JPS59675A - X線ct用の電離箱形検出器 - Google Patents
X線ct用の電離箱形検出器Info
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- JPS59675A JPS59675A JP57109771A JP10977182A JPS59675A JP S59675 A JPS59675 A JP S59675A JP 57109771 A JP57109771 A JP 57109771A JP 10977182 A JP10977182 A JP 10977182A JP S59675 A JPS59675 A JP S59675A
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 6
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J47/00—Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
- H01J47/02—Ionisation chambers
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はX#CT装置に用いられる電離箱形X線検出器
に関する。
に関する。
X線CT装置においては被検体の横断面画像は被検体を
通過しfcX線量全X線検出器で検出し、それにもとづ
いたデータをコンピュータを用いて画像処理することに
より得られる。X線検出器としてはシンチレーション検
出器、半導体検出器あるいはキセノンガス検出器等が用
いられている。
通過しfcX線量全X線検出器で検出し、それにもとづ
いたデータをコンピュータを用いて画像処理することに
より得られる。X線検出器としてはシンチレーション検
出器、半導体検出器あるいはキセノンガス検出器等が用
いられている。
第1図はキセノンガス検出器の中でいわゆる電離2
ρ 箱構造を有するX線検出器の概略を示している。
ρ 箱構造を有するX線検出器の概略を示している。
この種の検出器はバイアス電極1と信号電極2が圧力容
器5の中に等間隔で交互に配置され、容器内にはX線吸
収の大きいキセノンガス6が高いガス圧で封入された電
離箱構造を有している。バイアス電極1は高圧電源7に
よって高電圧に維持され、信号電極2は電流検出回路(
図示せず)を介して接地されている。X線は矢印方向か
ら圧力容器の一部金なす窓を通過して圧力容器内に入射
できるようになっている。この窓と電極1および2との
間には、窓と平行に導電性平板で形成された前面高圧板
3が配置され、バイアス電極1と同電位に維持されてい
る。被検体を通過し圧力容器5の窓から容器内に入射し
てくるX線は、キセノンガス6の原子と相互作用をして
電子−イオン対を発生させる。この電子−イオン対はそ
れぞれマイナスおよびプラスの電荷を有しているため信
号電極2およびバイアス電極1の方向へ移動し、その結
果入射したX線の強度に比例した信号電流が検出される
ものである。バイアス電極1と信号電6頁 極2の間には電源7により高圧が印加されrいて点線で
示されるような等電位面が形成されている。
器5の中に等間隔で交互に配置され、容器内にはX線吸
収の大きいキセノンガス6が高いガス圧で封入された電
離箱構造を有している。バイアス電極1は高圧電源7に
よって高電圧に維持され、信号電極2は電流検出回路(
図示せず)を介して接地されている。X線は矢印方向か
ら圧力容器の一部金なす窓を通過して圧力容器内に入射
できるようになっている。この窓と電極1および2との
間には、窓と平行に導電性平板で形成された前面高圧板
3が配置され、バイアス電極1と同電位に維持されてい
る。被検体を通過し圧力容器5の窓から容器内に入射し
てくるX線は、キセノンガス6の原子と相互作用をして
電子−イオン対を発生させる。この電子−イオン対はそ
れぞれマイナスおよびプラスの電荷を有しているため信
号電極2およびバイアス電極1の方向へ移動し、その結
果入射したX線の強度に比例した信号電流が検出される
ものである。バイアス電極1と信号電6頁 極2の間には電源7により高圧が印加されrいて点線で
示されるような等電位面が形成されている。
このような従来の電極構造では前面高圧板3の近傍にお
いて電場勾配が非常に緩かな個所が存在する(第1図中
符号Aで示す)。そのため、そこで発生した電子および
イオンの移動速度が小さくなり電子−イオン対が再結合
して消滅するので電気信号として取出されない。従って
X線の入射によ多発生したイオン対を出力電気信号とし
て効率よく収集することはできないという欠点がある。
いて電場勾配が非常に緩かな個所が存在する(第1図中
符号Aで示す)。そのため、そこで発生した電子および
イオンの移動速度が小さくなり電子−イオン対が再結合
して消滅するので電気信号として取出されない。従って
X線の入射によ多発生したイオン対を出力電気信号とし
て効率よく収集することはできないという欠点がある。
本発明の目的は入射X線とガス原子との相互作用で生じ
た電子−イオン対の再結合損失を減少させるような電極
構造を有する電離箱形検出器を提供することにある。
た電子−イオン対の再結合損失を減少させるような電極
構造を有する電離箱形検出器を提供することにある。
以下本発明の電離箱形検出器の実施例を図面に従って説
明する。
明する。
第2図は本発明の検出器の一実施例における電極構造を
示す概略図である。図において11はバイアス電極、1
2は信号電極を示している。両電極は共に導電性平板で
形成され互いに絶縁され良状態 ・を保って、一定間隔
で交互に配置されている。隣り合う2枚のバイアス電極
11にはさまれた空間が単位チャネル全構成し、図にお
いては3チヤネルしか示されていないが実際のX線CT
i装置に用いられる検出器では数百のチャネルが形成さ
れているのが普通である。そして隣り合うバイアス電極
11のX線入射方向(矢印で示す)側の端部には導電性
曲面13がそれぞれ一体に接合されている。導電性曲面
13は、隣り合うバイアス電極間の距離を直径とする中
空円筒を、その直径を含む平面で二分割した構造の半円
筒形にそれぞれ形成されていて、隣シ合うバイアス電極
11のX線入射方向側の端部に半円筒形曲面の二つの直
線部分が対応するように配置されている。即ち、1つの
半円筒形曲面を単位としてチャネル数だけ周期的に連続
して配設され、各信号電極12のX線入射方向側の端部
は半円筒形曲面の凸面に接触することなく配置されてい
る。周期的に連続した構造の半円筒形曲面13は、たと
えば[1L2iIII厚の薄いポリイミドフィルムの上
に薄い銅はくをはったものを金型によって成5 頁 彫加工することによって得られる。
示す概略図である。図において11はバイアス電極、1
2は信号電極を示している。両電極は共に導電性平板で
形成され互いに絶縁され良状態 ・を保って、一定間隔
で交互に配置されている。隣り合う2枚のバイアス電極
11にはさまれた空間が単位チャネル全構成し、図にお
いては3チヤネルしか示されていないが実際のX線CT
i装置に用いられる検出器では数百のチャネルが形成さ
れているのが普通である。そして隣り合うバイアス電極
11のX線入射方向(矢印で示す)側の端部には導電性
曲面13がそれぞれ一体に接合されている。導電性曲面
13は、隣り合うバイアス電極間の距離を直径とする中
空円筒を、その直径を含む平面で二分割した構造の半円
筒形にそれぞれ形成されていて、隣シ合うバイアス電極
11のX線入射方向側の端部に半円筒形曲面の二つの直
線部分が対応するように配置されている。即ち、1つの
半円筒形曲面を単位としてチャネル数だけ周期的に連続
して配設され、各信号電極12のX線入射方向側の端部
は半円筒形曲面の凸面に接触することなく配置されてい
る。周期的に連続した構造の半円筒形曲面13は、たと
えば[1L2iIII厚の薄いポリイミドフィルムの上
に薄い銅はくをはったものを金型によって成5 頁 彫加工することによって得られる。
これらの電極構造体はキセノンガス16が封入されてい
る圧力容器15に絶縁された状態で収容されている。図
示されている容器15の部分は、X線透過性のアルミニ
ウム薄板で形成された窓を構成し、接地されている。信
号電極12から容器15の外側へ電気信号を取出すため
に、)・−メチツクシール(図示せず)が容器15に配
設されている。またバイアス電極11は容器15内で結
線され1個のノ1−メチツクシールを介して高圧電源1
7に接続されている。
る圧力容器15に絶縁された状態で収容されている。図
示されている容器15の部分は、X線透過性のアルミニ
ウム薄板で形成された窓を構成し、接地されている。信
号電極12から容器15の外側へ電気信号を取出すため
に、)・−メチツクシール(図示せず)が容器15に配
設されている。またバイアス電極11は容器15内で結
線され1個のノ1−メチツクシールを介して高圧電源1
7に接続されている。
バイアス電極11には負の電極が印加されると共に導電
性曲面13にも同電位が印カリされるようになっている
。
性曲面13にも同電位が印カリされるようになっている
。
この実施例においては、バイアス電極11、信号電極1
2および導電性曲面13によって形成される空間には図
中点線で示されるような等電位面が形成される。隣シ合
うバイアス電極11と信号電極12とにはさまれた空間
の電位分布は互いに平行な平面から成り、バイアス電極
11および信号電極12のXた空間の電位分布は導電性
曲面16の形状とほぼ相似な曲面から成っている。この
ような電位分布のもとでは、電場勾配が極端に緩かな個
所が存在しないため、矢印の方向からX線が前述の空間
領域、即ち各チャネルに入射した時に一次電離によって
生成した電子−イオン対は減速されることはなく、従っ
て再結合して消滅する確率が小さくなり電子−イオン対
を効率よく収集することができる。
2および導電性曲面13によって形成される空間には図
中点線で示されるような等電位面が形成される。隣シ合
うバイアス電極11と信号電極12とにはさまれた空間
の電位分布は互いに平行な平面から成り、バイアス電極
11および信号電極12のXた空間の電位分布は導電性
曲面16の形状とほぼ相似な曲面から成っている。この
ような電位分布のもとでは、電場勾配が極端に緩かな個
所が存在しないため、矢印の方向からX線が前述の空間
領域、即ち各チャネルに入射した時に一次電離によって
生成した電子−イオン対は減速されることはなく、従っ
て再結合して消滅する確率が小さくなり電子−イオン対
を効率よく収集することができる。
第6図は本発明の他の実施例における電極構造の概略を
示している。この実施例においては、バイアス電極21
と信号電極22は第1の実施例と同様に構成されている
が導電性曲面23が隣り合うバイアス電極21間の距離
を半周期とする正弦波曲面に形成されている。正弦波曲
面の底部はそれぞれバイアス電極21のX線入射方向側
の端部に接触配置されている。更に正弦波曲面と圧力容
器25の窓との間にはXStよく透過させるシールド板
24が介設されている。シールド板24は、次とえばポ
リカーボネートプラスチックで形成され、窓に面する7
−9頁 曲面と同一の形状に形成し、導電性曲面23がバイアス
電極21の上端部にしっかりと接触するようになってい
る。
示している。この実施例においては、バイアス電極21
と信号電極22は第1の実施例と同様に構成されている
が導電性曲面23が隣り合うバイアス電極21間の距離
を半周期とする正弦波曲面に形成されている。正弦波曲
面の底部はそれぞれバイアス電極21のX線入射方向側
の端部に接触配置されている。更に正弦波曲面と圧力容
器25の窓との間にはXStよく透過させるシールド板
24が介設されている。シールド板24は、次とえばポ
リカーボネートプラスチックで形成され、窓に面する7
−9頁 曲面と同一の形状に形成し、導電性曲面23がバイアス
電極21の上端部にしっかりと接触するようになってい
る。
また前記シールド板24の正弦波曲面の部分に、真空蒸
着等によって銅等の薄い金属膜を形成し、更にバイアス
電極と電気的に接続すれば導電性曲面として作用するの
でシールド板と導電性曲面と全分離して設ける必要はな
い。更にシールド板24を第4図に示すように適切な厚
みを有すると共に一面が導電性曲面26と同一形状に形
成された正弦波曲面に形成して配置することも可能であ
る。
着等によって銅等の薄い金属膜を形成し、更にバイアス
電極と電気的に接続すれば導電性曲面として作用するの
でシールド板と導電性曲面と全分離して設ける必要はな
い。更にシールド板24を第4図に示すように適切な厚
みを有すると共に一面が導電性曲面26と同一形状に形
成された正弦波曲面に形成して配置することも可能であ
る。
この実施例においては、導電性曲面が隣り合うバイアス
電極間の距離を半周期とする正弦波曲面に形成されてい
て、2枚のバイアス電極と信号電極とで形成される各チ
ャネル内の等電位面は、バイアス電極と信号電極ではさ
まれる空間においては平行な平面であり、バイアス電極
と信号電極のX線入射方向側の端部と導電性曲面によっ
てはさまれた空間においては、導電性曲面に沿ってやや
急な立上がりを有する曲面になり電場勾配が緩か特開昭
59−675 (3) な個所は存在しないことが理解されよう。従って、入射
X線による電子−イオン対が減速され再結合する確率は
小さくなり電気信号全効率よく収集できる。
電極間の距離を半周期とする正弦波曲面に形成されてい
て、2枚のバイアス電極と信号電極とで形成される各チ
ャネル内の等電位面は、バイアス電極と信号電極ではさ
まれる空間においては平行な平面であり、バイアス電極
と信号電極のX線入射方向側の端部と導電性曲面によっ
てはさまれた空間においては、導電性曲面に沿ってやや
急な立上がりを有する曲面になり電場勾配が緩か特開昭
59−675 (3) な個所は存在しないことが理解されよう。従って、入射
X線による電子−イオン対が減速され再結合する確率は
小さくなり電気信号全効率よく収集できる。
これらの実施例においては信号取出し電極がノくイアス
ミ極に対して正電位を維持するように構成したが、極性
が反対の場合も可能である。
ミ極に対して正電位を維持するように構成したが、極性
が反対の場合も可能である。
以上説明したように、本発明のX1iICT用の電離箱
形検出器は信号取出し電極とノくイアスミ極とをX線入
射方向に向けて互いに絶縁した状態で交互に配設し、更
に前記バイアス電極のX線入射方向側の端部間全導電性
曲面により接続すると共に前記信号取出し電極と前記ノ
(イアスミ極との間に電場勾配を形成して成るので、前
記信号取出し電極と、前記バイアス電極とで形成される
空間における電位分布は両電極にほぼ平行な平面の集合
となり、両電極のX線入射方向側の端部と導電性曲面に
はさまれた空間における電位分布は、その曲面とほぼ相
似な曲面の集合となるので、従来のような電場勾配が極
端に緩かな個所は存在しない。
形検出器は信号取出し電極とノくイアスミ極とをX線入
射方向に向けて互いに絶縁した状態で交互に配設し、更
に前記バイアス電極のX線入射方向側の端部間全導電性
曲面により接続すると共に前記信号取出し電極と前記ノ
(イアスミ極との間に電場勾配を形成して成るので、前
記信号取出し電極と、前記バイアス電極とで形成される
空間における電位分布は両電極にほぼ平行な平面の集合
となり、両電極のX線入射方向側の端部と導電性曲面に
はさまれた空間における電位分布は、その曲面とほぼ相
似な曲面の集合となるので、従来のような電場勾配が極
端に緩かな個所は存在しない。
1
従ってX線入射によって各チャネル内に生成された電子
−イオン対が減速され再結合して消滅する確率が小さく
なり信号取出し電極から電気信号が効率よく収集される
。
−イオン対が減速され再結合して消滅する確率が小さく
なり信号取出し電極から電気信号が効率よく収集される
。
第1図は従来の電離箱形検出器の電極構造と電位分布を
示す概略図、第2図ないし第4図は本発明の電離箱形検
出器の実施例を示し、第2図は第1の実施例の電極構造
と電位分布を示す概略図、第3図は第2の実施例の概略
図、第4図は第2の実施例の変形例を示す概略図である
。 11・・・バイアス電極、12・・・信号電極、13・
・・導電性曲面、15・・・圧力容器、16・・・キセ
ノンガス、17・・・高圧電源、24・・・絶縁性シー
ルド板。 特許出願人 株式会社 日立メデイコ 代理人 弁理士 秋 本 正 実第1図 第2図 第3図 第4図
示す概略図、第2図ないし第4図は本発明の電離箱形検
出器の実施例を示し、第2図は第1の実施例の電極構造
と電位分布を示す概略図、第3図は第2の実施例の概略
図、第4図は第2の実施例の変形例を示す概略図である
。 11・・・バイアス電極、12・・・信号電極、13・
・・導電性曲面、15・・・圧力容器、16・・・キセ
ノンガス、17・・・高圧電源、24・・・絶縁性シー
ルド板。 特許出願人 株式会社 日立メデイコ 代理人 弁理士 秋 本 正 実第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 1、 信号取出し電極とバイアス電極とkXM入射方向
に向けて互いに絶縁した状態で交互に配設し、更に前記
バイアス電極のX線入射方向側の端部間を導電性曲面に
よ)接続すると共に前記信号取出し電極と前記バイアス
電極との間に電場勾配を形成して成ることを特徴とする
XmCT用の電離箱形検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57109771A JPS59675A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | X線ct用の電離箱形検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57109771A JPS59675A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | X線ct用の電離箱形検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59675A true JPS59675A (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=14518807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57109771A Pending JPS59675A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | X線ct用の電離箱形検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59675A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01172256U (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-06 | ||
JPH0382984A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-04-08 | General Electric Co <Ge> | X線露出制御用集束多素子検出器 |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57109771A patent/JPS59675A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01172256U (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-06 | ||
JPH0382984A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-04-08 | General Electric Co <Ge> | X線露出制御用集束多素子検出器 |
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