JPS596585A - 半導体レ−ザ出力制御方法 - Google Patents
半導体レ−ザ出力制御方法Info
- Publication number
- JPS596585A JPS596585A JP11655682A JP11655682A JPS596585A JP S596585 A JPS596585 A JP S596585A JP 11655682 A JP11655682 A JP 11655682A JP 11655682 A JP11655682 A JP 11655682A JP S596585 A JPS596585 A JP S596585A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- controlled
- laser
- output
- wavelength
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザープリッタ等に使用される半導体レーザ
ーの光出力の強テ及び波長を制御する半導体レーザー出
力制御方法に関する。
ーの光出力の強テ及び波長を制御する半導体レーザー出
力制御方法に関する。
半導体レーザーのｆ出力の強Ｖは半導体レーザーの潟ｖ
及び駆動電流に依存するため、第１図及び第２図に示す
装置のいず７″ｌ−カ一方又は両刀を用いて半導体レー
ザーの光出力の強要を一定に制御している。第１図に示
す装置では半導体レーザー１の光出力の強ツがフォトダ
イオード２で検出されてその光電流が増幅器３で電圧に
変換され、誤差増幅器４ｖｃて基準電圧ｖｒ１と比較さ
れてその誤差が増幅される。駆動回路５は半導体レーザ
ーｌを駆動するが、その駆動電流が誤差増幅器４の出力
信号によシ制御されて半導体レーザー１の光出力の強要
が一定に制御される。
及び駆動電流に依存するため、第１図及び第２図に示す
装置のいず７″ｌ−カ一方又は両刀を用いて半導体レー
ザーの光出力の強要を一定に制御している。第１図に示
す装置では半導体レーザー１の光出力の強ツがフォトダ
イオード２で検出されてその光電流が増幅器３で電圧に
変換され、誤差増幅器４ｖｃて基準電圧ｖｒ１と比較さ
れてその誤差が増幅される。駆動回路５は半導体レーザ
ーｌを駆動するが、その駆動電流が誤差増幅器４の出力
信号によシ制御されて半導体レーザー１の光出力の強要
が一定に制御される。
また第２図に示す装置では半導体レーザーｌは駆動回路
６［Ｊニジ駆動され、半導体レーザー１の近傍に配置さ
れているサーミスタ７により半導体レーザー１の温饗が
検出されて増幅器８で増幅される。この増幅器８の出力
信号は誤差増幅器９にて基準電圧Ｖｒ２と比較されてそ
の誤差が増幅され、また半導体レーザーｌに密着して配
置されているベルチェ素子１０が駆動回転ＩＩによシ駆
動される。
６［Ｊニジ駆動され、半導体レーザー１の近傍に配置さ
れているサーミスタ７により半導体レーザー１の温饗が
検出されて増幅器８で増幅される。この増幅器８の出力
信号は誤差増幅器９にて基準電圧Ｖｒ２と比較されてそ
の誤差が増幅され、また半導体レーザーｌに密着して配
置されているベルチェ素子１０が駆動回転ＩＩによシ駆
動される。
この駆動回路１１は誤差増幅器９の出力信号によジベル
チェ素子１０に対する駆動電流が制御され、半導体レー
ザーｌの温饗が一定に制御されて半導体レーザーＪの光
出力の強要が一定に制御される。
チェ素子１０に対する駆動電流が制御され、半導体レー
ザーｌの温饗が一定に制御されて半導体レーザーＪの光
出力の強要が一定に制御される。
このように従来は半導体レーザーの光強げは一定に制御
していたが、半導体レーザーの光出力の波長は制御して
いなかった。このため半導体レーザーを用いた装置では
半導体レーザーの光出力の波長が変動することにより不
具合が生ずるものがあった。例えば半導体レーザーから
のレーザービームを光偏向器で偏向して感光体上で主走
査方向に掃引する方式のレーザープリンタにおいては光
電１向器として［９１転多面鏡を用いた場合にはレーザ
ービームの偏向ｔａ回転多面鏡の回転角に比例するが、
光偏向器としてホログラムを用いた場合にはレーザービ
ームの回折角（偏向角）はレーザービームの波長により
変動し、レーザービームの回折角の変化を△デ、波長の
変動を△＼、半導体レーザーの発振波長をλ、ホログラ
ムの参照光入射角をθとすると、 △入 △ｐ＝ ■８＋１１０ となり、半導体レーザーの発振波長が変動すると、走査
歪が生ずる。また感光体の感変に波長依存性がある場合
半導体レーザーの発振波長が変動すると、画像品質が低
下する。
していたが、半導体レーザーの光出力の波長は制御して
いなかった。このため半導体レーザーを用いた装置では
半導体レーザーの光出力の波長が変動することにより不
具合が生ずるものがあった。例えば半導体レーザーから
のレーザービームを光偏向器で偏向して感光体上で主走
査方向に掃引する方式のレーザープリンタにおいては光
電１向器として［９１転多面鏡を用いた場合にはレーザ
ービームの偏向ｔａ回転多面鏡の回転角に比例するが、
光偏向器としてホログラムを用いた場合にはレーザービ
ームの回折角（偏向角）はレーザービームの波長により
変動し、レーザービームの回折角の変化を△デ、波長の
変動を△＼、半導体レーザーの発振波長をλ、ホログラ
ムの参照光入射角をθとすると、 △入 △ｐ＝ ■８＋１１０ となり、半導体レーザーの発振波長が変動すると、走査
歪が生ずる。また感光体の感変に波長依存性がある場合
半導体レーザーの発振波長が変動すると、画像品質が低
下する。
本発明は上記のような欠点を改善し、半導体レーザーの
光出力の強要及び波長を一定に制御することができる半
導体レーザー出力制御方法を提供することを目的とする
。
光出力の強要及び波長を一定に制御することができる半
導体レーザー出力制御方法を提供することを目的とする
。
以下図面を参照しながら本発明について実施例をあげて
説明する。
説明する。
半導体レーザーの出力波長の温州特性例を第３図に示す
。この図からも明らかなように半導体レーザーの出力波
長は０２〜０．３１ｍ１０Ｋで変動する。
。この図からも明らかなように半導体レーザーの出力波
長は０２〜０．３１ｍ１０Ｋで変動する。
本発明はこのような波長変動を温州制御によりなくすと
同時に半導体レーザーの駆動電流を制御することによシ
その光出力強要を一定に制御する。
同時に半導体レーザーの駆動電流を制御することによシ
その光出力強要を一定に制御する。
第４図に本発明の実施装置例を示す。
半導体レーザー】のモニター出力はハーフミラ−１２に
より二つに分岐され、その−万のレーザービームは光検
出器を構成するフォトダイオード２に入力される。フォ
トダイオード２の光電流は増幅器３で電圧に変換され、
誤差増幅器４にて基準電圧Ｖｒｌと比較されてその誤差
が増幅される。駆動回路５は半導体レーザー１を駆動す
るが、その駆動電流が誤差増幅器４の出力信号により制
御されて半導体レーザー１の光出力の強Ｖが一定に制御
される。
より二つに分岐され、その−万のレーザービームは光検
出器を構成するフォトダイオード２に入力される。フォ
トダイオード２の光電流は増幅器３で電圧に変換され、
誤差増幅器４にて基準電圧Ｖｒｌと比較されてその誤差
が増幅される。駆動回路５は半導体レーザー１を駆動す
るが、その駆動電流が誤差増幅器４の出力信号により制
御されて半導体レーザー１の光出力の強Ｖが一定に制御
される。
ハーフミラ−１２で分岐された他方のレーザービームは
フィルタ１３を６過し、光検出器を構成するフォトダイ
オード１４に入射する。フィルタ】３は第５図に示すよ
うな透過特性を有し、レーザービームは波長が長くなる
程フィルタ１３を透過する量が減少してフォトダイオー
ド】４への入射量が少なくなる。フォトダイオード１４
の光電流は増幅器Ｊ５で電子に変換され、誤差増幅器１
６［て基量電圧Ｖｒ３と比較されてその誤差が増幅され
る。ベルチェ素子１７は半導体レーザー１に密着して取
付けられ、駆動回路Ｊ８により駆動される。この駆動−
１路１８はベルチェ素子１７に対する駆動電流が誤差増
幅器１６の出力信号により制御され、半導体レーザーｌ
の温州がベルチェ素子１７により制御されて半導体レー
ザーｌの発振波長が一定に制御される。この場合半導体
レーザー１は発振波長が長くなった時には温州が低く制
御され、発振波長が短くなった時には温州が高く制御さ
れる。半導体レーザー１はこの例では前述のホログラム
を光偏向器として採用したレーザプリンタにおいて光源
として用いらｎ１変調器１９により情報信号で変調され
る。
フィルタ１３を６過し、光検出器を構成するフォトダイ
オード１４に入射する。フィルタ】３は第５図に示すよ
うな透過特性を有し、レーザービームは波長が長くなる
程フィルタ１３を透過する量が減少してフォトダイオー
ド】４への入射量が少なくなる。フォトダイオード１４
の光電流は増幅器Ｊ５で電子に変換され、誤差増幅器１
６［て基量電圧Ｖｒ３と比較されてその誤差が増幅され
る。ベルチェ素子１７は半導体レーザー１に密着して取
付けられ、駆動回路Ｊ８により駆動される。この駆動−
１路１８はベルチェ素子１７に対する駆動電流が誤差増
幅器１６の出力信号により制御され、半導体レーザーｌ
の温州がベルチェ素子１７により制御されて半導体レー
ザーｌの発振波長が一定に制御される。この場合半導体
レーザー１は発振波長が長くなった時には温州が低く制
御され、発振波長が短くなった時には温州が高く制御さ
れる。半導体レーザー１はこの例では前述のホログラム
を光偏向器として採用したレーザプリンタにおいて光源
として用いらｎ１変調器１９により情報信号で変調され
る。
このレーザープリンタでは半導体レーザー１の光出力の
強要及び波長が一定に制御される一！Ｊｊらホログラム
による走査歪がなくなり画像品質が良くなる。また感光
体の悪夢に波長依存性があっても品質の良い画像が得ら
れる。
強要及び波長が一定に制御される一！Ｊｊらホログラム
による走査歪がなくなり画像品質が良くなる。また感光
体の悪夢に波長依存性があっても品質の良い画像が得ら
れる。
以上のように本発明によれば半導体レーザーの光出力の
強Ｖを一定に制御するだけでなく半導体レーザーの光出
力の波長を一定に制御するので、半導体レーザーの光出
力の波長変動により不具合を生ずる装置に有効であり、
特にホログラムを用いたレーザープリンタにおいて走査
歪をなくして画像品質を向上させることができる。
強Ｖを一定に制御するだけでなく半導体レーザーの光出
力の波長を一定に制御するので、半導体レーザーの光出
力の波長変動により不具合を生ずる装置に有効であり、
特にホログラムを用いたレーザープリンタにおいて走査
歪をなくして画像品質を向上させることができる。
第１図及び第２図は従来の半導体レーザー出力制御装置
を示すブロック図、第３喝は半導体レーザーの出力波長
の温ツ特性を示す特性図、第４図は本発明の実施装置例
を示すブロック図、第５図はフィルタの透過特性を示す
特性図である。 １・・・半導体レーザー、２．１４・・・フォトダイオ
ード、３，１５・・・増Ｉｌ＠器、４，１６・・・誤差
増幅器、５゜１８・・・駆動回路、１２・・・ハーフミ
ラ−１Ｊ３・・・フィルタ。
を示すブロック図、第３喝は半導体レーザーの出力波長
の温ツ特性を示す特性図、第４図は本発明の実施装置例
を示すブロック図、第５図はフィルタの透過特性を示す
特性図である。 １・・・半導体レーザー、２．１４・・・フォトダイオ
ード、３，１５・・・増Ｉｌ＠器、４，１６・・・誤差
増幅器、５゜１８・・・駆動回路、１２・・・ハーフミ
ラ−１Ｊ３・・・フィルタ。
Claims (1)
- 半導体レーザーの光出力の強Ｖを検出してこの半導体レ
ーザーの駆動電流を制御することによりＣの半導体レー
ザーの光出力の強Ｉを一定に制御し、刀）つこの半導体
レーザーの光出力の波長を検出してこの半導体レーザー
の温Ｖを制御することシてよりこの半導体レーザーの光
出力の波長を一定に制御することを特徴とする半導体レ
ーザー出方制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11655682A JPS596585A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体レ−ザ出力制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11655682A JPS596585A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体レ−ザ出力制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596585A true JPS596585A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14690033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11655682A Pending JPS596585A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 半導体レ−ザ出力制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199482A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-08-17 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 光通信用ハイブリッドレーザ |
| WO1988006711A1 (fr) * | 1987-02-27 | 1988-09-07 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewand | Interferometre a laser pour la mesure des longueurs par interferometrie |
| JPS63257285A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-25 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体レーザーの放射波長および光パワーの制御または調節装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474386A (en) * | 1977-10-26 | 1979-06-14 | Post Office | Controller |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP11655682A patent/JPS596585A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474386A (en) * | 1977-10-26 | 1979-06-14 | Post Office | Controller |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199482A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-08-17 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 光通信用ハイブリッドレーザ |
| WO1988006711A1 (fr) * | 1987-02-27 | 1988-09-07 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewand | Interferometre a laser pour la mesure des longueurs par interferometrie |
| EP0303642B1 (de) * | 1987-02-27 | 1991-10-16 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Laserinterferometer zur interferometrischen längenmessung |
| JPS63257285A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-25 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体レーザーの放射波長および光パワーの制御または調節装置 |
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