JPS5965487A - 高密度実装用放射線検出素子 - Google Patents
高密度実装用放射線検出素子Info
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- JPS5965487A JPS5965487A JP57175346A JP17534682A JPS5965487A JP S5965487 A JPS5965487 A JP S5965487A JP 57175346 A JP57175346 A JP 57175346A JP 17534682 A JP17534682 A JP 17534682A JP S5965487 A JPS5965487 A JP S5965487A
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- JP
- Japan
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- detector elements
- radioactive rays
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明はＸｌｌ１！撮影装置（Ｘ＠ＣＴ装置など）に
適用して有用な高密度実装用放射線検出素子に関する。
適用して有用な高密度実装用放射線検出素子に関する。
この発明に関係の深い従来技術例金第１図に示す（特開
昭５４−１３３０９２号）。半導体検出素子１１は、マ
ウント台１２に固定されてハウジング１６の摺動溝２０
に沿って収納配列される。検出素子１１の正負取り出し
電極層１３．１５は・・ウジング１６の底板に設けられ
たコネクタ１７．１８ ｔ−介して外部のセンス回路１
９に導かれることになる。１４は金属背板、２１はコリ
メータ板、２２ａ、 ２２ｂはコリメータ板２１の支持
台である。この従来例はＸ線ＣＴ（コンピュータ・トモ
グラフィ）′などに用いることのできる多チャンネル放
射線検出器として有用なものであるが、未だ解決すべき
次のような問題がめる。それは、第１図（ｂ）において
電極層１３．１５は通常１μｍ以下のＡＡやＡｕなどの
金属薄膜が使用されるために、検出：素子１１中で１発
生する散乱放射線を阻止することができず、隣接する検
出素子へ疑信号（散乱クロストーク）が生ずる点である
。
昭５４−１３３０９２号）。半導体検出素子１１は、マ
ウント台１２に固定されてハウジング１６の摺動溝２０
に沿って収納配列される。検出素子１１の正負取り出し
電極層１３．１５は・・ウジング１６の底板に設けられ
たコネクタ１７．１８ ｔ−介して外部のセンス回路１
９に導かれることになる。１４は金属背板、２１はコリ
メータ板、２２ａ、 ２２ｂはコリメータ板２１の支持
台である。この従来例はＸ線ＣＴ（コンピュータ・トモ
グラフィ）′などに用いることのできる多チャンネル放
射線検出器として有用なものであるが、未だ解決すべき
次のような問題がめる。それは、第１図（ｂ）において
電極層１３．１５は通常１μｍ以下のＡＡやＡｕなどの
金属薄膜が使用されるために、検出：素子１１中で１発
生する散乱放射線を阻止することができず、隣接する検
出素子へ疑信号（散乱クロストーク）が生ずる点である
。
この発明は上記従来技術の欠点に鑑みてなされたもので
、隣接する検出素子への放射線散乱によるクロストーク
を大幅に減少させることのできる高密度実装用放射線検
出素子を提供することを目的とする。区″Ｆ夕臼 〔発明の概要〕 本発明は、放射線に対する阻止能力の高い金属コリメー
タ板上に、半導体検出素子と（ＦＳ−＠引出し用マウン
ト台とを固定してなる高密敦実装用放射線検出素子であ
る。
、隣接する検出素子への放射線散乱によるクロストーク
を大幅に減少させることのできる高密度実装用放射線検
出素子を提供することを目的とする。区″Ｆ夕臼 〔発明の概要〕 本発明は、放射線に対する阻止能力の高い金属コリメー
タ板上に、半導体検出素子と（ＦＳ−＠引出し用マウン
ト台とを固定してなる高密敦実装用放射線検出素子であ
る。
本発明により隣接する検出素子間の牧射線散乱によるク
ロストークが大幅に減少する。
ロストークが大幅に減少する。
本発明の実施例を第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す。（
ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図中、ｌはＡｕ
薄膜（ｓｏｏｉ程度）、２はｎ −Ｓ ｉ基板、３はＡ
ｔ薄膜（２０００Ｘ程度）。
ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図中、ｌはＡｕ
薄膜（ｓｏｏｉ程度）、２はｎ −Ｓ ｉ基板、３はＡ
ｔ薄膜（２０００Ｘ程度）。
４は導電性接着剤、５はＭｏコリメータ板、６は導電性
樹脂、７は絶縁性樹脂、８はＣｏ薄膜（１０μｍ程度）
。
樹脂、７は絶縁性樹脂、８はＣｏ薄膜（１０μｍ程度）
。
９は絶縁性接着剤、１０はガラスエポキシ樹脂、３１は
負′Ｐヒ極端子、３２は正電極端子（１史用する際には
任意の１本のみ金残して他の２本は切断する。残す端子
全順次かえていくことにより隣；妾する検出素子からの
信号引出しが答易になる。）全それぞれ表わしている。
負′Ｐヒ極端子、３２は正電極端子（１史用する際には
任意の１本のみ金残して他の２本は切断する。残す端子
全順次かえていくことにより隣；妾する検出素子からの
信号引出しが答易になる。）全それぞれ表わしている。
このような構造により、５のＭ。
コリメータ板（厚さは２００ＩＢｎ程度）は隣接する検
出素子中で発生する散乱放射１０９− ｋ減衰すると同
時に、負電極としての役割を果たすことになる。
出素子中で発生する散乱放射１０９− ｋ減衰すると同
時に、負電極としての役割を果たすことになる。
正負電極端子の数は任意でおる。その他、コリメータ板
の材料として、ＭＯ以外にＷなどを使用することができ
る。
の材料として、ＭＯ以外にＷなどを使用することができ
る。
第１図は従来例を示す図、第２図は本発明の一実施例を
示す図である。 １− Ａｕ薄膜、２−ｎ−８ｉ基板、３・・・Ａｔ／ｌ
ｖ、）莫、４・・・導電性接着剤、５・・・Ｍｔ＋コリ
メータ板、６・・・導電性樹脂、７・・絶縁性樹脂、８
・・・ＣｕＲ膜、９・・・絶縁性１妾着剤、１０・・・
ガラスエポキシ樹脂、３１・・・負電極端子、３２・・
・正電極端子、 １３・・半導体検出素子、１２・・・
マウント台、 １３・・・正取り出しく極層。 １４・・金属背板、 １５・・・負取り出し電極層、１
６・・・ノ・ウジング、１７．１８・・・コネクタ、１
９・・・ヒンス回路。 ２０・・摺動溝、 ２１−・・二′ｊリメータ板、 ２
２ａ、ｂ−９，支持台代理人 弁理士 則 近 憲
佑 第２図
示す図である。 １− Ａｕ薄膜、２−ｎ−８ｉ基板、３・・・Ａｔ／ｌ
ｖ、）莫、４・・・導電性接着剤、５・・・Ｍｔ＋コリ
メータ板、６・・・導電性樹脂、７・・絶縁性樹脂、８
・・・ＣｕＲ膜、９・・・絶縁性１妾着剤、１０・・・
ガラスエポキシ樹脂、３１・・・負電極端子、３２・・
・正電極端子、 １３・・半導体検出素子、１２・・・
マウント台、 １３・・・正取り出しく極層。 １４・・金属背板、 １５・・・負取り出し電極層、１
６・・・ノ・ウジング、１７．１８・・・コネクタ、１
９・・・ヒンス回路。 ２０・・摺動溝、 ２１−・・二′ｊリメータ板、 ２
２ａ、ｂ−９，支持台代理人 弁理士 則 近 憲
佑 第２図
Claims (1)
- 放射線に対する阻止能力が大である金属コリメータ板上
に正負の信号電極を有する半導体放射線検出素子を導電
性接着剤により固定し、さらに前記金属コリメータ板上
に信号引き出し用導電性物質膜が付随されているマウン
ト板を固定することを特徴とする高密度実装用放射線検
出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175346A JPS5965487A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 高密度実装用放射線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175346A JPS5965487A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 高密度実装用放射線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965487A true JPS5965487A (ja) | 1984-04-13 |
| JPH0458712B2 JPH0458712B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=15994456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57175346A Granted JPS5965487A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 高密度実装用放射線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965487A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340381A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-20 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| WO2010004453A2 (en) | 2008-06-16 | 2010-01-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector and a method of manufacturing a radiation detector |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217684A (en) * | 1975-06-03 | 1977-02-09 | Int Standard Electric Corp | Method and apparatus for color marking on insulated conductor |
| JPS5317361A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-17 | Japan National Railway | Automatic date and time printer for trackkinspecting car |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP57175346A patent/JPS5965487A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217684A (en) * | 1975-06-03 | 1977-02-09 | Int Standard Electric Corp | Method and apparatus for color marking on insulated conductor |
| JPS5317361A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-17 | Japan National Railway | Automatic date and time printer for trackkinspecting car |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340381A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-20 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| WO2010004453A2 (en) | 2008-06-16 | 2010-01-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector and a method of manufacturing a radiation detector |
| US8564084B2 (en) | 2008-06-16 | 2013-10-22 | Koninklijke Philips N.V. | Radiation detection and a method of manufacturing a radiation detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458712B2 (ja) | 1992-09-18 |
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