JPS596798A - 同期機の界磁過電圧保護装置 - Google Patents
同期機の界磁過電圧保護装置Info
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- JPS596798A JPS596798A JP57111649A JP11164982A JPS596798A JP S596798 A JPS596798 A JP S596798A JP 57111649 A JP57111649 A JP 57111649A JP 11164982 A JP11164982 A JP 11164982A JP S596798 A JPS596798 A JP S596798A
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- field
- overvoltage
- thyristor
- circuit
- synchronous machine
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P9/00—Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output
- H02P9/14—Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output by variation of field
- H02P9/26—Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output by variation of field using discharge tubes or semiconductor devices
- H02P9/30—Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output by variation of field using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices
- H02P9/302—Brushless excitation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Eletrric Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、同期機の出力電圧、無効電力等に応じて同
期機の界磁電流を制御する半導体励磁装置において、界
磁に発生する異常電圧を抑制し、界磁巻線および励磁装
置を保護する界磁過電圧保護装置に関する。
期機の界磁電流を制御する半導体励磁装置において、界
磁に発生する異常電圧を抑制し、界磁巻線および励磁装
置を保護する界磁過電圧保護装置に関する。
一般に、同期機の界磁に過電圧が印加される原因として
は、■同期機出力側での謔サージ、遮断器開閉サージ等
が静電的および電磁的に移行して発生する異常電圧と、
■同期機出力側での非対称短絡、地絡および非同期運転
(脱−)時等に誘起される界磁電流が負となった際に半
導体整流器が負の界磁電流を阻止する結果発生する異常
部、圧とがある。
は、■同期機出力側での謔サージ、遮断器開閉サージ等
が静電的および電磁的に移行して発生する異常電圧と、
■同期機出力側での非対称短絡、地絡および非同期運転
(脱−)時等に誘起される界磁電流が負となった際に半
導体整流器が負の界磁電流を阻止する結果発生する異常
部、圧とがある。
従来、この種の同期機の界磁に印加される過電圧を保護
する装置として、セレン等の非線形抵抗素子が使用され
ていたが、励磁装置の容量が増大するに伴い、励磁装置
の整流素子との過電圧協調が困難となり、また非同期運
転時等に発生する異常電圧が電流源の出力オープンに起
因することから電流容量的にも非線形抵抗素子による保
護は困難となってきた。
する装置として、セレン等の非線形抵抗素子が使用され
ていたが、励磁装置の容量が増大するに伴い、励磁装置
の整流素子との過電圧協調が困難となり、また非同期運
転時等に発生する異常電圧が電流源の出力オープンに起
因することから電流容量的にも非線形抵抗素子による保
護は困難となってきた。
このような観点から、近時第1図に示すように、同ルj
機10の界磁巻線12と並列にサイリスタスイッチ14
と過電圧抑制抵抗16とを直列接続し、界磁回路に過電
圧が発生した際にサイリスタスイッチ14を導通させ、
過電圧抑制抵抗16に電流を流すことにより、界磁回路
の電圧を制限し励磁装置を保護するよう回路構成した界
磁過電圧保護装置が提案されている。なお、第1図にお
いて、界磁回路は、同期機10の出力母線18に励磁用
変圧器20を介して半導体整流装置22を接続し、この
半導体整流装置22の出力端に界磁巻線12を接続して
構成される。なお、同期機10の出力母線18には電圧
検出用変圧器24を介して自動電圧調整装置26を接続
し、仁の自動電圧調整装置26によって前記半導体整流
装置22の位相制御を行い出力電圧の制御を行うよう構
成する。この自動電圧調整装置26は、電圧調節器28
と点弧角位相調節器30とサイリスタスイッチ電流検出
器32とを備え、前記サイリスタスイッチ14を介して
過電圧抑制抵抗16に流れる電流を電流変成器64によ
って前記サイリスタスイッチ電流検出器32で検出し、
この検出信号を点弧角位相調節器60にフィードバック
するよう構成される。一方、サイリスクスイッチ14の
点弧制御回路として、抵抗器36と半導体整流器6Bと
ツェナーダイオード(ブレークオーバーダイオード)4
0とが直列接続さizる。なお、第1図に示す回路にお
いて、界磁遮断器、順方向サイリスタスイッチ等は省略
しである。
機10の界磁巻線12と並列にサイリスタスイッチ14
と過電圧抑制抵抗16とを直列接続し、界磁回路に過電
圧が発生した際にサイリスタスイッチ14を導通させ、
過電圧抑制抵抗16に電流を流すことにより、界磁回路
の電圧を制限し励磁装置を保護するよう回路構成した界
磁過電圧保護装置が提案されている。なお、第1図にお
いて、界磁回路は、同期機10の出力母線18に励磁用
変圧器20を介して半導体整流装置22を接続し、この
半導体整流装置22の出力端に界磁巻線12を接続して
構成される。なお、同期機10の出力母線18には電圧
検出用変圧器24を介して自動電圧調整装置26を接続
し、仁の自動電圧調整装置26によって前記半導体整流
装置22の位相制御を行い出力電圧の制御を行うよう構
成する。この自動電圧調整装置26は、電圧調節器28
と点弧角位相調節器30とサイリスタスイッチ電流検出
器32とを備え、前記サイリスタスイッチ14を介して
過電圧抑制抵抗16に流れる電流を電流変成器64によ
って前記サイリスタスイッチ電流検出器32で検出し、
この検出信号を点弧角位相調節器60にフィードバック
するよう構成される。一方、サイリスクスイッチ14の
点弧制御回路として、抵抗器36と半導体整流器6Bと
ツェナーダイオード(ブレークオーバーダイオード)4
0とが直列接続さizる。なお、第1図に示す回路にお
いて、界磁遮断器、順方向サイリスタスイッチ等は省略
しである。
しかしながら、前述した構成からなる過電圧保護装置に
おいて、サイリスタスイッチ14が導通した後は、素子
のγノードーカソード間に逆電圧を印加するか、アノー
ド−カソード間を短絡することにより、素子に流れる電
流を保持電流以下に低減させなければこ11.を非導通
とすることができない。そこで、前記の過電圧保護装置
のサイリスタスイッチを復帰(自己消弧)させる手段と
して、一般にサイリスタスイッチ14に電流が流れたこ
とを検出し、一定時間後に短時間サイリスタの点弧位相
角を遅らせてインバータ運転を行う方式が採用されてい
るが、この方式はサイリスタスイッチ14の電流検出回
路32または点弧角位相調節器60にインバータ運転を
行うべく指令を与える論理回路等が必要となると共にイ
ンバータ運転がfiJ能な半導体励磁装置(サイリスタ
純ブリツジ回路)にのみ適用し得るため、サイリスター
ダイオードまたはダイオード−ダイオードの励磁装置に
は適用できない難点がある。また、インバータ運転を行
う時点で、過電圧発生原因が解除されているか、これが
不明なため、不必要にインツイータ運転を行ったり、ま
たは必要以上の時間において過電圧保護波[を動作させ
る等の欠点がある。
おいて、サイリスタスイッチ14が導通した後は、素子
のγノードーカソード間に逆電圧を印加するか、アノー
ド−カソード間を短絡することにより、素子に流れる電
流を保持電流以下に低減させなければこ11.を非導通
とすることができない。そこで、前記の過電圧保護装置
のサイリスタスイッチを復帰(自己消弧)させる手段と
して、一般にサイリスタスイッチ14に電流が流れたこ
とを検出し、一定時間後に短時間サイリスタの点弧位相
角を遅らせてインバータ運転を行う方式が採用されてい
るが、この方式はサイリスタスイッチ14の電流検出回
路32または点弧角位相調節器60にインバータ運転を
行うべく指令を与える論理回路等が必要となると共にイ
ンバータ運転がfiJ能な半導体励磁装置(サイリスタ
純ブリツジ回路)にのみ適用し得るため、サイリスター
ダイオードまたはダイオード−ダイオードの励磁装置に
は適用できない難点がある。また、インバータ運転を行
う時点で、過電圧発生原因が解除されているか、これが
不明なため、不必要にインツイータ運転を行ったり、ま
たは必要以上の時間において過電圧保護波[を動作させ
る等の欠点がある。
そこで、本発明者等は、前述した従来の同期機における
界磁過電圧保画装置の問題点を全て克服すべく種々検討
を重ねた結果、励磁装置の界磁回路において、半導体整
流装置の出力端間にそれぞれ過電圧抑制抵抗を直列に接
続した一対の逆方向サイリスタスイッチ管接続し、これ
らサイリスクスイッチの接続点と前記半導体整流装置の
入力交流電圧の一相とを接続することにより、界磁に異
常電圧が発生し各サイリスクスイッチが導通して過電圧
抑制を行った後異常電圧の発生原因が解除されると、前
記サイリスタスイッチを確実に復帰(自己消弧)させる
ことができ、前記問題点を解消し得ることを突き止めた
。
界磁過電圧保画装置の問題点を全て克服すべく種々検討
を重ねた結果、励磁装置の界磁回路において、半導体整
流装置の出力端間にそれぞれ過電圧抑制抵抗を直列に接
続した一対の逆方向サイリスタスイッチ管接続し、これ
らサイリスクスイッチの接続点と前記半導体整流装置の
入力交流電圧の一相とを接続することにより、界磁に異
常電圧が発生し各サイリスクスイッチが導通して過電圧
抑制を行った後異常電圧の発生原因が解除されると、前
記サイリスタスイッチを確実に復帰(自己消弧)させる
ことができ、前記問題点を解消し得ることを突き止めた
。
従って、本発明の目的は、励磁装置を構成する半導体整
流装置の種別に関係なく適用するととができ、しかも過
電圧抑制用のサイリスタスイッチを復帰させるための電
流検出回路や論理回路を省略することができる界磁過電
、圧保循装置を提供するにある。
流装置の種別に関係なく適用するととができ、しかも過
電圧抑制用のサイリスタスイッチを復帰させるための電
流検出回路や論理回路を省略することができる界磁過電
、圧保循装置を提供するにある。
前記の目的を達成するため、本発明においては、同期機
の界磁巻線と並列にサイリスクスイッチと過電圧抑制抵
抗との直列回路を接続し界磁にjM電圧が発生した際前
記サイリスクスイッチを導通させて界磁巻線および半導
体整流装置を過電圧から保護するよう構成した界磁過電
圧保護装置において、一対のサイリスタスイッチと過電
圧抑制抵抗との直列接続回路を設け、これらサイリスタ
スイッチの中間接続点と半導体整流装置の入力交流電圧
を形成する一相とを接続することを特徴とする。
の界磁巻線と並列にサイリスクスイッチと過電圧抑制抵
抗との直列回路を接続し界磁にjM電圧が発生した際前
記サイリスクスイッチを導通させて界磁巻線および半導
体整流装置を過電圧から保護するよう構成した界磁過電
圧保護装置において、一対のサイリスタスイッチと過電
圧抑制抵抗との直列接続回路を設け、これらサイリスタ
スイッチの中間接続点と半導体整流装置の入力交流電圧
を形成する一相とを接続することを特徴とする。
前記の界磁過電圧保護装置において、牛導体整流V装置
は、サイリスタ純ブリツジ回路またはサイリスターダイ
オード混合ブリッジ回路で構成することができる。
は、サイリスタ純ブリツジ回路またはサイリスターダイ
オード混合ブリッジ回路で構成することができる。
また、サイリスタスイッチには、抵抗器と半導体整流器
とツェナーダイオードとを1α列接続した点弧回路を接
続すれば好適である。
とツェナーダイオードとを1α列接続した点弧回路を接
続すれば好適である。
次に、本発明に係る同期機の界磁過電圧保護装置の実施
例につき、添付図面を参照し2ながら以下詳細に説明す
る。
例につき、添付図面を参照し2ながら以下詳細に説明す
る。
第2図は、本発明装置の一実施例を示す回路図である。
なお、励磁装置の基本構成は、第1図に示す回路構成と
同じであり、同一の構成部分については同一の参照符号
を付してその詳細な説明は省略する。すなわち、第2図
において、界磁回路を構成する半導体整流装置は、サイ
リスタ純ブリツジ回路で構成したものであり、界磁巻線
12と並列に、順方向サイリスクスイッチ42と過電圧
抑制抵抗44とを直列接続したものと、一対の逆方向サ
イリスタスイッチ46゜48をそれぞれ過電圧抑制抵抗
50.52と共に直列接続したものとを接続する。なお
、各サイリスタスイッチ42,46.48に対してそれ
ぞれ第1図に示すと同様の回路構成(36,38゜40
)からなるサイリスタスイッチ点弧回路54.56.5
8が接続される。さらに、このように接続配置した逆方
向サイリスクスイッチ46.48の中間接続点と、半導
体整流装置22の入力交流電圧の一相とを接続する。こ
の結果、逆方向サイリスタスイッチ46.48は、半導
体整流装置22を構成するV相およびY相のサイリスタ
とそれぞれ並列に接続した状態となる。
同じであり、同一の構成部分については同一の参照符号
を付してその詳細な説明は省略する。すなわち、第2図
において、界磁回路を構成する半導体整流装置は、サイ
リスタ純ブリツジ回路で構成したものであり、界磁巻線
12と並列に、順方向サイリスクスイッチ42と過電圧
抑制抵抗44とを直列接続したものと、一対の逆方向サ
イリスタスイッチ46゜48をそれぞれ過電圧抑制抵抗
50.52と共に直列接続したものとを接続する。なお
、各サイリスタスイッチ42,46.48に対してそれ
ぞれ第1図に示すと同様の回路構成(36,38゜40
)からなるサイリスタスイッチ点弧回路54.56.5
8が接続される。さらに、このように接続配置した逆方
向サイリスクスイッチ46.48の中間接続点と、半導
体整流装置22の入力交流電圧の一相とを接続する。こ
の結果、逆方向サイリスタスイッチ46.48は、半導
体整流装置22を構成するV相およびY相のサイリスタ
とそれぞれ並列に接続した状態となる。
なお、第2図において、界磁遮断器等は省略して示し°
Cある。
Cある。
次に、このような構成からなる本実施例回路の動作につ
き説明する。
き説明する。
まず、順方向サイリスタスイッチ42の動作および復帰
に関する理論は公知であるた〆、これに関する説明は省
略する。従って、以下逆方向サイリスタ46.48の動
作につき説明する。
に関する理論は公知であるた〆、これに関する説明は省
略する。従って、以下逆方向サイリスタ46.48の動
作につき説明する。
今、同期機10の出力回路に非対称短絡、地絡もしくは
非同期運転(脱調)等の事故が発生した場合、同期機1
0の運転条件により定まる界磁誘起電流が発生する。こ
の誘起電流が「釦になると半導体整流装置22は逆電流
を流せないため、電流源が出力オープンとなり界磁回路
に過大な逆電圧が発生する。
非同期運転(脱調)等の事故が発生した場合、同期機1
0の運転条件により定まる界磁誘起電流が発生する。こ
の誘起電流が「釦になると半導体整流装置22は逆電流
を流せないため、電流源が出力オープンとなり界磁回路
に過大な逆電圧が発生する。
この発生電圧が、サイリスタスイッチ点弧回路56.5
8により設定された値以上となると、逆方向サイリスタ
スイッチ46.48に点弧指令が与えられ、先にサイリ
スタスイッチ46が導通し、その後サイリスタスイッチ
48が導通して、界磁電圧は誘起電流値と過電圧抑制抵
抗50.52の抵抗値による値に制限される。また、サ
イリスタスイッチ46.48が導通した後は、再び半導
体整流装置22も導通し、過電圧抑制抵抗50.52に
電流を流す。
8により設定された値以上となると、逆方向サイリスタ
スイッチ46.48に点弧指令が与えられ、先にサイリ
スタスイッチ46が導通し、その後サイリスタスイッチ
48が導通して、界磁電圧は誘起電流値と過電圧抑制抵
抗50.52の抵抗値による値に制限される。また、サ
イリスタスイッチ46.48が導通した後は、再び半導
体整流装置22も導通し、過電圧抑制抵抗50.52に
電流を流す。
次いで、同期機10の出力回路の事故が解除され、もし
くは非同期運転時にあってはスリツー グ周波数に応じ
て「負」の誘起[流が無くなった(「正」の誘起電流と
なる)場合、過電圧抑制抵抗50.52には半導体整流
装置22による電流のみが流れようとする。
くは非同期運転時にあってはスリツー グ周波数に応じ
て「負」の誘起[流が無くなった(「正」の誘起電流と
なる)場合、過電圧抑制抵抗50.52には半導体整流
装置22による電流のみが流れようとする。
そこで、前記サイリスタスイッチ46に印加される電圧
波形を示せば、第6図に示す通りである。すなわち、第
6図において、 (1) t、はV相すイリスタが導通している期間(
2) t2はW相すイリスタが導通している期間(3
) t、+t4はU相すイリスタが導通している期間 をそね、ぞれ示すものである。しかるに、サイリスタス
イッチ46は、期間t、において短絡され、また期間t
4において逆電圧が印加される。
波形を示せば、第6図に示す通りである。すなわち、第
6図において、 (1) t、はV相すイリスタが導通している期間(
2) t2はW相すイリスタが導通している期間(3
) t、+t4はU相すイリスタが導通している期間 をそね、ぞれ示すものである。しかるに、サイリスタス
イッチ46は、期間t、において短絡され、また期間t
4において逆電圧が印加される。
この期間t4の時間および電圧値は、半導体整流装置2
2を構成するサイリスタの点弧角(第3図においてはα
=45)により決定される。
2を構成するサイリスタの点弧角(第3図においてはα
=45)により決定される。
なお、他方のサイリスタスイッチ48にも、前記と同様
の電圧波形が印加されることは勿論である。
の電圧波形が印加されることは勿論である。
従って、第3図からも明らかなように、期間t4の時点
で逆電圧が発生し首た期間t1の時点で短絡(実際には
約1ボルト程度の順電圧降下が生じる)されるので、導
通していたサイリスタスイッチ46.48は復帰(非導
通)する。
で逆電圧が発生し首た期間t1の時点で短絡(実際には
約1ボルト程度の順電圧降下が生じる)されるので、導
通していたサイリスタスイッチ46.48は復帰(非導
通)する。
第4図は、本発明装置の別の実施例を示す回路図である
。本実施例は、半導体整流装置22をサイリスターダイ
オードからなる三相混合ブリッジ回路として構成した場
合を示す。すなわち、前記半導体整流装置22には、転
流ダイオード60が接続配置され暮。本実施例において
も、前記実施例と同様に逆方向サイリスタスイッチ46
.48と過電圧抑制抵抗5.0 、52の直列接続回路
を適用することができる。従って、前記第2図に示す実
施例回路と同一の構成部分については、同一の参照符号
を付してその詳細な説明は省略する。なお、第4図にお
いて、界磁遮断器および順方向サイリスタスイッチは省
略して示しである。
。本実施例は、半導体整流装置22をサイリスターダイ
オードからなる三相混合ブリッジ回路として構成した場
合を示す。すなわち、前記半導体整流装置22には、転
流ダイオード60が接続配置され暮。本実施例において
も、前記実施例と同様に逆方向サイリスタスイッチ46
.48と過電圧抑制抵抗5.0 、52の直列接続回路
を適用することができる。従って、前記第2図に示す実
施例回路と同一の構成部分については、同一の参照符号
を付してその詳細な説明は省略する。なお、第4図にお
いて、界磁遮断器および順方向サイリスタスイッチは省
略して示しである。
本実施例回路において、サイリスタスイッチ46.48
の動作および復帰は、第2図に示す実施例と同じである
。しかし、サイリスタスイッチ48に印加される電圧波
形は、第5図に示すように、逆電圧は印加されず、Y相
ダイオードが導通している期間’1Mの時点でサイリス
タスイッチ48が復帰する。なお、第5図において、T
1.は2相ダイオードが導通している期間。
の動作および復帰は、第2図に示す実施例と同じである
。しかし、サイリスタスイッチ48に印加される電圧波
形は、第5図に示すように、逆電圧は印加されず、Y相
ダイオードが導通している期間’1Mの時点でサイリス
タスイッチ48が復帰する。なお、第5図において、T
1.は2相ダイオードが導通している期間。
T、2はX相ダイオードが導通している期間をそれぞれ
示す。
示す。
前述した実施例から明らかなように、本発明によれば、
一対の逆方向サイリスタスイッチをそれぞれ過電圧抑制
抵抗と共に直列に接続し、これらサイリスタスイッチの
接続点と、半導体整流装置の入力交流電圧を形成する一
相とを接続することにより、界磁に異常電圧が発生しサ
イリスタスイッチが導通した後に、異常電圧の発生原因
が解除されると直ちにサイリスタスイッチを復帰させる
ことができる。従って、本発明の界磁過電圧保護装置は
、必要な時間のみ動作させることができると共に、従来
のようにサイリスタスイッチを復帰させるための電流検
出回路や論理回路等が不要となる利点が得られる。
一対の逆方向サイリスタスイッチをそれぞれ過電圧抑制
抵抗と共に直列に接続し、これらサイリスタスイッチの
接続点と、半導体整流装置の入力交流電圧を形成する一
相とを接続することにより、界磁に異常電圧が発生しサ
イリスタスイッチが導通した後に、異常電圧の発生原因
が解除されると直ちにサイリスタスイッチを復帰させる
ことができる。従って、本発明の界磁過電圧保護装置は
、必要な時間のみ動作させることができると共に、従来
のようにサイリスタスイッチを復帰させるための電流検
出回路や論理回路等が不要となる利点が得られる。
また、本発明の界磁過電圧保護装置は、同期機に限らず
、交流電力を半導体整流装置を使用して直流電力に変換
し、得られた直流電力を使用して運転する直流電動機等
の機器および前記半導体整流装置の過電圧検膜装置とし
て好適に応用することができる。
、交流電力を半導体整流装置を使用して直流電力に変換
し、得られた直流電力を使用して運転する直流電動機等
の機器および前記半導体整流装置の過電圧検膜装置とし
て好適に応用することができる。
以上、本発明の好適な実施例について説明したが、本発
明の精神を逸脱しない範囲内において種々の設計変更を
なし得ることは勿論である。
明の精神を逸脱しない範囲内において種々の設計変更を
なし得ることは勿論である。
第1図は従来の同期機における界磁過電圧保護装置を示
す回路図、第2図は本発明に係る同期機の界磁過電圧保
護装置の一実施例を示す回路図、第3図は第2図に示す
サイリスタスイッチの動作を示す電圧波形図、第4図は
本発明に係る同期機の界磁過電圧保護装置の別の実施例
を示す回路図、第5図は第4図に示すサイリスタスイッ
チの動作を示す電圧波形図である。 10・・・同 期 機 12・・・界磁巻線14・・・
サイリスタスイッチ 16・・・過電圧抑制抵抗 18・・・出 力 母
線20・・・励磁用変圧器 22・・・半導体整流装
置24・・・電圧検出用変圧器 26・・・自動電圧訓
整装置28・・・電圧調節封診30・・・電流検出器3
2・・・点弧角位相調節器 34・・・電流変成器66
・・・抵 抗 器 38・・・半導体整流器40・・
・ツェナーダイオード 42・・・順方向サイリスタスイッチ 44・・・過電圧抑制抵抗 46.48・・・逆方向サイリスタスイッチ50.52
・・・過電圧抑制抵抗 54 、56 、58・・・ サイリスタスイッチ点弧
回路60・・・転流ダイオード 特許出願人 富士電機製造株式会社 FIG、1 6 ノ FIG、2 FIG 3 □時間 FIG 5 −+一時間
す回路図、第2図は本発明に係る同期機の界磁過電圧保
護装置の一実施例を示す回路図、第3図は第2図に示す
サイリスタスイッチの動作を示す電圧波形図、第4図は
本発明に係る同期機の界磁過電圧保護装置の別の実施例
を示す回路図、第5図は第4図に示すサイリスタスイッ
チの動作を示す電圧波形図である。 10・・・同 期 機 12・・・界磁巻線14・・・
サイリスタスイッチ 16・・・過電圧抑制抵抗 18・・・出 力 母
線20・・・励磁用変圧器 22・・・半導体整流装
置24・・・電圧検出用変圧器 26・・・自動電圧訓
整装置28・・・電圧調節封診30・・・電流検出器3
2・・・点弧角位相調節器 34・・・電流変成器66
・・・抵 抗 器 38・・・半導体整流器40・・
・ツェナーダイオード 42・・・順方向サイリスタスイッチ 44・・・過電圧抑制抵抗 46.48・・・逆方向サイリスタスイッチ50.52
・・・過電圧抑制抵抗 54 、56 、58・・・ サイリスタスイッチ点弧
回路60・・・転流ダイオード 特許出願人 富士電機製造株式会社 FIG、1 6 ノ FIG、2 FIG 3 □時間 FIG 5 −+一時間
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)同期機の界磁巻線と並列にサイリスクスイッチと
過電圧抑制抵抗との直列回路を接続し界磁に過電圧が発
生した際前記サイリスタスイッチを導通させて界磁巻線
および半導体整流装置を過電圧から保護するよう構成し
た界磁過電圧保護装置において、一対のサイリスクスイ
ッチと過電圧抑制抵抗との直列接続回路を設け、これら
サイリスタスイッチの中間接続点と半導体整流装置の入
力交流電圧を形成する一相とを接続することを特徴とす
る同期機の界磁過電圧保護装置。 Q) 特許請求の範囲第1項記載の界磁過電圧保護装置
において、半導体整流装置はサイリスタ純ブリツジ回路
からなる同期機の界磁過電圧保護装置。 (3)特許請求の範囲第1項記載の界磁過電圧保護装置
′において、半導体整流装置はサイリスターダイオード
混合ブリッジ回路からなる同期機の界磁過電圧保護装置
。 (4)特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれかに記
載の界磁過電圧保護装置において、サイリスタスイッチ
に抵抗器と半導体整流器とツェナーダイオードとからな
る点弧回路を接続してなる同期機の界磁過電圧保護装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57111649A JPS596798A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 同期機の界磁過電圧保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57111649A JPS596798A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 同期機の界磁過電圧保護装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS596798A true JPS596798A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14566670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57111649A Pending JPS596798A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 同期機の界磁過電圧保護装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS596798A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140697A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-13 | Hitachi Ltd | 可変速同期発電電動装置の過電圧抑制装置 |
JPH0265700A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-06 | Toyo Densan Kk | 自動車用発電装置の過大電圧防止回路 |
JPH0364293U (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-24 | ||
EP3509208A1 (en) * | 2018-01-04 | 2019-07-10 | ABB Schweiz AG | Method of controlling an field wound synchronous machine |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5395214A (en) * | 1977-02-01 | 1978-08-21 | Toshiba Corp | Synchronous machine |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57111649A patent/JPS596798A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5395214A (en) * | 1977-02-01 | 1978-08-21 | Toshiba Corp | Synchronous machine |
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