JPS5969986A - 半導体レ−ザ光源アセンブリ - Google Patents
半導体レ−ザ光源アセンブリInfo
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- JPS5969986A JPS5969986A JP57181850A JP18185082A JPS5969986A JP S5969986 A JPS5969986 A JP S5969986A JP 57181850 A JP57181850 A JP 57181850A JP 18185082 A JP18185082 A JP 18185082A JP S5969986 A JPS5969986 A JP S5969986A
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- semiconductor laser
- laser light
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光学式ビデオディスク、ＰＣＭディスクプ
レーヤ装置などに用いられる半導体レーザ光源アセンブ
リに関するものである。
レーヤ装置などに用いられる半導体レーザ光源アセンブ
リに関するものである。
第１図は、従来の半導体レーザ光源アセンブリに用いら
れる半導体レーザの外観斜視図である。
れる半導体レーザの外観斜視図である。
第２図は、その中央断面図である。第３Ａ図は、従来の
半導体レーザ光源アセンブリの中央断面図である。１３
８図は、その正面図である。
半導体レーザ光源アセンブリの中央断面図である。１３
８図は、その正面図である。
従来の半導体レーザ光源アセンブリには、第１図および
第２図に示されるような半導体レーザ１が発光手段とし
て用いられていた。半導体レーザ１は、簡単には、端子
９を介して供給される電力によって、半導体チップ４が
発光し、レーザ光１０を発するものである。すなわち、
円筒形状のパッケージ７の内部に、チップ台５が取付け
られている。このチップ台５には、その−左端に半導体
デツプ４が固定されている。またその他方端には、半導
体デツプ４が発光する際に生ずる熱をｂＩｉ射するだめ
のヒートシンク６が設けられている。このチップ台５と
ヒートシンク６を介して、半導体デツプ４と端子９とが
接続されている。また、パッケージ７の図において左端
には、半導体デツプ４をごみなどから保護するためのカ
バーガラス８が設けられており、このカバーガラス８を
介して半導体チップ４から発せられた光１０は外部へ進
む。
第２図に示されるような半導体レーザ１が発光手段とし
て用いられていた。半導体レーザ１は、簡単には、端子
９を介して供給される電力によって、半導体チップ４が
発光し、レーザ光１０を発するものである。すなわち、
円筒形状のパッケージ７の内部に、チップ台５が取付け
られている。このチップ台５には、その−左端に半導体
デツプ４が固定されている。またその他方端には、半導
体デツプ４が発光する際に生ずる熱をｂＩｉ射するだめ
のヒートシンク６が設けられている。このチップ台５と
ヒートシンク６を介して、半導体デツプ４と端子９とが
接続されている。また、パッケージ７の図において左端
には、半導体デツプ４をごみなどから保護するためのカ
バーガラス８が設けられており、このカバーガラス８を
介して半導体チップ４から発せられた光１０は外部へ進
む。
通常、半導体レーザ１の半導体チップ４の発光点４ａか
ら発せられたレーザ光は、第２図にレーザ光１０として
示されるようにある程度の広がり角をもって拡散しなが
ら進む。しかしながら、光学式ビデオディスクや光学式
ＰＣＭディスクプレーヤ装置などの光学装置のピックア
ップに用いるためには、このような拡散光では都合が悪
い。したがって、第３Ａ図に示すように、半導体レーザ
１とは別に、コリメートレンズ２を設けてレーザ光１０
を所望の広がり角を有する光線、たとえば平行光１０ａ
にする必要がある。第３Ａ図はそのような構成の半導体
レーザ光源アセンブリの例である。このような半導体レ
ーザ光源アセンブリ２０は、半導体レーザ１と、コリメ
ートレンズ２およびそれを保持するレンズホルダ３と、
コリメートレンズ２の位置を半導体レーザ１に対しで調
整する調整機構（図示せず）とからなる。この調整橢構
は、ねじなどの手段で、コリメートレンズ２が取付（プ
られたレンズホルダ３を、第３Ａ図において矢印六方向
に移動させ、また第３Ｂ図において矢印ＢおよびＣ方向
に移動させて、半導体チップ４から発せられた光を所望
の方向にかつ所望の広がり角に調整するものｔある。
ら発せられたレーザ光は、第２図にレーザ光１０として
示されるようにある程度の広がり角をもって拡散しなが
ら進む。しかしながら、光学式ビデオディスクや光学式
ＰＣＭディスクプレーヤ装置などの光学装置のピックア
ップに用いるためには、このような拡散光では都合が悪
い。したがって、第３Ａ図に示すように、半導体レーザ
１とは別に、コリメートレンズ２を設けてレーザ光１０
を所望の広がり角を有する光線、たとえば平行光１０ａ
にする必要がある。第３Ａ図はそのような構成の半導体
レーザ光源アセンブリの例である。このような半導体レ
ーザ光源アセンブリ２０は、半導体レーザ１と、コリメ
ートレンズ２およびそれを保持するレンズホルダ３と、
コリメートレンズ２の位置を半導体レーザ１に対しで調
整する調整機構（図示せず）とからなる。この調整橢構
は、ねじなどの手段で、コリメートレンズ２が取付（プ
られたレンズホルダ３を、第３Ａ図において矢印六方向
に移動させ、また第３Ｂ図において矢印ＢおよびＣ方向
に移動させて、半導体チップ４から発せられた光を所望
の方向にかつ所望の広がり角に調整するものｔある。
以上のような構成の半導体レーザ光源アセンブリでは、
半導体レーザ１とレンズ系１８とがそれぞれ別個に製造
され、それぞれの完成品を組合せて半導体レーザ光源ア
センブリ２０を製造している。そのため、半導体チップ
４の発光点４ａの位置がコリメートレンズ２の中心に対
して特定できなく不正確であり、組立後にコリメートレ
ンズ２の位置を調整する必要があった。また、このよう
な構成では、カバーガラス８やレンズボルダ３が必要で
あり部品点数が多くなるとともに、それによってたとえ
各部品を精度良く製造しＣも、コリメートレンズ２を発
光点４ａに対して精度良く取付番プることが難しい。
半導体レーザ１とレンズ系１８とがそれぞれ別個に製造
され、それぞれの完成品を組合せて半導体レーザ光源ア
センブリ２０を製造している。そのため、半導体チップ
４の発光点４ａの位置がコリメートレンズ２の中心に対
して特定できなく不正確であり、組立後にコリメートレ
ンズ２の位置を調整する必要があった。また、このよう
な構成では、カバーガラス８やレンズボルダ３が必要で
あり部品点数が多くなるとともに、それによってたとえ
各部品を精度良く製造しＣも、コリメートレンズ２を発
光点４ａに対して精度良く取付番プることが難しい。
したがって、この発明の主な目的は、上述のような欠点
を除去した半導体レーザ光源アセンブリを提供覆ること
である。
を除去した半導体レーザ光源アセンブリを提供覆ること
である。
この発明は、要約すれば、半導体レーザ光源を収納する
パッケージが、少なくとも一部に円筒形状を有しており
、その円筒部の中心と半導体レーザ光源の発光源と光学
レンズの中心とが同軸上に位置するように光学レンズを
収納し、半導体レーザ光源から出射した光が所望の広が
り角を有する光線になるように光学レンズを位置決めし
かつ半導体レーザ光源から出射した光のすべてを光学レ
ンズに入口］させる大きさの穴を有する７レンズ部を含
む、半導体レーザ光源アセンブリ□である。
パッケージが、少なくとも一部に円筒形状を有しており
、その円筒部の中心と半導体レーザ光源の発光源と光学
レンズの中心とが同軸上に位置するように光学レンズを
収納し、半導体レーザ光源から出射した光が所望の広が
り角を有する光線になるように光学レンズを位置決めし
かつ半導体レーザ光源から出射した光のすべてを光学レ
ンズに入口］させる大きさの穴を有する７レンズ部を含
む、半導体レーザ光源アセンブリ□である。
上述の目的およびその他の目的と特徴は、以下に図面を
参照して行なう詳細な説明から一層明らかどなろう。
参照して行なう詳細な説明から一層明らかどなろう。
第４図および第５図は、この発明の半導体レーザ光源ア
センブリの一実施例の中央断面図であり、第５図では特
にレーザ光が示される。 。
センブリの一実施例の中央断面図であり、第５図では特
にレーザ光が示される。 。
構成において、半導体レーザ光源アセンブリ３０は、簡
単に言えば、パッケージ１１の内周面によって、半導体
チップ４を保持するチップ台５とコリメートレンズ２と
が、発光点４ａとコリメートレンズ２の中心とが同軸上
に位置するように収納され、かつパッケージ１１の内部
に設けられたフランジ部１７によって、チップ台５とコ
リメートレンズ２とが、半導体チップ４から出射した光
がコリメートレンズ２によって所望の広がり角にされる
ように位置決めされる。詳細に言えば、パッケージ１１
は、この例では、全体が円筒形状をしている。パッケー
ジ１１の内部には、その中間部にフランジ部１７が形成
されており、パッケージ１１の内部を２つの円筒部に分
ける。このフランジ部１７の形状は、半導体チップ４か
ら出射した光が遮ることのない形状である。図において
右このチップ台５ Ｌｅｔ ％ （の中心に発光点４ａ
が位置づるＪ、うに半導体デツプ４を保持している。一
方、図において右側の円筒部内には、レンズ中心が円筒
部の中心上に位ｉするように］リメートレンズ２が収納
される。したがって、コリメートレンズ２の光軸上に、
半導体チップ４の発光点４ａが容易に位置決めされる。
単に言えば、パッケージ１１の内周面によって、半導体
チップ４を保持するチップ台５とコリメートレンズ２と
が、発光点４ａとコリメートレンズ２の中心とが同軸上
に位置するように収納され、かつパッケージ１１の内部
に設けられたフランジ部１７によって、チップ台５とコ
リメートレンズ２とが、半導体チップ４から出射した光
がコリメートレンズ２によって所望の広がり角にされる
ように位置決めされる。詳細に言えば、パッケージ１１
は、この例では、全体が円筒形状をしている。パッケー
ジ１１の内部には、その中間部にフランジ部１７が形成
されており、パッケージ１１の内部を２つの円筒部に分
ける。このフランジ部１７の形状は、半導体チップ４か
ら出射した光が遮ることのない形状である。図において
右このチップ台５ Ｌｅｔ ％ （の中心に発光点４ａ
が位置づるＪ、うに半導体デツプ４を保持している。一
方、図において右側の円筒部内には、レンズ中心が円筒
部の中心上に位ｉするように］リメートレンズ２が収納
される。したがって、コリメートレンズ２の光軸上に、
半導体チップ４の発光点４ａが容易に位置決めされる。
それと同時に、フランジ部１７の端面１７ａにコリメー
トレンズ２を当接させて位置決ζ”ろする。また、端面
１７１）には、半導体チップ、４を保持するデツプ台５
を当接させて位；醒決めする。したがって、コリメート
レンズ２と半導体ブーツブ４とは、フランジ部１７の厚
さによってその間の距離が決定される。このようにして
、コリメートレンズ２の光軸方向の発光点４ａに対づる
距離が正確に定められる。以上のようにして、各部品を
精度良く製造すれば、半導体レーザ光源アセンブリを組
立てた後にコリメートレンズ２の位置を調整する必要が
なくなる。また、半導体レーザ光源アセンブリ３０には
、コリメートレンズ２とパッケージ１１とチップ台５と
によって密閉された空間が形成されてもよく、その密閉
された空間内に、半導体チップ４が配置されるように構
成されてもよい。さらに、好ましくは、その密閉された
空間内には、不活性ガスが注入されており、そのため半
導体レーザ光源アセンブリ３０の濡洩が上下しても半導
体チップ４とコリメートレンズ２の内側の面とには露が
付着しないようになっている。なお、その他の構成、す
なわちピー１〜シンクロと端子９とは、従来の例と同様
の構成である。
トレンズ２を当接させて位置決ζ”ろする。また、端面
１７１）には、半導体チップ、４を保持するデツプ台５
を当接させて位；醒決めする。したがって、コリメート
レンズ２と半導体ブーツブ４とは、フランジ部１７の厚
さによってその間の距離が決定される。このようにして
、コリメートレンズ２の光軸方向の発光点４ａに対づる
距離が正確に定められる。以上のようにして、各部品を
精度良く製造すれば、半導体レーザ光源アセンブリを組
立てた後にコリメートレンズ２の位置を調整する必要が
なくなる。また、半導体レーザ光源アセンブリ３０には
、コリメートレンズ２とパッケージ１１とチップ台５と
によって密閉された空間が形成されてもよく、その密閉
された空間内に、半導体チップ４が配置されるように構
成されてもよい。さらに、好ましくは、その密閉された
空間内には、不活性ガスが注入されており、そのため半
導体レーザ光源アセンブリ３０の濡洩が上下しても半導
体チップ４とコリメートレンズ２の内側の面とには露が
付着しないようになっている。なお、その他の構成、す
なわちピー１〜シンクロと端子９とは、従来の例と同様
の構成である。
以上のような構成の半導体レーザ光源アセツブ１ノ３０
は、第５図に示すように、従来の例と同（羞の動作で平
行光１０ａを発して、この平行光１０ａが、光ディスク
等に記録された情報を再生するためなどに用いられる。
は、第５図に示すように、従来の例と同（羞の動作で平
行光１０ａを発して、この平行光１０ａが、光ディスク
等に記録された情報を再生するためなどに用いられる。
第６図は、この発明の他の実施例の半導体レーザ光源ア
センブリを示づ中央断面図である。この例は、第４図お
よび第５図のコリメートレンズ２の代わりに、他の種類
の光学レンズ１２が設置すられたものである。このよう
に、半導体レーザ光源アセンブリの用途によって半導体
レーザ光源アレンブリの出力光の出１１１角を変え−Ｃ
ｔ１造りるこ、１：ができる。
センブリを示づ中央断面図である。この例は、第４図お
よび第５図のコリメートレンズ２の代わりに、他の種類
の光学レンズ１２が設置すられたものである。このよう
に、半導体レーザ光源アセンブリの用途によって半導体
レーザ光源アレンブリの出力光の出１１１角を変え−Ｃ
ｔ１造りるこ、１：ができる。
第７図は、この発明のざらに・池の実施例の￥−導体し
ノーザ光源アセンブリの中央断面図で６５る。この例で
は、パッケージ１１内にはコ１，１メー１−１ノンズ・
２の似に対物レンズ１３が設けられており、半導体レー
ザ光源アセンブリの出射光を集光させる ゛ように構
成されている。なお、コリメートレンズ２と対物１ノン
ズ１３との距離は、スペーサ（図爪１±ｇ）を用いブこ
り、づ、たバ・ン〃−ジ１１め内周面に凹状の段部を形
成してその段部に対物１ノ〕４′ス１３を当接させるこ
とよって、間中に精度良く定めることがてきろ。
ノーザ光源アセンブリの中央断面図で６５る。この例で
は、パッケージ１１内にはコ１，１メー１−１ノンズ・
２の似に対物レンズ１３が設けられており、半導体レー
ザ光源アセンブリの出射光を集光させる ゛ように構
成されている。なお、コリメートレンズ２と対物１ノン
ズ１３との距離は、スペーサ（図爪１±ｇ）を用いブこ
り、づ、たバ・ン〃−ジ１１め内周面に凹状の段部を形
成してその段部に対物１ノ〕４′ス１３を当接させるこ
とよって、間中に精度良く定めることがてきろ。
第８図は、この発明のさらに他の実施例の半導体レーザ
光源アセンブリの中央断面口である。この例の半導体レ
ーザ光源アセンブリ６０は、第４図および第５図に示さ
れたように平行光１０ａを発するものであるが、第４図
および第５図の７＜ツケージ１１とチップ台５とヒート
ごノンクロとが−体的に構成されている。このように一
体的な構成にずれば、半導体チップ４の放熱効果が高ま
り、またフランジ部１７におけるコリメートレンズ２の
取付面の加工ｔ’ｆＪ度ど半導体チップ４の取付面の加
工精度とを出すだけで、コリメートレンズ２と半導体デ
ツプ４との光軸方向の位置決めをすることができる。
光源アセンブリの中央断面口である。この例の半導体レ
ーザ光源アセンブリ６０は、第４図および第５図に示さ
れたように平行光１０ａを発するものであるが、第４図
および第５図の７＜ツケージ１１とチップ台５とヒート
ごノンクロとが−体的に構成されている。このように一
体的な構成にずれば、半導体チップ４の放熱効果が高ま
り、またフランジ部１７におけるコリメートレンズ２の
取付面の加工ｔ’ｆＪ度ど半導体チップ４の取付面の加
工精度とを出すだけで、コリメートレンズ２と半導体デ
ツプ４との光軸方向の位置決めをすることができる。
以上のように、この発明によれば、カバーガラスやレン
ズホルダなどの部品が不要となり、部品１点数が少なく
なるとともに構成が簡単でかつ小形の半導体レーザ光源
アセンブリが得られる。また、１つの生産プロセスにお
いて各部品を精度良く製造するだけで、組立後の光学レ
ンズの位置調整が不要となり、製造工程が簡略化される
とともに、光学レンズの調整機構が不要となり、さらに
部品点数が削減される。そのうえ、光学レンズを半導体
レーザ光源の方へ接近して取付けることができるので、
光学レンズは小径のものでもよく、また半導体レー・ザ
光源から出射された光が途中で遮られることなく光学レ
ンズに入射することができ、効率の高いレーザ光が得ら
れる。
ズホルダなどの部品が不要となり、部品１点数が少なく
なるとともに構成が簡単でかつ小形の半導体レーザ光源
アセンブリが得られる。また、１つの生産プロセスにお
いて各部品を精度良く製造するだけで、組立後の光学レ
ンズの位置調整が不要となり、製造工程が簡略化される
とともに、光学レンズの調整機構が不要となり、さらに
部品点数が削減される。そのうえ、光学レンズを半導体
レーザ光源の方へ接近して取付けることができるので、
光学レンズは小径のものでもよく、また半導体レー・ザ
光源から出射された光が途中で遮られることなく光学レ
ンズに入射することができ、効率の高いレーザ光が得ら
れる。
なお、上述の例では、チップ台５が端面１７ｂに当接す
ることによって半導体チップ４がレンズの光軸方向に位
置決めされたが、これに限ることなく、たとえばパッケ
ージ１１とヒートシンク６との取付面に基づいて半導体
チップ４の光軸方向の位置が定められてもよい。また、
パッケージ１１は、全体が円筒形状をしている必要はな
く、一部に円筒形状部分を有していればよい。
ることによって半導体チップ４がレンズの光軸方向に位
置決めされたが、これに限ることなく、たとえばパッケ
ージ１１とヒートシンク６との取付面に基づいて半導体
チップ４の光軸方向の位置が定められてもよい。また、
パッケージ１１は、全体が円筒形状をしている必要はな
く、一部に円筒形状部分を有していればよい。
第１図は、従来の半導体レーザ光源アセンブリに用いら
れる半導体レーザの斜視図である。第２図は、第１図に
示された半導体レーザの中央断面図であり、半導体レー
ザからの出射光の状態を示す。第３Ａ図は、従来の半導
体レーザ光源アセンブリの例を示す中央断面図である。 第３Ｂ図は、第￥−の半導体レーザ光源アセンブリの正
面図である。第４図は、この発明の一実施例の半導体レ
ーザ光源アセンブリを示す中央断面図である。第５図は
、第４図の半導体レーザ光源アセンブリの出射光の状態
を示す中央断面図である。、第６図、第７図および第８
図は、この発明の他の実施例の半導体レーザ光源アセン
ブリを示す中央断面図である。 図において、２はコリメートレンズ、４は半導体チップ
、４ａは発光点、５はチップ台、６はヒートシンク、９
は端子、１１はパッケージ、１７はフランジ部を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名〉 第１図 第２図 第６図 ４゜ 第８図 ６０ ！Ｉ７．．１’１庁長官殿 １、＄件の表示 特願昭５７−１８１８５０号２
発明の名称 半導体レーザ光源アセンブリ ：））、Ｊ市正をするｆ！１ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 くっ〉 明細書第４頁第９行の「発せられた光１０は」
を「発せられＩζレーザ光１０は」に補正。 （２） 明細書第４頁第１１行ないし第１２行の［レー
ザ光は、第２図にレーザ光１０として］を「レーザ光１
０は、第２図に」に補正。 く３） 明細書第５頁第１１行の「発せられた光を所望
の方向に」を「発せられたレーザ光１０を所定の方向に
」に補正。 （４） 明細書第６頁第１６行のＶ出射した光のすべて
を光学」を「出射した光を光学」に補正。 （５） 明細書第１２頁第１行の「高いレーザ光が得ら
れる。」を［高い出射光が得られる。］に補正。 以上
れる半導体レーザの斜視図である。第２図は、第１図に
示された半導体レーザの中央断面図であり、半導体レー
ザからの出射光の状態を示す。第３Ａ図は、従来の半導
体レーザ光源アセンブリの例を示す中央断面図である。 第３Ｂ図は、第￥−の半導体レーザ光源アセンブリの正
面図である。第４図は、この発明の一実施例の半導体レ
ーザ光源アセンブリを示す中央断面図である。第５図は
、第４図の半導体レーザ光源アセンブリの出射光の状態
を示す中央断面図である。、第６図、第７図および第８
図は、この発明の他の実施例の半導体レーザ光源アセン
ブリを示す中央断面図である。 図において、２はコリメートレンズ、４は半導体チップ
、４ａは発光点、５はチップ台、６はヒートシンク、９
は端子、１１はパッケージ、１７はフランジ部を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名〉 第１図 第２図 第６図 ４゜ 第８図 ６０ ！Ｉ７．．１’１庁長官殿 １、＄件の表示 特願昭５７−１８１８５０号２
発明の名称 半導体レーザ光源アセンブリ ：））、Ｊ市正をするｆ！１ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 くっ〉 明細書第４頁第９行の「発せられた光１０は」
を「発せられＩζレーザ光１０は」に補正。 （２） 明細書第４頁第１１行ないし第１２行の［レー
ザ光は、第２図にレーザ光１０として］を「レーザ光１
０は、第２図に」に補正。 く３） 明細書第５頁第１１行の「発せられた光を所望
の方向に」を「発せられたレーザ光１０を所定の方向に
」に補正。 （４） 明細書第６頁第１６行のＶ出射した光のすべて
を光学」を「出射した光を光学」に補正。 （５） 明細書第１２頁第１行の「高いレーザ光が得ら
れる。」を［高い出射光が得られる。］に補正。 以上
Claims (5)
- （１） 半導体レーザ光源と、 前記半導体レーザ光源から出射する出射光を所望の広が
り角を有する光線にする光学レンズと、前記半導体レー
ザ光源を保持する光源ブロックと、 前記半導体レーザ光源を収容するパッケージとを備える
半導体レーザ光源アセンブリにおいて、前記パッケージ
は、 少なくとも一部に円筒形状を有し、 その円筒部の中心と前記光学レンズの中心と前記光源の
発４光点とが同軸上に位置するように、前記光学レンズ
と前記半導体レーザ光源を保持する前記光源ブロックと
を収納し、 前記半導体レーザ光源から出射した光が所望の広がり角
を有する光線になるように、前記光学レンズを位置決め
し、かつ前記半導体レーザ光源から出射した光のすべて
を前記光学レンズに大割させる大きざの穴を有する７ラ
ンジ部を含む、半導体レーザ光源アセンブリ。 - （２） 前記半導体レーザ光源は、前記光源ブロックに
おける前記半導体レーザ光源の取付面と前記フランジ部
における半導体レーザ光源側の端面とを一致させること
により位置決めされることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体レーザ光源アセンブリ。 - （３） 前記バンケニジは、前記光学レンズと前記光源
ブロックとともに密閉した空間を形成し、その空間内に
前記半導体レーザ光源が配置されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項に記載の半導体レーザ
光源アセンブリ。 - （４） 前記密閉した空間内には、不活性ガスが注入さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
半導体レーザ光源アセンブリ。 - （５） 前記半導体レーザ光源の熱を放射するためのヒ
ートシンクをさらに備え、 前記バック゛−ジと前記光源ブロックと前記ヒートシン
クとを一体化したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第４項のいずれかに記載の半導体レーザ光源ア
センブリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181850A JPS5969986A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 半導体レ−ザ光源アセンブリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181850A JPS5969986A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 半導体レ−ザ光源アセンブリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969986A true JPS5969986A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16107909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181850A Pending JPS5969986A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 半導体レ−ザ光源アセンブリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969986A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5494293A (en) * | 1978-01-10 | 1979-07-25 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
| JPS5528586A (en) * | 1978-08-22 | 1980-02-29 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light source device |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP57181850A patent/JPS5969986A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5494293A (en) * | 1978-01-10 | 1979-07-25 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
| JPS5528586A (en) * | 1978-08-22 | 1980-02-29 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light source device |
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