JPS597954A - 縮小投影式露光装置 - Google Patents
縮小投影式露光装置Info
- Publication number
- JPS597954A JPS597954A JP57117528A JP11752882A JPS597954A JP S597954 A JPS597954 A JP S597954A JP 57117528 A JP57117528 A JP 57117528A JP 11752882 A JP11752882 A JP 11752882A JP S597954 A JPS597954 A JP S597954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- exposure
- projection type
- exposure mask
- stages
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、縮小投影式露光装置に係り、特にホトレジス
トを被覆した半導体基板上に露光像を転写する結党マス
ク上の塵埃の内蕗光像に欠陥を生じさせる露光マスクの
明部に存在するものを自動的に検出し、その欠陥部を直
接目視によシ確認可能とすることにより、露光マスク交
換時の能率を向上させるとともに装置そのものの効率的
運用を画９得る縮小投影式露光装置に関する。
トを被覆した半導体基板上に露光像を転写する結党マス
ク上の塵埃の内蕗光像に欠陥を生じさせる露光マスクの
明部に存在するものを自動的に検出し、その欠陥部を直
接目視によシ確認可能とすることにより、露光マスク交
換時の能率を向上させるとともに装置そのものの効率的
運用を画９得る縮小投影式露光装置に関する。
最近の超高集積度半導体デバイスの製造工程の如く高解
像力を要求される縮小投影式露光装置において、露光マ
スク像の欠陥の管理は非常に重要なものとなっておシ、
特に常時、付着の可能性のある塵埃による欠陥は半導体
基板上から得られる半導体素子の良品率を左右する重要
な賛素になっている。
像力を要求される縮小投影式露光装置において、露光マ
スク像の欠陥の管理は非常に重要なものとなっておシ、
特に常時、付着の可能性のある塵埃による欠陥は半導体
基板上から得られる半導体素子の良品率を左右する重要
な賛素になっている。
従来の縮小投影式露光装置における塵埃による欠陥の管
理は、露光台に形成される半導体基板上のホトレジスト
・パターンによってのみなされ、これに要する時間、労
力は計９しれなく、また、手作業による誤認等はその后
に処理される半導体基板の良品率を大きく左右する。
理は、露光台に形成される半導体基板上のホトレジスト
・パターンによってのみなされ、これに要する時間、労
力は計９しれなく、また、手作業による誤認等はその后
に処理される半導体基板の良品率を大きく左右する。
本発明は、上述の従来の方法の持つ問題点と危険性を除
去し、塵埃による露光マスク像の欠陥を自動的に検出し
、その欠陥部を直接目視での確認を可能とし、これによ
シこの欠陥が半導体素子に影響を与える危険性の有無を
その場で判断することを可能と１７、作業効率を飛躍的
に向上させ、また、装置そのものの効率的運用を可能と
し得る素子パターン欠陥自動検出機構を具備する縮小投
影式露光装餡を提供することを目的とする。
去し、塵埃による露光マスク像の欠陥を自動的に検出し
、その欠陥部を直接目視での確認を可能とし、これによ
シこの欠陥が半導体素子に影響を与える危険性の有無を
その場で判断することを可能と１７、作業効率を飛躍的
に向上させ、また、装置そのものの効率的運用を可能と
し得る素子パターン欠陥自動検出機構を具備する縮小投
影式露光装餡を提供することを目的とする。
本発明は、前述の如く露光マスクに描かれた像をホトレ
ジストを被覆した半導体基板上に緯光転写させる縮小投
影式露光装置において、露光マスク上のチリ、ホコリ等
の塵埃による素子パターンの欠陥を例えば２組の鯖光マ
スク観察光学系を同時スキャンニングさせ、勧光マスク
上の複数の素子パターンの各々同一パターンを比較検査
することにより自動的に検出し、この検出された欠陥は
、これらの２組の観原光学系を通（７て直接目視により
確認し得ることを特徴とする素子パターン欠陥自動検出
機構を具備する縮小投影式露光装置である。
ジストを被覆した半導体基板上に緯光転写させる縮小投
影式露光装置において、露光マスク上のチリ、ホコリ等
の塵埃による素子パターンの欠陥を例えば２組の鯖光マ
スク観察光学系を同時スキャンニングさせ、勧光マスク
上の複数の素子パターンの各々同一パターンを比較検査
することにより自動的に検出し、この検出された欠陥は
、これらの２組の観原光学系を通（７て直接目視により
確認し得ることを特徴とする素子パターン欠陥自動検出
機構を具備する縮小投影式露光装置である。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図は、本発明の詳細な説明図である。図中、１
は露光マスク、２は露光マスク上の塵埃、３は左視野観
察光学系（Ｘステージに固定）、４は右視野観察光学系
（Ｘ方向に可動）、５けＸステージ、６はＸステージ、
７はＴＶカメラ、８はＴＶモニター、９は検出された露
光マスク像の欠陥、１０は検査開始位置を各々示すもの
とする。
る。第１図は、本発明の詳細な説明図である。図中、１
は露光マスク、２は露光マスク上の塵埃、３は左視野観
察光学系（Ｘステージに固定）、４は右視野観察光学系
（Ｘ方向に可動）、５けＸステージ、６はＸステージ、
７はＴＶカメラ、８はＴＶモニター、９は検出された露
光マスク像の欠陥、１０は検査開始位置を各々示すもの
とする。
本縮小投影弐露光装置における露光マスク像の欠陥検査
は、捷ず、Ｘステージ５及びＸステージ６を手動で動作
させ左視野観察光学系４を露光マスク１上の素子パター
ンの検査開始位＠１０にセットする。この位置で右視野
観察光学系４を動作させ隣接する素子パターンの上記検
査開始位［１０と同一パターンが観察できる位置にセッ
トする（この場合図示されていない機構によ＃）Ｘステ
ージ５の動作方向と露光マスク像との平行があらかじめ
調整されているものとする）。欠陥検査はＸステージ５
及びＸステージ６のラスタースキャンニングをこの間Ｔ
Ｖカメラ７から得られる左右視野の両画像を比較検査し
片側のしにしか存在しない露光マスク像を欠陥と判断し
、その場でステージは停＋）−ＬＪＩ報を発する。この
時ＴＶモニタ８には検出された欠陥９が１決［２出され
、作業の４ｖ誌を待つ。作業者はこの欠陥が実際に素子
の品質及び性能に態形Ｗを及トチすものであるかを判断
し次の指示を入力する。
は、捷ず、Ｘステージ５及びＸステージ６を手動で動作
させ左視野観察光学系４を露光マスク１上の素子パター
ンの検査開始位＠１０にセットする。この位置で右視野
観察光学系４を動作させ隣接する素子パターンの上記検
査開始位［１０と同一パターンが観察できる位置にセッ
トする（この場合図示されていない機構によ＃）Ｘステ
ージ５の動作方向と露光マスク像との平行があらかじめ
調整されているものとする）。欠陥検査はＸステージ５
及びＸステージ６のラスタースキャンニングをこの間Ｔ
Ｖカメラ７から得られる左右視野の両画像を比較検査し
片側のしにしか存在しない露光マスク像を欠陥と判断し
、その場でステージは停＋）−ＬＪＩ報を発する。この
時ＴＶモニタ８には検出された欠陥９が１決［２出され
、作業の４ｖ誌を待つ。作業者はこの欠陥が実際に素子
の品質及び性能に態形Ｗを及トチすものであるかを判断
し次の指示を入力する。
以上の様に本発明によシ、露光マスク像の欠陥検査は自
動的に実施され、検出された欠陥は、作業者が目視によ
り面接確認することが可能となり、作業者を従来の様な
蕗光眉の半導体基板−Ｈに形成されたホトレジスト・パ
ターンを顕微鏡により目視によって検介するといった重
労働から開放するとともに、装置そのものの効率的運用
が飛躍的に向−ヒぜしめることが可能となる。従って、
本発明の実用上の効果は極めて大きい。
動的に実施され、検出された欠陥は、作業者が目視によ
り面接確認することが可能となり、作業者を従来の様な
蕗光眉の半導体基板−Ｈに形成されたホトレジスト・パ
ターンを顕微鏡により目視によって検介するといった重
労働から開放するとともに、装置そのものの効率的運用
が飛躍的に向−ヒぜしめることが可能となる。従って、
本発明の実用上の効果は極めて大きい。
第１図は、本発明の一実施例の説明図である。
尚、図中、１・・・・・・露光マスク、２・・・・・・
露光マスク上の塵埃、３・・・・・・左視野観察光学系
、４・・・・・・右視野観察光学系、５・・・・・・Ｘ
ステージ、６・・・・・・Ｘステージ、７・・・・・・
ＴＶカメラ、８・・・・・・ＴＶモニター、９・・・・
・・検出された露光マスク像゛の欠陥、１０・・・・・
・検査開始位置でおる。
露光マスク上の塵埃、３・・・・・・左視野観察光学系
、４・・・・・・右視野観察光学系、５・・・・・・Ｘ
ステージ、６・・・・・・Ｘステージ、７・・・・・・
ＴＶカメラ、８・・・・・・ＴＶモニター、９・・・・
・・検出された露光マスク像゛の欠陥、１０・・・・・
・検査開始位置でおる。
Claims (1)
- 結党マスクとホトレジストを被覆した半導体基板とを位
置合わせして露光を施こす縮小投影式露光装置において
、該露光マスク上のチリ、ホコリ等の塵埃の内、縮小投
影露光に際してノーターン欠陥となり得るものを自動的
に検出し、その欠陥を直接目視確認可能な手段を具備し
たことを特徴とする縮小投影式露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117528A JPS597954A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 縮小投影式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117528A JPS597954A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 縮小投影式露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597954A true JPS597954A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14714015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57117528A Pending JPS597954A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 縮小投影式露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597954A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4980976A (ja) * | 1972-12-11 | 1974-08-05 | ||
| JPS5232676A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-12 | Fujitsu Ltd | Pattern check system |
| JPS5238887A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Agency Of Ind Science & Technol | Apparatus for inspection of pattern defects |
| JPS5265671A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-31 | Nippon Jidoseigyo Ltd | Apparatus for testing defects in pattern |
| JPS5740926A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-06 | Nec Corp | Device for projection and exposure |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57117528A patent/JPS597954A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4980976A (ja) * | 1972-12-11 | 1974-08-05 | ||
| JPS5232676A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-12 | Fujitsu Ltd | Pattern check system |
| JPS5238887A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Agency Of Ind Science & Technol | Apparatus for inspection of pattern defects |
| JPS5265671A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-31 | Nippon Jidoseigyo Ltd | Apparatus for testing defects in pattern |
| JPS5740926A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-06 | Nec Corp | Device for projection and exposure |
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