JPS6340381A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPS6340381A JPS6340381A JP61183301A JP18330186A JPS6340381A JP S6340381 A JPS6340381 A JP S6340381A JP 61183301 A JP61183301 A JP 61183301A JP 18330186 A JP18330186 A JP 18330186A JP S6340381 A JPS6340381 A JP S6340381A
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は放射線のフォトンエネルギー、フォトン分布等
を測定する直接変換型半導体放射線検出器に関する。
を測定する直接変換型半導体放射線検出器に関する。
（従来の技術）
最近、γ線等の放射線のスペクトロメーター・カウンタ
ー等に放射線フォトンエネルギーを直接電気信号に変換
する直接変換型の半導体放射線検出素子が使用されるよ
うになってきている。第３図に示すように、バルク型半
導体検出素子２にフォトン１が入射してくるどｃｏｍｐ
ｔｏｎ散乱あるいは光電吸収によりフォトンエネルギー
が電子−正孔（ホール）対３，４に変換される。ここで
生じる電子−正孔対のエネルギーの総和は入射フォトン
のエネルギーＥｉに等しい。上記電子−正孔対は半導体
検出素子の電極面５，６に印加された電界により、電子
３は高圧側電極５に向って移動し、ホール４はアース側
電極６に向って移動する。そして、上記電子及びホール
が半導体中を移動することで電極面に誘起される電荷が
時間的に変化することにより生じる誘導電流が第７図に
示すような外部回路（電荷−電圧変換増幅器の等何回路
）に出力されるようになっている。同図において１１が
検出素子、９は高圧側、１０はバイアス抵抗、１２はコ
ンデンサ、１３はアンプ、１４はフィードバックコンデ
ンサ、１５はフィードバック抵抗、１６は出力電位であ
る。尚、第４図は電子の移動により生ずる両電極間の電
界の変化を示している。
ー等に放射線フォトンエネルギーを直接電気信号に変換
する直接変換型の半導体放射線検出素子が使用されるよ
うになってきている。第３図に示すように、バルク型半
導体検出素子２にフォトン１が入射してくるどｃｏｍｐ
ｔｏｎ散乱あるいは光電吸収によりフォトンエネルギー
が電子−正孔（ホール）対３，４に変換される。ここで
生じる電子−正孔対のエネルギーの総和は入射フォトン
のエネルギーＥｉに等しい。上記電子−正孔対は半導体
検出素子の電極面５，６に印加された電界により、電子
３は高圧側電極５に向って移動し、ホール４はアース側
電極６に向って移動する。そして、上記電子及びホール
が半導体中を移動することで電極面に誘起される電荷が
時間的に変化することにより生じる誘導電流が第７図に
示すような外部回路（電荷−電圧変換増幅器の等何回路
）に出力されるようになっている。同図において１１が
検出素子、９は高圧側、１０はバイアス抵抗、１２はコ
ンデンサ、１３はアンプ、１４はフィードバックコンデ
ンサ、１５はフィードバック抵抗、１６は出力電位であ
る。尚、第４図は電子の移動により生ずる両電極間の電
界の変化を示している。
今、電子（又はホール）の電荷を０１電極間距離をＤと
すると、電子が電極間をＸだけ移動したときに電極面上
に誘起される電荷ｑは、Ｑ＝ｅ−Ｘ／Ｄ
・・・（１）となることが知られている。
すると、電子が電極間をＸだけ移動したときに電極面上
に誘起される電荷ｑは、Ｑ＝ｅ−Ｘ／Ｄ
・・・（１）となることが知られている。
従って入射フォトンにより生じた電子（又はホール）の
総電荷をＱｅ （又はＱｌｌ）とすると、Ｑｅ＝Ｑｈ
であるから、第５図に示すように高圧側電極面５からＸ
の距離のところで発生した電子−正孔対により電極面上
に誘起される総電荷は、ＱｔＯｔａｌ ＝ （Ｑｅ Ｘ
／Ｄ） ＋（Ｑ ｈ（［）−Ｘ）／ Ｄ ） ＝ Ｑ
ｅ −（２）となり、入射フォトンエネルギ
ーにより最初に発生した電子（ホール）の総電荷に等し
く、先述の電荷−電圧変換回路（第７図）により、第８
図に示すごとく入射エネルギーに比例した電圧出力が得
られ、電子（又はホール）が電極間を移動する時間だけ
外部回路に誘導電流が流れることとなる。
総電荷をＱｅ （又はＱｌｌ）とすると、Ｑｅ＝Ｑｈ
であるから、第５図に示すように高圧側電極面５からＸ
の距離のところで発生した電子−正孔対により電極面上
に誘起される総電荷は、ＱｔＯｔａｌ ＝ （Ｑｅ Ｘ
／Ｄ） ＋（Ｑ ｈ（［）−Ｘ）／ Ｄ ） ＝ Ｑ
ｅ −（２）となり、入射フォトンエネルギ
ーにより最初に発生した電子（ホール）の総電荷に等し
く、先述の電荷−電圧変換回路（第７図）により、第８
図に示すごとく入射エネルギーに比例した電圧出力が得
られ、電子（又はホール）が電極間を移動する時間だけ
外部回路に誘導電流が流れることとなる。
そこで電子による電流継続時間をＴｒｅｘ、ホールによ
る電流継続時間をＴ ｒｈｘとすると、Ｔ ｒｅｘ＝
Ｘ ／ Ｖ ｄｅ ・（３）Ｔ
ｒｈｘ＝ （Ｄ−Ｘ） ／Ｖｄｊ −
（４）Ｖ ｄｅ＝μｅＥ；電子のドリフト速度Ｖ ｄｈ
＝μｈＥ：ホールのドリフト速度μｅ：電子の移動度 μｈ：ホールの移動度 Ｅ；電界 であり、流れる電流の大きさは、 Ｉ＝ Ｉｅ ＋ Ｉｈ −（５
）＝ （Ｑｅ”／Ｔｒｅ） ＋ （Ｑｈ ／Ｔｒｈ＞■
ｅ：電子の移動による電流 ■ｈ：ホールの移動による電流 Ｔｒｅ＝Ｄ／Ｖｄｅ：電子が電極間を移動するのに要す
る時間 Ｔｒｈ＝Ｄ／Ｖｄｈ；ホールが電極間を移動するのに要
する時間 となる。第６図は電子及びホールの移動により生ずる誘
導電流を示しているが、電子とホールの移動度が異なっ
ているため、それぞれの電流値及び電流、継続時間は異
なっている。図中７が電子による誘電電流、８がホール
による誘電電流である。
る電流継続時間をＴ ｒｈｘとすると、Ｔ ｒｅｘ＝
Ｘ ／ Ｖ ｄｅ ・（３）Ｔ
ｒｈｘ＝ （Ｄ−Ｘ） ／Ｖｄｊ −
（４）Ｖ ｄｅ＝μｅＥ；電子のドリフト速度Ｖ ｄｈ
＝μｈＥ：ホールのドリフト速度μｅ：電子の移動度 μｈ：ホールの移動度 Ｅ；電界 であり、流れる電流の大きさは、 Ｉ＝ Ｉｅ ＋ Ｉｈ −（５
）＝ （Ｑｅ”／Ｔｒｅ） ＋ （Ｑｈ ／Ｔｒｈ＞■
ｅ：電子の移動による電流 ■ｈ：ホールの移動による電流 Ｔｒｅ＝Ｄ／Ｖｄｅ：電子が電極間を移動するのに要す
る時間 Ｔｒｈ＝Ｄ／Ｖｄｈ；ホールが電極間を移動するのに要
する時間 となる。第６図は電子及びホールの移動により生ずる誘
導電流を示しているが、電子とホールの移動度が異なっ
ているため、それぞれの電流値及び電流、継続時間は異
なっている。図中７が電子による誘電電流、８がホール
による誘電電流である。
そして、これら電流の積分値が電極面上に誘起される総
電荷、すなわち となる。
電荷、すなわち となる。
（発明が解決しようとする問題点）
前記（２）式より明らかなように入射フォトンのエネル
ギーは電子の移動により誘起された電荷とホールによる
電荷の和により認識することができる。
ギーは電子の移動により誘起された電荷とホールによる
電荷の和により認識することができる。
しかし通常、半導体放射線検出素子においては検出素子
内の結晶中の不純物や空位により、電子やホールが半導
体検出器中を移動中に捕Ｍ（トラップ）されてしまうこ
とが起こる。トラップによる電子（ホール）の寿命をＩ
ｅ（Ｉｈ）とすると、電子及びホールの移動により誘起
される電荷は、Ｑ＝ （Ｖｄｅ−Ｑｅ −Ｉｅ）／Ｄ 、 （１ｅ −Ｘ／ ｒ ｅ Ｖ ｄｅ ）＋（Ｖｄｈ
−Ｑｈ パτｈ）／ Ｄ 、 （１−８−（Ｄ−Ｘ）／τｈ Ｖｄｈ） 、（８
）となる。
内の結晶中の不純物や空位により、電子やホールが半導
体検出器中を移動中に捕Ｍ（トラップ）されてしまうこ
とが起こる。トラップによる電子（ホール）の寿命をＩ
ｅ（Ｉｈ）とすると、電子及びホールの移動により誘起
される電荷は、Ｑ＝ （Ｖｄｅ−Ｑｅ −Ｉｅ）／Ｄ 、 （１ｅ −Ｘ／ ｒ ｅ Ｖ ｄｅ ）＋（Ｖｄｈ
−Ｑｈ パτｈ）／ Ｄ 、 （１−８−（Ｄ−Ｘ）／τｈ Ｖｄｈ） 、（８
）となる。
またＣｄｔｅ等の効率の高いしかも至温動作型の半導体
放射線検出器においては、ホールの移動度が電子よりも
かなり小さい場合（Ｖｄｈ＜Ｖｄｅ）が多り、シかもホ
ールの寿命について電子よりかなり小さい場合（Ｉｈ（
Ｉｅ）が多い。
放射線検出器においては、ホールの移動度が電子よりも
かなり小さい場合（Ｖｄｈ＜Ｖｄｅ）が多り、シかもホ
ールの寿命について電子よりかなり小さい場合（Ｉｈ（
Ｉｅ）が多い。
従って電極面上に誘起される電荷としてはほとんど電子
の移動によるものとなり、ホールの移動による寄与はわ
ずかになるため、 ｑ’Ｆ （Ｖｄｅ−Ｑｅ −ｒｅ）／Ｄ φ＜
１−〇−Ｘ／ ’ｉ’ ｅ Ｖ ｄｅ ） ・・
、（９）となる。
の移動によるものとなり、ホールの移動による寄与はわ
ずかになるため、 ｑ’Ｆ （Ｖｄｅ−Ｑｅ −ｒｅ）／Ｄ φ＜
１−〇−Ｘ／ ’ｉ’ ｅ Ｖ ｄｅ ） ・・
、（９）となる。
ここで上式から解るように、電極面に誘起される総電荷
は電子−正孔対の発生位置Ｘ（フオトンの入射位置）に
依存するようになり、素子のエネルギー分解能を著しく
劣化させてしまう。即ちこのような素子により得られる
放射線のエネルギー特性はフォトピークのはつきりしな
いものとなり、これによって検出能力が低くなる。
は電子−正孔対の発生位置Ｘ（フオトンの入射位置）に
依存するようになり、素子のエネルギー分解能を著しく
劣化させてしまう。即ちこのような素子により得られる
放射線のエネルギー特性はフォトピークのはつきりしな
いものとなり、これによって検出能力が低くなる。
本発明は以上の事情に鑑みて成されたものであり、エネ
ルギー分解能の高分解能化を図ることを目的とする。
ルギー分解能の高分解能化を図ることを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するため本発明は、半導体検出素子を放
射線の入射方向に対して斜めに一部重なるように配置し
た構成とした。
射線の入射方向に対して斜めに一部重なるように配置し
た構成とした。
（作 用）
本発明は上記の構成としたので、次のように作用する。
即ち、放射線の入射方向に対して斜めに一部重なるよう
に配置された各半導体検出素子は、その放射線入射面の
一部が隣接する検出素子で覆われるので、各素子の電極
間上における放射線入射位置の範囲が限定される。従っ
て電極面に誘起される総電荷における放射線の入射位置
依存性が緩和され検出素子の開口率を下げなくてもエネ
ルギー分解能が向上することとなる。
に配置された各半導体検出素子は、その放射線入射面の
一部が隣接する検出素子で覆われるので、各素子の電極
間上における放射線入射位置の範囲が限定される。従っ
て電極面に誘起される総電荷における放射線の入射位置
依存性が緩和され検出素子の開口率を下げなくてもエネ
ルギー分解能が向上することとなる。
（実施例）
以下図示の実施例について説明する。
第１図は本発明に係る半導体放射線検出器の一実施例の
要部を示す部分断面図である。
要部を示す部分断面図である。
同図に示すように本検出器は、複数の半導体検出素子１
１を放射線の入射方向に対して斜めに一部重なるように
配置しである。このように配置された各半導体検出素子
１１は、その放射線入射面の一部１１ａか隣接する素子
で覆われるので、各素子の電極間上における放射線入射
位置の範囲が限定され、放射線が入射する窓部は図中斜
線を付した部分となる。半導体検出素子１１は、高圧電
極５側を重ねてあり、平面視でマトリックス状に配列し
である（第２図参照）。また各半導体検出素子１１は、
その底面を遮蔽材１８で覆ってあり、遮蔽材１８として
は鉛等を板状にしたものを貼りつけて使用している。
１を放射線の入射方向に対して斜めに一部重なるように
配置しである。このように配置された各半導体検出素子
１１は、その放射線入射面の一部１１ａか隣接する素子
で覆われるので、各素子の電極間上における放射線入射
位置の範囲が限定され、放射線が入射する窓部は図中斜
線を付した部分となる。半導体検出素子１１は、高圧電
極５側を重ねてあり、平面視でマトリックス状に配列し
である（第２図参照）。また各半導体検出素子１１は、
その底面を遮蔽材１８で覆ってあり、遮蔽材１８として
は鉛等を板状にしたものを貼りつけて使用している。
１９は格子状のスリットであり（第２図参照）、これを
上述のマトリックス状に配列した半導体検出素子列１１
′の上に設けることによってマトリックス状の放射線検
出器を構成しである。
上述のマトリックス状に配列した半導体検出素子列１１
′の上に設けることによってマトリックス状の放射線検
出器を構成しである。
今、半導体検出素子における窓部の電極間方向の長さを
ΔＸとすると、放射線検出器の電極間上の放射線入射位
置Ｘは、 （Ｄ−八Ｘ）≦Ｘ≦Ｄの範囲になる。
ΔＸとすると、放射線検出器の電極間上の放射線入射位
置Ｘは、 （Ｄ−八Ｘ）≦Ｘ≦Ｄの範囲になる。
従って（９）式により電極面に誘起される総電荷は、（
Ｖｄｅ−Ｑｅ −ｒｅ）／Ｄ ・ （１−ｅ”−ΔＸ）／τｅ Ｖｄｅ。
Ｖｄｅ−Ｑｅ −ｒｅ）／Ｄ ・ （１−ｅ”−ΔＸ）／τｅ Ｖｄｅ。
≦ｑ（ΔＸ）≦（ｖｄｅ−Ｑｅ・ｒｅ）／Ｄ・（１−ｏ
−Ｄｉｒｅ Ｖｄｅ） −（１０１となり、
出力の放射線の入射位置依存性がΔＸ／Ｄ倍に緩和され
るのでエネルギー分解能が向上する。しかし、この場合
放射線検出器の感度もΔＸ／Ｄ倍となるが、エネルギー
分解能を重視する使用においては効果的である。
−Ｄｉｒｅ Ｖｄｅ） −（１０１となり、
出力の放射線の入射位置依存性がΔＸ／Ｄ倍に緩和され
るのでエネルギー分解能が向上する。しかし、この場合
放射線検出器の感度もΔＸ／Ｄ倍となるが、エネルギー
分解能を重視する使用においては効果的である。
第２図に上記マトリックス状放射線検出器の実装方法の
一例を示す。
一例を示す。
即ち、先ず絶縁体で構成したマウント台２１に予め各々
のチャンネル毎の電極２２を形成し、この電極２２には
マウント台２１を貫通して裏側に出る、信号線を配線し
ておく”。次いでマウント台２１に前述のように配置し
た半導体検出素子列１１′を載せ、一方の電極をマウン
ト台の電極と電気的に接触するようにする。その後半導
体検出素子１１′の上に格子状のコリメータ１９を第１
図に示すように半導体検出素子列１１′とピッチを合せ
て載せて放射線検出器を構成する。
のチャンネル毎の電極２２を形成し、この電極２２には
マウント台２１を貫通して裏側に出る、信号線を配線し
ておく”。次いでマウント台２１に前述のように配置し
た半導体検出素子列１１′を載せ、一方の電極をマウン
ト台の電極と電気的に接触するようにする。その後半導
体検出素子１１′の上に格子状のコリメータ１９を第１
図に示すように半導体検出素子列１１′とピッチを合せ
て載せて放射線検出器を構成する。
以上本発明の一実施例について説明したが、本発明は上
記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範
囲内において適宜変形実施可能であることはいうまでも
ない。
記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範
囲内において適宜変形実施可能であることはいうまでも
ない。
例えば検出素子１１の重ね合せによる放射線入射面上の
遮蔽範囲については上記実施例は一例に過ぎずフォトン
の入射範囲を限定して入射放射線による総電荷の入射位
置依存性を緩和できる種々の変形実施が可能である。尚
、上記実施例では高圧側を重ね合せて遮蔽しているので
電子の移動距離を長くすることができ感度の劣化が少な
くなる点で優れている。
遮蔽範囲については上記実施例は一例に過ぎずフォトン
の入射範囲を限定して入射放射線による総電荷の入射位
置依存性を緩和できる種々の変形実施が可能である。尚
、上記実施例では高圧側を重ね合せて遮蔽しているので
電子の移動距離を長くすることができ感度の劣化が少な
くなる点で優れている。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、放射線の入射方向
に対して斜めに一部重なるように配置された各半導体検
出素子は、その放射線入射面の一部が隣接する検出素子
で覆われるので、各素子の電極間上における放射線入射
位置の範囲が限定され、従って電極面に誘起される総電
荷における放射線の入射位置依存性が緩和されるので、
検出素子の開口率を下げなくてもエネルギー分解能が向
上する。
に対して斜めに一部重なるように配置された各半導体検
出素子は、その放射線入射面の一部が隣接する検出素子
で覆われるので、各素子の電極間上における放射線入射
位置の範囲が限定され、従って電極面に誘起される総電
荷における放射線の入射位置依存性が緩和されるので、
検出素子の開口率を下げなくてもエネルギー分解能が向
上する。
第１図は本発明に係る半導体放射線検出器の要部断面図
、第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は同上実装方法の一例
を示す説明図、第３図は従来半導体放射線検出器の断面
図、第４図は同上半導体放射線検出器内のキャリアの移
動による誘導電界の変化を示す図、第５図は同上半導体
放射線検出器内のキャリアの移動距離を示す図、第６図
は同上半導体放射線検出器による誘導電流を示す図、第
７図は電荷−電圧変換増幅器の等価回路図、第８図は電
荷−電圧変換増幅器の等価回路の出力を示す図である。 ５・・・高圧側電極、１１・・・半導体素子。
、第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は同上実装方法の一例
を示す説明図、第３図は従来半導体放射線検出器の断面
図、第４図は同上半導体放射線検出器内のキャリアの移
動による誘導電界の変化を示す図、第５図は同上半導体
放射線検出器内のキャリアの移動距離を示す図、第６図
は同上半導体放射線検出器による誘導電流を示す図、第
７図は電荷−電圧変換増幅器の等価回路図、第８図は電
荷−電圧変換増幅器の等価回路の出力を示す図である。 ５・・・高圧側電極、１１・・・半導体素子。
Claims (2)
- （１）放射線エネルギーを直接電気信号に変換する直接
変換型半導体素子を複数配列して成る放射線検出器にお
いて、前記半導体素子を放射線の入射方向に対して斜め
に一部重なるように配置したことを特徴とする放射線検
出器。 - （２）前記半導体素子は、その高圧電極側を重ねて配置
した特許請求の範囲第１項記載の放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61183301A JPS6340381A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61183301A JPS6340381A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340381A true JPS6340381A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16133274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61183301A Pending JPS6340381A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340381A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415588A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-20 | Fuji Electric Co Ltd | 放射線検出器 |
| WO2008003351A1 (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Mario Caria | Imaging system with tiled sensor chips having partially overlapping active areas |
| JP2016501082A (ja) * | 2012-12-03 | 2016-01-18 | テトラ・ラヴァル・ホールディングス・アンド・ファイナンス・ソシエテ・アノニムＴｅｔｒａ Ｌａｖａｌ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ ＆ Ｆｉｎａｎｃｅ Ｓ．Ａ． | 複数の導体を有する電気センサを介して電子ビームを監視するためのデバイス |
| US10028712B2 (en) | 2014-06-09 | 2018-07-24 | University Of Lincoln | Computerized tomography systems and methods |
| US10249063B2 (en) | 2014-08-01 | 2019-04-02 | University Of Lincoln | Method and apparatus for proton computerised tomography |
| WO2020085214A1 (ja) | 2018-10-25 | 2020-04-30 | 株式会社 東芝 | フォトンカウンティング型放射線検出器およびそれを用いた放射線検査装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5965487A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-13 | Toshiba Corp | 高密度実装用放射線検出素子 |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP61183301A patent/JPS6340381A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5965487A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-13 | Toshiba Corp | 高密度実装用放射線検出素子 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415588A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-20 | Fuji Electric Co Ltd | 放射線検出器 |
| WO2008003351A1 (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Mario Caria | Imaging system with tiled sensor chips having partially overlapping active areas |
| JP2016501082A (ja) * | 2012-12-03 | 2016-01-18 | テトラ・ラヴァル・ホールディングス・アンド・ファイナンス・ソシエテ・アノニムＴｅｔｒａ Ｌａｖａｌ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ ＆ Ｆｉｎａｎｃｅ Ｓ．Ａ． | 複数の導体を有する電気センサを介して電子ビームを監視するためのデバイス |
| US10028712B2 (en) | 2014-06-09 | 2018-07-24 | University Of Lincoln | Computerized tomography systems and methods |
| US10159451B2 (en) | 2014-06-09 | 2018-12-25 | University Of Lincoln | Assembly, apparatus, system and method |
| US10383586B2 (en) | 2014-06-09 | 2019-08-20 | University Of Lincoln | Assembly, apparatus, system and method |
| US10249063B2 (en) | 2014-08-01 | 2019-04-02 | University Of Lincoln | Method and apparatus for proton computerised tomography |
| WO2020085214A1 (ja) | 2018-10-25 | 2020-04-30 | 株式会社 東芝 | フォトンカウンティング型放射線検出器およびそれを用いた放射線検査装置 |
| JPWO2020085214A1 (ja) * | 2018-10-25 | 2021-09-16 | 株式会社東芝 | フォトンカウンティング型放射線検出器およびそれを用いた放射線検査装置 |
| US11942490B2 (en) | 2018-10-25 | 2024-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photon counting radiation detector and radiographic inspection device using the same |
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