JPS5981689A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

Info

Publication number
JPS5981689A
JPS5981689A JP57191450A JP19145082A JPS5981689A JP S5981689 A JPS5981689 A JP S5981689A JP 57191450 A JP57191450 A JP 57191450A JP 19145082 A JP19145082 A JP 19145082A JP S5981689 A JPS5981689 A JP S5981689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
bits
address
display
bit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57191450A
Other languages
English (en)
Inventor
万代 慶昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57191450A priority Critical patent/JPS5981689A/ja
Publication of JPS5981689A publication Critical patent/JPS5981689A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Digital Computer Display Output (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は特に図形表示等に好適する表示装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に表示装置には表示モニタに表示される表示データ
を格納するメモリが設けられている0表示モニタの表示
画面構成が第1図に示されるように1.024 X 1
024ドツトの場合、メモリは1024X1024ビツ
トの容量を必要とする。1024X1024ドツトの表
示画面は、第2図に示されるように各行毎に列方向に所
定ドツト例えば16ドツト単位で区切られ、各領域毎に
順に16ビ、トのメモリアドレスPiが割シ付けられる
。そして各領域に対応する16ビツトの表示7J−タD
n、 16(m”1 )+1 sDn、16(+n−1
)+21・・・・・・・・・・”Dn、16(m−1)
+16 (””1〜.1024.m=1〜64)は第3
図に示されるように1ビット単位でメモリ1νi、  
、M2  、・・・・・・・・・M+6の同一アドレス
位置に分割格納される。
ところで、表示モニタがラスクスキャン型の場合、表示
モニタ上に文字または図形等を表示し、残しておくだめ
には、表示データが格納されているメモリM1〜M16
から一定時間毎に表示データを読み出して表示モーニタ
側に出力し表示するいわゆる画面リフレッシュが必要と
なる。
この場合、メモリM1%Ml、に対するメモリアドレス
(リフレッシュアドレス)i、10,1.2・・・・・
・・・・FFF16(添字の16は16進表示であるこ
とを示す)、0,1.2・・・・・・・・・とシーケン
シャルに更新され、16個のメモリM1〜M16が並列
にリードアクセスされるのが一般的である。これは、メ
モリの読出し時間が一般に表示モニタへのデータ転送時
間よシも長いため、1ビツト当シの読み出し速度を上げ
るためである。
これに対し、メモリM1〜M1gに図形等の表示データ
を書き込む場合には、以下に示すように16ビツト単位
の処理は困難である。一般に図形等のデータは連続した
点の集合である。この連続した点はDDA (Digi
tal DifferentialAnalyzer)
等で発生されるもので、現在の発生点Qから次の発生点
への方向は第4図に示されるようにpl−P、の8通ジ
の可能性がある。
この場合、p、、p、を除く6通シの方向は現在の先生
点とは行が異なるので対応するメモリアドレスも異なる
。このため、2点以上の表示データを同時に書き込むこ
とはできない。なお、PI、P、のように同一行に点か
発生したときにはメモリアドレスが同一となり2点以上
の書き込みも可能である。しかし、この確率はわずか1
/4 (= 25%)であシ、・・−ドウエア構成も複
雑となるため、メモリへの書込みは1ドツト発生毎に行
なわれているのが一般的である。
DDAによる1ドツトの点の発生は例えば約100 n
Rで可能である。これに対しメモリアクセス時間は一般
に400〜500 na必要である。
したがって、メモリへの書込みが1ド&)発生毎に行な
われる従来の表示装置りでは、 DDAは1ドツトの点
を発生した後、対応する点の表示データのメモリへの書
込みが終了するまで約300〜400 n8(表示のだ
めの読み出し時間が更に加算される)次の点の発生を待
だされる欠点があった。すなわち、′従来の表示装置で
は表示データ書き込み時のメモリアクセス速度が遅いた
め、DDAによる点の発生速度の高速性が充分に活かさ
れない欠点があった。また、この欠点を解消するために
は高速メモリを使用すればよいが、高価格となるので実
現性に乏しかった。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたものでその目的は、
メモリ(リフレッシュ・ぐターンメモリ)に対する表示
データの書き込みが複数ドツト単位で行なえ、もって高
速メモリを使用することなく1ドツト当シの書き込み速
度を向上することができ、点列発生の高速化が図れる表
示装置を提供することにある。
〔発明の概要〕 本発明では表示モニタの表示画面分の表示ドツトデータ
(表示データ)が格納されるメモリを、1ワードが2t
ビツトのメモリパンクを2を個用いて構成している。こ
のメモリをアクセスするために表示画面の表示ドツト位
置に対応した行アドレスと列アドレスとからなるアドレ
スが保持されるアドレスレノスタを設けている。
また、本発明では、上記列アドレスの下位tビットに続
くtピッ)xに応じて2を個のメモリパンクに対するア
ドレスの一部となるそれぞれ異なる2を種のtビットデ
ータを生成する手段と、この手段によって生成される上
記2を種のtビットデータを対応する上記2を個のメモ
リパンクへ出力するか、或いは上記行アドレスの下位t
ビットyを上記各メモリパンクへそれぞれ出力するかを
切シ換える選択回路とを設け、上記行アドレスの下位t
ビットを除く上位ビットと上記選択回路から対応するメ
モリパンクに出方されるデータと上記列アドレスの下位
2tビツトを除く上位ビットとの連結情報を当該メモリ
パンクに対するメモリアドレスとしている。こうするこ
とによって表示画面上の行の異なる複数の表示ドラ)f
−夕の書き込みと、同一行の複数の表示ドツトデータの
読み出しが可能となる。
但し、両機能が発揮されるためには、更に次の構成が必
要となる。これは、表示画面中の2′×2′ドツトのマ
トリクスに対応した2L×2Lビツトの表示ドツトデー
タを上記メモリに書き込むために当該r−夕を上記Xに
応じて2′ビットi位で上記2L個のメモリパンクに切
換え出力するマルチルクサと、画面リフレッシュ時に上
記2′個のメモリパンクから読み出される2L×2tビ
ツトの表示ドツトデータの並びを上記yに応じて2′ビ
ット単位で並び換えるガマルチグレクサである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を参照しで説明する。第
5図は表示装置の構成を示すもので、10は図示せぬ表
示モニタに表示される表示データが格納されるリフレッ
シュパターンメモリである。本実施例における表示モニ
タの表示画面構成は従来例と同様に1024XIU24
ドツトである(第1図か照)。メモリ10はメモリ素子
M1/〜M16′から成っている。これらメモリ素子M
l′〜Ml、’は64KXIビツト(但しに〜1024
)のDRAM(Dynamic Ran、dom Ac
cesgMemory)である。したがってメモリ10
は1024X 1024ビツトの容量を有している。1
024X1024ドツトの表示画面は、従来例と同様に
各行毎に列方向に16ドツト単位で区切られ、各領域毎
に順に16ビツトのメモリアドレスPiが割付けられる
(第2図参照)。ところで、1024X1024ドツト
の表示画面の任意のドツト位置の行をn(n=1〜10
24)、列葡P(P=1〜1024)とし、Y = n
 −1、x=p−1とすると、Y、Xはそれぞれ10ビ
ツトで2進表示できる。仮に、メモリ1oが1024行
X1024列のマトリクス構成のIM×1ビット(但し
、M=1024K)DRAMであるものとすると、Y、
Xはメモリ10に対する行アドレス、列アドレスとなる
。しかし、本実施例では、メモリ10は1024行×6
4列のマトリクス構成の64KX1ビットDRAMであ
る16個のメモリ素子M!′〜M、6’から成っておシ
、シたがって、Y(上位アドレス)とX(下位アドレス
)の連結情報のうちXの下位4ビツトを除く情報がメモ
リアドレスPiとなる(第2図参照)。このとき、Xの
下位4ビツトは基本的に16個のメモリ素子M1′〜M
!6′の一つを指定することになる。ここで基本的にと
断わってりるのは次の理由による。すなわち、本実施例
では、1024 X 1024ドツトの表示画面を各行
毎に列方向に16ドツト単位で区切って得られる各領域
に対応する16ビツトの表示データDn、16(m−1
)+l  n、16(m−1)+2”””’Dn1,6
(m−1)+16(n=1〜1021024l〜64)
の各ビット毎の格納先メモリ(メモリ素子M 、’〜M
16′)が従来例のようにビット位置に一義的に対応し
でいないためである。
第6図は本実施例における表示データとメモリ素子M1
′〜M16′との対応圏係の一部を示すもので、上段は
表示データ、下段eJ、割シ轟てメモリ素子である。図
示の如く1行目における各領域の16ビツト表示r−夕
はそのビット位置に対応してM1′〜M、、’が割シ当
てられている。これに対し、2行目における各領域の1
6ビツト表示データは右に4ビット回転/フ卜し/仁状
態のビット位置に対してMl′〜M16’が割9描てら
れている。また、3行目、4行目については、上記16
ビツトの表示データは右にそれぞれ8ピッl−112ビ
ット回転シフトした状態のビット位置に対してM1’〜
M16’が割シ当てられている。明らかなように、メモ
リ素子M1′〜M16′はM1′〜y141のグループ
と、M5′〜M8/のグループと、M9′〜M、2’の
グループと、M13’〜M16’のグループとに分けて
取シ扱われる。これら各グループをメモリバンクと称す
ると、メモリ10は第5図に示さgるように、Ml’〜
M41から成るメモリバンクMB、 と、M5′〜M8
′から成るメモリバンクMB2と、M47〜M12’か
ら成るメモリバンクMB3と、M13’〜M16′から
成るメモリバンクMB4とから構成されることになる。
第7図は上述した表示データとメモリ素子Ml’〜M、
、’との対応関係を第3図の従来例と対比させるために
メモリ内表示データ分割格納図の形で示したものである
。第6図および第7図から明らかなように本実施例では
、第1図の表示画面を各行毎に列方向に16ドツト単位
で区切って得られる領域に対応する16ビツトの表示デ
ータDn+ 16(m−1)+1〜Dn、16(m−1
)+f6 (” = ’ 1024、m=1〜64)の
各ビット毎の割り当て先メモリは、n−1の−[・位2
ビットすなわちYの下位2ビツトが” OO” 、”0
1”甲” 10 ” 。
′11″のいずれであるかによって次のように異なる。
1)”00”の場合 Dn、16(m−1)+I  n、16(m−1)+4
″MBl〜D Dn116(m−1)+5    n、16(m−1)
+8’″MB2〜D Dn、16(ml)+9  n、16(m−1)j12
″MB3〜D Dn、16(ml)−N5   n、16(m−1)+
+6″hi B 4〜D 2)’01”の場合 Dn、16(m−1J+I  n、16(m−1)+4
″M B 2〜D Dn、16(m−1)+5     n、16(m−1
)+8″M B 3〜D Dn、16(m−1)+9  n、16(m−1)+1
2″MB4〜D Dn、16(m−1)+15  n、16(m−1)+
16″M B 1〜D 3)’10’の場合 Dn、16(m−1)+I  n、16(m−1)+4
″MBg〜D Dn、16(m−1)+5〜Dn、16(m−1)+8
→M B 4Dn、16(m−1)+9  n、16(
m−1)+12″MB。
〜D Dn、16(ml)+13   n、16(m−1)+
16″MB2〜D 4)’ 11 ”の場合 Dn 、 j 6 (m−1)+1″′″” + ’ 
6 (m−1)+4°MB4Dn、16(ml)+5 
 1.16(m−1)+8″MBl〜D Dn、16(m−1)+9    n、16(m−1)
+12″M、B2〜D Dn、16(m−1)+13   n、16(m−1)
+16″MB3〜D なお、n([示画回の行位置)−1が16ビツトのメモ
リアドレスPiの上位10ビツト(行アドレスY)に対
応し、m(表示画面の列方向を16列単位で区切った各
区切シに順番に付された番号)−1がメモリアドレスP
iの下位6ビツト(すなわち10ビツトの列アドレスX
の下位4ビツトを除く上位部分)に対応していることは
言う間でもない。
再び第5図を参照すると、11はメモリ10をアクセス
するためのアドレスが保持感れる20ビツトのアドレス
レジスタ(以下、ARと称する)である。ARIJに保
持されるアドレスは表示画面の表示ドツト位置に対応す
る行アドレスY(10ビツト)と列アドレスX(10ビ
ツト)との連結情報である。12td、ARllのビッ
ト0〜ビツト7の出力すなわちYの上位8ビツトの転送
路としてのアドレスバス、ノ3はARIJのビット10
〜ビツト15の出力すなわちXの上位6ビツトの転送路
としてのアドレスバスである。141〜144はARI
Iのビット16.17の出力!(2ビツト)を2ビツト
情報FK変換する変換回路である。変換回路141〜1
440入力Xに対する変換出力Fの関係は第1表に示さ
れる通シである。
第1表 151〜154は選択回路(以下、SELと称する)で
ある。SEL 15. (1=1〜4)は変換回路14
1の出力(F)またはARIIのビット8.9の出力y
(2ビツト)のいずれか一方を選択する。SEL 15
iはマイクロプロセッサなどの上位装置(図示せず)か
らのアクセスの場合変換回路14iの出力(F)を選択
し、画面リフレッシ−のためのアクセスの場合Aktl
lのビット8,9の出力yを選択するようになっている
。しかして、アドレスバス12上の情報(Yの上位8ビ
ツト)と、SEL 15t (i−1〜4)の選択出力
(2ビツト)と、アドレスバス13上の情報(Xの上位
6ビツト)との連結情報は、メモリパンクMBiに対す
るメモリアドレスとして描該メモリバンクMB、に導か
れる。なお、アドレスバス12上の情報はメモリアドレ
スの上位アドレス、アドレスバス13上の情報は同じく
下位アドレスとなる。
16はマイクロプロセッサなどの上位装置(図示せず)
から供給される16ビツトの書き込み用表示データが保
持される書き込みデータレノスタ(以下、WDRと称す
る)、17pJ、マルチプレクサ(以下、MPXと称す
る)である。
MPX 17はWDR16(7)ビット0〜ビツト3の
出力Aが入力される入力端子INIと、同じくビット4
〜ビツト7の出力Bが入力される入力端子IN2と、同
じくビット8〜ビツト11の出力Cが入力される入力端
子INSと、同じくビット12〜ピツト15の出力りが
入力される入力輻1子IN4と、出力端子OUT 1〜
OUT 4とを備えている。MPX 17は入力A〜D
の出力光をkRllのピッ)16.17の出力Xに応じ
て切シ換えるもので、その関係は第2表に示される通り
である。
第2表 MPX 17の出力端子OUT 1〜OUT 4がらの
出力はメモリパンクMDI−MB4に導かれる。
18.19はデマルチプレクサ(以下、DMPXと称す
る)である。DMPX 18 、19はそれぞれメモリ
パンクMBlからの読み出しデータaが入力される入力
端子INJと、メモリパンクMB2からの読み出しデー
タbが入力される入カ端チェN2と、メモリパンクMB
3からの読み出しデータCが入力される入力端子INJ
と、メモリパンクMB、からの読み出しデータdが入力
される入力端子IN4と、出力端子OUT 1〜0UT
4とを備えている。DMPXI B 、 19は入力a
 % dの出力光をそれぞれkRllのピッ)16.1
7の出力x、ARIIのピッ)8.9の出力yに応じて
切シ換え、一定の並びに榎元するもので、その関係は第
3表に示される通りである。
OUT 4からの出力の連結情報(16ビツト)がそれ
ぞれ保持される読み出しデータレソスタ(以下RDRと
称する)である。RDR20の出カ′1メモリ10から
の抗み出しデータとして上位装置(図示せず)に導かれ
る。また、RDR21の出力は1ビツトずつ表示モニタ
(図示せず)に導かれる。すなわちRDR21はシフト
レジスタであ5、RDR,?Jに保持されている16ビ
ツトのデータは上位ビットより順Km示モニタ側にシフ
ト出力される。
次に本発明の一実施例の動作を説明する。ます、画面リ
フレッシ−のためにメモリ10の内容を読み出す場合に
ついて説明する。この場合、読み出し対象となる表示画
面位置に対応するアドレスY十XがARIIに保持され
る。同一の行アドレスYに対する16ビツトの表示デー
タDn、16(m−1)+1  n、16(m−1)+
16の列アト′、xXの下〜D 位4ビットはそれぞれ異なるが、アドレスY十Xとして
は下位4ビツトが無視されてARIIに保持される。な
お、先頭の表示データ’n+16(m−1)+1の行、
列を示すアドレスであってもよい。画面リフレッシュの
場合、5ELJ51〜154はARJJのビット8,9
の出力y1すなわちYの下位2ビツトを選択する。この
結果、メモリバンクMB、−MB、に灼するメモリアド
レスU、Y(10ビツト)と、Xの上位6ビツトとの連
結情報(これは第2図のP、に一致する)となる。しか
して、メモリパンクMB、〜MB4の同一番地からそれ
ぞれ4ビツトの読み出しデータa −dが読み出される
。これらデータa〜dはDMPXI 8 、19の対応
する入力端子IN7〜IN4に入力される。DMPXI
 8 、19は入力端子INJ〜IN4に入力されたデ
ータa −dの出力光を上記y(Yの下位2ビツト)に
応じて切換える。本実施例では画面リフレッシュの場合
、RDR20、21のうちRDR21だけが動作するよ
うになっているので、当該RDR21に対応するDMP
X 19の動作を説明する。DMPX 19はyが00
#の場合、第3表に示したように人力a〜dをそのまま
対応する出力端子OUT 1〜0UT4から出力する。
したがって、RDR21の内容はa、b、c、dの連結
情報となる。これに対し、yがl+01j′の場合、D
MPX 19の出力端子OUT 1〜OUT 4からの
出力は第3表から明らかなようにす、c、d、aとなる
。ところでyが01″の行位置の16ビツトの表示デー
タは、前述したように先頭の4ビツトがメモリパンクM
B。
に、次の4ビツトがメモリパンクM B 3に、更に次
の4ビツトがメモリパンクMB4に−そして後尾の4ビ
ツトがメモリパンクMBIにというように、lバンクず
つずれて格納されている。
そこでDMPX I 9による出力切9換えによって1
パンクのずれを補正することによって表示画面に対応し
て正しくビット配列された16ビツトの表示データDn
H16(m−1)+1  n、16(m−1)+16が
RDR〜D 2ノに読み出される。これは、yが10”、 ”11″
′の場合も同様で、前者の場合には、DMPXI9によ
る出力切り換えで2パンクのずれが補正され、後者の場
合には同じく3パンクのずれが補正される。
次にDDAU路などから発生される点列を上位装置によ
ってメモリ10に書き込む場合について説明する。本実
施例において、メモリ10への書き込みは第1図の鉄水
画面における4X4ドツトを単位として行なわれる。但
し、4X4ドツトのマトリクスの表示画面上の行をk。
がある。したがってに行j列に同心する行アドレスY1
列アドレスXのそれぞれ下位2ビツトは00”である。
4×4ビツトの香き込みの場合、ARIOには対応する
マトリクスの先頭行、先頭列を示す行アドレスYと列ア
ドレスXとの連結情報が保持される。なお、Xの下位2
ビツトが無視されていてもよい。
王位装置からのメモリアクセスの場合、5EL151〜
154は変換回路141〜144の出力Fを選択する。
これら変換回路141〜144の出力Fは前記第1表に
示したように人力XすなわちARIIのピッ)16.1
7の出力の内容によって決定される。このxVi表示画
面を各行毎に列方向に16ドツト単位で区切って得られ
る各領域を更VC4等分した部分領域(4ドツト領域)
を示している。このXをそのままメモリアドレスの一部
として使用したのでは、各メモリバンクMB、−MB4
に対するアドレス位置一となってしまう。この場合、表
示画面上の異なる行位置用のデータがMB、〜MB4の
同じアドレス位置に書き込まれることになp、正しい画
面表示が行なわれなくなってしまう。そこで本実施例で
は、第1表に示したようにメモリパンクMHI−MB4
に対応した変換回路141〜144によシ共通の入力X
に応じてそれぞれ異なる2ビツトの出力Fを変換出力さ
せ、これを行アドレスYの下位ビットとして用いるよう
にしている。また、前述した説明盤ひに第6図、第7図
から明らかなように16ビツトの表示データを4等分し
た%4ビットの割り当て先メモリパンクMB、は固定で
はなく、lバンクずつ順にずらされている。そこで、変
換回路141〜144は、対応する4種の出力FがXの
内容に応じて順にずらされるように(第1安参照)構成
されている。
今、4X4ドツトの書き込みデータが第8図に示される
ようにD5 +6〜Di +8 、D6+ 5〜D8 
+ 8、D7 *B ””’D? Ill 、Ds +
8〜D8 +8であるものとする。
この場合、D5+8に対応するY、X  はY=041
s、X=041.となる。X=0416のとき又はoi
’である。X=″0.1”のとき、変換回路141〜1
44ノ出力Flそレソれ11”、 ”00” 、 ”0
1”。
+lO”となる(第1表参照)。上位装置からのメモリ
アクセスの場合、メモリパンクMBi(i=1〜4)に
対するメモリアドレスは、Yの上位8ビツトと、変換回
路14.の出力Fと、Xの上位6ビツトである。Y=0
4ts、X=0416である本実施例では、Yの上位8
ビツトは00000001”であシ、Xの上位6ビツト
はoooooo″′である。
したがって、メモリパンクMB、−MB4に対するメモ
リアドレスはそれぞれ] C016、l 001g、1
4016.180tsとなる。。
一方 書き込みf−タDs l ’a ””’Di r
 II 、D6 + 5〜D!、8、D7+5 ””’
D7*I s D8+5〜D8+8はWDR16のそれ
ぞれビット0〜3、ビット4〜7、ビット8〜11.ビ
ット12〜15に保持される。
すなわち4×4ドツトのマトリクスに対応したデータは
、行データ単位で行番号の小さい順にWDRJ 6のビ
ット0〜3、ビット4〜7、ビット8〜11.ビット1
2〜15に保持される。
本実施例では、WDR16の出力A−Dはそのままメモ
リ10に専かれていない。これは、上述したように、1
6ビツトの表示データを4等分した各4ビツトの割シ当
て先メモリバンクMBiが固定でなく、lバンクずつ順
にずらされているため、出力A−Dの出力光メモリバン
クMBiを前記Xの内容に応じて切り換える必要がある
からである。この切#)換えを行なうものがMPXI 
7である。本実施例のようにx=″01#の場合、MP
X 17はWDR16の出力A (Ds +5−Ds 
i )、出力B(D6ts〜Dsts)、出力C(D7
15〜D7111)、出力D(Ds + s −I)s
 l g )をそれぞれ出力端子OUT 、?、OUT
 3、OUT 4、OUT lから切シ換え出力する。
これら各出力端子OUT 2 、OUT 3、OUT 
4、OUT 1からの出力はそれぞれ対応するメモリパ
ンクM Bz 、M Bs 、MBa 、MDIに導か
れる。この結果、メモリパンクM B 、の”IC01
6”番地にデータD8,5〜Ds+s(出力D)が書き
込まれ、メモリパンクM B 2の100+s”番地に
データD5 m s ”−Ds + s (出力A)が
書き込まれる。また、メモリパンクMB3の”140t
s’  番地にデータD6,5〜Ds+s(出力B)が
書き込まれ、メモリパンクMB、の1801@”番地に
データD7,5〜n7+s(出力C)が宿き込まれる。
次に画面リフレッシュのためにメモリ10の内容を読み
出す場合について、前回とは異なり具体的に説明する。
すなわち本実施例では@8図に示されるように上述の書
き込今動作でメモリ10に書き込まれたデータD6,5
〜D8+I+を含む表示画面上の同一行に対応する16
ビツトの表示データD6 + 1 ””’、 Ds +
、16 (すなわち行アドレスYが”051g”で列ア
ドレスXが’Oots ”〜″Qp 1. IIで示さ
れる画面位置のデータ)を=1み出すものとする。デー
タDll*S−zng、s l’J上述したようにメモ
リパンクMB、の”140B、” 番地に1″き込まれ
ている。したがって画面リフレッシュにおいてデータD
6,5〜D6.8が読み出されるためにはメモリパンク
MB8に対するアドレスが1401.” 番地とならな
ければならない。この場合、Yは“000000010
1”で、Xの上位6ビツトは°’oooooo” であ
るため、メモリパンクMB。
〜MB4に対するメモリアドレスは14016”番地と
なり、MBaからデータD6,5〜D6.8が正しく読
み出される。また、メモリパンクMB、 。
MB2 、MB4の”l 4016 ”  番地にはそ
れぞれD6す13〜D6 e 16 SDa +17D
6+4 SD6+9ゝD6ツ12が格納されており、し
たがってメモリパンクMB。
〜MB4からの読み出し出力a −dはそれぞれD6+
 13〜D8+111 % D6+l〜Da * 4 
SDa + 5〜D6+8SD6,9〜Da+xtとな
る。そしてこれら読み出し出力a −dはDMPX 1
9によってす、c、d、aに並び換えられる(第3表の
X=”01”の項を参照)。
この結果RDR2Jには16ビツトの表示データDe 
l 1 ” D6 * 18が正しいビット位置に保持
される。
ところで本実施例では、表示画面の4×4ドツトのマト
リクスに対応したデータの読み出しがDMPX 1 B
を介して行なえる。この動作は、前切り換えによってM
PX 17と逆の動作が行なわれる点とが違うだけであ
るので説明を省略する。
なお、前記実施例ではWDR16とRDR20とが独立
して設けられているが、1つのレジスタで兼用するよう
にしてもよい。また前記実施例ではMPX I 7の出
力端子OUT 1〜OUT 4からの出力データが独立
してメモリパンクM、B、−MB4に導かれているが、
OUT 1〜OUT 4からの出力タイミングを変える
ことと、これに合せてメモリパンクMB、−MB4への
蛙き込みタイミングを変えることにより、共通のデータ
ライン(データバス)を介して共通に導くようにしても
よい。これは、メモリパンクMB、−MB4の読み出し
出力とDMPX78 、19との関係についても同じで
ある。
また、前記実施例では、4X4ドツトのマトリクスに対
応した表示データを書き込み対象とする場合について説
明したが、本発明は8×8ドツトのマトリクスに対応し
た表示データの書き込みなどにも応用することができる
。この場合、前記実施例に対し2倍、従来例に対し4倍
の点列発生←i穆曇禰→速度が得られる。なおメモリと
しては8個のメモリ素子からなるメモリパンクが8個必
要となる。但しlメモリ素子の必要容量は前記実施例の
l/4となる。
一般に2×2ドツトのマトリクスに対応した表示データ
を書き込み、同一行の2″X 27ビツトの表示データ
を読み出すためには、1ワードが2′ビツトのメモリパ
ンクを2個必要とする。この場合、前記実施例のx、y
に相当するビット数はそれぞれ!ビットとなる。
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明によれば、表示画面の21X
2Lドツトのマトリクスに対応した領域の表示データを
まとめてメモリに書き込むことができ、かつ表示画面の
同一行の2 L x 2 Lビットの表示データを読み
出すことができる。
すなわち、本発明によれば、高速メモリを使用すること
なく1ドツト当りの畳き込み速度が向上でき、点列発生
の高速化が図れる。しかも画面リフレッシュのための表
示データの読み出しに悪影響を及ばずことはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は表示画面構成例を示す図、第2図は第1図の表
示画面構成に対するメモリアドレス割シ付は例を示す図
、第3図は上記割9付は例に対応する従来のメモリ内表
示データ分割格納例を示す図、第4図は一般的な点発生
方向を示す図、第5図は本発明の入水装置の一実施例を
示すブロック構成図、第6図は上記実施例における表示
データとメモリ素子との対応関係を示す図、第7図は第
6図の関係を第3図と灼比できるようにメモリ内表示デ
ータ分割格納図の形で示す図、第8図は表示画面上の書
き込み対象となる4×4ドツトのマトリクスの−flJ
を示す図である。 10・・・メモリ、11・・・アドレスレジスタ、14
.〜144・・・変換回路、151〜154・・・選択
回路(SEL)、17・・・マルチブレフサ(MPX)
、1B、x9・・・デマルチプレクサ(DMPX)、M
B、〜MB4 ・・・メモリバンク。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ラスクスキャン方式の表示モニタを備えた表示装置にお
    いて、上記表示モニタの表示画面分の表示ドツトデー夕
    が格納されるメモリであって、2′ビツトの表示ドツト
    データが各アドレス位置に格納される2′個のメモリ・
    々ンクと、上記表示モニタの光示画面の表示ドツト位置
    に対応した行アドレスと列アドレスとからなるアドレス
    が保持されるアドレスレジスタと、上記列アドレスの下
    位tビットに続くtビットXに応じて上記2′個のメモ
    リパンクに対するアドレスの一部となるそれぞれ異なる
    2を種のtビ、ソトデータを生成する手段と、この手段
    によって生成される上記2を種のtビットデータの対応
    する上記2を個のメモリパンクへの出力または上記行ア
    ドレスの下位tビットyの上記各メモリ・ぐンクへの出
    力とを切り換える選択回路と、上記行アドレスの下位t
    ビットを除く上位ドツトと」=記選択回路から対応する
    上記メモリパンクに出力さ゛れるデータと上記列アドレ
    スの下位2tビツトを除く上位ビットとの連結情報ヲ蟲
    該メモリパンクに対するメモリアドレスとする手段と、
    上記表示装置の表示画面中の2’X2’ドツトのマトリ
    クスに対応した2L×2tビツトの書き込み用表示ドツ
    トデータを上記Xに応じて2′ビット単位で上記2を個
    のメモリパンクに切換え出力するマルチプレクサと、画
    面リフレッシ一時に上記2を個のメモリパンクから読み
    出される2’X2tビツトの表示ドツトデータの並びを
    上記yに応じて2 ビット単位で並ひ換えるデマルチブ
    レフサとを具備することを特徴とする表示装置。
JP57191450A 1982-10-30 1982-10-30 表示装置 Pending JPS5981689A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57191450A JPS5981689A (ja) 1982-10-30 1982-10-30 表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57191450A JPS5981689A (ja) 1982-10-30 1982-10-30 表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5981689A true JPS5981689A (ja) 1984-05-11

Family

ID=16274825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57191450A Pending JPS5981689A (ja) 1982-10-30 1982-10-30 表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5981689A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60172078A (ja) * 1984-02-17 1985-09-05 株式会社日立製作所 グラフイツクデイスプレイ装置
JPS6162095A (ja) * 1984-09-03 1986-03-29 富士通株式会社 直線表示制御装置
JPS62131289A (ja) * 1985-12-03 1987-06-13 日本電気株式会社 図形表示装置用の記憶回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60172078A (ja) * 1984-02-17 1985-09-05 株式会社日立製作所 グラフイツクデイスプレイ装置
JPS6162095A (ja) * 1984-09-03 1986-03-29 富士通株式会社 直線表示制御装置
JPS62131289A (ja) * 1985-12-03 1987-06-13 日本電気株式会社 図形表示装置用の記憶回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5924111A (en) Method and system for interleaving data in multiple memory bank partitions
US5142276A (en) Method and apparatus for arranging access of vram to provide accelerated writing of vertical lines to an output display
US5283877A (en) Single in-line DRAM memory module including a memory controller and cross bar switches
EP0225059A2 (en) Semiconductor memory
US4845640A (en) High-speed dual mode graphics memory
JPH0141994B2 (ja)
US6035381A (en) Memory device including main memory storage and distinct key storage accessed using only a row address
US4870491A (en) Display control apparatus for supplying display data to raster scanning type display device
US5170251A (en) Method and apparatus for storing high definition video data for interlace or progressive access
US4912658A (en) Method and apparatus for addressing video RAMS and refreshing a video monitor with a variable resolution
JPS5981689A (ja) 表示装置
US5325332A (en) Dual port semiconductor memory device
US3918040A (en) Circuit for the raster writing conversion of data to be reproduced on a video screen
JPS60108953A (ja) メモリデータバスの多重化方法
US5991186A (en) Four-bit block write for a wide input/output random access memory in a data processing system
US4951042A (en) Pixel memory arrangement for information display system
JPS613193A (ja) 画像メモリの書込み/読出し変換方式
US5767831A (en) Dot-matrix display for screen having multiple portions
JP2708841B2 (ja) ビットマップメモリの書き込み方法
JPS5897083A (ja) 縦横変換回路
KR100224807B1 (ko) 반도체 메모리장치 및 고속억세스 방법
JPS63250689A (ja) ラスタ走査表示システム
JPS6352179A (ja) デイスプレイ用ramの配置方法
JPH07110786A (ja) 半導体記憶装置
JPS632117B2 (ja)