JPS5963609A - 二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料 - Google Patents
二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料Info
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- JPS5963609A JPS5963609A JP17399582A JP17399582A JPS5963609A JP S5963609 A JPS5963609 A JP S5963609A JP 17399582 A JP17399582 A JP 17399582A JP 17399582 A JP17399582 A JP 17399582A JP S5963609 A JPS5963609 A JP S5963609A
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- Japan
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- film
- insulating material
- polypropylene film
- biaxially oriented
- electrically insulating
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- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、優れた電気特性を有する電気絶縁材料に関す
る。
る。
更に詳しくは、特定の物性を有するポリ、プロピレンな
二軸延伸したフィルムよりなる電気、ｌｅ縁材料に関す
る。
二軸延伸したフィルムよりなる電気、ｌｅ縁材料に関す
る。
二軸延伸ポリプロピレンフィルムはすぐれた電気的、機
械的、化学的性質′を有す、るため、コンデフサ−のよ
うな電気絶縁材料に広く使用されている。この分、野で
のＪ！要な電気特性０１つとして絶縁破壊電圧があげら
れる。これは絶縁抵抗が低下して比較的大きな電流力を
流れるようになる時の電圧をフィルムの単位厚み当りの
数値で示すものである。従って高い絶縁破壊電圧を有す
る二軸延伸フィルムが製造できればフィルム厚みを薄く
すること力ｔでき、工業生産上、極めて有益である。
械的、化学的性質′を有す、るため、コンデフサ−のよ
うな電気絶縁材料に広く使用されている。この分、野で
のＪ！要な電気特性０１つとして絶縁破壊電圧があげら
れる。これは絶縁抵抗が低下して比較的大きな電流力を
流れるようになる時の電圧をフィルムの単位厚み当りの
数値で示すものである。従って高い絶縁破壊電圧を有す
る二軸延伸フィルムが製造できればフィルム厚みを薄く
すること力ｔでき、工業生産上、極めて有益である。
本発明者らは、か亡
した結果、特定の物性を有するポリゾロピレンを使用し
た二軸延伸フィルムが非常に高い絶縁破壊電圧を有する
ことを見出し本発明に“°゛° へ２，２□。、７
．９９．。
た二軸延伸フィルムが非常に高い絶縁破壊電圧を有する
ことを見出し本発明に“°゛° へ２，２□。、７
．９９．。
本発明は（１）沸騰ｎ−
重量暢以上、好ましくは９９．４重量憾以上、 ゛
（２）ＪＩＳ Ｋ−７１１２の密度こうばい管法に準じ
て測定した密度が０．９０５５ ｆ／ｃｒｎ”以上であ
るポリゾロピレンを延伸し成形してなる絶縁破壊電圧の
高い二軸延伸ポリプロピレンフィルムよりなる１１％、
気絶ン求材料である。
（２）ＪＩＳ Ｋ−７１１２の密度こうばい管法に準じ
て測定した密度が０．９０５５ ｆ／ｃｒｎ”以上であ
るポリゾロピレンを延伸し成形してなる絶縁破壊電圧の
高い二軸延伸ポリプロピレンフィルムよりなる１１％、
気絶ン求材料である。
にで絶線破壊′覗圧の目標値は６２０ Ｖ／μ以上であ
る。
る。
本発明において上記（１）及び（２）の物性を同時にｉ
Ｍ足しなければ目標とする絶縁破壊電圧は・；８１もれ
ない。
Ｍ足しなければ目標とする絶縁破壊電圧は・；８１もれ
ない。
犬に」二記（１）及び（２）の物性の測定方法についテ
述へる。（１）の沸騰ｎ−へブタン不溶分ハ、東金され
たポリプロピレンパウダー８ｆを沸１ｉ１ｉ ｎ−ヘゲ
タン８（ｌｎｊで１０時間ソックスレー抽出した後の抽
出残渣の割合である。
述へる。（１）の沸騰ｎ−へブタン不溶分ハ、東金され
たポリプロピレンパウダー８ｆを沸１ｉ１ｉ ｎ−ヘゲ
タン８（ｌｎｊで１０時間ソックスレー抽出した後の抽
出残渣の割合である。
（２）の密１現は常法によりペレット化されたベレット
を用い、２３０’Ｃにて溶融後１６５ｈ／ｅｊ−Ｇの圧
力で厚さｌ頓のシートにブレス成形する。
を用い、２３０’Ｃにて溶融後１６５ｈ／ｅｊ−Ｇの圧
力で厚さｌ頓のシートにブレス成形する。
この７０レスシートを５０℃で２０時間及び２３℃で２
４時間状態調節した後、０．５網ＸＯ，５ｍ （１）試
験片？作成し、ＪＩＳ Ｋ−７１１２１７）密置こ５ば
い１ｇ法に準じ測定１−る。（液系はインク０ロバノー
ルー水。） 但Ｌ 、フィルムラ溶融せず直接測定した
場合の密度は０．９０８Ｏｆ／ｃＩｒＬ”本発明におい
てｅｉｉ＆破壊゛亀圧は電圧下の方法で測定した。ＪＩ
Ｓ−２３３０に準じ、春日電機例）躾直流耐圧試；倹機
を用い、レンジを２０ＫＶにセットし、１００Ｖ／ｓｅ
ｃ の電圧上昇でもって、フィルムに印加を行ない破
Ｉｓ ｆＫ圧を測定し、１０枚重ね時のマイクロメータ
ー厚みを１枚当りに換算し耐圧特性は次式で求めた。
４時間状態調節した後、０．５網ＸＯ，５ｍ （１）試
験片？作成し、ＪＩＳ Ｋ−７１１２１７）密置こ５ば
い１ｇ法に準じ測定１−る。（液系はインク０ロバノー
ルー水。） 但Ｌ 、フィルムラ溶融せず直接測定した
場合の密度は０．９０８Ｏｆ／ｃＩｒＬ”本発明におい
てｅｉｉ＆破壊゛亀圧は電圧下の方法で測定した。ＪＩ
Ｓ−２３３０に準じ、春日電機例）躾直流耐圧試；倹機
を用い、レンジを２０ＫＶにセットし、１００Ｖ／ｓｅ
ｃ の電圧上昇でもって、フィルムに印加を行ない破
Ｉｓ ｆＫ圧を測定し、１０枚重ね時のマイクロメータ
ー厚みを１枚当りに換算し耐圧特性は次式で求めた。
１ｔｉ１１定に要したフィルムは実施例１に記載した方
法で製造した二軸延伸フィルムを１５０醪Ｘ１５０咽
の大きさで１０枚重ねのフィルムから５つのブロックを
サンプリングする。即ち、試験片数として合計５０枚を
用い試験片の測定個所は１ケ所と限定した。
法で製造した二軸延伸フィルムを１５０醪Ｘ１５０咽
の大きさで１０枚重ねのフィルムから５つのブロックを
サンプリングする。即ち、試験片数として合計５０枚を
用い試験片の測定個所は１ケ所と限定した。
用いた亀、甑は下記の通りのものである。
上部電、１へは周辺に３閣の丸みなＭした２５Ｉφのよ
く磨いた黄銅製円柱を（ト）電極とし、下部′Ｂ極は約
１５０＋ｗＸ１５０ａｍ で厚み３．０闘の金１・１板
上にゴム７３７６０〜７０度の弾性板をのせ、これにＪ
ＩＳ−ＩＩ−４１６０に規定する厚す０．００７ ａｒ
ｍ以上、１ｌＱｉ ８０ ｖｍのアルミニウム箔を−１
〜さつけ、これを（−）電極とした。
く磨いた黄銅製円柱を（ト）電極とし、下部′Ｂ極は約
１５０＋ｗＸ１５０ａｍ で厚み３．０闘の金１・１板
上にゴム７３７６０〜７０度の弾性板をのせ、これにＪ
ＩＳ−ＩＩ−４１６０に規定する厚す０．００７ ａｒ
ｍ以上、１ｌＱｉ ８０ ｖｍのアルミニウム箔を−１
〜さつけ、これを（−）電極とした。
本発明において、ポリプロピレンパウダーＶこ、１［ｍ
常使月１される各種安定剤を添加し、混会し、常法によ
り押出し、ペレット化する。
常使月１される各種安定剤を添加し、混会し、常法によ
り押出し、ペレット化する。
次いで、このポリプロピレンベレットヲ通常の方法によ
り、押出し、シー゛ト状とし二軸延伸し℃フィルムが得
られる。
り、押出し、シー゛ト状とし二軸延伸し℃フィルムが得
られる。
また本発明（（おいて原料のポリプロピレン中に無機の
微粒子例えばカオリン、カオリナイト、ソリ力、ゼオラ
イト、酸化チタン、アレート、ヒドロキシベンゾフェノ
ン、ステアリ／酸アミド、アルキルアミンエチレン付加
体、ステアリン暖モノグリセリド、ジメチルシロキサン
などを混合したり、または本発明１状外のポリプロピレ
ンあるいはポリエチレン、ポリ−４−メチル−ペンテン
−１などの他種ポリマーを複合しても所望の絶縁破壊電
圧を得ることができる。
微粒子例えばカオリン、カオリナイト、ソリ力、ゼオラ
イト、酸化チタン、アレート、ヒドロキシベンゾフェノ
ン、ステアリ／酸アミド、アルキルアミンエチレン付加
体、ステアリン暖モノグリセリド、ジメチルシロキサン
などを混合したり、または本発明１状外のポリプロピレ
ンあるいはポリエチレン、ポリ−４−メチル−ペンテン
−１などの他種ポリマーを複合しても所望の絶縁破壊電
圧を得ることができる。
本発明において、前述の測定法で求めた絶縁破壊電圧の
高い二軸延伸ポリプロピレンフィルムの少なくとも片面
へ、アルミニウムなどの象属を蒸着してなるいわゆる金
属化二軸延伸ポリプロピレンフィルムを巻きまわしてな
るコンデンサー、あるいは油浸状態で使用する油浸コン
デンサーやこれらの折衷方式のコンデンサーなど、いず
れにおいても最終の製品に荷′亀してコンデンサーが破
壊する時の電圧いわゆる破壊電圧は本文中に定義した絶
縁破壊電圧が高くなるに従−ってコンデンサ、−の破壊
電圧も大きくなってすぐれた製品になる。
高い二軸延伸ポリプロピレンフィルムの少なくとも片面
へ、アルミニウムなどの象属を蒸着してなるいわゆる金
属化二軸延伸ポリプロピレンフィルムを巻きまわしてな
るコンデンサー、あるいは油浸状態で使用する油浸コン
デンサーやこれらの折衷方式のコンデンサーなど、いず
れにおいても最終の製品に荷′亀してコンデンサーが破
壊する時の電圧いわゆる破壊電圧は本文中に定義した絶
縁破壊電圧が高くなるに従−ってコンデンサ、−の破壊
電圧も大きくなってすぐれた製品になる。
以下、本発明を更に具体的に説明するために実施例を挙
げる。
げる。
実施例１
充分に乾燥し、輩素ガス置換し次いでプロピレンガスで
置換した内容積ｚｏｏｔの反応器にジエチルアルミニウ
ムクロライド１２０ｍｍｏｔ４ ）リフェニルホスフ
ァイト５．５ｍｍｏＡ。
置換した内容積ｚｏｏｔの反応器にジエチルアルミニウ
ムクロライド１２０ｍｍｏｔ４ ）リフェニルホスフ
ァイト５．５ｍｍｏＡ。
及び三塩化チタン固体触媒（四塩化チタンを４ｊｌｆｉ
アルミニウム化合物で還元し、更に活性化処理したもの
）５．７０ｆを装入、次いで液化プロピレン６０−及び
水素ガスを装入後、オートクレーブを昇温した。オート
クレーブ内ＯＡ６０ Ｃで５時間攪拌下に重合を続けた
。５時間後、液化プロピレン及び水素をパージした。１
兄いてメタノール３５ｔ％ ｎ−へブタン５５ｔ１及び
アセト酢酸メチル８００ ｍｍｏｔを装入し、１１０℃
で２時間脱灰処理した後、１回につき４０１の水を使用
し、５５℃で４回水洗した。濾過、乾燥後４０．２ Ｋ
ｆのポリゾロピレンパウダーが得られた。また、仁のポ
リゾロピレンパウダーの沸騰ｎ−へブタン不溶分は９９
．７重１を憾であった。このポリゾロピレンパウダー１
００重責部に対し２ 、、６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−ク
レゾール０．１重責部、カルシウムステアレート０．０
１ＪＨ１部、及びイルガノックス１３３０ （商品名チ
バガイギー社製）０．２重量部を添加混合した後、２５
０℃で押出し、ペレット化した。得られたペレットより
プレスシート誉作成し、密度を０１１１定したところ０
．９０６５ ｆ／ｌｙａ” であった。
アルミニウム化合物で還元し、更に活性化処理したもの
）５．７０ｆを装入、次いで液化プロピレン６０−及び
水素ガスを装入後、オートクレーブを昇温した。オート
クレーブ内ＯＡ６０ Ｃで５時間攪拌下に重合を続けた
。５時間後、液化プロピレン及び水素をパージした。１
兄いてメタノール３５ｔ％ ｎ−へブタン５５ｔ１及び
アセト酢酸メチル８００ ｍｍｏｔを装入し、１１０℃
で２時間脱灰処理した後、１回につき４０１の水を使用
し、５５℃で４回水洗した。濾過、乾燥後４０．２ Ｋ
ｆのポリゾロピレンパウダーが得られた。また、仁のポ
リゾロピレンパウダーの沸騰ｎ−へブタン不溶分は９９
．７重１を憾であった。このポリゾロピレンパウダー１
００重責部に対し２ 、、６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−ク
レゾール０．１重責部、カルシウムステアレート０．０
１ＪＨ１部、及びイルガノックス１３３０ （商品名チ
バガイギー社製）０．２重量部を添加混合した後、２５
０℃で押出し、ペレット化した。得られたペレットより
プレスシート誉作成し、密度を０１１１定したところ０
．９０６５ ｆ／ｌｙａ” であった。
仄いでこのポリノロピレンベレットを２７０℃で押出し
、厚さ６００＃のシート状フィルムを得た。このフィル
ムをＴＭロング二軸延伸機を用い、１５０℃にてまずＭ
Ｄ力方向５倍、次いでＴＤ力方向８倍延伸して厚さ１５
μの二軸延伸フィルムを製造した。この二軸延伸フィル
ムの絶縁破壊電圧は６６０ Ｖ／μでめった。
、厚さ６００＃のシート状フィルムを得た。このフィル
ムをＴＭロング二軸延伸機を用い、１５０℃にてまずＭ
Ｄ力方向５倍、次いでＴＤ力方向８倍延伸して厚さ１５
μの二軸延伸フィルムを製造した。この二軸延伸フィル
ムの絶縁破壊電圧は６６０ Ｖ／μでめった。
実施例２
実施例１におｉてトリフェニルホスファイト５．５ ｍ
ｍｏＡの代りにジエチレングリコールモノインプロビル
エーテル１９．５ ｍｍｏｔを使用すること、及び重合
温匿を５５℃とする以外は全て実施例１と同様に行なっ
た。得られたポリゾロピレンの沸驕ｎ−ヘグタン不溶分
は９９．５］ＬＱ％、密度は０．９０６０ ｔ／ａｍ”
であった。
ｍｏＡの代りにジエチレングリコールモノインプロビル
エーテル１９．５ ｍｍｏｔを使用すること、及び重合
温匿を５５℃とする以外は全て実施例１と同様に行なっ
た。得られたポリゾロピレンの沸驕ｎ−ヘグタン不溶分
は９９．５］ＬＱ％、密度は０．９０６０ ｔ／ａｍ”
であった。
また、二軸延伸フィルムの絶縁破壊電圧は６５０ Ｖ／
μであった。
μであった。
比較例１
光分に乾燥し、窒素ガス置換した内容積２００ｔの反応
器に脱水、脱気したｎ−へブタン１００ ｔ、ジエチル
アルミニウムクロライド２９５ｒｎｍｏｔ及び四塩化チ
タンを金属アルミニウムで錆元し、更に活性化処理した
三塩化チタン固体触媒２５．５Ｆを装入、更に水素ガス
な装入後昇温し７０℃で５ Ｋｙ／ｄ −Ｇを保つよう
に、ゾロピレンガスを装入し重合を行７Ｌつだ。６．５
時間後プロピレンガスの装入を停止した。得られたポリ
ノロピレンスラリーを、内容４ｉ’ｆ ７００ ｔの後
処理容器に移液し、メタノール４５ｔ１ア七ト酢醗メチ
ル１．５ｍｏｔを装入し、９０Ｃで２時間ル、灰処理し
た後、１回につ＠５０ｔの水で５５℃にて４回水洗した
。ｔ４過、慨燥後４６．５麺のポリゾロピレンパウダー
が得られた。このパウダーを用いて実施例１と同様にし
て物性評価を行なった。
器に脱水、脱気したｎ−へブタン１００ ｔ、ジエチル
アルミニウムクロライド２９５ｒｎｍｏｔ及び四塩化チ
タンを金属アルミニウムで錆元し、更に活性化処理した
三塩化チタン固体触媒２５．５Ｆを装入、更に水素ガス
な装入後昇温し７０℃で５ Ｋｙ／ｄ −Ｇを保つよう
に、ゾロピレンガスを装入し重合を行７Ｌつだ。６．５
時間後プロピレンガスの装入を停止した。得られたポリ
ノロピレンスラリーを、内容４ｉ’ｆ ７００ ｔの後
処理容器に移液し、メタノール４５ｔ１ア七ト酢醗メチ
ル１．５ｍｏｔを装入し、９０Ｃで２時間ル、灰処理し
た後、１回につ＠５０ｔの水で５５℃にて４回水洗した
。ｔ４過、慨燥後４６．５麺のポリゾロピレンパウダー
が得られた。このパウダーを用いて実施例１と同様にし
て物性評価を行なった。
沸騰ｎ−へブタン不溶分９７．５重号憾、密度０、９０
４０ｆ／ｃＷＬ”であった。また二軸延伸フィルムの絶
縁破壊電圧は５７５ Ｖ／μ であった。
４０ｆ／ｃＷＬ”であった。また二軸延伸フィルムの絶
縁破壊電圧は５７５ Ｖ／μ であった。
比較例２
充分に乾燥し、％！ｉ素ガスＩＰｔ換した内容積２００
１の反応器に、脱水、脱気したｎ−ヘプタン１００ ｔ
、ジエチルアルミニウムクロライド３９５ｍｍｏｔ及び
実施例１で使用した三塩化チタン固体触媒１０ｆを装入
、更に水素ガスを装入後、昇温し、７０℃で５ Ｋｑ／
ｃｒｎ−Ｇを保つようにプロピレンガスを装入、爪金を
行すった。６時間後プロピレンガスの装入を停止した。
１の反応器に、脱水、脱気したｎ−ヘプタン１００ ｔ
、ジエチルアルミニウムクロライド３９５ｍｍｏｔ及び
実施例１で使用した三塩化チタン固体触媒１０ｆを装入
、更に水素ガスを装入後、昇温し、７０℃で５ Ｋｑ／
ｃｒｎ−Ｇを保つようにプロピレンガスを装入、爪金を
行すった。６時間後プロピレンガスの装入を停止した。
得られたポリプロピレンスラリーを内容積’１ｏｏｔの
後処理容器に移液し、メタノール６５ｔ１アセト酢酸メ
チル３．８ｍｏｔを装入し、９０℃で２時間脱灰処理し
た後、１回につき５０ｔの水で５５℃にて４回水洗した
。濾過、乾燥後、５０．ＯＫｖのポリグロピレンパウダ
ーが得られた。このパウダーを用いて、実施例１と同様
にして物性評価を行なった。沸Ｅｆｔ ｎ−へブタン不
溶分９８．５重量勲密匿（１，９０５０ｔ／清へ絶縁破
壊°賦圧は６００Ｖ／μであった。
後処理容器に移液し、メタノール６５ｔ１アセト酢酸メ
チル３．８ｍｏｔを装入し、９０℃で２時間脱灰処理し
た後、１回につき５０ｔの水で５５℃にて４回水洗した
。濾過、乾燥後、５０．ＯＫｖのポリグロピレンパウダ
ーが得られた。このパウダーを用いて、実施例１と同様
にして物性評価を行なった。沸Ｅｆｔ ｎ−へブタン不
溶分９８．５重量勲密匿（１，９０５０ｔ／清へ絶縁破
壊°賦圧は６００Ｖ／μであった。
東京都中央区日本橋室町２丁目
２番地
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記の（１）〜（２）に規定した物性を満足するポリプ
ロピレンな延伸し、成形してなる絶縁破壊電圧の高い二
軸延伸ポリゾロピレンフイルムよりなる眠気絶縁材料： （１） 沸騰ｎ−へブタン不溶分が９ａＯ重量係以上 （２） ＪＩＳ Ｋ−７１１２の密度こ５ばい管法に
準シテ測定した密度が０．９０５５ ｔ／ｃｍ”以上
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17399582A JPS5963609A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17399582A JPS5963609A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963609A true JPS5963609A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15970803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17399582A Pending JPS5963609A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 二軸延伸ポリプロピレンフイルムよりなる電気絶縁材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963609A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211908A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | 株式会社東芝 | 油入フイルムコンデンサ |
| US5476709A (en) * | 1992-06-15 | 1995-12-19 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Polymeric insulating material and formed article making use of the material |
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| JPS5577567A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-11 | Hoechst Ag | Combined twooaxissextended polypropylene film for electric insulation |
| JPS56131921A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Sumitomo Chemical Co | Oil-immersed electric device |
| JPS57173994A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Fujitsu Ltd | Method of forming pattern |
| JPS57173996A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing printed circuit board |
| JPS57173997A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-26 | Uemura Kogyo Kk | Device for mounting printed board |
-
1982
- 1982-10-05 JP JP17399582A patent/JPS5963609A/ja active Pending
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| US5573840A (en) * | 1992-06-15 | 1996-11-12 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Polymeric insulating material and formed article making use of the material |
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