JPS5952715A - 静電容量型検出器の製造方法 - Google Patents
静電容量型検出器の製造方法Info
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- JPS5952715A JPS5952715A JP57163434A JP16343482A JPS5952715A JP S5952715 A JPS5952715 A JP S5952715A JP 57163434 A JP57163434 A JP 57163434A JP 16343482 A JP16343482 A JP 16343482A JP S5952715 A JPS5952715 A JP S5952715A
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- detector
- insulating film
- flat surface
- detector body
- main body
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/05—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
- G01F1/20—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by detection of dynamic effects of the flow
- G01F1/32—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by detection of dynamic effects of the flow using swirl flowmeters
- G01F1/325—Means for detecting quantities used as proxy variables for swirl
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は静電容量型検出器の製造方法に係り、よシ詳細
には被測流体中のカルマン渦を検出する渦流量計に用い
られる静電容量型検出器の製造方法に係る。
には被測流体中のカルマン渦を検出する渦流量計に用い
られる静電容量型検出器の製造方法に係る。
静電容縫型の渦流量計では、圧力変動に伴ない振動する
ダイアフラムよジなる成極が対向する電極に対して平行
に設けられることが好ましい。
ダイアフラムよジなる成極が対向する電極に対して平行
に設けられることが好ましい。
しかし乍ら、従来の静電容置型の渦流り、計では、ダイ
アフラムが周縁部で固定される検出器本体にダイアフラ
ムに対向するように形成された凹部内に電気絶縁性の樹
脂系の接着剤を介して対向電極を固定するか、それとも
該凹部内に絶縁体を金属ロウ付しそのｅｋ本体上対向菟
枦を固定するようにしていたために、前者の場合、樹脂
が、後者の場合金属ロウが一様に介在せしめられ離＜、
ダイアフラムと対向電極とを平行にし難かった。その結
果、従来の製造方法でつくられた検出器→では、検出精
度のバラツキが大きくなったり、成極間隔を小さくシ嶋
いために検出感度の低いものが製造される虞れが少なく
なかった。
アフラムが周縁部で固定される検出器本体にダイアフラ
ムに対向するように形成された凹部内に電気絶縁性の樹
脂系の接着剤を介して対向電極を固定するか、それとも
該凹部内に絶縁体を金属ロウ付しそのｅｋ本体上対向菟
枦を固定するようにしていたために、前者の場合、樹脂
が、後者の場合金属ロウが一様に介在せしめられ離＜、
ダイアフラムと対向電極とを平行にし難かった。その結
果、従来の製造方法でつくられた検出器→では、検出精
度のバラツキが大きくなったり、成極間隔を小さくシ嶋
いために検出感度の低いものが製造される虞れが少なく
なかった。
本発明は＠配諸点に鑑みなされたものであり、その目的
とするところは、静′５ｉ℃容敞型仲出器の二つの電極
を高確度に平？Ｗ得、検出精度の高い静電容量型検出器
を確実に製造し得る方法を掛仲することＫある。
とするところは、静′５ｉ℃容敞型仲出器の二つの電極
を高確度に平？Ｗ得、検出精度の高い静電容量型検出器
を確実に製造し得る方法を掛仲することＫある。
次に本発明による好ましい一実施例の静電容量型検出器
のｅＩＩ造方法を図面に基づいて説明する。
のｅＩＩ造方法を図面に基づいて説明する。
最初にステンレス乃至銅合金等の金属よりなる渦発生柱
兼検出器本体１を準備する。この検出器本体１はほぼ三
角柱状の六角柱からなり、例えば深さ２．５門程度の円
柱状乃至円盤状の四部２，３をその対称に位置する平坦
な表面４．５に有していると共に、凹部２，３の平坦な
底壁６，７に開口した液体通路として働く貫通孔８を治
している。
兼検出器本体１を準備する。この検出器本体１はほぼ三
角柱状の六角柱からなり、例えば深さ２．５門程度の円
柱状乃至円盤状の四部２，３をその対称に位置する平坦
な表面４．５に有していると共に、凹部２，３の平坦な
底壁６，７に開口した液体通路として働く貫通孔８を治
している。
この検出器本体１は例えば鋳造切削加工によって成形さ
れ、所望ならば、表面４，５等は更に研摩によって平面
度１０μｍ、表面揃さ３μｍ ％ｇ度に平滑化される。
れ、所望ならば、表面４，５等は更に研摩によって平面
度１０μｍ、表面揃さ３μｍ ％ｇ度に平滑化される。
尚、表面４，５の全体が平面である必要はなく、凹部２
，３の近傍において表面４，５の平面度が高く、且つ表
面柑さが小さければよい。
，３の近傍において表面４，５の平面度が高く、且つ表
面柑さが小さければよい。
検出器本体１において、六角柱の柱面は平面４゜５に加
えて三つの平面９．１０．１１と一つの凹面１２とから
ナシ、六角柱１の二つの端面１３゜１４は六つの柱面４
，５，９，１０．１１．１２に直交している。凹面１２
は流↑ＩＬ測定の際被測流体の流れの上流側に向けられ
る面である。尚、渦発生柱兼検出器本体１としては三角
柱、四角柱等信の形状のものでもよく、また検出器本体
１とは別個に渦発生柱を設けてもよい。更に、検出器本
体１は耐久性、寸法乃至形状精度等の鑑点よシして金属
で形成されることが好ましいが、可、気絶縁性のプラス
チック材料で形成されてもよい。例えばポリプロピレン
等のプラスチック材料を用いる場合射出成形等により成
形し、所望ならば更に研摩等により表面４，５を平滑化
する。検出器本体１の全体をグラスチック材料等の電気
絶縁体で形成する場合、四部２．３は設けず、下記のリ
ード線挿通用の孔を直接表面４，５に開口せしめる。
えて三つの平面９．１０．１１と一つの凹面１２とから
ナシ、六角柱１の二つの端面１３゜１４は六つの柱面４
，５，９，１０．１１．１２に直交している。凹面１２
は流↑ＩＬ測定の際被測流体の流れの上流側に向けられ
る面である。尚、渦発生柱兼検出器本体１としては三角
柱、四角柱等信の形状のものでもよく、また検出器本体
１とは別個に渦発生柱を設けてもよい。更に、検出器本
体１は耐久性、寸法乃至形状精度等の鑑点よシして金属
で形成されることが好ましいが、可、気絶縁性のプラス
チック材料で形成されてもよい。例えばポリプロピレン
等のプラスチック材料を用いる場合射出成形等により成
形し、所望ならば更に研摩等により表面４，５を平滑化
する。検出器本体１の全体をグラスチック材料等の電気
絶縁体で形成する場合、四部２．３は設けず、下記のリ
ード線挿通用の孔を直接表面４，５に開口せしめる。
尚、１５は検出器本体１の端面１４から凹部２の周壁１
６の下部まで伸長したリード線挿通用の貫通孔である。
６の下部まで伸長したリード線挿通用の貫通孔である。
凹部３に対しても同様な貫通孔が形成されているが、凹
部２，３に対する電怜及び可変容量コンデンサの形成は
同様に行なわれるので、以下では凹部２側での可変容量
コンデンサ形成工程についてのみ詳述する。
部２，３に対する電怜及び可変容量コンデンサの形成は
同様に行なわれるので、以下では凹部２側での可変容量
コンデンサ形成工程についてのみ詳述する。
まず、銅、ニッケル又は鉄等の金属の裸線からなる例え
ば３００μｍ程度のリード線１８を準備された検出器本
体１の貫通孔１５に挿通すると共に、ガラス材料１９で
該リード線１８を液密且つ本体１から絶縁して孔１５内
で固定する。尚、後の工程でそれ程高温になる虞れがな
い場合、リード線１８としてグラスチック材料乃至ガラ
ス材料等で絶縁被覆されたものを用い、リード線の絶Ｒ
祠料及び検出器本体１の孔１５の周壁トモと密着性の良
いプラスチック材料乃至ガラス材料等て融着乃至接着等
によりリード線時通孔１５内に液密にリード線を固定し
てもよい。リード線１８の絶縁被覆用の絶縁材料として
は、ポリテトラフルオロエチレン（シール等のために？
リイミド系接着材を併用）等のプラスチック材料乃呈ガ
ラスＩａ維等のガ゛ラス材料が用いられる。孔１５に挿
通され孔１５内で固定されたリード線１８のネｉ＋通部
２０は、突出するように部位２０ａで折シ曲げられる。
ば３００μｍ程度のリード線１８を準備された検出器本
体１の貫通孔１５に挿通すると共に、ガラス材料１９で
該リード線１８を液密且つ本体１から絶縁して孔１５内
で固定する。尚、後の工程でそれ程高温になる虞れがな
い場合、リード線１８としてグラスチック材料乃至ガラ
ス材料等で絶縁被覆されたものを用い、リード線の絶Ｒ
祠料及び検出器本体１の孔１５の周壁トモと密着性の良
いプラスチック材料乃至ガラス材料等て融着乃至接着等
によりリード線時通孔１５内に液密にリード線を固定し
てもよい。リード線１８の絶縁被覆用の絶縁材料として
は、ポリテトラフルオロエチレン（シール等のために？
リイミド系接着材を併用）等のプラスチック材料乃呈ガ
ラスＩａ維等のガ゛ラス材料が用いられる。孔１５に挿
通され孔１５内で固定されたリード線１８のネｉ＋通部
２０は、突出するように部位２０ａで折シ曲げられる。
尚、挿通部２０を比較的長く設けて単に部位２０ａで折
シ曲げておき、′電気絶縁体よりなる皮膜を後述の如く
形成した後、リード線１８をほぼ該皮膜表面と一致する
部位で切断してもよい。リード線１８が絶縁被覆を有す
るものである場合、先端２１近傍の被覆を除去して先端
２１の近傍の金属を大きく露出せしめるようにしてもよ
い。リード線１８の折曲部２０ｂを面４に対［７て−Ｊ
６質的に直交するように伸長させても、また而４に対し
て斜交するように伸長させてもよい。
シ曲げておき、′電気絶縁体よりなる皮膜を後述の如く
形成した後、リード線１８をほぼ該皮膜表面と一致する
部位で切断してもよい。リード線１８が絶縁被覆を有す
るものである場合、先端２１近傍の被覆を除去して先端
２１の近傍の金属を大きく露出せしめるようにしてもよ
い。リード線１８の折曲部２０ｂを面４に対［７て−Ｊ
６質的に直交するように伸長させても、また而４に対し
て斜交するように伸長させてもよい。
リード線１８の装着の冗了後、流体通路８にはぼぴった
り嵌シ合う棒状部材２２を液体通路８に嵌挿して抄出器
本体１の通路８に栓をし、そしてアルミナ、ジルコン等
の電気絶縁性のセラミック拐ＩＩ ２３を凹部２内及び
検出器本体１の平坦表面４のうち凹部２のまわシの平ら
な環状表面２４上にＢ方向に溶射して、検出器本体１に
対して密着性がよく平坦表面４よりも若干突出する絶縁
皮膜２５を形成する。リード線１８の挿通部２ｏは溶射
の際形成される耳ν状絶縁皮膜２５中に実質的に埋設、
固定される。尚第２図に示す如く先端部２１が給１縁皮
喚２５から若干突出していてもよい。
り嵌シ合う棒状部材２２を液体通路８に嵌挿して抄出器
本体１の通路８に栓をし、そしてアルミナ、ジルコン等
の電気絶縁性のセラミック拐ＩＩ ２３を凹部２内及び
検出器本体１の平坦表面４のうち凹部２のまわシの平ら
な環状表面２４上にＢ方向に溶射して、検出器本体１に
対して密着性がよく平坦表面４よりも若干突出する絶縁
皮膜２５を形成する。リード線１８の挿通部２ｏは溶射
の際形成される耳ν状絶縁皮膜２５中に実質的に埋設、
固定される。尚第２図に示す如く先端部２１が給１縁皮
喚２５から若干突出していてもよい。
尚、絶縁皮膜２５を比較的薄くし得（例１００〜２００
μｍ）、リード線１８を細くし得る場合、スパッタリン
グによシ絶縁皮嘆を形成してもよい。
μｍ）、リード線１８を細くし得る場合、スパッタリン
グによシ絶縁皮嘆を形成してもよい。
また絶縁皮膜２５を電気絶縁性のガラスの凹部２への溶
融充填、グラスチック材料の四部２への注入等により形
成してもよい。絶縁皮膜２５のガラス付着乃至シラスチ
ック材料は孔１５のシール材料と同じ又は同種のも効で
もよい。いずれの場合も、凹部２に充填され、平坦表面
４から若干突出するように絶縁皮膜２５を形成する。
融充填、グラスチック材料の四部２への注入等により形
成してもよい。絶縁皮膜２５のガラス付着乃至シラスチ
ック材料は孔１５のシール材料と同じ又は同種のも効で
もよい。いずれの場合も、凹部２に充填され、平坦表面
４から若干突出するように絶縁皮膜２５を形成する。
絶縁皮膜２５の形成完了後、棒状部材２２を抜き取る。
尚、棒状部材２２としては、絶縁皮膜２５と固着乃至付
着する虚れが少ないような黒鉛を塗付した炭素鋼等の材
料よシなり滑らかな局面のものを用いる。８ａは棒状部
材２２の抜取後に通路８に一致して形成される液体通路
である。
着する虚れが少ないような黒鉛を塗付した炭素鋼等の材
料よシなり滑らかな局面のものを用いる。８ａは棒状部
材２２の抜取後に通路８に一致して形成される液体通路
である。
次に、絶縁皮膜２５の表面が検出器本体１の平坦表面４
と面一となるように、且つリード線１８の先端が平坦表
面４と面一となるように、絶縁皮膜２５の突出部２５ｍ
とリード線１８の突出部１８１とを研摩により除去する
。この研摩の際、本体１の平坦な表面４が突出部２５
ａ 、 １．８ ａの除去の基準面として役立つ。この
結果、検出器本体１の平坦表面４と実質的に同一平面上
に絶縁度＠２５を研摩してなる絶縁皮膜２６の一様で且
つ平滑な環状平面２７とリード線１８の端面１８ｂとが
形成される。乙の研摩によシ検出器本体１の表面４が若
干除去されてもよい。
と面一となるように、且つリード線１８の先端が平坦表
面４と面一となるように、絶縁皮膜２５の突出部２５ｍ
とリード線１８の突出部１８１とを研摩により除去する
。この研摩の際、本体１の平坦な表面４が突出部２５
ａ 、 １．８ ａの除去の基準面として役立つ。この
結果、検出器本体１の平坦表面４と実質的に同一平面上
に絶縁度＠２５を研摩してなる絶縁皮膜２６の一様で且
つ平滑な環状平面２７とリード線１８の端面１８ｂとが
形成される。乙の研摩によシ検出器本体１の表面４が若
干除去されてもよい。
尚、この明細■において、研摩とは、狭義の研摩のみな
らず、研削及びたく摩を含む広義の研摩を指す。すなわ
ち皮膜２６及びリード線１８の研摩された而２７．１８
ｂも研摩くずももとの材質の組織がだいたい保たれるよ
うな研削といしによる作業等のいわゆる研削によって而
２７，１８ｂを形成しても、皮膜２６及びリード線１８
の研Ｊψされた面２７，１８ｂも研摩くずももとの材質
の組織がくずれローラーで地ならしするようなみがき作
業に対応するたく摩によって面２７，１８ｂを形成して
も、また研削、たく摩の特徴のはつきシしない狭義の研
摩によって面２７，１８ｂを形成してもよく、更にこれ
らの作業を組合せて平坦面２７．１８ｂを形成してもよ
い。尚、研摩に際して、化学研摩、電解研摩等を用いて
もよいが、少なくとも一回は平面研削、ホーニング、パ
フ研摩、ベルト研摩、バレル研摩等の機械研摩を行なう
ことが好ましい。
らず、研削及びたく摩を含む広義の研摩を指す。すなわ
ち皮膜２６及びリード線１８の研摩された而２７．１８
ｂも研摩くずももとの材質の組織がだいたい保たれるよ
うな研削といしによる作業等のいわゆる研削によって而
２７，１８ｂを形成しても、皮膜２６及びリード線１８
の研Ｊψされた面２７，１８ｂも研摩くずももとの材質
の組織がくずれローラーで地ならしするようなみがき作
業に対応するたく摩によって面２７，１８ｂを形成して
も、また研削、たく摩の特徴のはつきシしない狭義の研
摩によって面２７，１８ｂを形成してもよく、更にこれ
らの作業を組合せて平坦面２７．１８ｂを形成してもよ
い。尚、研摩に際して、化学研摩、電解研摩等を用いて
もよいが、少なくとも一回は平面研削、ホーニング、パ
フ研摩、ベルト研摩、バレル研摩等の機械研摩を行なう
ことが好ましい。
以上において、検出器本体１の凹部２に充填された絶縁
体２３よシなる絶縁皮膜２６の表面２７によって電気絶
縁性の平坦な基準表面が与えられる。この面２７の平面
度及び表面粗さは好ましくは、３μｍ程度であシ、よシ
好寸しくけ１〜２μｍ程度である。尚、検出器本体１と
して電気絶縁性のグラスチック材料、セラミック材料等
を用いる場合、例えば表面１４．４に開口するリード線
挿通用の直線状貫通孔１５を本体１に設けておき、プラ
スチック系乃至セラミック系接着剤又はガラスを孔１４
に充１ＪＮすることによシリード紳１８を孔１４内に固
定した後、研摩により、モ面２７．４゜１８ｂを形成す
る。
体２３よシなる絶縁皮膜２６の表面２７によって電気絶
縁性の平坦な基準表面が与えられる。この面２７の平面
度及び表面粗さは好ましくは、３μｍ程度であシ、よシ
好寸しくけ１〜２μｍ程度である。尚、検出器本体１と
して電気絶縁性のグラスチック材料、セラミック材料等
を用いる場合、例えば表面１４．４に開口するリード線
挿通用の直線状貫通孔１５を本体１に設けておき、プラ
スチック系乃至セラミック系接着剤又はガラスを孔１４
に充１ＪＮすることによシリード紳１８を孔１４内に固
定した後、研摩により、モ面２７．４゜１８ｂを形成す
る。
次に、以上の如き工程により、形成された電気絶縁性の
基準面２７及びリード線１８を有する検出器の半製品２
８を、真空メッキ装置の真空囲繞２９内の所定位置に配
設すると共に、マスク乃至カバー３０を面４及び面２７
の一部２７ａの上に載置して、絶縁皮膜２６の平坦面２
７の中央環状領域２７ｂ上に密着性が良好で一様で平渭
な導氏皮ＦＰ−！３１を形成すべく真空メッキを行なう
。
基準面２７及びリード線１８を有する検出器の半製品２
８を、真空メッキ装置の真空囲繞２９内の所定位置に配
設すると共に、マスク乃至カバー３０を面４及び面２７
の一部２７ａの上に載置して、絶縁皮膜２６の平坦面２
７の中央環状領域２７ｂ上に密着性が良好で一様で平渭
な導氏皮ＦＰ−！３１を形成すべく真空メッキを行なう
。
ここで真をメッキとは真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング等気相中での膜の付着形成方法を指し
、メッキ液等による半製品２８の汚損の虞れのある液相
中での層形成方法とは異なる。
ンブレーティング等気相中での膜の付着形成方法を指し
、メッキ液等による半製品２８の汚損の虞れのある液相
中での層形成方法とは異なる。
尚、真空メッキとして、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング等のうちいずれの方法を選択するか
は、絶縁皮膜２６の材料２３、導電皮膜３１の金属材料
、マスク３０の材料のみならず皮膜３１の厚さ、膜形成
に要する所要時間（例えば真空蒸着では１８０〜４５０
０μｍ／時間、スパッタリングでは０．６〜６０μｍ／
時間、イオンプレー・ティングでは少なくとも３００
／Ａｍ１時間程度）、層厚等を考慮して、適当な時間内
にできる限υ平滑な表面を有し、均一な構造、〃さの、
付着強度の大きい導１体膜３１が得られ且つ導電体がマ
スク３０に付着され難い方法を選択する。またマスク３
０の形成、除去、４電体膜３１の形成（エツチング等を
含む）に集積回路の製造技術を利用してもよい。
オンブレーティング等のうちいずれの方法を選択するか
は、絶縁皮膜２６の材料２３、導電皮膜３１の金属材料
、マスク３０の材料のみならず皮膜３１の厚さ、膜形成
に要する所要時間（例えば真空蒸着では１８０〜４５０
０μｍ／時間、スパッタリングでは０．６〜６０μｍ／
時間、イオンプレー・ティングでは少なくとも３００
／Ａｍ１時間程度）、層厚等を考慮して、適当な時間内
にできる限υ平滑な表面を有し、均一な構造、〃さの、
付着強度の大きい導１体膜３１が得られ且つ導電体がマ
スク３０に付着され難い方法を選択する。またマスク３
０の形成、除去、４電体膜３１の形成（エツチング等を
含む）に集積回路の製造技術を利用してもよい。
以上の如くして、半製品２８乃至検出器本体ｌもしくは
絶縁皮膜２６の面４，２７と異質的に平行な平坦表面３
２を有する′４電体：ｉ％ ３１がリード線１８と端面
１８ｂで電気的に短絡された状態で可変容量コンデンサ
の一方の電（夕３３として絶縁皮膜２６上に形成される
。
絶縁皮膜２６の面４，２７と異質的に平行な平坦表面３
２を有する′４電体：ｉ％ ３１がリード線１８と端面
１８ｂで電気的に短絡された状態で可変容量コンデンサ
の一方の電（夕３３として絶縁皮膜２６上に形成される
。
この導電体膜３１は電極３３として機能し得るように例
えば数μ程度以上の厚さを有していればよく、電極３３
の外縁部３３ａは検出器本体１と短絡されたり、検出器
本体１との間に犬きな寄生容量が牛じたすしない程度に
検出器本体１から離間されていればよい。尚、絶縁皮膜
２６の厚さく四部２の深さ）も、電極３３と検出器本体
１とを確実に絶縁し得且つ電極３３と検出器本体１との
間に大きな野生容量が生じない程度に、そしてリード線
１８の径よりも大きくなるように適宜選択される（例え
ば２．５咽程度）。
えば数μ程度以上の厚さを有していればよく、電極３３
の外縁部３３ａは検出器本体１と短絡されたり、検出器
本体１との間に犬きな寄生容量が牛じたすしない程度に
検出器本体１から離間されていればよい。尚、絶縁皮膜
２６の厚さく四部２の深さ）も、電極３３と検出器本体
１とを確実に絶縁し得且つ電極３３と検出器本体１との
間に大きな野生容量が生じない程度に、そしてリード線
１８の径よりも大きくなるように適宜選択される（例え
ば２．５咽程度）。
尚、この真空メッキによ膜形成される導電体膜３１の厚
さく通常１０〜２０μｍ）は、液体通路８の大きさく通
常１〜１．５ｍ）と比較して通常十分小さくてもよい故
、＠３１の形成に際して、液体通路８．８ａにマスクと
して働く栓をしておかなくても、通路８，８ａが小さく
なってしまったυ、導電体膜３１と本体１とが通路８Ｂ
で短絡される虞れはないが、所望ならば、真空メッキの
際、孔８ａ中にマスクとしての栓をしておいてもよい。
さく通常１０〜２０μｍ）は、液体通路８の大きさく通
常１〜１．５ｍ）と比較して通常十分小さくてもよい故
、＠３１の形成に際して、液体通路８．８ａにマスクと
して働く栓をしておかなくても、通路８，８ａが小さく
なってしまったυ、導電体膜３１と本体１とが通路８Ｂ
で短絡される虞れはないが、所望ならば、真空メッキの
際、孔８ａ中にマスクとしての栓をしておいてもよい。
導電体膜３１よシなる電極３３の形成後、次に、所望な
らば嘆３１に何らの加工を施すことなく、厚さく例えば
０．１＋ｎｍ）が一定′となるように精度よく仕上げら
れた金属」・Ｕスペーサ３４を本体１の表ラム３５及び
スペーサ３４の外周部３６．３７を検Ｉｉｌ器本体１に
液密に溶接する。この溶接には局所加熱の可能な電子ビ
ーム浴接等を用いるのが好ましい。尚、スペーサ３４の
一部は絶縁皮膜２６上に位置していてもよい。捷たスペ
ーサ３４、ダイアフラム３５は渦の検出に支障がない限
シ、絶縁皮膜２６の外縁部２７ａよりもはるかに大きい
径の内縁部を有していてもよい。
らば嘆３１に何らの加工を施すことなく、厚さく例えば
０．１＋ｎｍ）が一定′となるように精度よく仕上げら
れた金属」・Ｕスペーサ３４を本体１の表ラム３５及び
スペーサ３４の外周部３６．３７を検Ｉｉｌ器本体１に
液密に溶接する。この溶接には局所加熱の可能な電子ビ
ーム浴接等を用いるのが好ましい。尚、スペーサ３４の
一部は絶縁皮膜２６上に位置していてもよい。捷たスペ
ーサ３４、ダイアフラム３５は渦の検出に支障がない限
シ、絶縁皮膜２６の外縁部２７ａよりもはるかに大きい
径の内縁部を有していてもよい。
更に、一定の厚さのスペーサ３４を用いるかわシに、若
干厚い金属ｚすの円板を準備し、この厚い金属円板にエ
ツチングによシ平坦な底壁を有する円形四部を形成し、
必要ならば凹部の底壁を更に研摩して、スペーサ３４と
円板３５とが一体化されてなる形状のダイアフラム電極
を形成し、本体１に溶接するようにしてもよい。
干厚い金属ｚすの円板を準備し、この厚い金属円板にエ
ツチングによシ平坦な底壁を有する円形四部を形成し、
必要ならば凹部の底壁を更に研摩して、スペーサ３４と
円板３５とが一体化されてなる形状のダイアフラム電極
を形成し、本体１に溶接するようにしてもよい。
以上の如くして、基ｆＰ−表面２７または表面４から一
定距離離間して対向表面３８を有するように４電性ダイ
アフラム３５が導電体膜３１に対向して検出器本体１に
固定される。すなわち、一方の電極３３としての金属皮
膜３１の平坦な表面３２に対して対向表面３８が実質的
に平行となるように、換言すれば電極間隙が一定となる
ように、金属ダイアフラム３５よりなる対向？■、極３
９が配設され得、通路８、空間４０にシリコーンオイル
等の絶縁油を充填、封入することによシミ極３３゜３９
を有する可変容量コンデンサ４１が形成される。
定距離離間して対向表面３８を有するように４電性ダイ
アフラム３５が導電体膜３１に対向して検出器本体１に
固定される。すなわち、一方の電極３３としての金属皮
膜３１の平坦な表面３２に対して対向表面３８が実質的
に平行となるように、換言すれば電極間隙が一定となる
ように、金属ダイアフラム３５よりなる対向？■、極３
９が配設され得、通路８、空間４０にシリコーンオイル
等の絶縁油を充填、封入することによシミ極３３゜３９
を有する可変容量コンデンサ４１が形成される。
前記と同様にしてもう一つの可変容量コンデンサ４２を
、コンデンサ４１と同時並行的に、またはコンデンサ４
１の形成後に形成することにより、静電容量型渦検出器
乃至渦流量計４３が製造される。
、コンデンサ４１と同時並行的に、またはコンデンサ４
１の形成後に形成することにより、静電容量型渦検出器
乃至渦流量計４３が製造される。
この流量計４３では、検測流体のＡ方向の流速乃至流量
に比例した繰シ返し周波数でコンデンサ４ ］、 、
４２の容量が変化する。尚検出器本体１に一つのコンデ
ンサ４１を形成して検出器４３を構成してもよい〇 以上において、凹部２，３、導′区体膜３１、ダイアフ
ラム３５等の形状は円形のかわシに楕円形、卵形等信の
形状でも、相互に芥なっていてもよく、また凹部２等が
表面４等の端部まで伸延する溝でもよい。
に比例した繰シ返し周波数でコンデンサ４ ］、 、
４２の容量が変化する。尚検出器本体１に一つのコンデ
ンサ４１を形成して検出器４３を構成してもよい〇 以上において、凹部２，３、導′区体膜３１、ダイアフ
ラム３５等の形状は円形のかわシに楕円形、卵形等信の
形状でも、相互に芥なっていてもよく、また凹部２等が
表面４等の端部まで伸延する溝でもよい。
以上の如く、本発明による静、イ容凶型検出器の７′
製造方法では、検出器本体にｉ′纜気絶す性の平坦な基
量表面を形成し、この基準表面上に所定の厚さの導電体
膜を形成し、前記ノ↓阜表面から一定距？：：＃離間し
て対向表面を有するように導炬性坪拉部ス、イケ去を前
記導電体膜に対向してｎ１１記検出器本体に固定するよ
うにしたために、導電体膜よりなる一方の電極と導電性
可撓部材よシなるもう一方の電極との間の電極間隙を確
実に所定に設定し得、その結果器差が少なく、検出精度
の高い、ひいては電極間隙の小さい感度の高い検出器を
容易且つ確実に製造し得る０
量表面を形成し、この基準表面上に所定の厚さの導電体
膜を形成し、前記ノ↓阜表面から一定距？：：＃離間し
て対向表面を有するように導炬性坪拉部ス、イケ去を前
記導電体膜に対向してｎ１１記検出器本体に固定するよ
うにしたために、導電体膜よりなる一方の電極と導電性
可撓部材よシなるもう一方の電極との間の電極間隙を確
実に所定に設定し得、その結果器差が少なく、検出精度
の高い、ひいては電極間隙の小さい感度の高い検出器を
容易且つ確実に製造し得る０
第１図は本発明の好ましい一実施例の方法によって製造
される静電容量型渦検出器の断面説明図、第２図乃至第
５図は、第１図の流量側の可変容所コンデンサの製造工
程を第１図のＸ−Ｙ断面で順に示した説明図である。 １・・・検出器本体、４．２７・・・平面、２６・・・
絶縁皮膜、３１・・・導電体膜、３５・・・ダイアフラ
ム。 代理人誓理士今 村 元 第３図 第４図 ９ ２６８８０
される静電容量型渦検出器の断面説明図、第２図乃至第
５図は、第１図の流量側の可変容所コンデンサの製造工
程を第１図のＸ−Ｙ断面で順に示した説明図である。 １・・・検出器本体、４．２７・・・平面、２６・・・
絶縁皮膜、３１・・・導電体膜、３５・・・ダイアフラ
ム。 代理人誓理士今 村 元 第３図 第４図 ９ ２６８８０
Claims (1)
- 検出器本体に電気絶縁性の平坦な基準表面を形成する段
階と、この基準表面上に所定の厚さの導電体膜を形成す
る段階と、前記基準表面から一定距離離間して対向表面
を有するように導電性可撓部材を前記導電体膜に対向し
て前記検出器本体に固定する段階とよりなる静電容量型
検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57163434A JPS5952715A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 静電容量型検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57163434A JPS5952715A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 静電容量型検出器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952715A true JPS5952715A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15773813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57163434A Pending JPS5952715A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 静電容量型検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952715A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365096A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-23 | Ricoh Co Ltd | 剥離皮膜処理方法 |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57163434A patent/JPS5952715A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365096A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-23 | Ricoh Co Ltd | 剥離皮膜処理方法 |
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