JPS5977402A - 光リンク - Google Patents
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- JPS5977402A JPS5977402A JP57186688A JP18668882A JPS5977402A JP S5977402 A JPS5977402 A JP S5977402A JP 57186688 A JP57186688 A JP 57186688A JP 18668882 A JP18668882 A JP 18668882A JP S5977402 A JPS5977402 A JP S5977402A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 210
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 102
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 21
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 abstract description 57
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 54
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 241000600169 Maro Species 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/4206—Optical features
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光リンクに係り、特に光リンクの光結合機構に
関するものである。
関するものである。
発明の技術的背現とその問題点
光送信部および先導波路、光受信部により構成される伝
送ユニットを光リンクと称する。この光リンクの一部で
ある双方向光リンクを第1図を参照して説明する。第1
図において、光フアイバ伝送の際、2芯光フアイバコー
ド(1)は2芯光コネクタプラグ(2)に固着されてい
る。送信モジコール部と光受信モジコール部とからなる
半導体ユニット(図示せず)を固着した光コネクタリセ
プタクル(3)と、この光コネクタプラグ(2)とは嵌
合して双方向光リンクを構成する。なおく4)、(5)
は光ファイバをプラスチック等で被覆したフェルルであ
る。
送ユニットを光リンクと称する。この光リンクの一部で
ある双方向光リンクを第1図を参照して説明する。第1
図において、光フアイバ伝送の際、2芯光フアイバコー
ド(1)は2芯光コネクタプラグ(2)に固着されてい
る。送信モジコール部と光受信モジコール部とからなる
半導体ユニット(図示せず)を固着した光コネクタリセ
プタクル(3)と、この光コネクタプラグ(2)とは嵌
合して双方向光リンクを構成する。なおく4)、(5)
は光ファイバをプラスチック等で被覆したフェルルであ
る。
この双方向光リンクの信号伝〕スの大略(j、一方の光
送信部から発せられた光信号が1本の光ファイバに光結
合し伝送した後他端の光受信部に光結合することによっ
て行われる。
送信部から発せられた光信号が1本の光ファイバに光結
合し伝送した後他端の光受信部に光結合することによっ
て行われる。
次に第2図を参照して双方向光モジュールと光ファイバ
の光結合機構を説明する。ここでは先生ツタ多層配線基
板<11)上に送信モジコール(12〉と受信モジュー
ル(13)を搭載し、この送信モジコール(12〉には
LED(14)とドライバIC(15)及び抵抗(25
)等がマウント、ボンディングされており、同様に受信
モジコール(13)にはP I N−PD (16)と
レジ−t< I C(17) 及ヒバイパスコンデンサ
(18)等がマウン1〜、ボンディングされている。そ
して各々のモジュール(12)、(13)には中央に透
明部材例えばガラス製の窓部(19)を有し他の部分は
コバール材からイ【るシェル(20)が設(′)られ、
このシェル(20)の周)η部はメタライズ層を介して
リング状のセラミック3− (21)にろう付すされlこシールリング(22)にシ
ーム溶接することにより気密封止され高信頼性の半導体
ユニットが構成されている。ここで、(23)は光ファ
イバであり、光ファイバ(23)は光を伝送するコア(
図示せず)の周囲を保護部材部らクラッド(図示せず)
で被覆し構成されている。
の光結合機構を説明する。ここでは先生ツタ多層配線基
板<11)上に送信モジコール(12〉と受信モジュー
ル(13)を搭載し、この送信モジコール(12〉には
LED(14)とドライバIC(15)及び抵抗(25
)等がマウント、ボンディングされており、同様に受信
モジコール(13)にはP I N−PD (16)と
レジ−t< I C(17) 及ヒバイパスコンデンサ
(18)等がマウン1〜、ボンディングされている。そ
して各々のモジュール(12)、(13)には中央に透
明部材例えばガラス製の窓部(19)を有し他の部分は
コバール材からイ【るシェル(20)が設(′)られ、
このシェル(20)の周)η部はメタライズ層を介して
リング状のセラミック3− (21)にろう付すされlこシールリング(22)にシ
ーム溶接することにより気密封止され高信頼性の半導体
ユニットが構成されている。ここで、(23)は光ファ
イバであり、光ファイバ(23)は光を伝送するコア(
図示せず)の周囲を保護部材部らクラッド(図示せず)
で被覆し構成されている。
従来、送信部即ち送信モジュール(12)において、L
ED(14)から一定の放射角をもって発せられた光は
平行板状の窓部(19)を通過し、広がり光ファイバ(
23)の端面に照削される。この様にして光が光ファイ
バ(23)に光結合される。そこで、光結合効率(′t
E)を1−ED(14)から発せられた光のうち光ファ
イバ(23)で伝送される光の割合ど定義してみる。す
ると、光結合効率(〃E)に寄与する要因としては、L
ED(14)発光面と光ファイバ(23)di面の距1
lllllがある。この関係となる。
ED(14)から一定の放射角をもって発せられた光は
平行板状の窓部(19)を通過し、広がり光ファイバ(
23)の端面に照削される。この様にして光が光ファイ
バ(23)に光結合される。そこで、光結合効率(′t
E)を1−ED(14)から発せられた光のうち光ファ
イバ(23)で伝送される光の割合ど定義してみる。す
ると、光結合効率(〃E)に寄与する要因としては、L
ED(14)発光面と光ファイバ(23)di面の距1
lllllがある。この関係となる。
式(A>より明らかであるが、光結合効率(i7.E)
4− を高めるにはLED(14)発光面と光ファイバ(23
)端面とを近づければ良い。しかしながら1−ED(1
4)のボンディングワイヤー、ドライバIC(15)等
の高さおよび窓部(19)の厚さの関係から、I−ED
(14)発光面と光ファイバ(23)端面との距離は略
0.7乃至略1.Omm稈度が限度である。例えば0.
3mmx0.3mmの1−FD(111>とo、smm
φコア(開口数0.4)の光ファイバ(23)を用いる
と’2Fは略5%1メ下程度である。そこで光結合効率
(飢)に寄与する第2の要因は、LED(14)から発
せられる光の放射角(OE)である。したがって、光の
放射角(OE)を小さく、即ちビーム径を小さくするこ
とにより光ファイバ(23)のコアと光の照射面積との
面積差を小さくする方法である。そこで光の放射角(θ
、)と光結合効率(’2.E)式(B)より明らかであ
るが、光結合効率(り、)を高めるには光の放射角(O
E)メを小さくすれば良い。
4− を高めるにはLED(14)発光面と光ファイバ(23
)端面とを近づければ良い。しかしながら1−ED(1
4)のボンディングワイヤー、ドライバIC(15)等
の高さおよび窓部(19)の厚さの関係から、I−ED
(14)発光面と光ファイバ(23)端面との距離は略
0.7乃至略1.Omm稈度が限度である。例えば0.
3mmx0.3mmの1−FD(111>とo、smm
φコア(開口数0.4)の光ファイバ(23)を用いる
と’2Fは略5%1メ下程度である。そこで光結合効率
(飢)に寄与する第2の要因は、LED(14)から発
せられる光の放射角(OE)である。したがって、光の
放射角(OE)を小さく、即ちビーム径を小さくするこ
とにより光ファイバ(23)のコアと光の照射面積との
面積差を小さくする方法である。そこで光の放射角(θ
、)と光結合効率(’2.E)式(B)より明らかであ
るが、光結合効率(り、)を高めるには光の放射角(O
E)メを小さくすれば良い。
そこで光の放削角(OE)を小さくする具体的手段の一
つを第3図を参照して説明する。第3図において、送信
部(40)は次のように構成されている。即ち、メタル
ヘッダー(31)上に球状ガラス(32)を載置したl
−F D (33>が銅板(34)を介して載置されて
いる。リードビン(36)は銅板(34)と電気的に接
続している。又、リードビン(37)はメタルヘッダー
(31)を貫通植設してボンディング線(38)よりL
FD(33)に接続している。メタルヘッダー(31)
に植設された第3のリードビン(35)は空ビンである
。このメタルへラダー(33)はメタルシェル(39)
により気密封じされている。さらにメタルシェル(39
)の透明部材(41)を介して光ファイバへLED(3
3)からの光信号が送信される。
つを第3図を参照して説明する。第3図において、送信
部(40)は次のように構成されている。即ち、メタル
ヘッダー(31)上に球状ガラス(32)を載置したl
−F D (33>が銅板(34)を介して載置されて
いる。リードビン(36)は銅板(34)と電気的に接
続している。又、リードビン(37)はメタルヘッダー
(31)を貫通植設してボンディング線(38)よりL
FD(33)に接続している。メタルヘッダー(31)
に植設された第3のリードビン(35)は空ビンである
。このメタルへラダー(33)はメタルシェル(39)
により気密封じされている。さらにメタルシェル(39
)の透明部材(41)を介して光ファイバへLED(3
3)からの光信号が送信される。
の
に発光素子(40)m光結合効率(りE)は向上するが
、光を受信する側の受光素子のPIN−PDに球状ガラ
スを固着しても光ファイバから発せられた光のPIN−
PDへの光結合効率(’2.1))はほとんど向上しな
い欠点がある。ここで、光リンクとしての光結合効率を
tとすると、 情;(臂)×(1,片−”’ (C)である。上述
のことより、光リンクの光結合効率(〃)を高めるには
り〔とrtbとの両方とも高める必要がある。その為、
受信側には第3図の構造を用いることはできない。
、光を受信する側の受光素子のPIN−PDに球状ガラ
スを固着しても光ファイバから発せられた光のPIN−
PDへの光結合効率(’2.1))はほとんど向上しな
い欠点がある。ここで、光リンクとしての光結合効率を
tとすると、 情;(臂)×(1,片−”’ (C)である。上述
のことより、光リンクの光結合効率(〃)を高めるには
り〔とrtbとの両方とも高める必要がある。その為、
受信側には第3図の構造を用いることはできない。
次に第4図を参照して送信側の発光素子と受信側の受光
素子両方に用いることが可能な構造を説明する。第4図
は送信部(50)を示し、なお第3図と同一部材には同
じ符号を付す。
素子両方に用いることが可能な構造を説明する。第4図
は送信部(50)を示し、なお第3図と同一部材には同
じ符号を付す。
光し、光ファイバ(52)に伝達する。この第4図の構
造は、双方向光リンクの場合送信側も受信側も同じ構造
で光結合効率を改善できる。さらに第3図の構造に比べ
低コストである。
造は、双方向光リンクの場合送信側も受信側も同じ構造
で光結合効率を改善できる。さらに第3図の構造に比べ
低コストである。
そこで、第4図の構造を用いて双方向′光リンクを製作
した。その双方向光リンクの半導体ユニツ7− トを第5図を参照して説明する。即ち、第2図の半導体
ユニット〈4)の窓部(19)を凸レンズ(61)に形
成したものである。この双方向光リンクの光結合効率(
t)を調べたところ第2図に示したものとはとlυど変
化が見られなかった。さらに詳細に検討しレンズ設計を
見直し、LED(14)発光面とPIN−PD(16)
受光面と光ファイバ(23)のコア端面が結像の位置関
係になるようにしてみた。しかしながら、双方向光リン
クとしての有効な光の伝送パワーは第2図のものに比べ
て数%上昇した程度にすぎなかった。
した。その双方向光リンクの半導体ユニツ7− トを第5図を参照して説明する。即ち、第2図の半導体
ユニット〈4)の窓部(19)を凸レンズ(61)に形
成したものである。この双方向光リンクの光結合効率(
t)を調べたところ第2図に示したものとはとlυど変
化が見られなかった。さらに詳細に検討しレンズ設計を
見直し、LED(14)発光面とPIN−PD(16)
受光面と光ファイバ(23)のコア端面が結像の位置関
係になるようにしてみた。しかしながら、双方向光リン
クとしての有効な光の伝送パワーは第2図のものに比べ
て数%上昇した程度にすぎなかった。
発明の目的
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、光
リンクの光結合効率を高める光リンクを提供することを
目的とする。
リンクの光結合効率を高める光リンクを提供することを
目的とする。
発明の概要
本発明の光リンクは、発光素子に対向する光フアイバ端
面と送信モジュールのレンズとの距離が送信モジュール
のレンズの実質的に結像距離に等しく且つ、受光素子に
対向する光フアイバ端面と8− 受信モジュールのレンズとの距離が受信モジュールのレ
ンズの実質的に焦点距離に等しいので光リンクの光結合
効率が高効率となる光リンクである。
面と送信モジュールのレンズとの距離が送信モジュール
のレンズの実質的に結像距離に等しく且つ、受光素子に
対向する光フアイバ端面と8− 受信モジュールのレンズとの距離が受信モジュールのレ
ンズの実質的に焦点距離に等しいので光リンクの光結合
効率が高効率となる光リンクである。
発明の実施例
以下本発明の詳細な説明する。なお、光リンクの基本的
構造は第1図乃至第4図に示すものと同様なので詳細な
説明は省略する。
構造は第1図乃至第4図に示すものと同様なので詳細な
説明は省略する。
本発明者らは第4図の構造において、光結合効率(T)
を高める構造を詳細に検討してみた。
を高める構造を詳細に検討してみた。
(N光送信モジュールの場合
LED(33)から光ファイバ(52)への完結ここで
、LED(33)から発せられた光が半径りの窓にとり
つけられた凸レンズ(51)に照射する効率であり、次
の関係式がある。
、LED(33)から発せられた光が半径りの窓にとり
つけられた凸レンズ(51)に照射する効率であり、次
の関係式がある。
但し、ノ、は凸レンズ(51)とLED(33)との距
離であり、θCは光の放射角である。
離であり、θCは光の放射角である。
ケIVF
へは凸レンズ(51)により集光された光が半径t〃八
は光ファイバ(52)のコアに照射した光が、光ファイ
バの開口数(NA>によって定まる最大受光角(θF、
)の中に収まる効率であり、次のような関係式となる。
は光ファイバ(52)のコアに照射した光が、光ファイ
バの開口数(NA>によって定まる最大受光角(θF、
)の中に収まる効率であり、次のような関係式となる。
但し、■ニー7ハJや6ルオ・
牙は規格した光強疫である。
以上、式(D)、(E)、(F)、(G)より光結合効
率(宏)を高めるには凸レンズ(51)とLED(33
)との距離をできるだけ小さくし、光が容易にわかる。
率(宏)を高めるには凸レンズ(51)とLED(33
)との距離をできるだけ小さくし、光が容易にわかる。
なお、J22は凸レンズ(51)の厚さである。
また名を式にて示すと次のようになる。
但し、Fは凸レンズ(51)の焦点距離、班は光ファイ
バ(52)側の凸レンズ(51)端面と凸レンズ(51
)の主面との距離である。
バ(52)側の凸レンズ(51)端面と凸レンズ(51
)の主面との距離である。
J27 mtn = 0.3n+mとすると、5=1.
6mmとなる。
6mmとなる。
lr I>光受信モジュールの場合
第4図において、LED(33>のかわりにPIN−P
Dを用いた場合、光ファイバ(52)からPIN−PD
(33)への光結合効率(yl、r))は次の関係式で
示される。
Dを用いた場合、光ファイバ(52)からPIN−PD
(33)への光結合効率(yl、r))は次の関係式で
示される。
I′lo = (’2.FW、)x (?wr、)−・
・〜’ (1−1)%−wは光ファイバ(52)か
ら開口数(NA)によって定まる一定角度(OF)によ
り出射された光がレンズに入射する効率であり、次のよ
うな関係式が成立する。
・〜’ (1−1)%−wは光ファイバ(52)か
ら開口数(NA)によって定まる一定角度(OF)によ
り出射された光がレンズに入射する効率であり、次のよ
うな関係式が成立する。
(は凸レンズ(51)に入射した光がPIN−PD(3
3)の受光面に到達する効率であり、次の関係式が成立
する。
3)の受光面に到達する効率であり、次の関係式が成立
する。
ノ
’two又」’lo ’−”’ (J )但し、
M、は凸レンズの倍率である。
M、は凸レンズの倍率である。
13は理論的にはOにできるが、凸レンズ(51)に傷
がつく等の理由により避けるべきである。ノーを結像距
離とすると11= 1.6mm程度になる。光送信側で
1.= 0.3mm、光受信側でノ’1= 1.6n+
mとなることは、第5図に示す同一基板上に送・受信部
を設ける場合即ち双方向性光リンクに用いる半導体ユニ
ットに非常に不都合である。即ち、第5図に示した半導
体ユニット(60)は、第2図の窓部(19)のかわり
に凸レンズ(61)、(62)を取着したものである。
がつく等の理由により避けるべきである。ノーを結像距
離とすると11= 1.6mm程度になる。光送信側で
1.= 0.3mm、光受信側でノ’1= 1.6n+
mとなることは、第5図に示す同一基板上に送・受信部
を設ける場合即ち双方向性光リンクに用いる半導体ユニ
ットに非常に不都合である。即ち、第5図に示した半導
体ユニット(60)は、第2図の窓部(19)のかわり
に凸レンズ(61)、(62)を取着したものである。
なお、凸レンズ(61) 、(62)は同じ大きさであ
ることは言うまでもない。
ることは言うまでもない。
また第5図において一般に光ファイバ(23)のコア半
径Yp ハ略0,025mm乃〒略0,25mm テあ
り、PIN−PD(16)の受光半径和は略0.4乃至
略0.5mmである。即ちY、、>Y6である。そして
、光ファイバ(23)の開口数(NA)を0.4とする
と、例えばノ3= 0.25mmの時、凸レンズ(62
)に光が出射したときのビーム半径nは、次のような式
になル。’l’a 二斤+AmEパーCA/A)J =
6.3〆即ちh〈4となる。したがって受信側即ち受信
モジュール(13)では、!3を凸レンズ(62)の焦
点距離にすればレンズを通過した光はほとんど平行光で
あるため受光面においてもYe<iが保たれ、送信側す
なわち送信モジュール(12)と同じモジュール構造で
光ファイバ(23)からPIN−PD(16)への光結
合効率(/2/、) −1oo%となる。
径Yp ハ略0,025mm乃〒略0,25mm テあ
り、PIN−PD(16)の受光半径和は略0.4乃至
略0.5mmである。即ちY、、>Y6である。そして
、光ファイバ(23)の開口数(NA)を0.4とする
と、例えばノ3= 0.25mmの時、凸レンズ(62
)に光が出射したときのビーム半径nは、次のような式
になル。’l’a 二斤+AmEパーCA/A)J =
6.3〆即ちh〈4となる。したがって受信側即ち受信
モジュール(13)では、!3を凸レンズ(62)の焦
点距離にすればレンズを通過した光はほとんど平行光で
あるため受光面においてもYe<iが保たれ、送信側す
なわち送信モジュール(12)と同じモジュール構造で
光ファイバ(23)からPIN−PD(16)への光結
合効率(/2/、) −1oo%となる。
換言すれば、送信側即ち送信モジュール(12)では、
式(D)、(E)、(F)、(G )より最大のLED
(14)から光ファイバ(23)への光結合効率(’2
.E)が得られるMEと結像距離ノ3を出せば良い。一
方、受信側即ち受信モジュール(13)ではノ3をレン
ズ焦点距離にすれば良いのである。
式(D)、(E)、(F)、(G )より最大のLED
(14)から光ファイバ(23)への光結合効率(’2
.E)が得られるMEと結像距離ノ3を出せば良い。一
方、受信側即ち受信モジュール(13)ではノ3をレン
ズ焦点距離にすれば良いのである。
以下上)ボのことを鑑みて、第6図を参照しながら本発
明の光リンクの一実施例を説明する。なお第2図と同一
部材は同じ符号を付する。
明の光リンクの一実施例を説明する。なお第2図と同一
部材は同じ符号を付する。
第6図において、光リンクの半導体ユニット<72)G
ま同一セラミック多層配線基板(11)を用い、同一の
凸レンズ(61) 、(62)を用いている。
ま同一セラミック多層配線基板(11)を用い、同一の
凸レンズ(61) 、(62)を用いている。
しかし光コネクタプラグ(73)のフェルル(74〉、
(75)の長さを異なるようにしたものである。言い変
えれば、送信モジュール(12)のLED(14)に対
向するフェルル(74)の長さは、受信モジコール(1
3)のPIN−PD(1G)に対向するフェルル(75
)の長さよりも短くしたものである。即ち、凸レンズ(
61)からフェルル(74)の光ファイバ(23)のコ
ア端面までの距−t4を凸レンズ(61)の結像距離と
し、凸レンズ(62)からフェルル(75)の光ファイ
バ(23)のコア端面までの距離すを凸レンズ(62)
の焦点距離としたものである。こうような構造の光リン
ク日東は、完結力1” 合効率(’2/)&約20%となり、従来の光リンク例
えば第2図のものに比べて略3乃至略4倍となった。ま
た、送信モジュール(12)と受信モジュール(13)
とを同じ高さにして別々に直接光コネクタプラグに配置
してもよい。
(75)の長さを異なるようにしたものである。言い変
えれば、送信モジュール(12)のLED(14)に対
向するフェルル(74)の長さは、受信モジコール(1
3)のPIN−PD(1G)に対向するフェルル(75
)の長さよりも短くしたものである。即ち、凸レンズ(
61)からフェルル(74)の光ファイバ(23)のコ
ア端面までの距−t4を凸レンズ(61)の結像距離と
し、凸レンズ(62)からフェルル(75)の光ファイ
バ(23)のコア端面までの距離すを凸レンズ(62)
の焦点距離としたものである。こうような構造の光リン
ク日東は、完結力1” 合効率(’2/)&約20%となり、従来の光リンク例
えば第2図のものに比べて略3乃至略4倍となった。ま
た、送信モジュール(12)と受信モジュール(13)
とを同じ高さにして別々に直接光コネクタプラグに配置
してもよい。
次に第7図を参照して本発明の光リンクの仙の実施例を
説明する。この光リンクは、送信モジュール(12)と
受信モジコール(13)とに段差を設けたものである。
説明する。この光リンクは、送信モジュール(12)と
受信モジコール(13)とに段差を設けたものである。
即ち、凸レンズ(61)からフェルル(83)の光ファ
イバ(23)の]ア端而までの距m4を凸レンズ(61
)の結像距離どし、凸レンズ(62)からフェルル(8
4)の光ファイバ(23)のコア端面までの距離ノ士を
凸レンズ(62)の焦点距離とするため、送・受信モジ
ュール(12)、(13)を光コネクタリセプタクル(
81)に高低をつけて固着したものである。このように
すると、第7図の光リンク〈10)の光結合効率(θ)
と同じ効率即ち約20%となった。また、フェルル(8
3)、(84)とは同じ長さであることは言うまでもな
い。なお、同一基板で送信モジュールと受信モジュール
とに高低差を設けても、効果は同じである。
イバ(23)の]ア端而までの距m4を凸レンズ(61
)の結像距離どし、凸レンズ(62)からフェルル(8
4)の光ファイバ(23)のコア端面までの距離ノ士を
凸レンズ(62)の焦点距離とするため、送・受信モジ
ュール(12)、(13)を光コネクタリセプタクル(
81)に高低をつけて固着したものである。このように
すると、第7図の光リンク〈10)の光結合効率(θ)
と同じ効率即ち約20%となった。また、フェルル(8
3)、(84)とは同じ長さであることは言うまでもな
い。なお、同一基板で送信モジュールと受信モジュール
とに高低差を設けても、効果は同じである。
また、第8図はLED(14)とPIN−PD(16)
、2本の光ファイバは同−位置即ち高低差をつ【りすに
、送信モジュール(12)の凸レンズ15− (91)の結像距離と、受信モジュール(13)の凸レ
ンズ(92)の焦点距離が等しい一対の凸レンズ(91
) 、(92)を用いたものである。この光リンクの光
結合効率(t)は第7図のものと同一効果であることは
言うまでもない。
、2本の光ファイバは同−位置即ち高低差をつ【りすに
、送信モジュール(12)の凸レンズ15− (91)の結像距離と、受信モジュール(13)の凸レ
ンズ(92)の焦点距離が等しい一対の凸レンズ(91
) 、(92)を用いたものである。この光リンクの光
結合効率(t)は第7図のものと同一効果であることは
言うまでもない。
以上、双方向光リンクの例で説明したが、3チャンネル
以上の多チャンネルであっても本発明が適用できるのは
言うまでもない。
以上の多チャンネルであっても本発明が適用できるのは
言うまでもない。
なお、以上の実施例において、発光素子に対向する光フ
アイバ端面と送信モジュールのレンズの結像距離に等し
く且つ受光素子に対向する光フアイバ端面とこの受光モ
ジュールのレンズとの距離が受信モジュールのレンズの
焦点距離に等しくすればよいと説明したが、実際には組
立上の誤差等を考慮すれば必ずしも全く同一となること
は期待できないので、基本的に本発明の趣旨の範囲内で
あれば本発明に含まれることは言うまでもない。
アイバ端面と送信モジュールのレンズの結像距離に等し
く且つ受光素子に対向する光フアイバ端面とこの受光モ
ジュールのレンズとの距離が受信モジュールのレンズの
焦点距離に等しくすればよいと説明したが、実際には組
立上の誤差等を考慮すれば必ずしも全く同一となること
は期待できないので、基本的に本発明の趣旨の範囲内で
あれば本発明に含まれることは言うまでもない。
発明の効果
本発明の光リンクは、発光素子に対向する光フアイバ端
面と送信モジュールのレンズとの距離が16− 送信モジュールのレンズの実質的に結像距離で且つ、受
光素子に対向する光ファイバ端面と受信モジュールのレ
ンズとの距離が受信モジュールのレンズの焦点距離とし
たので、光リンクの光結合効率が従来の光リンクに比べ
て高くなった。
面と送信モジュールのレンズとの距離が16− 送信モジュールのレンズの実質的に結像距離で且つ、受
光素子に対向する光ファイバ端面と受信モジュールのレ
ンズとの距離が受信モジュールのレンズの焦点距離とし
たので、光リンクの光結合効率が従来の光リンクに比べ
て高くなった。
題1図は光リンクを示す斜視図、第2図は半導体ユニッ
トの基本原理を示す模式断面図、第3図は従来の送信部
を示す模式断面図、第4図は送信モジュールあるいは受
信モジュールの原理を示す模式断面図、第5図は半導体
ユニットの基本原理を示す模式断面図、第6図は本発明
の光リンクの一実施例を示す模式断面図、第7図は本発
明の光リンクの他の実施例を示す模式断面図、第8図は
本発明の光リンクの他の実施例を示す模式断面図である
。 (1)、(23) ・・光ファイバ、(2) ・・光コ
ネクタリセプタクル、 (3) ・・光コネクタプラ
グ、 (4)、(5)、(14)、(75)、(8
3)、(84) ・・フェルル、(11)・・多層
配線基板、〈12)・・送信モジュール、(13)・・
受信モジュール、(14)・・LED、(16)・・P
IN−PD。 (51)、(61)、(62)、(91)、(62)・
・凸レンズ 代理人 弁理士 則近憲佑(ばか1名)図面の浄書(内
容に変更なし) 第 1 図 第2図 19− 第3図 第4図 ミ53681 第5図 第6図 第7図 第 8 図 手 続 補 正 書 (方式)%式% 1、事件の表示 特願昭57−186688号 2、発明の名称 光 リ ン り 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307) 東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒100 東京都千代11区内幸町1−1−6 東京芝浦電気株式会ネ1東京事務所内 昭和58年2月220(発送日) 6、補正の対象 図 面 手続補正書(自発) 畦晶、5.す21 特許庁長官殿 1、 事件の表示 特願昭57−186688号 2、発明の名称 双方向光伝送装置 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307) 東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒100 東京都千代田区内幸町1−1−6 5、 補正の対象 茅r正の)月劣 正する。 (2)明細書全文を別紙のとおり訂正する。 (3)図面の内、第2図を別紙の通り訂正する。 以上 訂正明細書 1、発明の名称 双方向光伝送装置 2、特許請求の範囲 (1)発光素子とこの発光素子の発光面に対向して形成
されたレンズを有する送信モジュールと、受光素子とこ
の受光素子の受光面に対向して形成されたレンズを有す
る受信モジュールと、前記送信モジュールと前記受信モ
ジュールとを一体とした光コネクタリセプタクルと、こ
の光コネクタリセプタクルに嵌合し送受信用光ファイバ
を備えた光コネクタプラグとからなる双方向光伝送装置
において、前記発光素子と光結合する前記送信用光ファ
イバの端面と前記送信モジュールのレンズとの距離は、
前記送信モジュールのレンズの焦点距離と前記発光素子
の発光面及び前記送信モジュールのレンズ間の距離とで
定まる結像距離に実質的に等しく且つ、前記受光素子と
光結合する前記受信用光ファイバの端面と前記受信モジ
ュールのレンズとの距離は、前記受信モジュールのレン
ズの焦点距離ζこ実質的に等しいかまたはそれ以下であ
ることを特徴とする双方向光伝送装置。 (2)前記発光素子に対向する前記送信用光ファイハノ
コア端面と前記送信モジュールのレンズとの距離は、前
記送信モジュールのレンズにより集光された光が半径γ
Fの前記送信用光ファイバのコアに照射する効率ηWF
と前記送信用光ファイバのコアに照射した光が前記送信
用光ファイバの開口数により定まる最大受光角の中に収
まる効率ηNAとの積ηWP XηNAが実質的に極大
になるかまたはその極大値の近傍に定まる前記レンズ倍
率M、に対応する結像距離とすることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の双方向光伝送装置。 (3)前記送信モジュールの前記発光素子と前記送信用
光フアイバ端面間の前記送信モジュールのレンズを介し
た距離は、前記受信モジュールの前記受光素子と前記受
光用光フアイバ端面間の前記受信モジュールのレンズを
介した距離よりも長いことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の双方向光伝送装置。 (4)前記送信モジュールと前記受信モジュールとは同
一主面上に構成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第3項記載の双方向光伝送装置。 (5)前記送信モジュールと前記受信モジュールとは別
個をこ形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第3項記載の双方向光伝送装置。 (6)前記送信モジュールのレンズの焦点距離および前
記発光素子の発光面と前記送信モジュールのレンズ間の
距離によって定まる結像距離と、前86 受信モジュー
ルのレンズの焦点距離とが略等しいことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の双方向光伝送装置。 3、発明の詳細な説明 [発明の技術分野] 本発明は双方向光伝送装置に係り、特に双方向光伝送装
置の光結合機構に関するものである。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 双方向光伝送装置は光送信モジュールと光受信モジュー
ルが一体となされ光導波路との光結合部を具備する装置
である。この双方向光伝送装置を第1図を参営して説明
する。第1図において、光フアイバ伝送の際、光導波路
例えば2芯光フアイバコード(1)は2芯光コネクタプ
ラグ(2)に固着されている。送信モジュール部と光受
信モジュール部とからなる半導体ユニット(図示せず)
を固着した光コネクタリセプタクル(3)と、この光コ
ネクタプラグ(2)とは嵌合して双方向光伝送装置を構
成する。なお(4)、 (5)はプラスチックまたは金
属製で光ファイバを保持するフェルルである。この双方
向光伝送装置の信号伝送の大略は、一方の光送信部から
発せられた光信号が【本の光ファイバに光結合し伝送し
た後他端の光受信部に光結合する。また他端の光送信部
から発せられた光信号は他の1本の光ファイバに光結合
され伝送されて、光受信部に光結合されて双方向光伝送
がなされ乙。 次に第2図を参照して双方向光モジュールと光ファイバ
の光結合機構を説明する。ここでは光半導体装置をモジ
ュールと呼ぶととlこする。 第2図において半導体ユニット(6)は、同一セラミッ
ク多層配線基板αυ上に送信モジュールσ2と受信モジ
ュール03)を搭載し、この送信モジュールαりにはL
ED(14)とドライバICQ51及び抵抗0団尋がマ
ウント、ボンディングされており、同様に受信モ’/
ユ/’03)ニハP IN −P D Q6) ト1/
Z/−ハI CQ7)及びバイパスコンデンサQlI
O等がマウント、ボンディングされている。そして各々
のモジュール(121,(13)には中央に透明部材例
えばガラス製の窓部(1(++を有し他の部分はコバー
ル材からなるシェルc2υが設けられ、このシェル翰の
周辺部はメタライズ層を介してリング状のセラミックQ
υにろう付けされたシールリング(2優にシーム溶接す
ることにより気密封止され高信頼性の半導体ユニットが
構成されている。ここで、(ハ)は光ファイバであり、
光ファイバ(2湧は光を伝送するコア(図示せず)の周
囲を保護部材即ちクラッド(図示せず)で被覆し構成さ
れている。 従来、送信部即ち送信モジュールa功において、LED
a4)から一定の放射角をもって発せられた光は平行板
状の窓部翰を通過し、広がり光ファイバ(ハ)の端面に
照射される。この様にして光が光ファイバ(ハ)に光結
合される。そこで、光結合効率(ηll)をLEDα司
から発せられた光のうち光ファイバ(ハ)で伝送される
光の割合と定義してみる。すると、光結合効率(ηB)
に寄与する要因としては、LEDα荀発光面と光ファイ
バ(ハ)端面の距離lがある。この関係を式に示すと、 ηBoc’−・・・・・・・・・ (A)e′ となる。 式(6)より明らかであるが、光結合効率(ηB)を高
めるにはLED(14)発光面と光ファイバ(ハ)端面
とを近づければ良い。しかしながらLED(l(イ)の
ボンディングワイヤー、ドライバIC(19等の高さお
よび窓部OIの厚さの関係から、IIDQ4)発光面と
光ファイバe漕端面との距離は略07乃至略1. Or
ttx程度が限度である。例えばO,:la+x0.3
1m+7)LED(14)ト0.5azφコア(開口数
0.4 )の光ファイバ03を用いるとηFは略5%以
下程度である。そこで光結合効率(η11)に寄与する
第2の要因は、LED(14から発せられる光の放射角
(θE)である。したがって、光の放射角(θE)を小
さく、即ちビーム径を小さくすることにより光ファイバ
(ハ)のコアと光の照射面積との面積差を小さくする方
法である。そこで光の放射角(θIりと光結合効率(η
いとの関係を次に示す。 式(B)より明らかであるが、光結合効率(ηII)を
高めるには光の放射角(θいを小さくすれば良い。さら
に光ファイバ(ハ)は、光ファイバ(ハ)の開口数NA
によって定寸る最大受光角θyma:K(θrmax=
sin−’NA)以内の入射角をもつ光のみ伝送可能で
ある。このため光の放射角(θB)を小さくすることは
必要不可欠となる。即ちθFIIIIIX≧θ[ima
Xとなるのが最適である。 そこで光の放射角(θ11)を小さくする具体的手段の
一つを第3図を参照して説明する。第3図において、送
信部(401は次のように構成されている。即ち、メタ
ルヘッダーGll上に球状ガラスθ2を載置したLED
CIが銅板(2)を介して載置されている。リードビン
(30)は銅板C341と電気的に接続している。又、
リードピンムDはメタルヘッダー〇刀を貫通植設してボ
ンディング線端よりLBJ(31に接続している。 メタルヘッダーGυに植設された第3のリードピン(至
)は空ビンである。このメタルヘッダーGυはメタルシ
ェルG!lにより気密封じされている。さらにメタルシ
ェルG9の透明部材(41)を介して光ファイバへL
E DC’(31からの光信号が送信される。 この送信部舶は、LEDC割の発光面に球状ガラスC1
21を固着するためコスト高である。さらに発光素子(
4(lの光結合効率(ηいは向上するが、光を受信する
側の受光素子のPIN−PDに球状ガラスを固着しても
光ファイバから発せられた光のPIN−FDへの光結合
効率(η0)はほとんど向上しない欠点がある。ここで
、光送信部から光ファイバを伝送し光受信部に光結合さ
れる光リンクとしての総合の光結合効率をηとすると、 η=(ηE)×(ηD)・・・・・・・・・ (C)で
ある。上述のことより、光リンクの光結合効率(η)を
高めるにはη8とη。との両方とも高める必要がある。 その為、受信側には第3図の構造を用いることはできな
い。 次に第4図を参照して送信側の発光素子と受信側の受光
素子両方に用いることが可能な構造を説明する。第4図
は送信部(50)を示し、なお第3図と同一部材には同
じ符号を付す。 第4図において、メタルシェル0Iに設けた凸レンズ(
51)を介してL E DQ3からの光を集光し、光フ
ァイバ(52)に伝達する。この第4図の構造は、双方
向光伝送装置の場合送信側即ち送信モジュールも受信側
即ち受信モジュールも同じ構造で光結合効率を改善でき
る。さらに第3図の構造に比べ低コストである。 そこで、第4図の構造を用いて双方向光伝送装置を製作
した。その双方向光伝送装置の半導体ユニットを第5図
を参照して説明する。なおこの場合光導波路を介して双
方向光伝送装置が少なくとも光導波路の両端に形成され
ることにより双方向光リンクが構成されるのは言うまで
もない。即ち、第2図の半導体ユニット(4)の窓部0
1を凸レンズ(61)に形成したものである。この双方
向光リンクの光結合効率(η)を調べたところ第2図に
示したものとほとんど変化が見られなかった。さらに詳
細1こ検討しレンズ設計を見直し、双方向光リンクの一
端に形成された双方向光伝達装置の送信側のLED04
)発光面と双方向光リンクの他端に形成された双方向光
伝送装置の受信側のPIN−PD(16)受光面と光フ
ァイバ(ハ)のコア端面がレンズ(61) 、 (62
)の結像の位置関係になるようにしてみた。しかしなが
ら、双方向光リンクとしての有効な光の伝送パワーは第
2図のものに比べて数チ上昇した程度にすぎなかった。 〔発明の目的〕 本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、双
方向光伝送装置を改良することにより光リンクの光結合
効率を高める光リンクを提供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、発光素子に対向する光フアイバ端面と送信モ
ジュールのレンズとの距離が送信モジュールのレンズの
焦点距離と発光素子の発光面及び送信モジュールのレン
ズ間の距離とにより定まる結像距離に実質的に等しく且
つ、受光素子に対向する光フアイバ端面と受信モジュー
ルのレンズとの距離が受信モジュールのレンズの焦点距
離に実質的に等しいかまたはそれ以下であることにより
、光リンクの光結合効率が高効率となる双方向光伝送装
置である。 〔発明の実施例〕 以下本発明の詳細な説明する。なお、光リンク及び双方
向光伝送装置基本的構造は第1図乃至第4図に示すもの
と同様なので詳細な説明は省略する。 本発明者らは第4図の構造において、光結合効率(η)
を高める構造を詳細に検討してみた。 (I) 光送信モジュールの場合 LED(至)から光ファイバ(52)への光結合効率(
η8)は次の式であられされる。 η、=(411w)×(η、、)X(ηHA) ”””
”’(D)ここで、LEDC331から発せられた光が
半径rwの窓にとりつけられた凸レンズ(51)に照射
する効率であり、次の関係式がある。 但し、l、は凸レンズ(51)とL g D 33)と
の距離であり、九は光の放射角である。なお、 l、
tanθB〉γWが(E1式が成立する栄件である。 ηWFは凸レンズ(51)により集光された光が半径r
vの光ファイバ(52)のコアに照射する効率であり、
レンズ倍率をM、とすると、次の関係式となる。 ! ηwv oc−・・・・・・ (F) M; イしし Mg>1である。 ηNAは光ファイバ(52)のコアに照射した光が、光
ファイバの開口数(NA)によって定まる最大受光角(
θymax)の中に収まる効率であり、次のような関係
式となる。 但し、α=CO8IIM+!θn+axyは規格化した
光強度である。 以上、式CD)、(B)、(F)、(G)より光結合効
率(η11)を高めるには凸レンズ(51)とLEDC
331との距離をできるだけ小さくシ、光ファイバ(5
2)のコア端面と凸レンズ(51)との距離e3は(η
、、)X(48人)が極大になるように定まるM、に対
応する結像距離にすることが必要である。また距離13
は(η、、)X(ηNA)の極大値近傍に定まるM1!
に対応する結像距離であれば所定の効果が得られるのは
言うまでもない。 なお、Itは凸レンズ(51)の厚さである。 また13を式にて示すと次のようになる。 Is = (l Ml)F S’H・・・・・・・・・
(g)但し、Fは凸レンズ(51)の焦点距離、S′H
は光ファイバ(52)側の凸レンズ(5■)端面と凸レ
ンズ(51)の主面との距離である。 11目=0.3麿とするとIs””l、6麿となる。 (6)光受信モジュールの場合 第4図において、LED(至)のかわりにPIN−FD
を用いた場合、光ファイバ(52)からP IN−FD
(至)への光結合効率(ηD)は次の関係式で示される
。 ηD=(η、、)X(ηWD)−・−(H)ηvwは光
ファイバ(52)から開口数(NA)によって定まる一
定角度(θF)により出射された光がレン(13) ズに入射する効率であり、次のような関係式が成立する
。 ηFW (X: 、 ・・・・・・・・・
(I)1、tan”θF 但しくI)式は13tanθア<Rhのときに成立し、
RLはレンズの受光面半径である。 (I)式よりηWDは凸レンズ(51)に入射した光が
PIN−PD(至)の受光面に到達する効率であり、次
の関係式が成立する。 ・・・・・・・・・ (J) l 但し、MDは凸レンズの倍率である。(J)式はγP・
MD>FDのとき成立し、FDはPIN−PD((31
の受光半径である。 (I)式ηvwを大きくするために、esを極端に小さ
く L l!s= Oにする方法が考えられるが光ファ
イバ(52)が凸レンズ(51)に近づくと凸レンズ(
51)を透過した光がPIN−PD(33の受光面の面
積よりも広がり、PIN−PD(331の受光面に光が
充分照射しなくなるためと、凸レンズ(51)に傷がつ
く等の理由によα荀 り避けるべきである。そこで、 PIN−PD(至)の
受光面の面積を太き(L PIN−PDC(31の受光
面に光が充分照射するようにすると、光受信モジュール
の外囲器が大きくなり現実的でなくなる上に、PIN−
PD■に浮遊容量か増大しPIN−PDCKIの高速応
答性が劣化する。この理由lこPIN−PD((3の受
光面の面積を大きくすることは好ましくない。次に(J
)式よりMDを小さくすればよい訳であるが概略Mno
c ”3 のためI3を大きくとらなければならない。ここで受光
面に実像を結ぶためには13はレンズの焦点距離より大
きいことはもちろんである。しかし、l。 を大きくとることは(I)式のηrwを低下させるため
ηDとしては改善されない。さらに後で詳細に述べる現
実的な光ファイバ、レンズ受光素子の定数を用いて試算
するとたとえばs ’Iを結像距離とすると4=l、6
顧程度になる。光送信側で/+=031g、光受信側で
lI= 1.6mとなることは、第5図に示す同一基板
上に送・受信部を設ける場合即ち双方向性光リンクに用
いる半導体ユニットに非常に不都合である。即ち、第5
図に示した半導体ユニット((至)は、第2図の窓部(
11のかわりに凸レンズ(61)。 (62)を取着したものである。なお、凸レンズ(61
)。 (62)は同じ大きさであることは言うまでもない。 また第5図において一般に光ファイバ(2漕のコア半径
rvは略0.025麿乃至略0.25層であり、PIN
−PD(l(9の受光半径γDは略0.4乃至略0.5
2Ellである。 即ちrD〉γrである。そして、光ファイバ(ハ)の開
口数(NA)を0.4とすると、例えばls= 0.2
FIEIlの時、凸レンズ(62)に光が出射したとき
のビーム半径rBは、次のような式lこなる。 rs=rv + I3 tan [sxn (NA)
) = 0.35即ちγBくFDとなる。したがって受
信側即ち受信モジュールa3Iでは13を凸レンズ(6
2)の焦点距離ζこすればレンズを通過した光はほとん
ど平行光であるため受光面においてもγR<rDが保た
れ、送信側すなわち送信モジュール(I4と同じモジュ
ール構造で光ファイバc!階からPIN−FD(1υへ
の光結合効率(ηn)=100チとなる。 換言すれば、送信側即ち送信モジュールaりでは、式(
D) 、(g) 、(F) 、CG) より最大のL
gDo(イ)がら光ファイバ(ハ)への光結合効率(η
1)が得られるMJIと結像距離e、とを出せば良い。 一方、受信側即ち受信モジュール0■ではl、をレンズ
焦点距離にすれば良いのである。さらに受信側即ち受信
モジュール(131ではl!3−焦点距離でγB(γD
であるからl、を凸レンズ(62)の焦点距離よりもい
くぶん小となってもγa−rn ニするまでは光ファイ
バ(23)からpIN−FD(Ifi)への光結合効率
(ηD)は、実質的に100%に近くなるのは言うまで
もない。 以下上述のことを鑑みて、第6図を参照しながら本発明
の双方向光伝送装置の一実施例を説明する。なお、第2
図と同一部材は同じ符号を付する。 第6図において、光リンクの半導体ユニッ) (72)
は同一セラミック多層配線基板aυを用い、同一の凸レ
ンズ(61)、(62)を用いている。しかし光コネク
タプラグ(73)のフェルル(74) 、 (75)の
長さを異なるようにしたものである。言い変えれば、送
信モジュールα4のLED(IJJこ対向する7エルル
(74)の長さは、受信モジュールα■のPIN−PD
(15)に対向するフェルル(75)の長さよりも短く
したものである。即ち、凸レンズ(6【)端面からフェ
ルル(74)の光ファイバ(23)のコア端面までの距
離e4を凸レンズ(61)の結像距離とし、凸レンズ(
62)端面からフェルル(75)の光ファイバ(ハ)の
コア端面までの距i /。 を凸レンズ(62)の焦点距離としたものである。こう
ような構造の光リンクの一部分である双方向光伝送装置
は、光結合効率(η)が約20チとなり、従来の光リン
クの一部分である双方向光伝送装置例えば第2図のもの
に比べて略3乃至略4倍となった。また、送信モジュー
ル0りと受信モジュール0■は同一基板フェルルの長さ
も実質的に同一とし、受光素子に対向するレンズの位置
のみを光フアイバ端面に近づけても良い。 次に第7図を参照して本発明の双方向光伝送装置の他の
実施例を説明する。この双方向光伝送装置は、送信モジ
ュール(14と受信モジュール0■とに段差を設けたも
のである。即ち、凸レンズ(61)端面力らフェルル(
83)の光ファイバt23のコア端面までの距離14を
凸レンズ(61)の結像距離とし、凸レンズ(62)端
面からフェルル(84)の光ファイバ(23)のコア端
面までの距離らを凸レンズ(62)の焦点距離とするた
め、送・受信モジュールαり、α印を光コネクタリセプ
タクル(81)に高低をつけて固着したものである。こ
のようにすると、第7図の双方向光伝送装置(70)の
光結合効率(η)と同じ効率即ち約20チとなった。ま
た、フェルル(83) 、(84)とは同じ長さである
ことは言うまでもない。なお、同一基板で送信モジュー
ルと受信モジュールとに高低差即ち高低差を設けた同一
主面上に送信モジュールと受信モジュールとを設けても
、効果は同じである。 マタ、第8 図ハL E D (11) トPIN−P
DQ6)、2本の光ファイバは同−位置即ち高低差をつ
けずに、送信モジュール(l急の凸レンズ(91)の結
像距離と、受信モジュール崗の凸レンズ(92)の焦点
距離が等しい一対の凸レンズ(91) 、 (92)を
用いたものである。 この双方向光伝送装置を用いた光リンクの光結合効率(
η)は第7図のものと同一効果であることは言うまでも
ない。 以上、双方向光リンクの例で説明したが、3チャンネル
以上の多チャンネルであっても本発明の光結合機構が適
用できる。 なお、以上の実施例において、発光素子に対向する光フ
ァイバ端面と送信モジュールのレンズの結像距離に等し
く且つ受光素子lこ対向する光フアイバ端面とこの受光
モジュールのレンズとの距離が受信モジュールのレンズ
の焦点距離に等しいかあるいは受信モジュールのレンズ
の焦点距離以下であればよいと説明したが、実際には組
立上の誤差等を考慮すれば必ずしも全く同一となること
は期待できないので、基本的ζζ本発明の趣旨の範囲内
であれば本発明に含まれることは明白である。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明の双方向伝達装置の構成lこ
することtこより、本発明の双方向伝達装置を用いた光
リンクの光結合効率が従来の光リンクに比べて高くなっ
た。 4、図面の簡単な説明 第1図は光リンクを示す斜視図、第2図は半導体ユニッ
トの基本原理を示す模式断面図、第3図は従来の送信部
を示す模式断面図、第4図は送信モジュールあるいは受
信モジュールの原理を示す模式断面図、M5図は半導体
ユニットの基本原理を示す模式断面図、第6図は本発明
の双方向光伝送装置の一実施例を示す模式断面図、第7
図は本発明の双方向光伝送装置の他の実施例を示す模式
断面図、第8図は本発明の双方向光伝送装置の他の実施
例を示す模式断面図である。 (1)、(ハ)・・・光ファイバ(2)・・・光コネク
タリセプタクル(3)・・・光コネクタプラグ (4)、(5)、 (74) 、(75) 、(83)
、(84)・・フェルルαυ・・・多層配線基板 α
a・・・送信モジュール0句・・・受信モジュール
(141−・・LED(1(9、、、P IN−FD (51)、(61)、(62)、(91)、(62)・
・・凸レンズ代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第2図 (−一一一、−一) 〆
トの基本原理を示す模式断面図、第3図は従来の送信部
を示す模式断面図、第4図は送信モジュールあるいは受
信モジュールの原理を示す模式断面図、第5図は半導体
ユニットの基本原理を示す模式断面図、第6図は本発明
の光リンクの一実施例を示す模式断面図、第7図は本発
明の光リンクの他の実施例を示す模式断面図、第8図は
本発明の光リンクの他の実施例を示す模式断面図である
。 (1)、(23) ・・光ファイバ、(2) ・・光コ
ネクタリセプタクル、 (3) ・・光コネクタプラ
グ、 (4)、(5)、(14)、(75)、(8
3)、(84) ・・フェルル、(11)・・多層
配線基板、〈12)・・送信モジュール、(13)・・
受信モジュール、(14)・・LED、(16)・・P
IN−PD。 (51)、(61)、(62)、(91)、(62)・
・凸レンズ 代理人 弁理士 則近憲佑(ばか1名)図面の浄書(内
容に変更なし) 第 1 図 第2図 19− 第3図 第4図 ミ53681 第5図 第6図 第7図 第 8 図 手 続 補 正 書 (方式)%式% 1、事件の表示 特願昭57−186688号 2、発明の名称 光 リ ン り 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307) 東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒100 東京都千代11区内幸町1−1−6 東京芝浦電気株式会ネ1東京事務所内 昭和58年2月220(発送日) 6、補正の対象 図 面 手続補正書(自発) 畦晶、5.す21 特許庁長官殿 1、 事件の表示 特願昭57−186688号 2、発明の名称 双方向光伝送装置 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307) 東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒100 東京都千代田区内幸町1−1−6 5、 補正の対象 茅r正の)月劣 正する。 (2)明細書全文を別紙のとおり訂正する。 (3)図面の内、第2図を別紙の通り訂正する。 以上 訂正明細書 1、発明の名称 双方向光伝送装置 2、特許請求の範囲 (1)発光素子とこの発光素子の発光面に対向して形成
されたレンズを有する送信モジュールと、受光素子とこ
の受光素子の受光面に対向して形成されたレンズを有す
る受信モジュールと、前記送信モジュールと前記受信モ
ジュールとを一体とした光コネクタリセプタクルと、こ
の光コネクタリセプタクルに嵌合し送受信用光ファイバ
を備えた光コネクタプラグとからなる双方向光伝送装置
において、前記発光素子と光結合する前記送信用光ファ
イバの端面と前記送信モジュールのレンズとの距離は、
前記送信モジュールのレンズの焦点距離と前記発光素子
の発光面及び前記送信モジュールのレンズ間の距離とで
定まる結像距離に実質的に等しく且つ、前記受光素子と
光結合する前記受信用光ファイバの端面と前記受信モジ
ュールのレンズとの距離は、前記受信モジュールのレン
ズの焦点距離ζこ実質的に等しいかまたはそれ以下であ
ることを特徴とする双方向光伝送装置。 (2)前記発光素子に対向する前記送信用光ファイハノ
コア端面と前記送信モジュールのレンズとの距離は、前
記送信モジュールのレンズにより集光された光が半径γ
Fの前記送信用光ファイバのコアに照射する効率ηWF
と前記送信用光ファイバのコアに照射した光が前記送信
用光ファイバの開口数により定まる最大受光角の中に収
まる効率ηNAとの積ηWP XηNAが実質的に極大
になるかまたはその極大値の近傍に定まる前記レンズ倍
率M、に対応する結像距離とすることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の双方向光伝送装置。 (3)前記送信モジュールの前記発光素子と前記送信用
光フアイバ端面間の前記送信モジュールのレンズを介し
た距離は、前記受信モジュールの前記受光素子と前記受
光用光フアイバ端面間の前記受信モジュールのレンズを
介した距離よりも長いことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の双方向光伝送装置。 (4)前記送信モジュールと前記受信モジュールとは同
一主面上に構成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第3項記載の双方向光伝送装置。 (5)前記送信モジュールと前記受信モジュールとは別
個をこ形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第3項記載の双方向光伝送装置。 (6)前記送信モジュールのレンズの焦点距離および前
記発光素子の発光面と前記送信モジュールのレンズ間の
距離によって定まる結像距離と、前86 受信モジュー
ルのレンズの焦点距離とが略等しいことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の双方向光伝送装置。 3、発明の詳細な説明 [発明の技術分野] 本発明は双方向光伝送装置に係り、特に双方向光伝送装
置の光結合機構に関するものである。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 双方向光伝送装置は光送信モジュールと光受信モジュー
ルが一体となされ光導波路との光結合部を具備する装置
である。この双方向光伝送装置を第1図を参営して説明
する。第1図において、光フアイバ伝送の際、光導波路
例えば2芯光フアイバコード(1)は2芯光コネクタプ
ラグ(2)に固着されている。送信モジュール部と光受
信モジュール部とからなる半導体ユニット(図示せず)
を固着した光コネクタリセプタクル(3)と、この光コ
ネクタプラグ(2)とは嵌合して双方向光伝送装置を構
成する。なお(4)、 (5)はプラスチックまたは金
属製で光ファイバを保持するフェルルである。この双方
向光伝送装置の信号伝送の大略は、一方の光送信部から
発せられた光信号が【本の光ファイバに光結合し伝送し
た後他端の光受信部に光結合する。また他端の光送信部
から発せられた光信号は他の1本の光ファイバに光結合
され伝送されて、光受信部に光結合されて双方向光伝送
がなされ乙。 次に第2図を参照して双方向光モジュールと光ファイバ
の光結合機構を説明する。ここでは光半導体装置をモジ
ュールと呼ぶととlこする。 第2図において半導体ユニット(6)は、同一セラミッ
ク多層配線基板αυ上に送信モジュールσ2と受信モジ
ュール03)を搭載し、この送信モジュールαりにはL
ED(14)とドライバICQ51及び抵抗0団尋がマ
ウント、ボンディングされており、同様に受信モ’/
ユ/’03)ニハP IN −P D Q6) ト1/
Z/−ハI CQ7)及びバイパスコンデンサQlI
O等がマウント、ボンディングされている。そして各々
のモジュール(121,(13)には中央に透明部材例
えばガラス製の窓部(1(++を有し他の部分はコバー
ル材からなるシェルc2υが設けられ、このシェル翰の
周辺部はメタライズ層を介してリング状のセラミックQ
υにろう付けされたシールリング(2優にシーム溶接す
ることにより気密封止され高信頼性の半導体ユニットが
構成されている。ここで、(ハ)は光ファイバであり、
光ファイバ(2湧は光を伝送するコア(図示せず)の周
囲を保護部材即ちクラッド(図示せず)で被覆し構成さ
れている。 従来、送信部即ち送信モジュールa功において、LED
a4)から一定の放射角をもって発せられた光は平行板
状の窓部翰を通過し、広がり光ファイバ(ハ)の端面に
照射される。この様にして光が光ファイバ(ハ)に光結
合される。そこで、光結合効率(ηll)をLEDα司
から発せられた光のうち光ファイバ(ハ)で伝送される
光の割合と定義してみる。すると、光結合効率(ηB)
に寄与する要因としては、LEDα荀発光面と光ファイ
バ(ハ)端面の距離lがある。この関係を式に示すと、 ηBoc’−・・・・・・・・・ (A)e′ となる。 式(6)より明らかであるが、光結合効率(ηB)を高
めるにはLED(14)発光面と光ファイバ(ハ)端面
とを近づければ良い。しかしながらLED(l(イ)の
ボンディングワイヤー、ドライバIC(19等の高さお
よび窓部OIの厚さの関係から、IIDQ4)発光面と
光ファイバe漕端面との距離は略07乃至略1. Or
ttx程度が限度である。例えばO,:la+x0.3
1m+7)LED(14)ト0.5azφコア(開口数
0.4 )の光ファイバ03を用いるとηFは略5%以
下程度である。そこで光結合効率(η11)に寄与する
第2の要因は、LED(14から発せられる光の放射角
(θE)である。したがって、光の放射角(θE)を小
さく、即ちビーム径を小さくすることにより光ファイバ
(ハ)のコアと光の照射面積との面積差を小さくする方
法である。そこで光の放射角(θIりと光結合効率(η
いとの関係を次に示す。 式(B)より明らかであるが、光結合効率(ηII)を
高めるには光の放射角(θいを小さくすれば良い。さら
に光ファイバ(ハ)は、光ファイバ(ハ)の開口数NA
によって定寸る最大受光角θyma:K(θrmax=
sin−’NA)以内の入射角をもつ光のみ伝送可能で
ある。このため光の放射角(θB)を小さくすることは
必要不可欠となる。即ちθFIIIIIX≧θ[ima
Xとなるのが最適である。 そこで光の放射角(θ11)を小さくする具体的手段の
一つを第3図を参照して説明する。第3図において、送
信部(401は次のように構成されている。即ち、メタ
ルヘッダーGll上に球状ガラスθ2を載置したLED
CIが銅板(2)を介して載置されている。リードビン
(30)は銅板C341と電気的に接続している。又、
リードピンムDはメタルヘッダー〇刀を貫通植設してボ
ンディング線端よりLBJ(31に接続している。 メタルヘッダーGυに植設された第3のリードピン(至
)は空ビンである。このメタルヘッダーGυはメタルシ
ェルG!lにより気密封じされている。さらにメタルシ
ェルG9の透明部材(41)を介して光ファイバへL
E DC’(31からの光信号が送信される。 この送信部舶は、LEDC割の発光面に球状ガラスC1
21を固着するためコスト高である。さらに発光素子(
4(lの光結合効率(ηいは向上するが、光を受信する
側の受光素子のPIN−PDに球状ガラスを固着しても
光ファイバから発せられた光のPIN−FDへの光結合
効率(η0)はほとんど向上しない欠点がある。ここで
、光送信部から光ファイバを伝送し光受信部に光結合さ
れる光リンクとしての総合の光結合効率をηとすると、 η=(ηE)×(ηD)・・・・・・・・・ (C)で
ある。上述のことより、光リンクの光結合効率(η)を
高めるにはη8とη。との両方とも高める必要がある。 その為、受信側には第3図の構造を用いることはできな
い。 次に第4図を参照して送信側の発光素子と受信側の受光
素子両方に用いることが可能な構造を説明する。第4図
は送信部(50)を示し、なお第3図と同一部材には同
じ符号を付す。 第4図において、メタルシェル0Iに設けた凸レンズ(
51)を介してL E DQ3からの光を集光し、光フ
ァイバ(52)に伝達する。この第4図の構造は、双方
向光伝送装置の場合送信側即ち送信モジュールも受信側
即ち受信モジュールも同じ構造で光結合効率を改善でき
る。さらに第3図の構造に比べ低コストである。 そこで、第4図の構造を用いて双方向光伝送装置を製作
した。その双方向光伝送装置の半導体ユニットを第5図
を参照して説明する。なおこの場合光導波路を介して双
方向光伝送装置が少なくとも光導波路の両端に形成され
ることにより双方向光リンクが構成されるのは言うまで
もない。即ち、第2図の半導体ユニット(4)の窓部0
1を凸レンズ(61)に形成したものである。この双方
向光リンクの光結合効率(η)を調べたところ第2図に
示したものとほとんど変化が見られなかった。さらに詳
細1こ検討しレンズ設計を見直し、双方向光リンクの一
端に形成された双方向光伝達装置の送信側のLED04
)発光面と双方向光リンクの他端に形成された双方向光
伝送装置の受信側のPIN−PD(16)受光面と光フ
ァイバ(ハ)のコア端面がレンズ(61) 、 (62
)の結像の位置関係になるようにしてみた。しかしなが
ら、双方向光リンクとしての有効な光の伝送パワーは第
2図のものに比べて数チ上昇した程度にすぎなかった。 〔発明の目的〕 本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、双
方向光伝送装置を改良することにより光リンクの光結合
効率を高める光リンクを提供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、発光素子に対向する光フアイバ端面と送信モ
ジュールのレンズとの距離が送信モジュールのレンズの
焦点距離と発光素子の発光面及び送信モジュールのレン
ズ間の距離とにより定まる結像距離に実質的に等しく且
つ、受光素子に対向する光フアイバ端面と受信モジュー
ルのレンズとの距離が受信モジュールのレンズの焦点距
離に実質的に等しいかまたはそれ以下であることにより
、光リンクの光結合効率が高効率となる双方向光伝送装
置である。 〔発明の実施例〕 以下本発明の詳細な説明する。なお、光リンク及び双方
向光伝送装置基本的構造は第1図乃至第4図に示すもの
と同様なので詳細な説明は省略する。 本発明者らは第4図の構造において、光結合効率(η)
を高める構造を詳細に検討してみた。 (I) 光送信モジュールの場合 LED(至)から光ファイバ(52)への光結合効率(
η8)は次の式であられされる。 η、=(411w)×(η、、)X(ηHA) ”””
”’(D)ここで、LEDC331から発せられた光が
半径rwの窓にとりつけられた凸レンズ(51)に照射
する効率であり、次の関係式がある。 但し、l、は凸レンズ(51)とL g D 33)と
の距離であり、九は光の放射角である。なお、 l、
tanθB〉γWが(E1式が成立する栄件である。 ηWFは凸レンズ(51)により集光された光が半径r
vの光ファイバ(52)のコアに照射する効率であり、
レンズ倍率をM、とすると、次の関係式となる。 ! ηwv oc−・・・・・・ (F) M; イしし Mg>1である。 ηNAは光ファイバ(52)のコアに照射した光が、光
ファイバの開口数(NA)によって定まる最大受光角(
θymax)の中に収まる効率であり、次のような関係
式となる。 但し、α=CO8IIM+!θn+axyは規格化した
光強度である。 以上、式CD)、(B)、(F)、(G)より光結合効
率(η11)を高めるには凸レンズ(51)とLEDC
331との距離をできるだけ小さくシ、光ファイバ(5
2)のコア端面と凸レンズ(51)との距離e3は(η
、、)X(48人)が極大になるように定まるM、に対
応する結像距離にすることが必要である。また距離13
は(η、、)X(ηNA)の極大値近傍に定まるM1!
に対応する結像距離であれば所定の効果が得られるのは
言うまでもない。 なお、Itは凸レンズ(51)の厚さである。 また13を式にて示すと次のようになる。 Is = (l Ml)F S’H・・・・・・・・・
(g)但し、Fは凸レンズ(51)の焦点距離、S′H
は光ファイバ(52)側の凸レンズ(5■)端面と凸レ
ンズ(51)の主面との距離である。 11目=0.3麿とするとIs””l、6麿となる。 (6)光受信モジュールの場合 第4図において、LED(至)のかわりにPIN−FD
を用いた場合、光ファイバ(52)からP IN−FD
(至)への光結合効率(ηD)は次の関係式で示される
。 ηD=(η、、)X(ηWD)−・−(H)ηvwは光
ファイバ(52)から開口数(NA)によって定まる一
定角度(θF)により出射された光がレン(13) ズに入射する効率であり、次のような関係式が成立する
。 ηFW (X: 、 ・・・・・・・・・
(I)1、tan”θF 但しくI)式は13tanθア<Rhのときに成立し、
RLはレンズの受光面半径である。 (I)式よりηWDは凸レンズ(51)に入射した光が
PIN−PD(至)の受光面に到達する効率であり、次
の関係式が成立する。 ・・・・・・・・・ (J) l 但し、MDは凸レンズの倍率である。(J)式はγP・
MD>FDのとき成立し、FDはPIN−PD((31
の受光半径である。 (I)式ηvwを大きくするために、esを極端に小さ
く L l!s= Oにする方法が考えられるが光ファ
イバ(52)が凸レンズ(51)に近づくと凸レンズ(
51)を透過した光がPIN−PD(33の受光面の面
積よりも広がり、PIN−PD(331の受光面に光が
充分照射しなくなるためと、凸レンズ(51)に傷がつ
く等の理由によα荀 り避けるべきである。そこで、 PIN−PD(至)の
受光面の面積を太き(L PIN−PDC(31の受光
面に光が充分照射するようにすると、光受信モジュール
の外囲器が大きくなり現実的でなくなる上に、PIN−
PD■に浮遊容量か増大しPIN−PDCKIの高速応
答性が劣化する。この理由lこPIN−PD((3の受
光面の面積を大きくすることは好ましくない。次に(J
)式よりMDを小さくすればよい訳であるが概略Mno
c ”3 のためI3を大きくとらなければならない。ここで受光
面に実像を結ぶためには13はレンズの焦点距離より大
きいことはもちろんである。しかし、l。 を大きくとることは(I)式のηrwを低下させるため
ηDとしては改善されない。さらに後で詳細に述べる現
実的な光ファイバ、レンズ受光素子の定数を用いて試算
するとたとえばs ’Iを結像距離とすると4=l、6
顧程度になる。光送信側で/+=031g、光受信側で
lI= 1.6mとなることは、第5図に示す同一基板
上に送・受信部を設ける場合即ち双方向性光リンクに用
いる半導体ユニットに非常に不都合である。即ち、第5
図に示した半導体ユニット((至)は、第2図の窓部(
11のかわりに凸レンズ(61)。 (62)を取着したものである。なお、凸レンズ(61
)。 (62)は同じ大きさであることは言うまでもない。 また第5図において一般に光ファイバ(2漕のコア半径
rvは略0.025麿乃至略0.25層であり、PIN
−PD(l(9の受光半径γDは略0.4乃至略0.5
2Ellである。 即ちrD〉γrである。そして、光ファイバ(ハ)の開
口数(NA)を0.4とすると、例えばls= 0.2
FIEIlの時、凸レンズ(62)に光が出射したとき
のビーム半径rBは、次のような式lこなる。 rs=rv + I3 tan [sxn (NA)
) = 0.35即ちγBくFDとなる。したがって受
信側即ち受信モジュールa3Iでは13を凸レンズ(6
2)の焦点距離ζこすればレンズを通過した光はほとん
ど平行光であるため受光面においてもγR<rDが保た
れ、送信側すなわち送信モジュール(I4と同じモジュ
ール構造で光ファイバc!階からPIN−FD(1υへ
の光結合効率(ηn)=100チとなる。 換言すれば、送信側即ち送信モジュールaりでは、式(
D) 、(g) 、(F) 、CG) より最大のL
gDo(イ)がら光ファイバ(ハ)への光結合効率(η
1)が得られるMJIと結像距離e、とを出せば良い。 一方、受信側即ち受信モジュール0■ではl、をレンズ
焦点距離にすれば良いのである。さらに受信側即ち受信
モジュール(131ではl!3−焦点距離でγB(γD
であるからl、を凸レンズ(62)の焦点距離よりもい
くぶん小となってもγa−rn ニするまでは光ファイ
バ(23)からpIN−FD(Ifi)への光結合効率
(ηD)は、実質的に100%に近くなるのは言うまで
もない。 以下上述のことを鑑みて、第6図を参照しながら本発明
の双方向光伝送装置の一実施例を説明する。なお、第2
図と同一部材は同じ符号を付する。 第6図において、光リンクの半導体ユニッ) (72)
は同一セラミック多層配線基板aυを用い、同一の凸レ
ンズ(61)、(62)を用いている。しかし光コネク
タプラグ(73)のフェルル(74) 、 (75)の
長さを異なるようにしたものである。言い変えれば、送
信モジュールα4のLED(IJJこ対向する7エルル
(74)の長さは、受信モジュールα■のPIN−PD
(15)に対向するフェルル(75)の長さよりも短く
したものである。即ち、凸レンズ(6【)端面からフェ
ルル(74)の光ファイバ(23)のコア端面までの距
離e4を凸レンズ(61)の結像距離とし、凸レンズ(
62)端面からフェルル(75)の光ファイバ(ハ)の
コア端面までの距i /。 を凸レンズ(62)の焦点距離としたものである。こう
ような構造の光リンクの一部分である双方向光伝送装置
は、光結合効率(η)が約20チとなり、従来の光リン
クの一部分である双方向光伝送装置例えば第2図のもの
に比べて略3乃至略4倍となった。また、送信モジュー
ル0りと受信モジュール0■は同一基板フェルルの長さ
も実質的に同一とし、受光素子に対向するレンズの位置
のみを光フアイバ端面に近づけても良い。 次に第7図を参照して本発明の双方向光伝送装置の他の
実施例を説明する。この双方向光伝送装置は、送信モジ
ュール(14と受信モジュール0■とに段差を設けたも
のである。即ち、凸レンズ(61)端面力らフェルル(
83)の光ファイバt23のコア端面までの距離14を
凸レンズ(61)の結像距離とし、凸レンズ(62)端
面からフェルル(84)の光ファイバ(23)のコア端
面までの距離らを凸レンズ(62)の焦点距離とするた
め、送・受信モジュールαり、α印を光コネクタリセプ
タクル(81)に高低をつけて固着したものである。こ
のようにすると、第7図の双方向光伝送装置(70)の
光結合効率(η)と同じ効率即ち約20チとなった。ま
た、フェルル(83) 、(84)とは同じ長さである
ことは言うまでもない。なお、同一基板で送信モジュー
ルと受信モジュールとに高低差即ち高低差を設けた同一
主面上に送信モジュールと受信モジュールとを設けても
、効果は同じである。 マタ、第8 図ハL E D (11) トPIN−P
DQ6)、2本の光ファイバは同−位置即ち高低差をつ
けずに、送信モジュール(l急の凸レンズ(91)の結
像距離と、受信モジュール崗の凸レンズ(92)の焦点
距離が等しい一対の凸レンズ(91) 、 (92)を
用いたものである。 この双方向光伝送装置を用いた光リンクの光結合効率(
η)は第7図のものと同一効果であることは言うまでも
ない。 以上、双方向光リンクの例で説明したが、3チャンネル
以上の多チャンネルであっても本発明の光結合機構が適
用できる。 なお、以上の実施例において、発光素子に対向する光フ
ァイバ端面と送信モジュールのレンズの結像距離に等し
く且つ受光素子lこ対向する光フアイバ端面とこの受光
モジュールのレンズとの距離が受信モジュールのレンズ
の焦点距離に等しいかあるいは受信モジュールのレンズ
の焦点距離以下であればよいと説明したが、実際には組
立上の誤差等を考慮すれば必ずしも全く同一となること
は期待できないので、基本的ζζ本発明の趣旨の範囲内
であれば本発明に含まれることは明白である。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明の双方向伝達装置の構成lこ
することtこより、本発明の双方向伝達装置を用いた光
リンクの光結合効率が従来の光リンクに比べて高くなっ
た。 4、図面の簡単な説明 第1図は光リンクを示す斜視図、第2図は半導体ユニッ
トの基本原理を示す模式断面図、第3図は従来の送信部
を示す模式断面図、第4図は送信モジュールあるいは受
信モジュールの原理を示す模式断面図、M5図は半導体
ユニットの基本原理を示す模式断面図、第6図は本発明
の双方向光伝送装置の一実施例を示す模式断面図、第7
図は本発明の双方向光伝送装置の他の実施例を示す模式
断面図、第8図は本発明の双方向光伝送装置の他の実施
例を示す模式断面図である。 (1)、(ハ)・・・光ファイバ(2)・・・光コネク
タリセプタクル(3)・・・光コネクタプラグ (4)、(5)、 (74) 、(75) 、(83)
、(84)・・フェルルαυ・・・多層配線基板 α
a・・・送信モジュール0句・・・受信モジュール
(141−・・LED(1(9、、、P IN−FD (51)、(61)、(62)、(91)、(62)・
・・凸レンズ代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第2図 (−一一一、−一) 〆
Claims (4)
- (1) 発光素子が形成された多層配線基板とレンズを
取着したシェルをこの多層配線基板に固着してなる送信
モジュールと、受光素子が形成された多層配線基板とレ
ンズを取着したシェルをこの多層配線基板に固着してな
る受信モジコールと、前記送信モジュールと前記受信モ
ジュールとを固着した光コネクタリセプタクルと、この
光コネクタリセプタクルに1択合し光ファイバを保持す
るフェルルを描えた光コネクタプラグとからなる光リン
クにおいて、前記発光素子(ト) に対抗する光ファイバ端面と前記送信モジュールのレン
ズとの距離が前記送信モジュールのレンズの実質的に結
像距離に等しく且つ、前記受光素子に対向する光ファイ
バ端面と前記受信モジュールのレンズとの距離が前記受
信モジコールのレンズの実質的に焦点距離に等しいこと
を特徴とする光リンク。 - (2)前記送信モジュールと前記受信モジュールとはそ
れぞれの発光素子または受光素子に実質的に高低差をつ
けずに同一多層配線基板に配置するかまたは光]ネクタ
リセブタクルに固着し、且つ前記受光素子と光結合する
光ファイバを保持するフェルルが前記発光素子と光結合
する光ファイバを保持するフェルルより実質的に長いこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光リンク。 - (3)前記送信モジュールと前記受信モジュールとは別
々に高低差をつ(プで光コネクタリセプタクルに固着す
るかまたはそれぞれの発光素子と受光素子とに高低差を
つけて同一多層配線基板に配置し、目つ前記受光素子と
光結合する光ファイバを保持するフェルルが前記発光素
子と光結合する光ファイバを保持するフェルルと略同じ
長さであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の光リンク。 - (4)前記送信モジュールのレンズの結像距離と前記受
信モジュールの焦点距離とが略等しいことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の光リンク。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57186688A JPS5977402A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 光リンク |
EP83110609A EP0112458B1 (en) | 1982-10-26 | 1983-10-24 | Duplex optical communication device |
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US06/755,980 US4625333A (en) | 1982-10-26 | 1985-07-18 | Duplex optical communication device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57186688A JPS5977402A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 光リンク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5977402A true JPS5977402A (ja) | 1984-05-02 |
Family
ID=16192893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57186688A Pending JPS5977402A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 光リンク |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4625333A (ja) |
EP (1) | EP0112458B1 (ja) |
JP (1) | JPS5977402A (ja) |
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