JPS58195543A - 放射線撮像装置 - Google Patents
放射線撮像装置Info
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- JPS58195543A JPS58195543A JP57076004A JP7600482A JPS58195543A JP S58195543 A JPS58195543 A JP S58195543A JP 57076004 A JP57076004 A JP 57076004A JP 7600482 A JP7600482 A JP 7600482A JP S58195543 A JPS58195543 A JP S58195543A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は被写体を透過した放射線像を撮像する放射線撮
像装置に関するものである。
像装置に関するものである。
従来工9、例えば放射線診断装置では、被検体を透過し
た放射線に基づいて、特定のブラウン管に放射線像全再
現することは、既にガンマカメラ。
た放射線に基づいて、特定のブラウン管に放射線像全再
現することは、既にガンマカメラ。
CTve@、I @I−撮像管方式において行なわnて
いる0こ扛らの装置においては、光電管、気体電離、1
.1が用いらnているが、いずnも真空ないし気体?利
用したものであり固体化さnていない。固体化放射線検
出器としてフォトダイオードアレー(元手導体列)と/
ンチレータとを組み合せたものがあるが、こnら多数の
素子を平面的に配列することは技術的に困難であり、か
つ、経済的ニ好ましくない。又、7ンナレ一タgi!t
レンズを通して縮小し、固体化撮像管で撮影することは
1.1−撮像管方式とほぼ同一であって、ImgIの分
解能KTV方式としての走査線による限界がある。この
他、アレー状に固体化受光素子を配列して、配列方向に
交差する方向に鏡によって光を走査し、あるいは機械走
査によって受光素子を移動させる方式においては、1サ
イクルに2秒1171を必要とするため被検体の拍動等
に追随できない欠点がある。以上放射線診断装置iiを
例に挙げて説明したように、従来の放射線撮像装置によ
ると、放射線検出器の固体化に伴う問題点、再生画像の
高分解能に関する問題点及び画像再生の際の高速動作を
達成する手段が解決さnていない現状であるO 〔発明の目的〕 本発明は前記事情に鑑みてなさnたものであり、放射線
検出器の固体化ヲ:′−るとともに画像の分解゛り 能を高めかつ高速動作可能な放射線検出器FILを提供
することを目的とするものである。
いる0こ扛らの装置においては、光電管、気体電離、1
.1が用いらnているが、いずnも真空ないし気体?利
用したものであり固体化さnていない。固体化放射線検
出器としてフォトダイオードアレー(元手導体列)と/
ンチレータとを組み合せたものがあるが、こnら多数の
素子を平面的に配列することは技術的に困難であり、か
つ、経済的ニ好ましくない。又、7ンナレ一タgi!t
レンズを通して縮小し、固体化撮像管で撮影することは
1.1−撮像管方式とほぼ同一であって、ImgIの分
解能KTV方式としての走査線による限界がある。この
他、アレー状に固体化受光素子を配列して、配列方向に
交差する方向に鏡によって光を走査し、あるいは機械走
査によって受光素子を移動させる方式においては、1サ
イクルに2秒1171を必要とするため被検体の拍動等
に追随できない欠点がある。以上放射線診断装置iiを
例に挙げて説明したように、従来の放射線撮像装置によ
ると、放射線検出器の固体化に伴う問題点、再生画像の
高分解能に関する問題点及び画像再生の際の高速動作を
達成する手段が解決さnていない現状であるO 〔発明の目的〕 本発明は前記事情に鑑みてなさnたものであり、放射線
検出器の固体化ヲ:′−るとともに画像の分解゛り 能を高めかつ高速動作可能な放射線検出器FILを提供
することを目的とするものである。
前記目的を達成するための本発明の概要は、被写体を透
過した放射41儂を蛍光像に変換する蛍光物質が格子状
の仕切線に沿り1配列さnたグリッドと、前記蛍光物質
の発光を受光すると共に、所定の位相の元のみを透過す
る第1の偏光板と、前記グリッドにおける格子状の一方
向に渋った仕切線に対応する縞状の電極が配列さnると
共に、隣接する各電極間に異なる電位の電圧が印加さn
ることによって、隣接する各電極間の領域毎に光の位相
を回転させる性質t−有する光学結晶と、前記光学結晶
の透過光を入射すると共に、前記第1の偏光板とは異な
る位相の元のみを透過する第2の偏光板と、前記縞状の
電極とは交差する方向に沿った前記グリッドにおける格
子状の仕切1iMK対応して分割さnると共に、前記第
2の偏光板の透過光を分割して案内する光案内手段と、
該元案内手よ。aixt′+xオ6.!:AKftKf
fi。4、・・:; 号音出力する充電変換手段とが順次積層さnてな す
ること倉特偵とするものである。
過した放射41儂を蛍光像に変換する蛍光物質が格子状
の仕切線に沿り1配列さnたグリッドと、前記蛍光物質
の発光を受光すると共に、所定の位相の元のみを透過す
る第1の偏光板と、前記グリッドにおける格子状の一方
向に渋った仕切線に対応する縞状の電極が配列さnると
共に、隣接する各電極間に異なる電位の電圧が印加さn
ることによって、隣接する各電極間の領域毎に光の位相
を回転させる性質t−有する光学結晶と、前記光学結晶
の透過光を入射すると共に、前記第1の偏光板とは異な
る位相の元のみを透過する第2の偏光板と、前記縞状の
電極とは交差する方向に沿った前記グリッドにおける格
子状の仕切1iMK対応して分割さnると共に、前記第
2の偏光板の透過光を分割して案内する光案内手段と、
該元案内手よ。aixt′+xオ6.!:AKftKf
fi。4、・・:; 号音出力する充電変換手段とが順次積層さnてな す
ること倉特偵とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面?参照して説明する。第
1図は本発明の一実施例である放射暑撮偉装置の概略斜
視図である。第1図において、放射線撮像装置IFi放
射線の曝射方向である図示矢印X方向に沿って、グリッ
ド2.第1の偏光板3゜光学結晶4.第2の偏光板51
元案内手段たるライトガイド6、光電変換手段たる線状
光学センサ7とが順次積層さt′LfC構造となってい
る。前記グリッド2は、例えば鉛系金属で成型さnた平
板上の一方より他方の面へ貫通して設けらnた穴部に蛍
光物質全充填して得らnた7ンチレータ2αを複数個格
子状に配列したもの・である。第1の偏光板6は、一方
の面を前記グリッド2に密着して設けらn1グリツド2
におけるシンチレータ2αが嘘射線倉受光することにL
り発光する元を入射するとともに、該入射光のうち特足
の位相を中心とした偏光のみを通過させる。第2の偏光
板5は、前記第1の偏光板6とともに光学結晶4(詳細
を後述する)の前後を挾むように配置さtSS生学結晶
4透過光のうち前記第1の偏光板6と直角方向の位相に
ある偏光のみを通過させる。次に前記光学結晶4につい
て第2図(d) 、 (b) ’tも参照に加えて説明
する。第2図(α) 、 (h)は光学結晶4の正面図
、横断面図である。第2図(αン、(句において光学結
晶4は、前記第1の偏光板6と密着する一方の表面に絶
縁性の光学整合層4αがλ/4(λは透過光の波長)の
厚みで一様に塗布さnている。そして、この光学整合層
4α會有する光学結晶40表面と、光学整合層4αが塗
布さnていない側の光学結晶40表面とに1前記グリツ
ド2における各シンチレータ2αの図示矢印X方向の幅
に対応し虎幅を間隔としてグリッド2の仕切線部分に対
応する工うに配列さrしるとともに、図示矢印Y方向に
削って縞状に1対の透明電極4b、4b (IrL02
/5n02等で組成さnている)がぞnぞn設けらnて
いる。この1対の透明電@k 4b、4b l’i第2
図(h)IIC示スL ウ4Cハルスジxネレータ8(
詳細を後述する)の出力層にそnぞn一対毎に接続さn
ている。次にライトガイド乙について説明する。ライド
ガイド6は前記グリッド2にお−Jる/フチレータ2α
の図示矢印Y方向の長さに対しcl、シて分割さnると
ともに、一方の面倉前記第2の偏光板5に密着し、他方
の面はグリッド2において図示矢印X方向11CGって
配列さnたシンチレータ2αの個々エリ発光さ扛る元金
後述する光学線状センサ7に導くごとく例えば湾曲した
形状となっている0元電変換手段たる前記光学線状セン
サ7は、前記ライドガイド6の湾曲した頂点部に密着し
て設けらnるとともに、前記ライトガイド7の各分割部
に対応して検出素子7αを有している。この検出索子7
αはライトガイド6t−介して受光するyt、iK心じ
た電気信号を出力する。前記パルスジェネレータ8は、
カウンタ、パルスアンプ等から成り、一定周期のパルス
を発生させて前記光学結晶4における1対の透明電極4
bKパルス電圧を順次印加する。
1図は本発明の一実施例である放射暑撮偉装置の概略斜
視図である。第1図において、放射線撮像装置IFi放
射線の曝射方向である図示矢印X方向に沿って、グリッ
ド2.第1の偏光板3゜光学結晶4.第2の偏光板51
元案内手段たるライトガイド6、光電変換手段たる線状
光学センサ7とが順次積層さt′LfC構造となってい
る。前記グリッド2は、例えば鉛系金属で成型さnた平
板上の一方より他方の面へ貫通して設けらnた穴部に蛍
光物質全充填して得らnた7ンチレータ2αを複数個格
子状に配列したもの・である。第1の偏光板6は、一方
の面を前記グリッド2に密着して設けらn1グリツド2
におけるシンチレータ2αが嘘射線倉受光することにL
り発光する元を入射するとともに、該入射光のうち特足
の位相を中心とした偏光のみを通過させる。第2の偏光
板5は、前記第1の偏光板6とともに光学結晶4(詳細
を後述する)の前後を挾むように配置さtSS生学結晶
4透過光のうち前記第1の偏光板6と直角方向の位相に
ある偏光のみを通過させる。次に前記光学結晶4につい
て第2図(d) 、 (b) ’tも参照に加えて説明
する。第2図(α) 、 (h)は光学結晶4の正面図
、横断面図である。第2図(αン、(句において光学結
晶4は、前記第1の偏光板6と密着する一方の表面に絶
縁性の光学整合層4αがλ/4(λは透過光の波長)の
厚みで一様に塗布さnている。そして、この光学整合層
4α會有する光学結晶40表面と、光学整合層4αが塗
布さnていない側の光学結晶40表面とに1前記グリツ
ド2における各シンチレータ2αの図示矢印X方向の幅
に対応し虎幅を間隔としてグリッド2の仕切線部分に対
応する工うに配列さrしるとともに、図示矢印Y方向に
削って縞状に1対の透明電極4b、4b (IrL02
/5n02等で組成さnている)がぞnぞn設けらnて
いる。この1対の透明電@k 4b、4b l’i第2
図(h)IIC示スL ウ4Cハルスジxネレータ8(
詳細を後述する)の出力層にそnぞn一対毎に接続さn
ている。次にライトガイド乙について説明する。ライド
ガイド6は前記グリッド2にお−Jる/フチレータ2α
の図示矢印Y方向の長さに対しcl、シて分割さnると
ともに、一方の面倉前記第2の偏光板5に密着し、他方
の面はグリッド2において図示矢印X方向11CGって
配列さnたシンチレータ2αの個々エリ発光さ扛る元金
後述する光学線状センサ7に導くごとく例えば湾曲した
形状となっている0元電変換手段たる前記光学線状セン
サ7は、前記ライドガイド6の湾曲した頂点部に密着し
て設けらnるとともに、前記ライトガイド7の各分割部
に対応して検出素子7αを有している。この検出索子7
αはライトガイド6t−介して受光するyt、iK心じ
た電気信号を出力する。前記パルスジェネレータ8は、
カウンタ、パルスアンプ等から成り、一定周期のパルス
を発生させて前記光学結晶4における1対の透明電極4
bKパルス電圧を順次印加する。
以上のLうに構成さnた放射線撮像装置11の作1
用について説明する。装置全、体、の作用を説明する前
に、先ず光学結晶40作用、〆、ついて説明する。
に、先ず光学結晶40作用、〆、ついて説明する。
光学結晶4として柑いらnるものにPLZTが挙げらn
る0このpLZT Vi一般に電気光学セラミックスト
称さrt”cおり、Pb1r03 、 PbT t O
3、Laの6つの配分によって性質を異にする多結晶で
あり、本発明に於て用いる組成はZr7 、 65T*
/、55 、Laが0.08−0.12%(原子
数)近辺のもので、2次電気元学材料と呼げルている。
る0このpLZT Vi一般に電気光学セラミックスト
称さrt”cおり、Pb1r03 、 PbT t O
3、Laの6つの配分によって性質を異にする多結晶で
あり、本発明に於て用いる組成はZr7 、 65T*
/、55 、Laが0.08−0.12%(原子
数)近辺のもので、2次電気元学材料と呼げルている。
この組成を有するpLZTは、他のPLZTと比べて光
透過性が最も高いものに属し、irJ視領域から赤外領
域にわたって高い透過率を示すとと%KS表面での反射
損失(約64チ)を除くと100チに近い透過率7に有
する0又%PLZTの表面には前記光学整合層4αがコ
ートさnており、この光学整合層4αの膜厚を透過元の
波長に関係した厚さ例えばλA(λは透過元の波長)K
することに工9前記反躬損失を低減することができる○
上記の組成を有するPLZTは室温では常誘電相である
が、電界が印加さnることに工9強誘電相が誘起さIL
る0この是・め、電界を印加しないときは光学的に等方
性であ、、12て複屈折(結晶内位相偏光)は零に近い
が、印加電界の増大とともに前記複屈折が電界の2乗に
比例して変化する性質がある。
透過性が最も高いものに属し、irJ視領域から赤外領
域にわたって高い透過率を示すとと%KS表面での反射
損失(約64チ)を除くと100チに近い透過率7に有
する0又%PLZTの表面には前記光学整合層4αがコ
ートさnており、この光学整合層4αの膜厚を透過元の
波長に関係した厚さ例えばλA(λは透過元の波長)K
することに工9前記反躬損失を低減することができる○
上記の組成を有するPLZTは室温では常誘電相である
が、電界が印加さnることに工9強誘電相が誘起さIL
る0この是・め、電界を印加しないときは光学的に等方
性であ、、12て複屈折(結晶内位相偏光)は零に近い
が、印加電界の増大とともに前記複屈折が電界の2乗に
比例して変化する性質がある。
従って印加電界を制御することによりPLZTt元7ヤ
ツタとして利用することができる。この尤シャッタとし
ての性質tさらに詳細に説明すると、第2図に示す工う
に光学結晶4の両面には、両面上の相対向する位置に−
・対の透明電極4bが縞状に設けらnており、この一対
の透明電極4に、4bFiそnぞれパルスジェネレータ
εの出力端に接続さnている。そこで、図示矢印X方向
に涜って相隣9合うそnぞ扛一対の透明電極4bl#4
blと透明電極4hz * 4Gとに同時に異なる電位
の電圧を印加する0例えば一方の透明t & 4b+
−4blに所足電位の電圧を印加し、他方の透明電極4
b2 r 4bzに前記電圧工りも低電位を有する電圧
を印加すると、この相隣り合う透明電極441# 4b
l間に電界が生じ、この領域内にある光学結晶4が複屈
折を生ずることになる。従って、前記領域内を通過する
元は、光学結晶4の複屈折効果に工って位相が回転する
ことになる0この複屈折効果によって元/ヤツタとして
の機能が発揮できるものであジ、即ち、光学結晶4への
尤の入射方向(図示矢印A方向)に相前後して第1.第
2の偏光板6,5を設けることKLり、複屈折効果が生
じた領域全通過する尤のみを取り出すことができ、複屈
折効果が生じない他の領域を通過する光は遮断すること
ができる。この □ことを第6図ケも参照に加えて説明
すると、図示矢印X方向に清って第゛1の偏光板6に入
射する元は、第1の偏光板3を通過することによっであ
る特定の位相を中心とした偏光のみに限足さfろ。
ツタとして利用することができる。この尤シャッタとし
ての性質tさらに詳細に説明すると、第2図に示す工う
に光学結晶4の両面には、両面上の相対向する位置に−
・対の透明電極4bが縞状に設けらnており、この一対
の透明電極4に、4bFiそnぞれパルスジェネレータ
εの出力端に接続さnている。そこで、図示矢印X方向
に涜って相隣9合うそnぞ扛一対の透明電極4bl#4
blと透明電極4hz * 4Gとに同時に異なる電位
の電圧を印加する0例えば一方の透明t & 4b+
−4blに所足電位の電圧を印加し、他方の透明電極4
b2 r 4bzに前記電圧工りも低電位を有する電圧
を印加すると、この相隣り合う透明電極441# 4b
l間に電界が生じ、この領域内にある光学結晶4が複屈
折を生ずることになる。従って、前記領域内を通過する
元は、光学結晶4の複屈折効果に工って位相が回転する
ことになる0この複屈折効果によって元/ヤツタとして
の機能が発揮できるものであジ、即ち、光学結晶4への
尤の入射方向(図示矢印A方向)に相前後して第1.第
2の偏光板6,5を設けることKLり、複屈折効果が生
じた領域全通過する尤のみを取り出すことができ、複屈
折効果が生じない他の領域を通過する光は遮断すること
ができる。この □ことを第6図ケも参照に加えて説明
すると、図示矢印X方向に清って第゛1の偏光板6に入
射する元は、第1の偏光板3を通過することによっであ
る特定の位相を中心とした偏光のみに限足さfろ。
この偏光は光学結晶4に入射するが、透明電極4b間に
電界が生じない限りそのまま通過して第2の偏光板5に
入射する。ところが、第2の偏光板5は前記第1の偏光
板3を通過する偏光と直角方向の位相にある元のみを通
過させるため、前記の入射元Vi第2の偏光板5によっ
て全て遮断さnることになる。そこで、光学結晶4の相
隣り合う透明電極4b間に複屈折効果を生じさせて、そ
の領域内に入射する偏光の位相を回転することにエリ、
光学結晶4に入射する尤のうち図示矢印Y方向に削つ交
特定の領域内を通過する尤のみ?第2の偏光板5エク取
り出すことができる。そして、相隣り合う透明電極4b
に順次選択してパルス電圧を印加することに↓9、図示
矢印X方向に沿って元学結晶4における透明電極46間
の領域毎に順次走査して元を通過させることができる。
電界が生じない限りそのまま通過して第2の偏光板5に
入射する。ところが、第2の偏光板5は前記第1の偏光
板3を通過する偏光と直角方向の位相にある元のみを通
過させるため、前記の入射元Vi第2の偏光板5によっ
て全て遮断さnることになる。そこで、光学結晶4の相
隣り合う透明電極4b間に複屈折効果を生じさせて、そ
の領域内に入射する偏光の位相を回転することにエリ、
光学結晶4に入射する尤のうち図示矢印Y方向に削つ交
特定の領域内を通過する尤のみ?第2の偏光板5エク取
り出すことができる。そして、相隣り合う透明電極4b
に順次選択してパルス電圧を印加することに↓9、図示
矢印X方向に沿って元学結晶4における透明電極46間
の領域毎に順次走査して元を通過させることができる。
以上説明した元ンヤツタ機能を有する放射線撮像装置1
全体の作用を説明する。グリッド2上に放射線像が結像
すると、グリッド2に格子状に配列さt′L次各77テ
レータ2aが放射線の強度に応じて発光する。各シンチ
レータ2aにおいて発光さn九九は、第1の偏光板3を
介することによって特定の位相を中心とした偏光となり
、この偏光が光学結晶4に入射する。光学結晶4は前述
したようにパルスジェネレータ8のパルスピッチに同期
して@接する透明電極4b間の領域毎に、図示矢印X方
向に沿って複屈折効果が生じ、従って、第2の偏光板5
t−通過できる位相の元が、順次図示X方向に走査さn
て取9出さnることになる。尚、前記透明電極4b間の
領域は、・□伸記グリッド2におけ、す る各シンチレータ2αの図示矢印X方向の幅と対応して
いるため、第2の偏光板5に透過する元は、図示矢印X
方向の所定位置に対応した一列のシンチレータ2α毎に
順次X方向に走査さnて取9出さnることになる。第2
の偏光板5の透過光は、次にライトガイド6に入射する
。ライトガイド6#′i、前記グリッド2における各シ
ンチレータ2αの図示矢印Y方向の長さと対応して分割
さnているため、図示矢印X方向に沿った所定位置にお
いて第2の偏光板5を同時に透過する元は、各シンチレ
ータ2αの図示矢印X方向の位置毎に各ライトガイド6
に入射して、該透過光を集束して見学線状センサ7の各
検出素子7αに導くことになる。従って、各シンチレー
タ2αにおいて発光した元は、図示矢印X方向をパルス
ジェネレータ8の動作に基づいて、光学結晶4にLり元
の通過が制御さn1図図示矢印X方向位置毎に見学線状
センサ7においてその光量が検出さnるため、各シンチ
レータ2αにおい「1 て発光した九の光閂tもシンチレータ2αのX方向位置
、Yカ向位−に対応付けて測定することかできることに
なる。光学線状センサ7における各検出索子7αは入射
光JiitK応じた電位Hする電気値 1号を出
力し7、この田力信号fi放射板像の再生に供さnるこ
とになる。以上の工うにして得ら扛た出力信号に工って
再生さnる画像は分解能の高いものとなっている。即ち
、前記縞状の透明電極勅の相互間の間隔t−狭め扛ば、
この相g49合う透明電極4bへ印加するそnぞ扛の電
圧の電位差を少なくして電界強度を高めることができる
が、この−例として透明電極4bの相互間の間隔t O
,5msとして、300Vの電位差で透明電極4bに印
加すると電界強FI Fi6 KV/c@となり、無印
加時と較べて60倍ものコントラストを得ることができ
るからである。次に、この放射線撮像装置11の高速動
作機能について説明する。光学結晶4としての前述した
組成t−VするpLZT Fi、電気的ヒステリ7スが
なく複屈折のサイクルタイムが短いため高速度で電圧印
加区間を切替えることができる。−例として、光学線状
センサ7の検出索子7aが図示矢印Y方向に沿って80
0列(ピッチ0.5■)あるものとし、透明電極4hの
間隔を図示矢印X方向毎に0.5−としてこの透明電極
4bに介在するpLZTの列t8つ0列とし、40aa
X40−の撮影面に自惚表示する場合において、PLZ
Tに入射した元が検出素子7αにおいて測定処理さnる
ために要する時間は、PLITサイクル時間xpLZT
列数 ・・川・(l+検出索子7αのサイクル時間XP
LZT列数 ・・・・・・ (2)のいすnか遅い方と
なる。
全体の作用を説明する。グリッド2上に放射線像が結像
すると、グリッド2に格子状に配列さt′L次各77テ
レータ2aが放射線の強度に応じて発光する。各シンチ
レータ2aにおいて発光さn九九は、第1の偏光板3を
介することによって特定の位相を中心とした偏光となり
、この偏光が光学結晶4に入射する。光学結晶4は前述
したようにパルスジェネレータ8のパルスピッチに同期
して@接する透明電極4b間の領域毎に、図示矢印X方
向に沿って複屈折効果が生じ、従って、第2の偏光板5
t−通過できる位相の元が、順次図示X方向に走査さn
て取9出さnることになる。尚、前記透明電極4b間の
領域は、・□伸記グリッド2におけ、す る各シンチレータ2αの図示矢印X方向の幅と対応して
いるため、第2の偏光板5に透過する元は、図示矢印X
方向の所定位置に対応した一列のシンチレータ2α毎に
順次X方向に走査さnて取9出さnることになる。第2
の偏光板5の透過光は、次にライトガイド6に入射する
。ライトガイド6#′i、前記グリッド2における各シ
ンチレータ2αの図示矢印Y方向の長さと対応して分割
さnているため、図示矢印X方向に沿った所定位置にお
いて第2の偏光板5を同時に透過する元は、各シンチレ
ータ2αの図示矢印X方向の位置毎に各ライトガイド6
に入射して、該透過光を集束して見学線状センサ7の各
検出素子7αに導くことになる。従って、各シンチレー
タ2αにおいて発光した元は、図示矢印X方向をパルス
ジェネレータ8の動作に基づいて、光学結晶4にLり元
の通過が制御さn1図図示矢印X方向位置毎に見学線状
センサ7においてその光量が検出さnるため、各シンチ
レータ2αにおい「1 て発光した九の光閂tもシンチレータ2αのX方向位置
、Yカ向位−に対応付けて測定することかできることに
なる。光学線状センサ7における各検出索子7αは入射
光JiitK応じた電位Hする電気値 1号を出
力し7、この田力信号fi放射板像の再生に供さnるこ
とになる。以上の工うにして得ら扛た出力信号に工って
再生さnる画像は分解能の高いものとなっている。即ち
、前記縞状の透明電極勅の相互間の間隔t−狭め扛ば、
この相g49合う透明電極4bへ印加するそnぞ扛の電
圧の電位差を少なくして電界強度を高めることができる
が、この−例として透明電極4bの相互間の間隔t O
,5msとして、300Vの電位差で透明電極4bに印
加すると電界強FI Fi6 KV/c@となり、無印
加時と較べて60倍ものコントラストを得ることができ
るからである。次に、この放射線撮像装置11の高速動
作機能について説明する。光学結晶4としての前述した
組成t−VするpLZT Fi、電気的ヒステリ7スが
なく複屈折のサイクルタイムが短いため高速度で電圧印
加区間を切替えることができる。−例として、光学線状
センサ7の検出索子7aが図示矢印Y方向に沿って80
0列(ピッチ0.5■)あるものとし、透明電極4hの
間隔を図示矢印X方向毎に0.5−としてこの透明電極
4bに介在するpLZTの列t8つ0列とし、40aa
X40−の撮影面に自惚表示する場合において、PLZ
Tに入射した元が検出素子7αにおいて測定処理さnる
ために要する時間は、PLITサイクル時間xpLZT
列数 ・・川・(l+検出索子7αのサイクル時間XP
LZT列数 ・・・・・・ (2)のいすnか遅い方と
なる。
ここでPL/Tサイクル時間ケ10μsとすnは式l)
で#を婢芒扛る時間は、 10 pr x 800 = 8 my −(11’
となる0恢出素子7αのサイクル時間は、検出素子7a
がフォトiランジスタタイプの場合にVii oμS〜
100μ3であり、従って式(2)で計算さnる時間は
、tJILも遅い場合でも 100/ljSx800=80mj ・・・・・・(2
1’となる。工って、100μlのサイクル時間で図示
矢印Y万[「1Jに溢った1列のPLITの出力を80
0列の検出索子7αにおいて並列同時処理してメモリ動
作を完了し、図示矢印X方向に削った800列のPLZ
Tの出力t80mJで測定できることになる〇ここで、
例えば16本のパスラインで同時処理を行うとすnば、
パスラインの切換えに要する回数は、 800÷16=50回 ・・・・・・(3)となる。パ
スラインの切換時間音無視すnば100μI150 =
2μIの間にメモリ動作を完了すnは工いことになる
。現在、ICメモリでFii nz/ビットが可能であ
るため、2μSの間に2000ビツトのメモリ処理がで
きることとなり、検出素子7αのデータが3桁〜4桁の
数値であることから充分な処理能力があるといえる。以
上、pLZTf用いて平面画像tsom、p以内にメモ
リ処理可能であることを数値例を挙けて説明したが、8
07ILJFi最も遅い場合の例であり、検出−子8α
リサイクル時間によっては2 Q my以内でも泰境可
能である。
で#を婢芒扛る時間は、 10 pr x 800 = 8 my −(11’
となる0恢出素子7αのサイクル時間は、検出素子7a
がフォトiランジスタタイプの場合にVii oμS〜
100μ3であり、従って式(2)で計算さnる時間は
、tJILも遅い場合でも 100/ljSx800=80mj ・・・・・・(2
1’となる。工って、100μlのサイクル時間で図示
矢印Y万[「1Jに溢った1列のPLITの出力を80
0列の検出索子7αにおいて並列同時処理してメモリ動
作を完了し、図示矢印X方向に削った800列のPLZ
Tの出力t80mJで測定できることになる〇ここで、
例えば16本のパスラインで同時処理を行うとすnば、
パスラインの切換えに要する回数は、 800÷16=50回 ・・・・・・(3)となる。パ
スラインの切換時間音無視すnば100μI150 =
2μIの間にメモリ動作を完了すnは工いことになる
。現在、ICメモリでFii nz/ビットが可能であ
るため、2μSの間に2000ビツトのメモリ処理がで
きることとなり、検出素子7αのデータが3桁〜4桁の
数値であることから充分な処理能力があるといえる。以
上、pLZTf用いて平面画像tsom、p以内にメモ
リ処理可能であることを数値例を挙けて説明したが、8
07ILJFi最も遅い場合の例であり、検出−子8α
リサイクル時間によっては2 Q my以内でも泰境可
能である。
本発明は前記実施例に限定−nb+o−cはヶく、4よ
。g!8゜□、71慾、ヵ0.に とは言5″!でもない。例えば、第2図に示す光学結晶
4に電&を形成する変形例として第4図(α)。
。g!8゜□、71慾、ヵ0.に とは言5″!でもない。例えば、第2図に示す光学結晶
4に電&を形成する変形例として第4図(α)。
(b)に示す工うにしても工い。即ち、第4図(−)に
示す工9に、光学結晶4の一方の表面に元学整合層本を
塗布した後、光学結晶4を所定間隔でスライスしてその
溝に導電物質4dk充填させても、前記実施例と同様に
元シャッタとしての機能を有することができる。導電物
質躬としては導電ペイント。
示す工9に、光学結晶4の一方の表面に元学整合層本を
塗布した後、光学結晶4を所定間隔でスライスしてその
溝に導電物質4dk充填させても、前記実施例と同様に
元シャッタとしての機能を有することができる。導電物
質躬としては導電ペイント。
4tゴム、銀ペースト等ガラスと密着性の良いものが望
ましい。pLZTは0.65■程度で薄いため、第1の
偏光板6に接着後線引加工(切断を含む)した方が作業
能率の同上を図ることができる。この他、第4図Cb)
に示すように、光学結晶4の両面に導電性の光学整合層
40に縞状に塗布し、この縞状の各別毎の光学整合層4
Cの表面に透明電極4bを設けても、前記と同様の効果
ケ奏することができる0又、ライトガイ、ドロを通過す
る光量の測定は前記元学醜状七〜−7に限らず、ライト
ガイド7・、i) の湾曲状の一部に、[1,(’例えば〕−オドダイオー
ド等t:″1.1) I7Ic着して充電変換手段とすることもできる。さら
に、第1図図示矢印X方向に清って、第2の偏光板5の
透過光を順次充電変換手段に導く光案内手段7としては
、ライトガイドに限らず元ファイバーを用いることもで
きるOこの場合、グリッド2における各シンチレータ2
aと対応する第2の偏光板5上の各位置に元ファイバー
の一端會そnぞn密着させ、図示矢印X方向に配列さn
た1列の7ンテレータ2αに対応する元ファイバー11
束として、図示矢印Y方向の列毎に複数束の元ファイバ
ーを備え、元ファイバーの各束毎の4sにそnぞn充電
変換手段例えばフォトダイオード等を設けることにより
前記実施例と同様の効果を奏することができる。この工
うに光ファイノ(−ヲ使用することに工って、製造が比
較的容易になるとともに、放射線撮儂装[11の小型化
會も図ることができる0又、光学結晶4の材料としては
、前述したpLZTに限らず、PLZTとほぼ同等の性
質を有するLiNbO2、LiTaO3* Ba2N
aNb5015 、 Bad(KNa )Nb50
.、 。
ましい。pLZTは0.65■程度で薄いため、第1の
偏光板6に接着後線引加工(切断を含む)した方が作業
能率の同上を図ることができる。この他、第4図Cb)
に示すように、光学結晶4の両面に導電性の光学整合層
40に縞状に塗布し、この縞状の各別毎の光学整合層4
Cの表面に透明電極4bを設けても、前記と同様の効果
ケ奏することができる0又、ライトガイ、ドロを通過す
る光量の測定は前記元学醜状七〜−7に限らず、ライト
ガイド7・、i) の湾曲状の一部に、[1,(’例えば〕−オドダイオー
ド等t:″1.1) I7Ic着して充電変換手段とすることもできる。さら
に、第1図図示矢印X方向に清って、第2の偏光板5の
透過光を順次充電変換手段に導く光案内手段7としては
、ライトガイドに限らず元ファイバーを用いることもで
きるOこの場合、グリッド2における各シンチレータ2
aと対応する第2の偏光板5上の各位置に元ファイバー
の一端會そnぞn密着させ、図示矢印X方向に配列さn
た1列の7ンテレータ2αに対応する元ファイバー11
束として、図示矢印Y方向の列毎に複数束の元ファイバ
ーを備え、元ファイバーの各束毎の4sにそnぞn充電
変換手段例えばフォトダイオード等を設けることにより
前記実施例と同様の効果を奏することができる。この工
うに光ファイノ(−ヲ使用することに工って、製造が比
較的容易になるとともに、放射線撮儂装[11の小型化
會も図ることができる0又、光学結晶4の材料としては
、前述したpLZTに限らず、PLZTとほぼ同等の性
質を有するLiNbO2、LiTaO3* Ba2N
aNb5015 、 Bad(KNa )Nb50
.、 。
(SrB)Nb、06 等の結晶も利用することができ
る0以上説明した放射線撮像装置1ケ利用することにエ
リ、種々の分野において優nた性能を発揮することがで
きる0例えば、放射線會被写体に曝射することに工って
得らrLる放射mWを再生して、被写体の損傷等を画像
診断する際には、本発明の放射線撮像装置により高速に
しかも鮮明な画像によって診断することができる。又、
本発明は特に診断のための医療機器に応用することにエ
リ、擾7″した効果を奏することができる。以下、医療
機器に応用した実施例について説明する。第5図は、本
発明倉利用したX@診断装置の概略説明図である0第5
図中、放射線撮像装置1については、第1図図示のもの
と同一であるから、放射線撮像装置1の谷溝成部材には
第1図と同一符号を付してその説明倉省略する。第5図
において、9はX線管であり、被検体10に向けてX線
を曝射す6゜11は7V1)コンバータであり、放射線
撮像装置i1における光学線状センサ7の各検出素子7
αの出力信号倉人力し、ルω変換して出力する。12は
画l舶痺JJy、装置であり、VDコンバータ11の出
力倉入力して、MiJffi入力に基ついてxH透過像
を再構成してディスプレイ16上において画像表示する
0 以上のように構成さnだX廁診断装百において、X@管
91?)X@が曝射さ3ると、該X@は被検体10を透
過して放射線撮像装置11におけるグリッド2上にX線
透過像を結像する。放射線撮4a装置1は前述した動作
に基づいて、このX線透過像を光学像に変換し、光学像
を構成する元を順次取り出してそのyt、1ltK応じ
た電気信号全出力する。
る0以上説明した放射線撮像装置1ケ利用することにエ
リ、種々の分野において優nた性能を発揮することがで
きる0例えば、放射線會被写体に曝射することに工って
得らrLる放射mWを再生して、被写体の損傷等を画像
診断する際には、本発明の放射線撮像装置により高速に
しかも鮮明な画像によって診断することができる。又、
本発明は特に診断のための医療機器に応用することにエ
リ、擾7″した効果を奏することができる。以下、医療
機器に応用した実施例について説明する。第5図は、本
発明倉利用したX@診断装置の概略説明図である0第5
図中、放射線撮像装置1については、第1図図示のもの
と同一であるから、放射線撮像装置1の谷溝成部材には
第1図と同一符号を付してその説明倉省略する。第5図
において、9はX線管であり、被検体10に向けてX線
を曝射す6゜11は7V1)コンバータであり、放射線
撮像装置i1における光学線状センサ7の各検出素子7
αの出力信号倉人力し、ルω変換して出力する。12は
画l舶痺JJy、装置であり、VDコンバータ11の出
力倉入力して、MiJffi入力に基ついてxH透過像
を再構成してディスプレイ16上において画像表示する
0 以上のように構成さnだX廁診断装百において、X@管
91?)X@が曝射さ3ると、該X@は被検体10を透
過して放射線撮像装置11におけるグリッド2上にX線
透過像を結像する。放射線撮4a装置1は前述した動作
に基づいて、このX線透過像を光学像に変換し、光学像
を構成する元を順次取り出してそのyt、1ltK応じ
た電気信号全出力する。
この電気信号はルωコンバータ11においてA/D変換
さn1画像再構成装[112でX4I透過像に基づいた
画像を再構成してディスプレイ13上に画像表示するこ
とができる。以上の工うにして得らf′L比I#りは、
前述した放射線撮像装rIt1の作用にエリ、極めて分
解能の高いものであり、適正な診断を図るCとができる
。又、放射線撮像装置11が高速動作可能であるため、
例えば被検体10における心臓部分の撮影をする場合で
あっても、心臓′: の拍動に追随した画像を再□構成することができ、′i
5 しかもこの場合、被検体1.0に対して被曝#量の低減
化も合わせて図ることができるため、被検体10の被曝
に対する安全性倉も高めることができる0 〔発明の効果〕 以上説明したLうに、この発明によると放射線像が結像
する二次元面上に格子状に蛍光物質を配列した固体化放
射線検出器を用い、かつ、この蛍光物質での発光光量を
二次元位置に対応付けて取り出すことにエリ、再構成さ
71.た画像の分解能を高めるとともに、高速動作tも
達成することができる放射脚撮4a装置を提供すること
ができる0
さn1画像再構成装[112でX4I透過像に基づいた
画像を再構成してディスプレイ13上に画像表示するこ
とができる。以上の工うにして得らf′L比I#りは、
前述した放射線撮像装rIt1の作用にエリ、極めて分
解能の高いものであり、適正な診断を図るCとができる
。又、放射線撮像装置11が高速動作可能であるため、
例えば被検体10における心臓部分の撮影をする場合で
あっても、心臓′: の拍動に追随した画像を再□構成することができ、′i
5 しかもこの場合、被検体1.0に対して被曝#量の低減
化も合わせて図ることができるため、被検体10の被曝
に対する安全性倉も高めることができる0 〔発明の効果〕 以上説明したLうに、この発明によると放射線像が結像
する二次元面上に格子状に蛍光物質を配列した固体化放
射線検出器を用い、かつ、この蛍光物質での発光光量を
二次元位置に対応付けて取り出すことにエリ、再構成さ
71.た画像の分解能を高めるとともに、高速動作tも
達成することができる放射脚撮4a装置を提供すること
ができる0
第1図は本発明の一実施例である放lFJ線撮像装置I
ffr示す概略斜視図、第2図(a) 、 (h)は元
学結晶4の正面図、横断面図、第6図は九/ヤツタ動作
を説明するための概略゛斜視図、第4図(α) 、 (
b) ii元光学晶4の変形例を説明するための横断面
図、第5図は、本発明の、1放刺縁撮像装@を含むX@
診断装、1− 置の一実施例を不す概略説明図である0□ 1・・・放オ、+5ueiq装置、 2・・・グリド、
2α・・・/ンテレータ、 6・・・第1の偏光板、
4・・・光学 1結晶、4b・・・透明電極、4
d・・・*’i物質、5・・・第2の偏ytS板、 6
・・・元案内手段、 7・・・5t11L変換手段、
8・・・パルスジェネレータ。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑(―か1名)0
ffr示す概略斜視図、第2図(a) 、 (h)は元
学結晶4の正面図、横断面図、第6図は九/ヤツタ動作
を説明するための概略゛斜視図、第4図(α) 、 (
b) ii元光学晶4の変形例を説明するための横断面
図、第5図は、本発明の、1放刺縁撮像装@を含むX@
診断装、1− 置の一実施例を不す概略説明図である0□ 1・・・放オ、+5ueiq装置、 2・・・グリド、
2α・・・/ンテレータ、 6・・・第1の偏光板、
4・・・光学 1結晶、4b・・・透明電極、4
d・・・*’i物質、5・・・第2の偏ytS板、 6
・・・元案内手段、 7・・・5t11L変換手段、
8・・・パルスジェネレータ。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑(―か1名)0
Claims (1)
- 被写体を透過した放射線像を蛍光像に変換する蛍光物質
が格子状の仕切4i K Gって配列さnたグリッドと
、前記蛍光物質め発光を受光すると共に1所定の位相の
元のみを透過する#!1の偏光板と、前記グリッドにお
ける格子状の一方向に沿った仕切線に対応する縞状の電
極が配列さnると共に、隣接する各電極間に異なる電位
の電圧が印加さnることによって、隣接する各電極間の
領域毎に元の位相を回転させる性質倉有する光学結晶と
、前記光学結晶の透過光を入射すると共に、前記@1の
偏光板とは異なる位相の元のみを透過する@2の偏光板
と、前記縞状の電極とは交差する方向に沿った前記グリ
ッドにおける格子状の仕切11に対応して分割さnると
共に、前記第2の偏光板の透過光を分割して案内する光
案内手段と、該光案内手段の透過光を受光すると共に光
量に応じた電気信号を出力する光電変換手段とが順次積
層さnてなることt%黴とする放射線撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57076004A JPS58195543A (ja) | 1982-05-08 | 1982-05-08 | 放射線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57076004A JPS58195543A (ja) | 1982-05-08 | 1982-05-08 | 放射線撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58195543A true JPS58195543A (ja) | 1983-11-14 |
Family
ID=13592657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57076004A Pending JPS58195543A (ja) | 1982-05-08 | 1982-05-08 | 放射線撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58195543A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503441A (ja) * | 2005-07-22 | 2009-01-29 | アイシーエックス・ラジエーション・ゲーエムベーハー | イオン化放射の測定のための検出器 |
-
1982
- 1982-05-08 JP JP57076004A patent/JPS58195543A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503441A (ja) * | 2005-07-22 | 2009-01-29 | アイシーエックス・ラジエーション・ゲーエムベーハー | イオン化放射の測定のための検出器 |
JP4843036B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-12-21 | アイシーエックス・ラジエーション・ゲーエムベーハー | イオン化放射の測定のための検出器 |
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