JPS5952534B2 - 電子線描画装置 - Google Patents

電子線描画装置

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Publication number
JPS5952534B2
JPS5952534B2 JP52125843A JP12584377A JPS5952534B2 JP S5952534 B2 JPS5952534 B2 JP S5952534B2 JP 52125843 A JP52125843 A JP 52125843A JP 12584377 A JP12584377 A JP 12584377A JP S5952534 B2 JPS5952534 B2 JP S5952534B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
distance
deflection
sample stage
sample table
Prior art date
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Expired
Application number
JP52125843A
Other languages
English (en)
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JPS5459884A (en
Inventor
一光 中村
信二郎 片桐
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5459884A publication Critical patent/JPS5459884A/ja
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Expired legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子線照射位置の温度補償手段を備えた電子
線描画装置に関する。
IC製造用フォトマスクなどの微細パターンを電子線照
射によつて作成することが行なわれている。
第1図を参照して、このような電子線描画装置の概略を
説明する。1は電子線、2は対物レンズ、3は偏向器、
4は試料台、6は反射電子検出器、7は基準マーク、8
は増幅器、9は符号化機構、10はコンピュータ、12
は試料台駆動機構、14はフォトマスク、15は偏向電
源である。
いま、試料台4に取付けられたフォトマスク14上に微
細パターンの書込みを行なう場合、電子線1を対物レン
ズ2によつて細く絞つてフォトマスク14上に照射する
。一方、コンピュータ10より微細パターンに依存した
偏向信号が偏向電源15を通して偏向器3に供給され、
所望のパターンがマスク14上に得られる。通常ICを
作成する場合は、上記手段で得られたフォトマスクの種
々のパターンを数枚のシリコンウェハ上に順次写真蝕刻
を行なつて種々のパターンを積み上げて行く。マスクに
はガラスが用いられているが、ガラスの線膨張係数は約
1×10−0であり、10cm角のガラスマスクを用い
たとすると、温度が1℃変化した時の変化量△lは(1
)式で表わされる。△lμm■(l×10−5)× (
lxl05)μm=11をm0゛゛’゛゜(1)jパタ
ーンが微細化するに従い△lを少さくすることが必要と
なるが、試料台4上の温度変化を±0.1℃以下に制御
することはきわめて困難である。
温度変化があると試料台4上のフォトマスク14が伸縮
するので、精度のよいフォトマスクを;製造するために
は、温度変化一すなわちフォトマスク14の伸縮に応じ
て電子線1の偏向量を修正しなければならない。従来の
電子線描画装置では、電子線照射位置を検知するための
基準マーク7が試料台4上の1ケ所にしか設けられない
たθめ、温度変化による試料台4やフォトマスク14の
伸縮を検出することができず、ひいては電子線偏向量の
補償修正ができない欠点がある。本発明は前述の欠点を
改善するために、試料台上の離れた位置に少なくとも2
個の基準マークを’5装着し、2つのマーク間の距離を
レーザ干渉測長計などの測長計を用いて正確に測長し、
マスク、ウェハ等に電子線を照射する際に、作業温度す
なわち伸縮に応じた電子線照射位置の温度補償を行なう
ようにしたものである。
このために本発明においては、第1、第2図に示したよ
うに、基準マーク7の他に2つの基準マーク7X,7Y
を付設し、またレーザ千渉測長計11.試料台4に取付
けられたミラー5の反射面5X,5Yに測長用レーザ光
16を投射させるためのミラー13,]3X,13Yを
設けている。本発明において温度補償を行なうには、ま
ず、基準マーク7の位置を反射電子検出器6によつて検
出し、符号化機構9を経由してコンピユータ10に取り
込み、同時に反射面5Xとミラー13Xとの距離1x0
および反射面5Yとミラー13Yとの距離1Y0を測長
してコンピユータ10に入力する。
次に試料台14をもう一方の基準マータ例え2ば7Xへ
移動し、そのときの距離1X1を同様にレーザ干渉測長
計]1によつて検出し、温度変化に伴なう試料台14の
伸縮および作業温度における所要偏向量をコンピユータ
]0で後述のように計算して、偏向器3へ所要の偏向電
圧を与えて電子二線1の照射位置の補正を行なう。すな
わち、基準温度における電子線の設計偏向量をl、マー
ク間距離をd、作業温度でのマーク間距離をDとすると
、作業温度で実際に必要な電子線偏向量Lは(2)式で
与えられるので、この演算をコンピユータ10で行なつ
て偏向量を補正することができる。
続いて試料台14を基準マーク7Yの方へ移動させれば
、Y方向の補正を全く同様の手法によつて行なうことが
できる。レーザ干渉測長計の位置分解能は0.01μm
であり、0.1μm以下の試料台位置精度が得られる。
以上のように本発明によれば、試料台の温度変化にも拘
わらず、0.1μmの電子線照射位置精度が得られる。
なお、2つのマーク間の距離の測定には、前述したレー
ザ干渉測長計以外の測長手段を用い得ることは明らかで
ある。又、マーク位置は図示例に限らず、7X,7Yの
いずれか一方を省略したり、それ以外の位置例えば基準
マーク7を通る対角線上に設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の概略図、第2図は要部の上面図である
。 1・・・・・・電子線、2・・・・・・対物レンズ、3
・・・・・・偏向器、4・・・・・・試料台、5,13
X,13Y・・・・・・ミラ、6・・・・・・反射電子
検出器、7,7X,7Y・・・・・・基準マーク、9・
・・・・・符号化機構、10・・・・・・コンピユータ
、11・・・・・ルーザ干渉測長計、12・・・・・・
試料台駆動器、14・・・・・・マスク、15・・・・
・・偏向電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 試料台を少なくとも一平面内で移動させる試料台移
    動機構と、試料台上の所望位置に電子線を照射するため
    の偏向器および偏向用電源と、試料台上の少なくとも2
    個所に設けられた基準マークと、2つの基準マーク間の
    距離を測定する手段と、基準温度における基準マーク間
    距離および設計偏向量ならびに前記測定手段によつて得
    られた作業温度における基準マーク間距離から作業温度
    における所要偏向量を算出する手段と、その算出結果に
    したがつて偏向電源を制御する手段とを具備したことを
    特徴とする電子線描画装置。
JP52125843A 1977-10-21 1977-10-21 電子線描画装置 Expired JPS5952534B2 (ja)

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JP52125843A JPS5952534B2 (ja) 1977-10-21 1977-10-21 電子線描画装置

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JPS5459884A JPS5459884A (en) 1979-05-14
JPS5952534B2 true JPS5952534B2 (ja) 1984-12-20

Family

ID=14920310

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60254615A (ja) * 1984-05-30 1985-12-16 Toshiba Mach Co Ltd 電子ビーム露光における温度測定方法
JPS642437U (ja) * 1987-06-24 1989-01-09
JPH07111954B2 (ja) * 1989-03-15 1995-11-29 光計測技術開発株式会社 電子ビーム露光装置

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JPS5459884A (en) 1979-05-14

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