JPS5962832A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS5962832A JPS5962832A JP17252382A JP17252382A JPS5962832A JP S5962832 A JPS5962832 A JP S5962832A JP 17252382 A JP17252382 A JP 17252382A JP 17252382 A JP17252382 A JP 17252382A JP S5962832 A JPS5962832 A JP S5962832A
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- Japan
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- liquid crystal
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- display device
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示装置、特に金属酸化物絶縁膜の上に
ポリイミド被膜を配向°処理膜として形成する液晶表示
装置の製造方法に関する。
ポリイミド被膜を配向°処理膜として形成する液晶表示
装置の製造方法に関する。
従来、液晶表示装置において、液晶分子の配向の均一性
、耐熱性を改善するため、液晶分子の配向処理膜として
、ポリイミド被膜が用いられていた。
、耐熱性を改善するため、液晶分子の配向処理膜として
、ポリイミド被膜が用いられていた。
しかし、ポリイミド配向膜は、ガラス基板に対する密着
力が弱く、また被膜自身も柔らかいためラビングの工程
において、ゴミや異物などにより配向膜に傷がつきやす
かった。
力が弱く、また被膜自身も柔らかいためラビングの工程
において、ゴミや異物などにより配向膜に傷がつきやす
かった。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、
配向劣化のない液晶表示装置を提供するにある。
配向劣化のない液晶表示装置を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明はガラス基板上に透明
電極を形成し、その上に有機アルミニウム化合物や有機
チタニウム化合物などの有機金属を含む溶液を塗布し、
焼成して金属酸化物被膜を形成した後、その上にポリイ
ミド膜による液晶分子配向膜を形成したことを特徴とす
るものである。
電極を形成し、その上に有機アルミニウム化合物や有機
チタニウム化合物などの有機金属を含む溶液を塗布し、
焼成して金属酸化物被膜を形成した後、その上にポリイ
ミド膜による液晶分子配向膜を形成したことを特徴とす
るものである。
前記有機アルミニウム化合物としては、アルミニウムの
アセチルアセテート化合物が、また前記有機チタニウム
化合物としてはテトラオクチル、オキシ、グリコール、
チタネートなどがそれぞれ好適である。これらの有機金
属は有機溶媒に溶かされ、増粘剤が添加されて印刷が可
能な粘度に調整される。
アセチルアセテート化合物が、また前記有機チタニウム
化合物としてはテトラオクチル、オキシ、グリコール、
チタネートなどがそれぞれ好適である。これらの有機金
属は有機溶媒に溶かされ、増粘剤が添加されて印刷が可
能な粘度に調整される。
この有機金属を含む溶液を塗布し、焼成して得られた金
属酸化物被膜は、蒸着やスパッタリング等の方法により
形成された金属酸化物被膜に比べ硬度が低く、表面にも
細かな凸凹があるため、ポリイミド膜とのなじみが良く
、密着強度が強い。
属酸化物被膜は、蒸着やスパッタリング等の方法により
形成された金属酸化物被膜に比べ硬度が低く、表面にも
細かな凸凹があるため、ポリイミド膜とのなじみが良く
、密着強度が強い。
特にアルミニウムのアセチルアセテート化合物、あるい
は有機チタニウム化合物を含むペーストを焼成した上に
、ポリイミド膜をコーティングして熱処理したものは、
強固に密着しておシ、金属等でこすっても剥離し忙くい
。
は有機チタニウム化合物を含むペーストを焼成した上に
、ポリイミド膜をコーティングして熱処理したものは、
強固に密着しておシ、金属等でこすっても剥離し忙くい
。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例 １
ガラス基板１上にインジウムの透明電極２をスパッタリ
ングによυ形成し、フォトレジスト（東京応用化学社製
製品名ｏＦｐｉ−ＴＹＰＥ２）をロールコータ−にて
全面に塗布し、露光、現像後に塩酸にて透明電極２をエ
ツチングしてパターニングする。これにより別に、トリ
ス、アセチル、アセテート、アルミニウム（ＡＪ （ａ
ｃａｃ）＋ １とビニルトリス、２−メトキシ、エトキ
シ、シラン（チッソ社製製品名Ｖ−５０００）を主成分
とじ増粘剤としてセルロース化合物を用い、これらを有
機溶媒に溶解させて、ペーストをつくる。このペースト
を前記透明電極２の上に端子部を除き、表示面に、スク
リーン印刷法にて塗布し、４８０ＱＣ，で１５分間焼成
して酸化アルミニウムと酸化ケイ素との金属酸化物被膜
３を形成する。次にポリアミド酸溶液（東し社製 製品
名ＳＰ−’５１０）をスピンナー法にて塗布し、乾燥し
、３５０°Ｃで、３０分間熱処理して配向膜４を形成す
る。この配向膜４に、脱脂綿でラビング処理をした後、
シール剤５を用いて液晶セルを組立て、セル中に液晶化
合物６を注入する。この液晶表示装置を１２０°Ｃで、
耐熱放置試験したところ、３００時間たっても全く配向
劣化はみられず、電流値増加もう初期の１．５倍以内で
あった。
ングによυ形成し、フォトレジスト（東京応用化学社製
製品名ｏＦｐｉ−ＴＹＰＥ２）をロールコータ−にて
全面に塗布し、露光、現像後に塩酸にて透明電極２をエ
ツチングしてパターニングする。これにより別に、トリ
ス、アセチル、アセテート、アルミニウム（ＡＪ （ａ
ｃａｃ）＋ １とビニルトリス、２−メトキシ、エトキ
シ、シラン（チッソ社製製品名Ｖ−５０００）を主成分
とじ増粘剤としてセルロース化合物を用い、これらを有
機溶媒に溶解させて、ペーストをつくる。このペースト
を前記透明電極２の上に端子部を除き、表示面に、スク
リーン印刷法にて塗布し、４８０ＱＣ，で１５分間焼成
して酸化アルミニウムと酸化ケイ素との金属酸化物被膜
３を形成する。次にポリアミド酸溶液（東し社製 製品
名ＳＰ−’５１０）をスピンナー法にて塗布し、乾燥し
、３５０°Ｃで、３０分間熱処理して配向膜４を形成す
る。この配向膜４に、脱脂綿でラビング処理をした後、
シール剤５を用いて液晶セルを組立て、セル中に液晶化
合物６を注入する。この液晶表示装置を１２０°Ｃで、
耐熱放置試験したところ、３００時間たっても全く配向
劣化はみられず、電流値増加もう初期の１．５倍以内で
あった。
実施例 ２
テトラオクチル、オキシ、グリコール、チタネート（日
本ソーダ社製 製品名ＴＯＧ）とビニル、トリス、２−
メトキシ、エトキシ、シランを主成分とし、増粘剤とし
て、セルロース化合物を用い、これらを有機溶媒に溶解
させたペースト金つくる。
本ソーダ社製 製品名ＴＯＧ）とビニル、トリス、２−
メトキシ、エトキシ、シランを主成分とし、増粘剤とし
て、セルロース化合物を用い、これらを有機溶媒に溶解
させたペースト金つくる。
このペーストをガラス基板上にパターニングしたインジ
ウム透明電極の上にスクリーン印刷法にて塗布し、５０
０°Ｃにて１０分間焼成し酸化チタニウムと酸化ケイ素
との金属酸化物被膜を形成する。ポリアミド酸溶液（日
立化成社製）をオフセット印刷法にて表示面に塗布、乾
燥後、３８０°Ｃｌ２Ｏ分間熱処理して、液晶分子配向
膜とし、脱脂綿にてラビング処理を施して液晶表示装置
を組立てる。
ウム透明電極の上にスクリーン印刷法にて塗布し、５０
０°Ｃにて１０分間焼成し酸化チタニウムと酸化ケイ素
との金属酸化物被膜を形成する。ポリアミド酸溶液（日
立化成社製）をオフセット印刷法にて表示面に塗布、乾
燥後、３８０°Ｃｌ２Ｏ分間熱処理して、液晶分子配向
膜とし、脱脂綿にてラビング処理を施して液晶表示装置
を組立てる。
この液晶表示装置をｉｏｏ’ｃで耐熱放置試験したとと
る、６００時間にても配向劣化は全く観測されず、電流
値増加も初期の１．３倍以下であった。
る、６００時間にても配向劣化は全く観測されず、電流
値増加も初期の１．３倍以下であった。
図は本発明の実施例に係る液“晶表示装置の断面図であ
る。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・金属酸化物被膜
る。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・金属酸化物被膜
Claims (3)
- （１） ガラス基板上に透明電極を形成し、その上に
有機金属を含む溶液を塗布し、焼成して金属酸化物被膜
を形成した後、その上にポリイミド膜による液晶分子配
向膜を形成した事を特徴とする液晶表示装置の製造方法
。 - （２）前記有機金属がアルミニウムの有機錯体である事
を特徴とする特許請求範囲第（１）項記載の液晶表示装
置の製造方法。 - （３）前記有機金属が有機チタニウム化合物であること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の液晶表示
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17252382A JPS5962832A (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17252382A JPS5962832A (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962832A true JPS5962832A (ja) | 1984-04-10 |
Family
ID=15943513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17252382A Pending JPS5962832A (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962832A (ja) |
-
1982
- 1982-10-02 JP JP17252382A patent/JPS5962832A/ja active Pending
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