JPS5950439U - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JPS5950439U JPS5950439U JP14592082U JP14592082U JPS5950439U JP S5950439 U JPS5950439 U JP S5950439U JP 14592082 U JP14592082 U JP 14592082U JP 14592082 U JP14592082 U JP 14592082U JP S5950439 U JPS5950439 U JP S5950439U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor exposure
- exposure apparatus
- chuck
- temperature
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案の実施例の図、
図中、1はマスク、2はウェハー、3はマスクチャック
、4はウェハーチャック、5は投影光学系、6は白金測
温抵抗体、7は発熱抵抗体、8は放熱板、9は温度制御
装置、10は電源、11は冷却用エアー人口、12は冷
却用エアー出口、13は露光用光束である。
、4はウェハーチャック、5は投影光学系、6は白金測
温抵抗体、7は発熱抵抗体、8は放熱板、9は温度制御
装置、10は電源、11は冷却用エアー人口、12は冷
却用エアー出口、13は露光用光束である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 l マスクのパターンをウェハ上に転写する半導体露光
装置において、マスク又はウェハを固定支持するマスク
チャック又はウェハチャックが強制加熱する発熱抵抗体
と、強制冷却するエア冷却手段を有することを特徴とす
る半導体露光装置。 2 前記エアは常温のエアであり、温度制御されるマス
クチャック又はウェハチャックは常温より高く設定され
る実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体露光装置
。 3 前記エアは常温より低いエアである実用新案登録請
求の範囲第1項記載の半導体露光装置。 4 前記発熱抵抗体及びエア冷却手段は温度制御される
マスクチャック又はウェハチャックの内部に設けられる
実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体露光装置。 5 冷却用の放熱板が設けられる実用新案登録請求の範
囲第1項記載の半導体露光装置。 6 前記発熱抵抗体はウェハチャック内に設けられ、一
方、前記エア冷却手段は、マスクチャック側に設けられ
る実用新案登録請求の範囲第1項記の半導体露光装置。 7 温度検知手段がチャックに設けられる実用新案登録
請求の範囲第1項記載の半導体露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14592082U JPS5950439U (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14592082U JPS5950439U (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5950439U true JPS5950439U (ja) | 1984-04-03 |
Family
ID=30324964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14592082U Pending JPS5950439U (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5950439U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61147528A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | レジスト処理装置 |
JPS63164194U (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-26 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
JPS54149586A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-22 | Hitachi Ltd | Mask aligner |
JPS55123131A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposer for mask alignment |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP14592082U patent/JPS5950439U/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
JPS54149586A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-22 | Hitachi Ltd | Mask aligner |
JPS55123131A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposer for mask alignment |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61147528A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | レジスト処理装置 |
JPS63164194U (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-26 |
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