JPS596859U - 半導体レ−ザ複合素子 - Google Patents
半導体レ−ザ複合素子Info
- Publication number
- JPS596859U JPS596859U JP10060182U JP10060182U JPS596859U JP S596859 U JPS596859 U JP S596859U JP 10060182 U JP10060182 U JP 10060182U JP 10060182 U JP10060182 U JP 10060182U JP S596859 U JPS596859 U JP S596859U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- xalxas
- type gaas
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案の一実施例の複合素子の機能図、第２図
は同じく複合素子の構造図、第３図は同じく複合素子の
効果を示す線図である。 Ａ：陽極、Ｂ：ベース、Ｅ：エミッタ、１：Ｌ／−ザ発
−振部、２：トランレスタ、６：Ｚｎ選択拡散層（スト
ライブ状 １１：ベース電極。
は同じく複合素子の構造図、第３図は同じく複合素子の
効果を示す線図である。 Ａ：陽極、Ｂ：ベース、Ｅ：エミッタ、１：Ｌ／−ザ発
−振部、２：トランレスタ、６：Ｚｎ選択拡散層（スト
ライブ状 １１：ベース電極。
Claims (1)
- ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ−Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ層と
、ｎまたはｐ型Ｇａ□ｙＡ１ｙＡｓ層（ｙ＜ｘ）と、前
記ｎ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ層と同一のＡ１混晶比Ｘを
有するｐ型’ Ｇａ□−ｘＡｌｘＡｓ層と、ｎ型Ｇ
ａＡＳ層とを、液相エピタキシャル成長法により順次連
続的に積層形成すると共に、前記ｎ型ＧａＡｓ基板の反
対面に同様にｐ型ＧａＡｓ層を液相エピタキシャル成長
法により積層形成させた後、前記の型ＧａＡｓ層表面か
らｐ型Ｇａ□−ｘＡｌｘＡｓ層の一部に達する深さのス
トライブ状の亜鉛選択拡散ｉ域を形成し、また、一方前
記ｐ型ＧａＡｓ層には所要の深さ所要の個数、幅のスト
ライプ状のテルル選択拡散領域を形成したことを特徴と
する半導体レーザ・トランジスタ複合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10060182U JPS596859U (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体レ−ザ複合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10060182U JPS596859U (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体レ−ザ複合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596859U true JPS596859U (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=30237911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10060182U Pending JPS596859U (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体レ−ザ複合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596859U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173372U (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-19 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP10060182U patent/JPS596859U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173372U (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-19 | ||
| JPH0411741Y2 (ja) * | 1984-10-18 | 1992-03-24 |
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