JPS5980685A - N−低級アルカノイルグアニン誘導体およびそれを用いる方法 - Google Patents

N−低級アルカノイルグアニン誘導体およびそれを用いる方法

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JPS5980685A
JPS5980685A JP19117482A JP19117482A JPS5980685A JP S5980685 A JPS5980685 A JP S5980685A JP 19117482 A JP19117482 A JP 19117482A JP 19117482 A JP19117482 A JP 19117482A JP S5980685 A JPS5980685 A JP S5980685A
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JP
Japan
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guanine
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alkanoylguanine
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JP19117482A
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English (en)
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Takao Takatani
高谷 隆男
Takashi Ogino
隆 荻野
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Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はグアニン誘導体の新規な製造法および該製造
法で使用される新規な合成中間体に関し、さらに詳しく
は一般式 (式中、A およびA は低級アルキレン基、点線はグ
アニン環の乙8位もしくは8.9位が二重結合であるこ
とをそれぞれ意味する) な製ヤよびこの製造法で使用される新規な中間体に関す
るものである。
グアニン誘導体[1]は抗ビールス作用を有する化合物
として特開昭51−54589号公報に記載されている
。北治セ=ネネ=そして、その製造法としては、次の方
法が知られている。
バ しかしながら、これらいずれの方法も目的物の収率がそ
れぞれ16.1%、8.8チ、10.5%と極めて低く
、工業的に充分ではない。
この発明の発明者らは工業的に有利な方法を開発すべく
鋭意研究の結果、入手が容易なN−低級アルカノイルグ
アニン[1Fまだはその塩から出発して、新規でかつ安
定な中間体を経由することによシ、僅か2工程でグアニ
ン誘導体[11を極めて容易にかつ収率良く製造できる
という新知見を得、この発明を完成した。
メ      この発明によるグアニン誘導体[11お
よびその塩の製造法の概略を示すと次の通9である。
Fザ’−0−A ”−0−A2−0−F ”     
   [11110 (式中、R1、R2およびR3は低級アルカノイル基、
A1 およびA2は低級アルキレン基、点線はグアニン
環の乙8位もしくは8,9位のいずれかが二重結合であ
ることをそれぞれ意味する)この発明の方法で使用され
るN−低級アルカノイルグアニンは前記の一般式[1F
で表わされるが、サラニ詳細にはホルミル ル、イソプロピオール、ブチリル、イソブチリル、パV
リル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイ/I/等
の低級アルカノイル基をR として有する化合物を意味
する。そしてその塩としては、塩酸、臭化水素酸、ベン
ゼンスルホン酸等の無機酸もしくは有機酸との塩が挙げ
られる。
もう一方の原料化合物は前記の一般式(組で表わされる
が、さらに詳細には、前記のような低級アルカノイル基
をR およびR として有し、メチレン、エチレン、プ
ロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチ
レン、ヘキザメチレン等の低級アルキレン基をA およ
びA として有する化合物を意味する。
この反応は、通常溶媒の非存在下で行われるが、ベンゼ
ン、トルエン、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等の
溶媒の存在下に反応を行ってもよい。
まだ、この反応はメタンスルホン酸、ヌルホ酢酸、o 
−”!タハpーニトロベンゼンヌルホン酸、スルファニ
ル酸、スルファミン酸、ビス(p−ニトロフェニル)リ
ン酸等のプロトン酸の存在下で行うと、好収率で化合物
rlV]が得られることが多い,反応温度は特に限定さ
れないが、通常加温もしくは加熱下、例えば溶媒の沸点
程度の温度で、また溶媒を使用しない場合は100°C
〜250°C程度の瀦、度で反応を行うのが好ましい。
このようにして得られるN−低級アルカノイルクアニン
誘導体FIV]の塩としては、原料イし合物[1]の塩
として例示しだようなものが挙げられる。
このようにして得られるN−低級アルカノイルグアニン
誘導体(V)は、一般式 で表わされる化合物と、一般式 ○ で表わされる化合物との混合物として得られることがあ
る。これらの混合物は所望により公知の方法、例えばク
ロマトグラフィー、分別結晶などの任意の手段で単離、
精製することができるカニ、特に単離、精製することな
く次の説アルカノイル応に付しても良い。この段階で中
用j体( IV a. 〕と(IVb]を単離しないで
次の脱アルカノイル 合には、脱アルカノイル反応後に雨具1生イ本を分離し
てもよい。
N−(IL級アルカノイルグアニア誘導(n−IJV3
まだはその塩の脱アルカノイル反応は、・ljt用の+
ICアシル化反応、すなわち、N−低級アルカノイルり
゛アニン誘導体[Th’lまだはその塩を、酸もしくは
塩基で無溶媒下もしくは不活性溶媒中で処用↓すること
により行われる。溶媒中で反応を行う場合の溶媒として
は例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、エチレンク゛リコール等のアルコール類、
ジエチルエーテル、テトラノ\イドロフラン等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒
、クロロホルム、塩(L.メーy−vン、四塩化炭素等
の/10ゲン化炭イヒ水素類、ジメチルホルムアミドの
ごときアミド類など75−挙げられる。この反応で使用
される酸としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸などの無機
酸、義酸、西ト酸、プロピオン酸、ベンゼンヌ)L/7
1zン酸,p−)/レエンヌルホン酸などの有機酸が挙
げられ、まだ塩基トシては、アンモニア、ジメチルアミ
ン、トリエチルアミン、N、N−ジメチルアニリン、N
、N−シペンシルアミン、ピリジン、ピコリン等の窒素
含有i基、ナトリウムメトキシド゛、ナトリウムメトキ
シド、カリウム−t−ブトキシドなどのアルカリ金属ア
ルコキシド、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどの
水素化アルカリ金属、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ムなどの水酸化アルカリ金属、水酸化マグネシウム、水
酸化カルシウムなどの水酸化アルカリ土類金属、炭酸す
) IJウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属、炭
酸マグネシウム、炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ土類
金属、炭酸水素すl・IJウム、炭酸水素カリウムなど
の炭酸水素アルカリ金属などが挙げられる。これらのう
ち、塩基、殊に窒素含有塩基が特に好ましい。なお、酸
または塩基が液体の場合には、溶媒を兼ねて使用するこ
ともできる。
この発明の方法で得られるN−低級アルカノイルグアニ
ン誘導体[1■1は新規であり、前記のグアニン誘導体
[]およびその塩への優れた合成中間体として有用であ
る。
次に、この発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例1 (i)  N−アセチルグアニン(3,6y)および2
−アセ1−キシエ1−キシメチル アセテート(4y)
をフラスコに入れ攪拌しなから外温180°Cに加熱す
る。これにビス(p−ニトロフエニ71z)リン酸(0
,2y)を一度加えた後、同温度で6分間、さらに減圧
(40yymHy)下に同温度で60分間攪拌する。反
応液を室温まで冷却した後、少量のクロロホルムに溶解
し、シリカゲル(メルク社製、100.5’)カラムク
ロマトグラフィー(クロロホルムとメタノールの混合溶
媒10:1により溶出)に付す。先に溶出してくる目的
物を含むフラクションを集め、溶媒を減圧留去すると白
色結晶のN−アセチルー7−(2−アセトキシエ1−キ
シメチ/L/)グアニン(1,5y 26.1%)を得
る。融点175〜178°C。
イ亥磁気共鳴y、ペク)/L’(DMSO−d6;60
MHz)pI)]T]1.95(3H,S)、2.20
(3H,s)、3.67〜3.83(2H,m)。
4.00〜4.16(2H,m)、5.68(2H,s
)、8.33(II−T、s)。
11.67〜12D5(2H,b−s、  )赤外線吸
収スペクト′しくヌジョー/I/)3250、.512
0,1740.1670〜1700.1650aaマヌ
ヌペクトル(mle ) 、509.2’67.22.5,151後に溶出してく
る目的物を含むフラクションから溶媒を減圧留去すると
白色結晶のN−アセチ/l/−9197℃ 核磁気共鳴ヌペクトル(DMSO−d 6 、60MH
z ) ppm1.93(3H,s)、 2.17(3
H,s)、’3.63〜6.77(2H,m)、4.0
0〜4.17(2H,m)、5.47(2H,s)。
8.10(IH,S)、、11.8〜11.95 (2
H,b、 s 、 )赤外線吸収スペクトル(ヌジョー
/I/)3150〜3200.1720.1650〜1
700.1600n ’マスヌベクトル(mle) 609.267、207.151 欠チル)クアニベ20y)を17%アンモニア−メタノ
ールR1(100txt )に溶解し、密栓して室温で
2日間放置する。反応液から溶媒を減圧留去し、得られ
た残渣をニー7−/I/でよく洗浄後残渣を90%エタ
ノールから再結晶すると、白色結晶の9−(2−ヒドロ
キシエトキシメチル)グアニン(1,2P’  82.
7%)を得る。融点251〜256°C(分解) 赤外線吸収スベクl−/l’ (ヌジョール)3450
.3300.3200.1720.163011m核磁
気共鳴7.ヘクトル(DMS O’l b 、60 J
viE(z ) p pry3.53(4[(、m)、
4.67(IH,b、s、)、5.40(2H,s)。
6.53+2H,b、s  )、7.83(IH,s)
、10.80(1H,b、 8. ) (6)N−アセチ71/−7−(2−アセ1−ギシエト
キシメチル)グアニン(1,0y)を20%アンモニア
−メタノ−/I/液(50ml )に溶解し、密栓して
1夜放置する。反応液をろ過して析出物を集め、メタノ
ールから再結晶すると、白色結晶の7−(2〜ヒドロキ
シエトキシメチ/L’ ) クアニン(0,413y6
−6.0%)を得る。融点270°C赤外線吸収ヌペク
ト/しくヌジョー/I/)5500.5150.165
0〜168CJ、1615cm−1核磁気共鳴スヘク1
−ル(DMSO−d6,60rvIH2)ppn13.
50(41(、m)、5.63(21−1,s)、6.
23(’2EI。
b、s、)、8.10(1)T、s) 特γF出願人 藤沢薬品工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)一般式 (式中、RおよびRは低級アルカノイル基、A1および
    A2は低級アルキレン基、点線はグアニン環の7.8位
    もしくは8.9位のいずれかが二重結合であることをそ
    れぞれ意味する)で示されるN−低級アルカノイルダア
    ニン誘導体およびその塩。 (2)一般式 (式中、R1およびR2は低級アルカノイル基、A1お
    よびA は低級アルキレン基、点線はグアニン環の乙8
    位もしくは8.9位のいずれがが二重結合であることを
    それぞれ意味する)で示されるN−低級アルカノイルグ
    アニン誘導体またはその塩を脱アルカノイル反応にイー
    シて、一般式 (式中、AI 、p、2および点線はそれぞれ前と同じ
    意味) で示されるグアニン誘導体重だはその塩を得ることを特
    徴とせるグアニン誘導体の製造法。 (6)式 (式中、R2は低級アルカノイル基を意味せる)で示さ
    れるN−低級アルカノイルグアニンまだはその塩と、式 R3−0−A1−0−A2−0−R’ (式中、R1およびR3は低級アルカノイルA および
    A は低級アルキレン基をそれぞれ意味する) で示される化合物を反応させて、一般式(式中、R  
    、R  、A  およびA はそれぞれ前と同じ意味で
    あり、点線はグアニン環の7。 8荀もしくは8,9位が二重結合であることを意味する
    ) で示されるN−低級アルカノイルグアニン誘導体1だけ
    その塩を得、次いでこれを脱アルカノイル反応に付して
    、一般式 (式中、A1、A2および点線はそれぞれ前と同じ意味
    ) で示されるグアニン誘導体またはその塩を得ることを特
    徴とするグアニン誘導体の製造法。
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Cited By (6)

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