JPS5970373A - 放射線撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は被写体を透過した放射線像を撮像する放射線撮
像装置に関するものである。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来より、例えば放射線診断装置では、被検体を透過し
た放射線に基づいて、特定のブラウン管に放射線像を再
現することは、既にガンマカメラ。

ＣＴ装置、１．１−撮像管方式において行なわｎている
。こｎらの装置においては、光電管、気体電離、１．１
が用いらｎているが、いずｎも真空ないし気体を利用し
たものであり固定化さｎていない。固定化放射線検出器
としてフォトダイオードアレー（光半導体列）とシンチ
レータとを組み廿せたものがあるが、こｎら多数の素子
を平面的に配列することは技術的に困難であり、かつ、
経済的に好ましくない。又、シンチレータ像をレンズを
通して縮小し、固体化撮像管で撮影することはｌ−１−
撮像管方式とほぼ同一であって、画像の分解能にＴＶ方
式としての走査線による限界がある。この他、アレー状
に固足化受光素子を配列して、配列方向に交差する方向
に鏡によって元を走査し、あるいは機械走査によって受
光素子全移動させる方式においては、１サイクルに２秒
程度を必要とするため被検体の拍動等に追随できない欠
点がある。以上放射線検出器＃を的に挙げて説明したよ
うに１従来の放射線撮像装置によると、放射線検出器の
固定化に伴う問題点、再生画像の高分解能に関する問題
点及び画像再生の際の高速動作を達成する手段が解決さ
ｎていない現状である。

〔発明の目的〕

本発明は前記事情に鑑みてなさｎたものであり、放射線
検出器の固定化を図るとともにｉｕｕ＋家の分解能を高
めかつ高速動作可能な放射線検出器ｆｔを提供すること
を目的とするものである。

〔発明の概要〕

前記目的を達成するだめの本発明の概要は、被写体を透
過した放射線像を螢元像に変換する螢光物質が格子状の
仕切線に沿って配列さｎたグリッドと、前記螢光物質の
発光を受光すると共に、所定の位相の元のみを透過する
第１の偏光板と、前記グリッドにおける格子状の一方向
に沿った仕切線に対応する縞状の電極が配列さｎると共
に、隣６接する各電極間に異なる電位の電圧が印加さｎ
ることによって、隣接する各電極間の領域毎に元の位相
を回転させる性質を有する光学結晶と、前記光学結晶の
透過光を入射すると共に、前記第１の偏光板とは異なる
位相の元のみを透過する第２の偏光板と、前記縞状の電
極とは交差する方向に治った前記グリッドにおける格子
状の仕切線に対応して分割配置さｆＬ、た基板上に保持
さｎると共に、前記第２の偏光板の透過光を格子状のグ
リッドに対応して分割配置さｎ先端を集約せしめた光案
内手段と、該光案内手段の前記集約部に設けらｎて、集
約部を受光すると共に光量に応じた電気信号を出力する
充電変換手段とが順次積層さｎてなることを特徴とする
ものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図は本発明の一実施例である放射線撮像装置の概略斜
視図である。第１図において、放射線撮像装置１は放射
線の曝射方向である図示矢印Ａ方向に沿って、グリッド
２．第１の偏光板３゜光学結晶４．第２の偏光板５．゛
基板９に保持さｎた光案内手段たるライトガイド６、充
電変換手段たる線状光学センサ７とが順次積層さｎた構
造となっている。前記グリッド２は、例えば鉛系金属で
成型さｎた平版上の一万より他方の面へ貫通して設けら
ｎた穴部に螢光物質を充填して得ら１．たシンチレータ
２αを複数個格子状に配列したものである。第１の偏光
板６は、一方の面を前記グリッド２に密着して設けらｎ
１グリツド２におけるシンチレータ２αが放射層を受光
することにより発光する元を入射するとともに、該入射
光のうち特定の位相を中心とした偏光のみを通過させる
。

第２の偏光板５は、前記第１の偏光板３とともに光学結
晶４（詳細を後述する）の前後を挾むように配置さ１１
、光学結晶４の透過光のうち前記第１の偏光板６と直角
方向の位相にある偏光のみを通過させる。次に前記光学
結晶４について第２図（α）。

（Ａ）をも参照に加えて説明する。第２図（α）　、　
（ｈ）は光学結晶４の正面図、横断面図である。第２図
（α）。

（ｂ）において光学結晶４は、前記第１の偏光板３と密
着する一万の表面に絶縁性の光学整合層４ａがλ／４（
λは透過光の波長）の厚みで一様に塗布さｎている。そ
して、この光学整合層４σを有する光学結晶４の表面と
、光学整什層４αが塗布さ扛ていない側の光学結晶４０
表面とに、＃記グリッド２における各シンチレータ２α
の図示矢印Ｘ方向の幅に対応した幅を間隔としてグリッ
ド２の仕切線部分に対応するように配列さｎるとともに
、図示矢印Ｙ方向に沿って縞状に１対の透明電極４Ａ。

４Ａ　（Ｉｎ（）ｚ／”　５ｒＬＯ２等で組成さｎてい
る）がそｎぞｎ設けられている。この１対の透明電極４
ｈ、４ｂは第２図＜ｈ＞に示すようにパルスジェネレー
タ８（詳細を後述する）の出力端にそｎぞｎ一対電に接
続さｎ、ている。次にライトガイド乙について説明する
。

第３図（５Ｅ）　ｔ　（Ａ）は、ライトガイド部の平面
図、正面図である。ライトガイド６に一１万形状の基板
９上に保持さ扛ている。この基板９は前記グリッド２の
シンチレータ２α間の仕切線に対応するような長さと厚
みを有し、上下に数段に配列さγした状態で接着等の手
段により一端が第２の偏光板５の壁面に取付けらｎてい
る。このような基板９に保持さｎたライトガイド６は一
万の端６αを前記第２の偏光板５に密着し、グリッド２
において図示矢印Ｘ方向に沿って配列さｆたシンチレー
タ２ａの個々より発光さｎる尤を受光するようになって
お！ｌ１１先端６ｂは１点に集約さｒ１集約部６ｈは後
述する線状太字センサ７に導いた元を集ｙＣするように
なっている。光電変換手段たる前記太字紛状センサ７は
、前記ライトガイド６の集約ｍ６ｂの頂点部に密着して
設けらｎるとともに、前記ライトガイド６全Ｙ方向に分
割する各基鈑９の数に対応して検出素子７ａヲ有してい
る。この検出素子７αはライトガイド６ｔｌ−介して受
光する光量に応じた電気信号を出力する。前記パルスジ
ェネレータ８は、カウンタ、パルスアンプ等から成り、
一定周期のパルスを発生させて前記光学結晶４におけ石
１対の透明電極４ｈにパルス電圧を順次印加する。

以上のように構成さｎた放射線撮像装置１の作用につい
て説明する。装置全体の作用を説明する前に、先ず光学
結晶４の作用について説明する。

光学結晶４として用いらｎるものにｐＬＺＴが挙げら扛
る。このｐＬＺＴは一般に電気光学セラミックスと称さ
ｒしており、ＰｈＺｒＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｌａ　ｔＤ
　３つの配分によって性質を異にする多結晶であり、本
発明に於て用いる組成はＺ１／Ｔｉ＝６５／３５　、Ｌ
ａが０．０８〜０．１１（原子数）近辺のもので、２次
電気元学材料と呼ばｎている。この組成を有するＰＬＺ
Ｔは、他のｐＬＺＴと比べて光透過性が最も高いものに
属し、可視領域から赤外領域にわたって高い透過率を示
すとともに、表面での反射損失（約６４チ）を除くと１
００　％に近い透過率を有する。又、ＰＬＺＴの表面に
は前記光学整付層４αがコートさｎており、この光学整
合層４αの膜厚を透過光の波長に関係した厚さ例えばλ
／４（λは透過光の波長）にすることにより前記反射損
失を低減することができる。上記の組成を有するＰＬＺ
Ｔは室温では常誘電相であるが、電界が印加さｎること
によｐ強誘電相が誘起さ扛る。このため、電界を印加し
ないときは光学的に等方性であって複屈折（結晶内位相
偏ｉ）は零に近いが、印加電界の増大とともに前記複屈
折が電界の２乗に比例して変化する性質がある。従って
印加電界を制御することによりＰＬＺＴｆ元シャッタと
して利用することができる。この元シャッタとしての性
質をさらに詳細に説明すると、第２図に示すように光学
結晶４０両面には、両面上の相対向する位置に一対の透
明電極４ｂが縞状に設けらｎており、この一対の透明電
極４ｂ　、１１はそｎぞｎパルスジェネレータ８０出力
端に接続さｎている。そこで、図示矢印Ｘ方向に沿って
相隣り会うそｎぞ扛一対の透明電極４ｈｌｓ４ｈｌと透
明電極４ｈ２＋４”２とに同時に異なる電位の電圧を印
加する。例えば−万の透明電極４ｈｌ＋４ｂｌに所定電
位の電圧を印加し、他方の透明電極４ｈ２，４ｂｘに前
記電圧よりも低電位を有する電圧を印加すると、この相
隣り会う透明電極４ｈｌｙ４ｈ２間に電界が生じ、この
領域内にある光学結晶４が複屈折を生ずることになる。

従って、前記領域内を通過する元は、光学結晶４の複屈
折効果によって位相が回転することになる。この複屈折
効果によって元シャッタとしての機能が発揮できるもの
であり、即ち、光学結晶４への元の入射方向（図示矢印
Ｘ方向）に相前後して第１．第２の偏光板６，５を設け
ることにより、複屈折効果が生じた領域を通過する元の
みを取り出すことができ、複屈折効果が生じない他の領
域を通過する元は遮断することができる。このことを第
４図をも参照に加えて説明すると、図示矢印Ｘ方向に清
って第１の偏光板３に入射する元は、第１の偏光板６を
通過することによっである特足の位相を中心とした偏光
のみに限足さｎる。この偏光は光学結晶４に入射するが
、透明電極４ｂ間に電界が生じない限ｐそのまま通過し
て第２の偏光板５に入射する。

ところが、第２の偏光板５は前記第１の偏光板３を通過
する偏光と直角方向の位相にある元のみを通過させるた
め、前記の入射光は第２の偏光板５によって全て遮断さ
ｎることになる。そこで、光学結晶４の相隣り合う透明
電極４ｂ間に複屈折効果を生じさせて、その領域内に入
射する偏光の位相を回転することにより、光学結晶４に
入射する九のうち図示矢印Ｙ方向に沿った特定の領域内
を通過する元のみを第２の偏光板５より取り出すことが
できる。そして、相隣り合う透明電極４ｂに順次選択し
てパルス電圧を印加することにより、図示矢印Ｘ方向に
沿って光学結晶４における透明電極４ｈ間の領域毎に順
次走査してｙｔ、’を通過させることができる。

以上説明した元シャッタ機能を有する放射線撮像装置１
全体の作用を説明する。グリッド２上に放射線像が結像
すると、グリッド２に格子状に配列さｎｆｃ各シンチレ
ータ２αが放射線の強度に応じて発光する。各シンチレ
ータ２αにおいて発光さｎた元は、第１の偏光板３を介
することによって特定の位相を中心とした偏光となり、
この偏光が光学結晶４に入射する。光学結晶４ｔｉ前述
したようにパルスジェネレータ８のパルスピッチに同期
して隣接する透明電極４６間の領域毎に、図示矢印Ｘ方
向に沿って複屈折効果が生じ、従って、第２の偏光板５
を通過できる位相の元が、順次図示Ｘ方向に走査さｎて
取ジ出さｎることになる。

尚、前記透明電極４６間の領域は、前記グリッド２にお
ける各シンチレータ２αの図示矢印Ｘ方向の幅と対応し
ているため、第２の偏光板５を透過する元は、図示矢印
Ｘ方向の所定位置に対応した一列のシンチレータ２α毎
に順次Ｘ方向に走査さｎて取り出さ扛ることになる。第
２の偏光板５の透過光は、次に格子状のライトガイド６
に入射する。ライトガイド６は、前記グリッド２におけ
る各シンチレータ２αの図示矢印Ｙ方向の長さと対応し
て分割さｎているため、図示矢印Ｘ方向に沿った所定位
置において第２の偏光板５を同時に透過する元は、各シ
ンチレータ２αの図示矢印Ｙ方向の位置毎に各格子状の
ライトガイド６に入射して、該透過光を集束して光学線
状センサ７の各検出素子７αに導くことになる。従って
、各シンチレータ２αにおいて発光した元は１図示矢印
Ｘ方向をパルスジェネレータ８の動作に基づいて、光学
結晶４により元の通過が制御さｎ％囚示矢印Ｙ方向の位
置毎に光学線状センサ７においてその光量が検出さｎる
ため、各シンチレータ２αにおいて発光した元の光量を
各シンチレータ２αのＸ方向位置、Ｙ方向位置に対応付
けて測定することができることになる。光学層状センサ
７における各検出素子７αは入射光量に応じた電位を有
する電気信号を出力し、この出力信号は放射線像の再生
に供さ几ることになる。以上のようにして得らｎた出力
信号によって再生さＡ７）＋１！ＩＩ像は分解能の高い
ものとなっている。即ち、ライトガイド６の入口部が格
子状に区分さｎていることにより、周囲からの影響が少
なくなるからである。また、前記縞状の透明電極４ｂの
相互間の間隔を狭めｎば、この相隣り合う透明電極４ｂ
へ印加するそｎぞ几の電圧の電位差を少なくして電界強
度を高めることができるが、この−例として透明電極４
ｈの相互間の間隔１０．５ＩＩ１１として、３００Ｖの
電位差で透明電極４ｈに印加すると電界強度は６ＫＶ１
０ｎとなり、無印加時と較べて３０倍ものコントラスト
を得ることができるからである。次に、この放射肪撮像
装置１の高速動作機能について説明する。光学結晶４と
しての前述した組成を有するｐＬＺＴは一電気的ヒステ
リシスがなく複屈折のサイクルタイムが短いため高速度
で電圧印加区間を切替えることができる。−例として、
光学線状センサ７の検出素子７αが図示矢印Ｙ方向に沿
って８００列（ピッチ０．５−　）あるものとし、透明
電極４ｈの間隔を図示矢印Ｘ方向毎に０．５０としてこ
の透明電極４ｈに介在するｐＬＺＴの列全８００列とし
、４０ａｎＸ４０（７）の撮影面に画像表示する場合に
おいて、ｐＬＺＴに入射した光が検出素子７αにおいて
測定処理さｎるために要する時間は、 ＰＬＺＴサイクル時間Ｘ　ＰＬＺＴ列数　・・・・・・
（１）検出素子７αのサイクル時間ｘｐＬＺη１］数　
・・・・・・　（２）のいずｎか遅い万となる。

ここでｐＬＺＴサイクル時間を１０μ３とすｎは式（１
）で計算さｎる時間は、 １０　ｐｇ　Ｘ　８００　＝　８　ｍｓ　　−−−−−
−（］）’となる。検出素子７αのサイクル時間は、検
出素子７αがフォトトランジスタタイグの場合には１０
μＩ〜１００μｓであり、従って式（２）で計算さｎ。

る時間は、最も遅い場合でも １００μ、ｒ　Ｘ　８００　＝　８０ｍ、ｒ　−−−−
−−（２）’となる。よって、１００μＩ　のサイクル
時間で図示矢印Ｙ方向に溢った１列のＰＬＺＴの出力を
８００列の検出素子７αにおいて並列同時処理してメモ
リ動作を完了し、図示矢印Ｘ方向に沿った８００列のＰ
ＬＺＴの出力を８ＱｍＩで測定できることになる。

ここで、例えば１６本のパスラインで同時処理を行うと
すｎば、パスラインの切換えに要する回数は、 ８００÷１６＝５０回　・・・・・・（３）となる。パ
スラインの切換時間を無視すｎば１００μ５１５０＝２
μ５０間にメモリ動作を完了すｎばよいことになる。現
在、ＩＣメモリでは１　ｎｚ／ビットが可能であるため
、２μＩの間に２０００ビツトのメモリ処理ができるこ
ととなり、検出素子７αのデータが３桁〜４桁の数値で
あることから充分な処理能力があるといえる。以上、Ｐ
ＬＺＴｆ用いて平面画像をｆＪＱｎｔｚ以内にメモリ処
理可能であることを数値例を挙げて説明したが、８０ｍ
１は最も遅い場合の例であり、検出素子８ａのサイクル
時間によっては２０ｍ５以内でも芙現可能である。

本発明は前記実施例に限定さｎるものではなく１本発明
の要旨の範囲内で種々の変形例を包含することは言うま
でもない。例えば、第１囚図示矢印Ｘ方向に沿って、第
２の偏光板５の透過光を順次光電変換手段に導く元案内
手段６としては、ライトガイドに１翼らず光ファイバー
を用いることもできる。この場合、グリッド２における
各シンチレータ２αと対応する第２の偏光板５士の各位
置に元ファイバーの一端をそ扛ぞｆ密着させ、図示矢印
Ｘ方向に配列さｎた１列のシンチレータ２αに対応する
元ファイバーを１束として、図示矢印Ｙ方向の列毎に複
数束の元ファイバーを備え、元ファイバーの各来電の端
部にそｎぞｎ充電変換手段例えばフォトダイオード等を
設けることＫより前記実施例と同様の効果を奏すること
ができる。元ファイバーを基板上に形成するには、透明
なアクリル酸化硅素（モノシランＳ’０ｚ）ｓ電気光学
セラミックス等をスパッタリング（蒸着）、ケミカルベ
ーパーデポジション（ＣＶＤ）あるいは、九学レジスト
印刷腐食法を用いることができる。この元ファイバーの
一端は一体化して収束構造とすることによりレンズ化し
て充電変換素子の受光部と密着し、あるいは、図示して
いないがガラスファイバ一部と一体に充電変換素子をＣ
ＶＤ法等の手法により、一体に形成することにより、光
結合損失を少なくすることが可能である。さらに各種素
子を一体化することは最近プラズマ、スパッター法など
で容易になっており、増幅部、ＡＤ変換部など同時形成
すｎばより高特性なものとすることができる。このよう
に元ファイバーを使用することによって、製造が比較的
容易になるとともに、放射線撮像装置１の小型化をも図
ることができる。

また、第２図に示す光学結晶４に電極を形成する変形例
として第５図（α）　ｔ　（ｂ）に示すようにしてもよ
い。即ち、第５図（α）に示すように、光学結晶４の一
方の表面に光学整合層４αを塗布した後、光学結晶４′
ｔ−所定間隔でスライスしてその溝に導電物質４ｄを充
填させても、前記実施例と同様に元シャッタとしての機
能を有することができる。導電物質４ｄとしては導電ペ
イント、導電ゴム、銀ペースト等ガラスと密着性の良い
ものが望ましい。

ｐＬＺＴは０３５關程度で薄いため、第１の偏光板３に
接着後線引加工（切断を含む）した万が作業能率の向上
を図ることができる。この他、第４図（ｈ）に示すよう
に、光学結晶４の両面に導電性の光学整合層４Ｃ’を縞
状に塗布し、この縞状の各例毎の光学整合層４Ｃの表面
に透明電極４６ヲ設けても。

前記と同様の効果を奏することができる。又、ライトガ
イド６を通過する光量の測定は前記元学線状センサ７に
限らず、ライトガイド７の湾曲状の一部に、例えばフォ
トダイオード等を装着して充電変換手段とすることもで
きる。さらに、光学結晶４の材料としては、前述したＰ
ＬＺＴに限らず、ｐＬＺＴとほぼ同等の性質を有するＬ
ｉＮｂＯ２，ＬｉＴａＯ２゜Ｂａ２ＮａＮｈ５０１５　
、　Ｂａ２（ＫＮａ　）Ｎｈ、ＯＨＢ　、　（ＳｒＢ）
Ｎｂ２Ｏ２等の結晶も利用することができる。

以上説明した放射線撮像装置１を利用することにより、
種々の分野において優ｎた性能を発揮することができる
０例えば、放射線を被写体に曝射することによって得ら
ｎる放射線像を再生して。

被写体の損傷等を画像診断する際には、本発明の放射線
撮像装置により高速にしかも鮮明な画像によって診断す
ることができる。又、本発明は特に診断のための医療機
器に応用することにより、優ｎた効果を奏することがで
きる。以下、医療機器に応用した実施例について説明す
る。第６図は、本発明を利用したＸｉ診断装置の概略説
明図である。第６図中、放射線撮像装置１については、
第１図図示のものと同一であるから、放射線撮像装置１
の各構成部材には第１図と同一符号を付してその説明を
省略する。第６図において、１０はＸ線管であり、被検
体１１に向けてＸ線を曝射する。

１２はルωコンバータであり、放射線撮像装置１におけ
る光学線状センサ７の各検出素子７αの出刃信号を入力
し、ルの変換して出力する。１３は画像再構成装置であ
り、ｌＤコンバータ１２の出力を入力して、前記入力に
基づいてＸ線透過像を再構成してディスプレイ１４上に
おいて画ｆ象表示する。

以上のように構成さｎたＸ線診断装置において、Ｘ線管
１０よりＸ線が曝射さ几ると、該Ｘ線は被検体１１を透
過して放射線撮像装置１におけるグリッド２上にＸ線透
過像を結像する。放射線撮像装置１は前述した動作に基
づいて、このＸ線透過像を光学像に変換し、光学像を構
成する元を順次取り出してその光量に応じた電気信号を
出力する。

この電気信号はルωコンバータ１２においてルω変換さ
ｎ５画像再構成装置１３でＸＩＷ透過像に基づいた画像
を再構成してディスプレイ１４上に画像表示することが
できる。以上のようにして得らｎた画像は、前述した放
射線撮像装置１の作用により、極めて分解能の高いもの
であり、適正な診断を図ることができる。又、放射線撮
像装置１が高速動作可能であるため、例えば被検体１１
における心臓部分の撮影をする場合であっても、心臓の
拍動に追随した画像を再構成することができ、しかもこ
の場合、被検体１１に対して被曝１ｗ量の低減化も合わ
せて図ることができるため、被検体１１の被曝に対する
安全性をも高めることができる。さらに、本発明は放射
線撮像装置だけでなく、画像処理装置に使用することに
より同様の効果を得ることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明によると放射線像が結像
する二次元面上に格子状に螢光物質を配列した固体化放
射線検出器を用い、かつ、この螢光物質での発九光量を
格子状に区分し各区分の光量を測定し画像として再構成
することにより、再構成さｎた画像の分解能を高めると
ともに、高速動作をも達成することができる放射線撮像
装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である放射線撮像装置を示す
概略斜視図、第２図（α）　９　（ｈ）は光学結晶４の
正面図、横断面図、第３図（α）　９　（ｂ）はライト
ガイド６を示す平面図、正面図、第４図は元シャッタ動
作を説明するための概略斜視図、第５１（α）　ｌ　（
ｈ）は光学結晶４の変形例を説明するための横断面図、
第６図は、本発明の放射線撮像装置を含むＸ線診断装置
の一実施例を示す概略説明図である。 １・・・放射線撮像装置、　　２・・・グリッド、２１
Ｚ・・・シンチレータ、　　３・・・第１の偏光板、　
４・・・光学結晶、４ｂ・・・透明電極、４ｄ・・・導
電物質、　　５・・・第２の偏光板、　６・・・光案内
手段、　　７・・・充電変換手段、　　８・・・パルス
ジェネレータ、　　９・・・基板。 代理人　弁理士　則　近　憲　佑（ほか１名）第　　２
　区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 被写体を透過した放射線像を螢光像に変換する螢光物質
   が格子状の仕切線に沿って配列さｎたグリッドと、前記
   螢光物質の発光を受光すると共に、所定の位相の光のみ
   を透過する第１の偏光板と、前記グリッドにおける格子
   状の一方向に沿った仕切線に対応する縞状の電極が配列
   さｎると共に、隣接する各電極間に異なる電位の電圧が
   印加さｎることによって、接続する各電極間の領域毎に
   光の位相を回転させる性質を有する光学結晶と、前記光
   学結晶の透過光を入射すると共に、前記ｍ１の偏光板と
   は異なる位相の光のみを透過する第２の偏光板と、前記
   縞状の電極とは交差する方向に沿った前記グリッドにお
   ける格子状の仕切線に対応して分割配置さｎた基板上に
   保持さｎると共に、前記第２の偏光板の透過光を格子状
   のグリッドに対応して分割配置さｎ先端を集約せしめた
   光案内手段と、該光案内手段の前記集約部に設けらｎて
   、集約部を受光すると共に光量に応じた電気信号を出力
   する光電変換手段とが順次積層さｎてなることを特徴と
   する放射線撮像装置。