JPS5953350B2 - ニッケルメッキ装置 - Google Patents
ニッケルメッキ装置Info
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- JPS5953350B2 JPS5953350B2 JP52099397A JP9939777A JPS5953350B2 JP S5953350 B2 JPS5953350 B2 JP S5953350B2 JP 52099397 A JP52099397 A JP 52099397A JP 9939777 A JP9939777 A JP 9939777A JP S5953350 B2 JPS5953350 B2 JP S5953350B2
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- Japan
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- nickel plating
- nickel
- plating apparatus
- carrier gas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B04—CENTRIFUGAL APPARATUS OR MACHINES FOR CARRYING-OUT PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES
- B04B—CENTRIFUGES
- B04B5/00—Other centrifuges
- B04B5/08—Centrifuges for separating predominantly gaseous mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は仕上げ部材のニッケルメッキ装置に関する。
さらに本発明はガス遠心機の遠心ドラムよりなるニッケ
ルメッキ装置に関する。エネルギーの解放装置用のウラ
ンの製造の環境において、望ましいｕ２３５を特にウラ
ン金属内に含まれるｕ２３８より分離する過程において
、同位元素内分離を行なわなければならない。
ルメッキ装置に関する。エネルギーの解放装置用のウラ
ンの製造の環境において、望ましいｕ２３５を特にウラ
ン金属内に含まれるｕ２３８より分離する過程において
、同位元素内分離を行なわなければならない。
この同位元素内分離を行なう為に、中間生成物として元
来の分離法の対象物である六弗化ウラン（ＵＦ６）が作
られる。この気体は放射性であるのみならず、それ以上
に特別に他の物質に対して攻撃的であり、且つ腐蝕性を
有し、その取扱いは困難であつた。分離装置の経済性は
原則として極度に劣つており、即ち、所望の最終生成物
を一定量得る為には装置の開発に非常に高額の出費を要
する。このゆえに利益をあげるには上記装置は１０年以
上継続して使用されねばならない。しかし、これは上記
したことと関連してプロセスガスと接触せしめられるす
べての装置部分が一時的にプロセスガスとの接触を受け
るものであるのみならず常に耐腐蝕性を有してなければ
ならないことを意味する。さらに次のような付加の困難
が生ずる。
来の分離法の対象物である六弗化ウラン（ＵＦ６）が作
られる。この気体は放射性であるのみならず、それ以上
に特別に他の物質に対して攻撃的であり、且つ腐蝕性を
有し、その取扱いは困難であつた。分離装置の経済性は
原則として極度に劣つており、即ち、所望の最終生成物
を一定量得る為には装置の開発に非常に高額の出費を要
する。このゆえに利益をあげるには上記装置は１０年以
上継続して使用されねばならない。しかし、これは上記
したことと関連してプロセスガスと接触せしめられるす
べての装置部分が一時的にプロセスガスとの接触を受け
るものであるのみならず常に耐腐蝕性を有してなければ
ならないことを意味する。さらに次のような付加の困難
が生ずる。
即ちプロセスガスが水素と接触すると、例えば水分と接
触すると、弗化水素ＨＦ、即ち他の物質に対して六弗化
ウランＵＦ６よりも攻撃的である物質が形成されると餉
寸？難が生ずる。人はその理由からほとんどその製造開
始前に分離装置を乾燥することに非常に高額の出費をし
ているが、しかし、この処置をしても工業的１こ製造Ｅ
れる六弗化ウランＵＦ，内に弗化水素ＨＦｆ）宴跡が原
則的にほとんど含まれることを防止することはできない
。六弗化ウランＵＦ６と弗化水素ＨＦの共同の攻撃には
例えばニツケルのごとき非常に僅かの工作材料しか長時
間耐えることはできない。しかしながらおしいことには
、すべてのプロセスガスと接触するすべ．ての部分を完
全な抵抗性の材料により構成することは、このような抵
抗性材料が他の技術的理由から不可抗力的に、必要であ
る物質の特性をしばしば示さないので、不可能である。
他面、例えばガルバニ法によるニツケル被覆は多くの適
用ケース．において必要な被覆厚が証明不可能な程度で
あるので次のようなふるまいをする。即ち、例えば分離
ノズルの場合、ノズルの進路の幾何学についての要求は
あまりにも高く、且つ、ノズルの大きさは小さいので、
プロセスガスを透過する性質を有し且つ充分に密である
が、しかし充分に薄い外被を被覆加工すべき物質の上に
形成することはこれまで決してなし得ない程であつた。
それ故本発明の課題は前述の周知の方法の欠点を少なく
とも一部分解消した部材のニツケルメツキ方法を見い出
すことである。
触すると、弗化水素ＨＦ、即ち他の物質に対して六弗化
ウランＵＦ６よりも攻撃的である物質が形成されると餉
寸？難が生ずる。人はその理由からほとんどその製造開
始前に分離装置を乾燥することに非常に高額の出費をし
ているが、しかし、この処置をしても工業的１こ製造Ｅ
れる六弗化ウランＵＦ，内に弗化水素ＨＦｆ）宴跡が原
則的にほとんど含まれることを防止することはできない
。六弗化ウランＵＦ６と弗化水素ＨＦの共同の攻撃には
例えばニツケルのごとき非常に僅かの工作材料しか長時
間耐えることはできない。しかしながらおしいことには
、すべてのプロセスガスと接触するすべ．ての部分を完
全な抵抗性の材料により構成することは、このような抵
抗性材料が他の技術的理由から不可抗力的に、必要であ
る物質の特性をしばしば示さないので、不可能である。
他面、例えばガルバニ法によるニツケル被覆は多くの適
用ケース．において必要な被覆厚が証明不可能な程度で
あるので次のようなふるまいをする。即ち、例えば分離
ノズルの場合、ノズルの進路の幾何学についての要求は
あまりにも高く、且つ、ノズルの大きさは小さいので、
プロセスガスを透過する性質を有し且つ充分に密である
が、しかし充分に薄い外被を被覆加工すべき物質の上に
形成することはこれまで決してなし得ない程であつた。
それ故本発明の課題は前述の周知の方法の欠点を少なく
とも一部分解消した部材のニツケルメツキ方法を見い出
すことである。
さらに本発明の課題はガス遠心機の遠心ドラムをニツケ
ルメツキするのに特に有効な装置を見い出すことである
。この課題は本発明によれば、ニツケルメツキすべき仕
上げ部材を１５０ないし２００℃の温度に加温し、且つ
ニツケノレカノレボニノレ（Ｎｉ（ＣＯ）４）とキヤリ
アガスよりなる連続ガス流を前記仕上げ部材にふきつけ
ることによつて解決される。ここにおいて、連続的に仕
上げ部材周囲を環流する、キヤリアガスとニツケノレカ
ノレボニノレよりなるガス流の加熱された表面上のガス
相から恒常的にニツケルを分離せしめられる。この操作
において生ずるニツケル相は通常の前処理によつて良好
に密着せしめられ、また非常に僅かな層厚（０．１−１
μ）においても有効に密である。
ルメツキするのに特に有効な装置を見い出すことである
。この課題は本発明によれば、ニツケルメツキすべき仕
上げ部材を１５０ないし２００℃の温度に加温し、且つ
ニツケノレカノレボニノレ（Ｎｉ（ＣＯ）４）とキヤリ
アガスよりなる連続ガス流を前記仕上げ部材にふきつけ
ることによつて解決される。ここにおいて、連続的に仕
上げ部材周囲を環流する、キヤリアガスとニツケノレカ
ノレボニノレよりなるガス流の加熱された表面上のガス
相から恒常的にニツケルを分離せしめられる。この操作
において生ずるニツケル相は通常の前処理によつて良好
に密着せしめられ、また非常に僅かな層厚（０．１−１
μ）においても有効に密である。
したがつて、必要ならばそれ自身非常に入り組んだ形状
の仕上げ部材を非常に薄く且つ有効に密なニツケル層で
直接に被覆することが可能である。しかしまた、この方
法によつて２５０μ／時の分離速度を得ることができる
ので、必要ならば比較的厚い層を被着することも可能で
ある。特に非常に複雑に成形された部材の場合、本発明
の方法によれば、次のように特に良好に被覆加工を行な
うことができる。即ち、電解質液体に対して前記被覆加
工用ガスはそれ自身微細な割れ目内に突入し、その表面
を被覆加工するが、このことはすでにのべたようにガル
バニ法の場合常におこるわけではない。本発明の方法に
よればつまり自由に被着した層を形成することは広く抑
制することができ、その結果、ニツケル層は部材と共に
あるときだけはそれ自体すべての欠点をほとんど取り得
ない。前記層の形成と局部の層厚は本発明の方法による
場合、被覆加工用ガスの案内または局部的濃度によつて
次のような影響を受ける。
の仕上げ部材を非常に薄く且つ有効に密なニツケル層で
直接に被覆することが可能である。しかしまた、この方
法によつて２５０μ／時の分離速度を得ることができる
ので、必要ならば比較的厚い層を被着することも可能で
ある。特に非常に複雑に成形された部材の場合、本発明
の方法によれば、次のように特に良好に被覆加工を行な
うことができる。即ち、電解質液体に対して前記被覆加
工用ガスはそれ自身微細な割れ目内に突入し、その表面
を被覆加工するが、このことはすでにのべたようにガル
バニ法の場合常におこるわけではない。本発明の方法に
よればつまり自由に被着した層を形成することは広く抑
制することができ、その結果、ニツケル層は部材と共に
あるときだけはそれ自体すべての欠点をほとんど取り得
ない。前記層の形成と局部の層厚は本発明の方法による
場合、被覆加工用ガスの案内または局部的濃度によつて
次のような影響を受ける。
即ち特にガルバニ法の場合特に望ましくないエツジの電
流密度が特に高い現像によつておきる６エツジ効果゛が
阻止される。それによつてガルバニ法の場合鋭いエツジ
においては平らな面におけるよりも高い層厚が形成され
る。本発明の方法によつて、例えば仕上げ部材を種々の
ガス流で被覆加工し、それによつて局部的に層厚がより
大きくなつたりまたは僅少になつたりするように配慮す
ることも勿論可能である。また、部材を局部的に高く加
熱したりあるいは冷却することによつて層の形成に影響
を及ぼすこともできる。最後にウラン一同位元素内分離
装置用部材を被覆覆加工する場合、特に侵れていること
は液状の電解質（その残渣は恐らくは部材を使用開始す
ると極局部的にＨＦを形成する役目を果すであろう）内
に浸漬する必要性はないということである。本発明の形
成の範囲において、前記ガス流が５ないし１００体積％
のニツケルカルボニルと９５ないしＯ体積％のキヤリア
ガスとよりなるのが特に望ましい。
流密度が特に高い現像によつておきる６エツジ効果゛が
阻止される。それによつてガルバニ法の場合鋭いエツジ
においては平らな面におけるよりも高い層厚が形成され
る。本発明の方法によつて、例えば仕上げ部材を種々の
ガス流で被覆加工し、それによつて局部的に層厚がより
大きくなつたりまたは僅少になつたりするように配慮す
ることも勿論可能である。また、部材を局部的に高く加
熱したりあるいは冷却することによつて層の形成に影響
を及ぼすこともできる。最後にウラン一同位元素内分離
装置用部材を被覆覆加工する場合、特に侵れていること
は液状の電解質（その残渣は恐らくは部材を使用開始す
ると極局部的にＨＦを形成する役目を果すであろう）内
に浸漬する必要性はないということである。本発明の形
成の範囲において、前記ガス流が５ないし１００体積％
のニツケルカルボニルと９５ないしＯ体積％のキヤリア
ガスとよりなるのが特に望ましい。
この特に有利な領域内で、部材を一様に加熱した場合、
一様なふきつけ時間で種々の層厚をうるように配慮した
複数のガス濃度を選択することができる。原則として多
数のキヤリアガスを使用することが可能であるがそれら
はニツケルカルボニルおよび被覆加工すべき部材のいず
れとも直接反応しないという唯一の要件を満たさなけれ
ばならない。
一様なふきつけ時間で種々の層厚をうるように配慮した
複数のガス濃度を選択することができる。原則として多
数のキヤリアガスを使用することが可能であるがそれら
はニツケルカルボニルおよび被覆加工すべき部材のいず
れとも直接反応しないという唯一の要件を満たさなけれ
ばならない。
しかし、この多数の使用可能なガスの中、３つが特に有
効なものとして形成されそして本発明のさらに広い別の
形成はキヤリアガスとしてアルゴン、ヘリウムまたは窒
素を使用することにある。アルゴンとヘリウムは例えば
ガス遠心機の遠心ドラムの周辺領域にその利用を見出す
超高硬度のいわゆるマラジング鋼（Ｍａｒａｇｉｎｇｓ
ｔａｈＩ）の場合のごとき金属材料を被覆加工する場合
特にその効果が奏せられる。ともかく、希ガスであるア
ルゴンとヘリウムは望ましくない副反応によつて被覆加
工過程を妨げることのない特別優れた点を有する。また
、同位元素内分離装置用仕上げ部材を被覆加工する場合
、キヤリアガスとしては窒素が特に有効であり、それは
さらに被覆加工すべき表面を乾燥するのにも寄与してい
る。
効なものとして形成されそして本発明のさらに広い別の
形成はキヤリアガスとしてアルゴン、ヘリウムまたは窒
素を使用することにある。アルゴンとヘリウムは例えば
ガス遠心機の遠心ドラムの周辺領域にその利用を見出す
超高硬度のいわゆるマラジング鋼（Ｍａｒａｇｉｎｇｓ
ｔａｈＩ）の場合のごとき金属材料を被覆加工する場合
特にその効果が奏せられる。ともかく、希ガスであるア
ルゴンとヘリウムは望ましくない副反応によつて被覆加
工過程を妨げることのない特別優れた点を有する。また
、同位元素内分離装置用仕上げ部材を被覆加工する場合
、キヤリアガスとしては窒素が特に有効であり、それは
さらに被覆加工すべき表面を乾燥するのにも寄与してい
る。
同位元素内分離装置の特に危険にさらされる部分につい
ては本来不活性ガスである窒素が使用されており、それ
を使用開始する迄その部材を窒素雰囲気内に湿度が浸入
するのを防止する為に保存される。したがつてキヤリア
ガスとして窒素を利用する場合、特に優れていることは
被覆加工工程と関連して純粋のキヤリアガスを用いてガ
スふきつけを続行し、キヤリアガスの中に被覆加工工程
と関連して被覆加工された部材を保存することである。
非常に薄い層厚であるが故に本発明方法によつて得られ
るものは例えばもはや必要ではない遠心ドラムの妨害に
なる力を最終的にのぞくことのごとき最終的な後加工で
ある。ともかく本発明の方法はニツケル層の優れた固着
特性から、事情によつては最終的なコントロールを度外
視することすら可能である程度に完全にされたものとし
てふるまう。本発明の被覆加工工程は同位元素内分離装
置用部材を仕上げる過程にあるので、最終的な除湿およ
び包装工程と一緒にすることができる。
ては本来不活性ガスである窒素が使用されており、それ
を使用開始する迄その部材を窒素雰囲気内に湿度が浸入
するのを防止する為に保存される。したがつてキヤリア
ガスとして窒素を利用する場合、特に優れていることは
被覆加工工程と関連して純粋のキヤリアガスを用いてガ
スふきつけを続行し、キヤリアガスの中に被覆加工工程
と関連して被覆加工された部材を保存することである。
非常に薄い層厚であるが故に本発明方法によつて得られ
るものは例えばもはや必要ではない遠心ドラムの妨害に
なる力を最終的にのぞくことのごとき最終的な後加工で
ある。ともかく本発明の方法はニツケル層の優れた固着
特性から、事情によつては最終的なコントロールを度外
視することすら可能である程度に完全にされたものとし
てふるまう。本発明の被覆加工工程は同位元素内分離装
置用部材を仕上げる過程にあるので、最終的な除湿およ
び包装工程と一緒にすることができる。
本発明の方法の場合必要な被覆加工すべき仕上げ部材の
加熱は種々の方法で行なうことができる。
加熱は種々の方法で行なうことができる。
例えば局部的種々異なる厚さのニツケル層を得る為に被
覆加工しない空洞内に加湿流体を導することによつて仕
上げ部材を間接的に温めるか、または熱要素をとりつけ
ることによつて局部的に温めることは有効である。本発
明のより広い形成の範囲において、特に優れていること
は相応しく位置ぎめされた複数の電極によつて特に簡単
なやりかたで被覆加工すべき表面のほとんど任意の温度
経過を調整することができることである。さらに加熱源
としての電流は慣性なしに調整することができるので特
に簡単なやり方で温度の調整をすることができる。した
がつてかつて特に有効に働いて得られた調整経過を貯蔵
しておき、新しい同種の、被覆加工すべき仕上げ部材毎
に反復することができる。また、温度経過を熱接触子以
上に直接に調整することができる。また、特に優れてい
ることは唯その縦軸方向に電流により貫流されねノばな
らない回転対称な部材に投入する際の本発明の形成であ
り、それによつて、より厚い層の被覆によつてですら何
らの妨害荷重も生じない程度に一様に加熱と被覆が行な
われる。またそれを過ぎて特別の事情のもとでは電流に
７よる熱はより広い長所を有する。
覆加工しない空洞内に加湿流体を導することによつて仕
上げ部材を間接的に温めるか、または熱要素をとりつけ
ることによつて局部的に温めることは有効である。本発
明のより広い形成の範囲において、特に優れていること
は相応しく位置ぎめされた複数の電極によつて特に簡単
なやりかたで被覆加工すべき表面のほとんど任意の温度
経過を調整することができることである。さらに加熱源
としての電流は慣性なしに調整することができるので特
に簡単なやり方で温度の調整をすることができる。した
がつてかつて特に有効に働いて得られた調整経過を貯蔵
しておき、新しい同種の、被覆加工すべき仕上げ部材毎
に反復することができる。また、温度経過を熱接触子以
上に直接に調整することができる。また、特に優れてい
ることは唯その縦軸方向に電流により貫流されねノばな
らない回転対称な部材に投入する際の本発明の形成であ
り、それによつて、より厚い層の被覆によつてですら何
らの妨害荷重も生じない程度に一様に加熱と被覆が行な
われる。またそれを過ぎて特別の事情のもとでは電流に
７よる熱はより広い長所を有する。
例えば僅かに応力負荷された部材の場合、その製造が少
ない応力負荷故に高い応力負荷された部材の場合のよう
には慎重に着手されず、特に溶接、はんだ，あるいはそ
の他の接合部のひびにのひびはそれ自身害θはないがし
かし、その割れ目内に水分が付着しているのでＨＦの出
成を誘発する）をそのままにしておくことができる。ま
たこのようなゾーンにおいては電流が流れる物質の厚さ
が減つているので熱が発生し、ニツケルの分離成層が行
なわれる。また本発明は直接部材に電流を流しているの
で、ヒータを要さず構造が簡単で加熱が確実で熱効率が
よい。原則的には本発明の基礎になる方法はいずれの適
正な装置でも実施することができる。
ない応力負荷故に高い応力負荷された部材の場合のよう
には慎重に着手されず、特に溶接、はんだ，あるいはそ
の他の接合部のひびにのひびはそれ自身害θはないがし
かし、その割れ目内に水分が付着しているのでＨＦの出
成を誘発する）をそのままにしておくことができる。ま
たこのようなゾーンにおいては電流が流れる物質の厚さ
が減つているので熱が発生し、ニツケルの分離成層が行
なわれる。また本発明は直接部材に電流を流しているの
で、ヒータを要さず構造が簡単で加熱が確実で熱効率が
よい。原則的には本発明の基礎になる方法はいずれの適
正な装置でも実施することができる。
本発明の形成範囲において、ガス入口とガス出口を有す
る固定された反応室より、その両端には導電性で回路と
結合されており、且つ回転可能な受けが前記遠心ドラム
を受容する為に設けられており、その１対の受けのうち
の一方は他方に対して共軸的であり、且つ少なくとも１
つは駆動装置によつて回転移動しうるガス遠心機の遠心
ドラムをニツケルメツキする装置が特に優れている。す
でに上述したごとく回転体の場合特に優れていることは
軸方向に電流が流れることである。しかし、極度に応力
負荷されたガス遠心用遠心ドラムの場合特に高い精度を
得る為に、被覆加工工程中、幾分局部的に存在する被覆
加工用ガス濃度から局部的に厚い層が生ずるのではなく
、周囲にわたつて分配されたより厚い（しかし、何らの
―書荷重１それ自身で形成しなレζ）暦厚が生ずるよ伯
…本―萌あ装置辷よつで芳文遠心機が回転移動される。
る固定された反応室より、その両端には導電性で回路と
結合されており、且つ回転可能な受けが前記遠心ドラム
を受容する為に設けられており、その１対の受けのうち
の一方は他方に対して共軸的であり、且つ少なくとも１
つは駆動装置によつて回転移動しうるガス遠心機の遠心
ドラムをニツケルメツキする装置が特に優れている。す
でに上述したごとく回転体の場合特に優れていることは
軸方向に電流が流れることである。しかし、極度に応力
負荷されたガス遠心用遠心ドラムの場合特に高い精度を
得る為に、被覆加工工程中、幾分局部的に存在する被覆
加工用ガス濃度から局部的に厚い層が生ずるのではなく
、周囲にわたつて分配されたより厚い（しかし、何らの
―書荷重１それ自身で形成しなレζ）暦厚が生ずるよ伯
…本―萌あ装置辷よつで芳文遠心機が回転移動される。
今や被覆加工用ガスを均等に分配することは何ら重要な
意義に帰することではないので、遠心ドラムを受容する
反応室は相当小さくす．ることができる。反応室が入口
と出口を通して貫流せしめられることが全く必要である
。本発明のさらに広い利点はガス入口が複数の噴射口よ
りなり、該管のうちの一方は２つの受けを回転軸におい
て結合しており、他方は前記遠心ドラムの輪郭．は沿つ
て固定して設けられ、前記後者の管には前記遠芯゛ド→
ムめカベ肖《複数の―射口が般けられていることにある
。この２つの管を通つて被覆加工用ガスが必要な通過流
を保持する為の出口を有する反応室内に入る。この際２
つの本発明に係るｊ管のうちの一方は遠心ドラムの内側
に向けてガスをふきつけると同時に前記２つの管のうち
の他方はドラムの外面へ向けて噴射口から噴射し、その
際前述のごとく被覆加工をしている間恒常的に回転して
いる。それによつて無用に多くの被覆加工・用ガスがふ
きつけられることなしにドラムのどの外面部にも被覆加
工用ガスがふきつけられることが保証される。さらによ
り多数の遠心ドラムを受容するより大きな反応室を設け
ることが可能であり、その際、随意にどのドラムの場合
にも、一様な、正確な配量のガスがその表面に与えられ
ることが本発明の形成によつて保証される。したがつて
反応室内に導入された反応ガスと個々の遠心ドラム上に
横たわる流れの厚さから遠心ドラム上の層厚に関する帰
納的推論力弓１き出される。本発明をガス遠心機の遠心
ドラムのニツケルメツキ装置を模式的に図示した添付図
面を用いてさらに詳細に説明する。反応室１にはその下
端に２つの入口管２および３が設けられ、また、その上
端に排出管４が設けられている。
意義に帰することではないので、遠心ドラムを受容する
反応室は相当小さくす．ることができる。反応室が入口
と出口を通して貫流せしめられることが全く必要である
。本発明のさらに広い利点はガス入口が複数の噴射口よ
りなり、該管のうちの一方は２つの受けを回転軸におい
て結合しており、他方は前記遠心ドラムの輪郭．は沿つ
て固定して設けられ、前記後者の管には前記遠芯゛ド→
ムめカベ肖《複数の―射口が般けられていることにある
。この２つの管を通つて被覆加工用ガスが必要な通過流
を保持する為の出口を有する反応室内に入る。この際２
つの本発明に係るｊ管のうちの一方は遠心ドラムの内側
に向けてガスをふきつけると同時に前記２つの管のうち
の他方はドラムの外面へ向けて噴射口から噴射し、その
際前述のごとく被覆加工をしている間恒常的に回転して
いる。それによつて無用に多くの被覆加工・用ガスがふ
きつけられることなしにドラムのどの外面部にも被覆加
工用ガスがふきつけられることが保証される。さらによ
り多数の遠心ドラムを受容するより大きな反応室を設け
ることが可能であり、その際、随意にどのドラムの場合
にも、一様な、正確な配量のガスがその表面に与えられ
ることが本発明の形成によつて保証される。したがつて
反応室内に導入された反応ガスと個々の遠心ドラム上に
横たわる流れの厚さから遠心ドラム上の層厚に関する帰
納的推論力弓１き出される。本発明をガス遠心機の遠心
ドラムのニツケルメツキ装置を模式的に図示した添付図
面を用いてさらに詳細に説明する。反応室１にはその下
端に２つの入口管２および３が設けられ、また、その上
端に排出管４が設けられている。
シリンダ状反応室１の内側に同心的にガス遠心機の遠心
ドラム５が配設されており、そしてこの遠心ドラムはそ
の底板および蓋板のところで下方接触リングおよび上方
接触リング６，７により軸に支持されている。２つの接
触リング６，７は随意に電気回路の部分（図示せず）と
連結されており、そしてこの電気回路の部分は前記遠心
ドラムを通つて閉じられている。
ドラム５が配設されており、そしてこの遠心ドラムはそ
の底板および蓋板のところで下方接触リングおよび上方
接触リング６，７により軸に支持されている。２つの接
触リング６，７は随意に電気回路の部分（図示せず）と
連結されており、そしてこの電気回路の部分は前記遠心
ドラムを通つて閉じられている。
２つの接触リングは回転自在に配！されており、そして
上方接触リング７は駆動モータと接続しており、この駆
動モータの上方に接触リング７と回転する遠心ドラムは
移動することができ、そしてその際接触リング６，７と
遠心ドラム間に明白に電気的転移が行なわれるので上方
接触リング７はプレスばめが清潔であるよう配慮されね
ばならない。
上方接触リング７は駆動モータと接続しており、この駆
動モータの上方に接触リング７と回転する遠心ドラムは
移動することができ、そしてその際接触リング６，７と
遠心ドラム間に明白に電気的転移が行なわれるので上方
接触リング７はプレスばめが清潔であるよう配慮されね
ばならない。
そしてプレスばめをこえて、駆動モータ８の回転運動が
伝達され得る。下方接触リングは穿孔されており、回転
しうるがしかし、入口管２上に体質的に漏れのないよう
に配設されている。
伝達され得る。下方接触リングは穿孔されており、回転
しうるがしかし、入口管２上に体質的に漏れのないよう
に配設されている。
それは遠心ドラム５と共軸的に走行しており、且つ接触
リング７内に接している。噴射管９には多数の一様に分
配された噴射口１０が穿設されており、この噴射口を通
して被覆加工用ガスがガス遠心機の内側に噴出せしめら
れる。このガスは反応室１内の排気口（図示せず）を通
して排気される前に遠心ドラム５の内側にふきつけられ
る。このような排気口は例えば上方接触リング７内の貫
通孔によつて形成することができる。極端に薄い多枝の
遠心ドラムを被覆加工する際噴射管９はそれが遠心ドラ
ム５を支持し、且つその重さから来る力を被覆加工用ガ
ス入口管２上に導入するように形成されている。
リング７内に接している。噴射管９には多数の一様に分
配された噴射口１０が穿設されており、この噴射口を通
して被覆加工用ガスがガス遠心機の内側に噴出せしめら
れる。このガスは反応室１内の排気口（図示せず）を通
して排気される前に遠心ドラム５の内側にふきつけられ
る。このような排気口は例えば上方接触リング７内の貫
通孔によつて形成することができる。極端に薄い多枝の
遠心ドラムを被覆加工する際噴射管９はそれが遠心ドラ
ム５を支持し、且つその重さから来る力を被覆加工用ガ
ス入口管２上に導入するように形成されている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガス遠心機の電流により加温した遠心ドラム内には
ニッケルカルボニル或はそのキャリアガスを通過させて
ニッケルカルボニルを分解し、固定された反応室１は、
ガス入口２、３とガス出口４を有し、該反応室の２つの
端部には、導電性で回路と結合されており、且つ回転可
能な受け６、７が前記遠心ドラムを受容する為に設けら
れており、その１対の受け６、７のうちの一方は他方に
対して共軸的であり、且つ少なくとも１つは駆動装置８
によつて回転移動しうることを特徴とするニッケルメッ
キ装置。 ２ 前記ガス入口２、３は複数の噴射口１０、１２を有
する２つの管９、１１を有し、該管のうちの一方９は２
つの前記受け６、７を回転軸にて結合しており、他方１
１は前記遠心ドラムの輪郭に沿つて固定して設けられ、
前記後者の管１１には前記遠心ドラムの方へ向く複数の
噴射口１２が設けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のニッケルメッキ装置。 ３ 仕上げ部材を１５０ないし２００℃の温度に加温し
てなる特許請求の範囲第１項或は２項のいづれか１つに
記載のニッケルメッキ装置。 ４ 前記ガス流の組成が５ないし１００体積％のニッケ
ルカルボニルと９５ないし０体積％のキャリアガスより
なる特許請求の範囲第３項記載のニッケルメッキ装置。 ５ 前記キャリアガスがアルゴンであることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項或は第４項のいずれか１つに記
載のニッケルメッキ装置。 ６ 前記キャリアガスがヘリウムであることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項或は第４項のいづれか１つに記
載の仕上げ部材のニッケルメッキ装置。 ７ 前記キャリアガスが窒素であることを特徴とする特
許請求の範囲第３項或は第４項のいづれか１つに記載の
仕上げ部材のニッケルメッキ装置。 ８ 前記キャリアガスとしてアルゴン、ヘリウム、およ
び窒素よりなる混合物が用いられていることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項或は第４項のいづれか１つに記
載の仕上げ部材のニッケルメッキ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2637836A DE2637836C2 (de) | 1976-08-21 | 1976-08-21 | Vorrichtung zum Vernickeln von Bauteilen |
| DE000P26378369 | 1976-08-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5326238A JPS5326238A (en) | 1978-03-10 |
| JPS5953350B2 true JPS5953350B2 (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=5986093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52099397A Expired JPS5953350B2 (ja) | 1976-08-21 | 1977-08-18 | ニッケルメッキ装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4183320A (ja) |
| JP (1) | JPS5953350B2 (ja) |
| DE (1) | DE2637836C2 (ja) |
| FR (1) | FR2362215A1 (ja) |
| GB (1) | GB1540339A (ja) |
| NL (1) | NL7709141A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925335U (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-16 | ジエコ−株式会社 | インテリア時計、アクセサリ−等に於ける線材の結合構造 |
| DE3804805A1 (de) * | 1988-02-16 | 1989-08-24 | Max Planck Gesellschaft | Cvd-verfahren zum niederschlagen einer schicht auf einer duennschicht-metallstruktur |
| US9512519B2 (en) | 2012-12-03 | 2016-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and method |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE57637C (de) * | L. MOND in Northwich, England | Verfahren zum Vernickeln und zur Herstellung von Gegenständen und Abdrücken aus Nickel | ||
| US2792806A (en) * | 1951-10-08 | 1957-05-21 | Ohio Commw Eng Co | Apparatus for plating the interior of hollow objects |
| US2700365A (en) * | 1951-10-08 | 1955-01-25 | Ohio Commw Eng Co | Apparatus for plating surfaces with carbonyls and other volatile metal bearing compounds |
| US2781280A (en) * | 1953-03-11 | 1957-02-12 | Ransburg Electro Coating Corp | Method and apparatus for spray coating of articles |
| US3050417A (en) * | 1954-03-18 | 1962-08-21 | Union Carbide Corp | Chromium nickel alloy gas plating |
| US3196826A (en) * | 1958-07-23 | 1965-07-27 | Edward O Norris | Apparatus for spraying the interiors of drum shells |
| NL6509968A (ja) * | 1965-07-31 | 1967-02-01 | ||
| US3865647A (en) * | 1970-09-30 | 1975-02-11 | Siemens Ag | Method for precipitation of semiconductor material |
| JPS4712925U (ja) * | 1971-03-12 | 1972-10-16 | ||
| DE2117933A1 (de) * | 1971-04-14 | 1972-10-19 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial von beliebiger Länge |
| JPS5229630Y2 (ja) * | 1971-05-24 | 1977-07-06 | ||
| US4030964A (en) * | 1976-04-29 | 1977-06-21 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Temperature cycling vapor deposition HgI2 crystal growth |
-
1976
- 1976-08-21 DE DE2637836A patent/DE2637836C2/de not_active Expired
-
1977
- 1977-08-12 GB GB33904/77A patent/GB1540339A/en not_active Expired
- 1977-08-17 US US05/825,472 patent/US4183320A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-08-18 NL NL7709141A patent/NL7709141A/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-08-18 JP JP52099397A patent/JPS5953350B2/ja not_active Expired
- 1977-08-22 FR FR7725592A patent/FR2362215A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4183320A (en) | 1980-01-15 |
| JPS5326238A (en) | 1978-03-10 |
| FR2362215B3 (ja) | 1980-05-16 |
| GB1540339A (en) | 1979-02-07 |
| DE2637836A1 (de) | 1978-02-23 |
| DE2637836C2 (de) | 1983-12-08 |
| FR2362215A1 (fr) | 1978-03-17 |
| NL7709141A (nl) | 1978-02-23 |
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