表面欠陥を自動的に検出しかつ計
算する方法において、ます製品(1)のスケールを除去
し、所定時間後短時間露光しながらこの製品(])を電
子カメラのセンサ(3)のそばを通過させ、製品から出
てセンサへ到達する製品の表面放射を計算可能な信号に
変換し、所定の判定基準に従って品質判定のため処理す
ることを特徴とする、鋼表面の品質判定方法、特に高温
連続鋳造製品における亀裂のような表面欠陥の検出方法
。 2 スケール除去を加圧水により行ない、加圧水の作用
個所を、製品(1)の損傷を防止す ・る大きい速度
で製品(])にわたって動かすことを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の方法。 3 連続鋳造ビレットの品質監視のため、スケール除去
装置(15)を製品(1)が高速で通過する際スケール
除去を行ない、同じ速度で製品(1)をセンサ(3)の
そばを通過させることを特徴とする特許請求の範囲第1
項あるいは第2項に記載の方法。 4 連続鋳造スラブあるいは連続鋳造ブルームの品質監
視のため、スケール除去を連続鋳造機で行ない、センサ
(3)による表面検査をスケール除去のすぐ後で行なう
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項あるいは第2項
に記載の方法。 5 監視すべき製品(1)の速度および温度を検出し、
検出結果を表面欠陥(2)の計算に使用することを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 6 監視すべき製品(1)の速度を検出するために光電
センサ(3)を利用することを特徴とする、特許請求の
範囲第5項に記載の方法。 7 監視すべき製品(1)の温度を検出するために光電
センサ(3)を利用することを特徴とする特許請求の範
囲第5項に記載の方法。 8 検出された表面欠陥(2)を割算するためにディジ
タル画像処理(8−10)を使用することを特徴とする
特許請求の範囲第1項あるいは第5項に記載の方法。 9 表面欠陥(2)の長さと幅をその量子化に利用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項あるいは第5項
あるいは第8項に記載の方法。 10 表面欠陥(2)の大きさを分類することを特徴
とする特許請求の範囲第1項、第5項、第8項および第
9項のうちいずれか1つに記載の方法。 11 表面欠陥(2)の位置を自動的に検出して計算す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項、第5項、第
9項および第1O項のいずれか1つに記載の方法。 12 監視すべき製品(1)に関して表面欠陥(2)
の座標を自動的に検出して割算することを特徴とする特
許請求の範囲第1項、第5項、第8項、第9項、第10
項および第11項のいずれか1つに記載の方法。 13 表面および表面欠陥(2)を監視器(11)上
に見えるように表示することを特徴とする特許請求の範
囲第1項、第5項、第8項、第9項、第10項、第11
項および第12項のいずれか1つに記載の方法。 】4 長い残光の監視器(11)を使用することを特徴
とする特許請求の範囲第13項に記載の方法。 15 ハードコピーレコーダを使用することを特徴と
する特許請求の範囲第13項に記載の方法。 16 個々の表面区域を監視器(11)上に静止画像
で表示することを特徴とする特許請求の範囲第13項に
記載の方法。 17 個々の表面区域を監視器(11)上に移動画像で
表示することを特徴とする特許請求の範囲第13項に記
載の方法。 18 表面欠陥(2)の出現を自動的に特定の画像の
凍結に利用し、この画像を続いて呼出して監視器(11
)上に表示することを特徴とする特許請求の範囲第16
項あるいは第17項に記載の方法。 19 画像の=時記憶のためビデオレコーダを使用し
、表面欠陥(2)の出現の際このビデオレコーダにより
最後の画像のプレイバックを行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第18項に記載の方法。 20 画像処理装置により検出される統計的データお
よび供試器標識を監視器(11)の画像へ書込むことを
特徴とする特許請求の範囲第16項あるいは第17項に
記載の方法。 21 表面欠陥(2)が所定の限界値を超過すると警
報信号を発生することを特徴とする特許請求の範囲第1
項、第5項、第8項ないし第13項、第18項および第
19項のいずれか1つに記載の方法。 22 製品(])のスケールを除去し、所定時間後短
時間露光しながらこの製品(1)を電子カメラのセンサ
(3)のそばを通過させ、製品から出てセンサへ到達す
る製品の表面放射を計算可能な信号に変換し、所定の判
定基準に従って品質判定のため処理する装置において、
光電センサ(3)が監視すべき製品(1)を完全に包囲
する所定数のセンサ素子をもち、各センサ素子が製品(
1)の特定の区分を走査し、センサ(3)がその画像信
号を画像処理装置(8−10)へ供給することを特徴と
する、鋼表面の品質判定装置。 ’23 CCD−列センサ組合わせを特徴とする特許
請求の範囲第22項に記載の装置。 24 CCD−マトリックスセンサ構成を特徴とする
特許請求の範囲第22項に記載の装置。 25電子管センサに基く短時間露光カメラを特徴とする
特許請求の範囲第22項に記載の装置。 26 CCD−マトリックスセンサに基く短時間露光
カメラを特徴とする特許請求の範囲第22項に記載の装
置。 27 製品の区分を走査する各センサ素子が、対物レ
ンズを前に設けられて256個の素子からなるフォトダ
イオードの列から構成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第22項ないし第26項のいずれか1つに記
載の装置。 28 刻時パルス発生器がセンサ素子を周期的に駆動
して、1周期あたりの連続する信号が、256個の素子
と区分の数との1乗算によって得られる特定数の画素か
らなることを特徴とする特許請求の範囲第27項に記載
の装置。 29 ディジタル画像処理装置(8−10)が1周期
あたり複数の表面欠陥(2)を解析することを特徴とす
る特許請求の範囲第28項に記載の装置。 30 ディジタル画像処理装置(8−10)が残留ス
ケールである大きい対象物を校正時間において既に抑制
することを特徴とする特許請求の範囲第29項に記載の
装置。 31 マイクロプロセッサのソフトウェアが種々の周
期から複数の重要な表面欠陥(2)を処理し、長さおよ
び幅を引算するため、それから新しい周期ごとに、実際
の表面欠陥(2)が既に処理された表面欠陥(2)とm
ているかどうかを検査することを特徴とする特許請求の
範囲第29項に記載の装置。 32 画像処理装置(8−10)が、斜めの亀裂(2
)を解析するため、周期ごとに最後の表面欠陥(2)に
より位置ぎめされる予想探索範囲窓を設定することを特
徴とする特許請求の範囲第31項に記載の装置 33 マイクロプロセッサのソフトウェアが、星形亀
裂を検出するため、短い亀裂(2)の累積を解析するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第31項に記載の装置。 34 センサ素子が冷却水通路により冷却されること
を特徴とする特許請求の範囲第22項ないし第28項の
1つに記載の装置。 35 複数の出口開口とつながる1つの圧縮空侃通路
が設けられ、汚物を除去するためこれらの出口開口がセ
ンサ素子の対物レンズの前面の前に設けられている、特
許請求の範囲第22項ないし第28項の1つに記載の装
置。 4036 センサ素子が接続ケーブル(
4)を介して、センサ素子の給電装置、2進化装置(7
)および画像処理袋M(8−10)をもつ電子装置箱(
5)に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲
第22項ないし第28項の1つに記載の装置
4137 視覚的な表面欠陥
を検出するために、ディジタル画像処理装置(8−10
)がこう配画像プロセッサを備えていることを特徴とす
る、 1特許請求の範囲第29項に記載の装置。
4238 視覚的な表面欠陥を検出するために
、中間 j調画像処理装置が設けられて、平均値、
分散あるいは局部整合限界値引算を介して、表面欠陥効
果の画累世解析を行なうことを特徴とする特許請求の範
囲第29項に記載の装置。 39 センサ素子の検査のために、センサ(3)
43へ入れられて均一に拡散した放射を行なう円筒が
校正源として使用されることを特徴とする特許請求の範
囲第36項に記載の装置。 センサを検査するために、電子装置箱(5)が検査キー
により駆動可能な引算回路装置をもち、この計算回路装
置が出力信号のピーク−ピーク値および直流分を測定す
るかまたは検査することを特徴とする特許請求の範囲第
39項に記載の装置。 電子袋ffM 箱(5)が表示灯をもち、センザ倹査の
際センサ素子に異常がないと、表示灯b5点灯すること
を特徴とする特許請求の範囲第40項に記載の装置。 画像処理装置を検査する装置が典型的な表酊構造をもつ
半固定記憶装置(FROM )を(ihえ、この半固定
記憶装置が検査キーを介してセンサ素子の代りに画像処
理装置へ接続可能Cあることを特徴とする特許請求の範
囲第39項に記載の装置。 センサ素子の暗流および感度の差をなくし、製品表面の
放射が均一な場合最適に均一な画像信号を発生するため
に、センサ素子の数に対応する数の記憶場所をもつ2つ
の消去可能な半固定記憶装置(EFROM )が設けら
れて、個々のセンサ素子の暗電圧または感度の変動の加
算または乗算信号補償のため8ビツトに量子化された補
正信号を記憶するのに用いられることを特徴とする特許
請求の範囲第22項ないし第28項、第34項ないし第
36項および第39項のいずれか1つに記載の装置。 44 センサ素子に同期して読出し可能なEPROM
のディジタル出力信号が、ディジタル−アナログ変換器
によりアナログ信号に変換されることを特徴とする特許
請求の範囲第43項に記載の装置。 45 センサ素子の出力信号にアナログ加算補正信号
を加算するアナログ加算紫子と、センサ素子の出力信号
を乗算補正するアナログ乗算器とが設けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第43項あるいは第44項
に記載の装置。 46 過露出を回避するためセンサ素子に自動露光装
置が設けられて、センサ(3)の出力電圧が所定値を超
過するのを防止していることを特徴とする特許請求の範
囲第22項ないし第28項、第34項ないし第36項お
よび第43項ないし第45項のいずれか1つに記載の装
置。 47 調整装置が設けられ、高い温度の場合これがセ
ンサ素子の積分時間を自動的に調整して、センサ(3)
の出力電圧が所定値を超過しないようにしていることを
特徴とする特許請求の範囲第48項に記載の装置。 48 監視すべき製品の始端における急激な信号跳躍
の場合、40m5の周期後豆上り過渡状態に達するよう
に、調整装置の調整時定数が選択可能であることを特徴
とする特許請求の範囲第47項に記載の装置。 49 感度を高めるため画像増幅管を使用することを
特徴とする特許請求の範囲第24項に記載の装置。 必パ;上ル 50 近赤外線範囲における感度を高めるために画像
変換管を使用することを特徴とする特許請求の範囲第2
4項に記載の装置。 51 電子衝撃′旧荷結合素子(El’3−CCU
)の組合わせを使用することを特徴とする特許請求の範
囲第24項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE32364164 | 1982-10-01 | ||
DE19823236416 DE3236416A1 (de) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | Verfahren zur qualitaetsbeurteilung von stahloberflaechen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5982150A true JPS5982150A (ja) | 1984-05-12 |
Family
ID=6174698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58180958A Pending JPS5982150A (ja) | 1982-10-01 | 1983-09-30 | 鋼表面の品質判定方法および装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0105401A3 (ja) |
JP (1) | JPS5982150A (ja) |
KR (1) | KR840006699A (ja) |
BR (1) | BR8305413A (ja) |
DE (1) | DE3236416A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3516376A4 (en) * | 2016-09-22 | 2020-05-27 | SSAB Enterprises, LLC | METHODS AND SYSTEMS FOR THE QUANTITATIVE MEASUREMENT OF INNER DEFECTS OF STEEL PRODUCTS IN THE CASTED CONDITION |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100349170B1 (ko) * | 1997-12-11 | 2002-11-18 | 주식회사 포스코 | 열연강판의스케일검지방법및장치 |
FR2887028B1 (fr) | 2005-06-14 | 2007-12-21 | Vai Sias Soc Par Actions Simpl | Procede et dispositif optiques de detection de defauts de surface et de structure d'un produit long en defilememnt |
US8343547B2 (en) * | 2006-08-08 | 2013-01-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solid dosage form comprising solid dispersion |
DE102012206221A1 (de) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Sms Siemag Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächeninspektion von metallurgischen Gießprodukten in einer Produktionslinie |
CN110906890B (zh) * | 2019-11-29 | 2021-03-30 | 河北三和重工装备制造有限责任公司 | 抽油杆跳动度检测方法 |
CN114538088B (zh) * | 2022-02-11 | 2024-02-13 | 珠海市运泰利自动化设备有限公司 | 基于飞拍的高速高精度取放料方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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