JPS5949533B2 - ケツカンケンシユツソウチ - Google Patents
ケツカンケンシユツソウチInfo
- Publication number
- JPS5949533B2 JPS5949533B2 JP15353275A JP15353275A JPS5949533B2 JP S5949533 B2 JPS5949533 B2 JP S5949533B2 JP 15353275 A JP15353275 A JP 15353275A JP 15353275 A JP15353275 A JP 15353275A JP S5949533 B2 JPS5949533 B2 JP S5949533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodetector
- output
- light
- scanning
- reference value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/89—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
- G01N21/8901—Optical details; Scanning details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被検体の欠陥を光学的に検出する装置に関する
ものである。
ものである。
ここで、欠陥とは被検体の表面又は内部の傷、汚れ等若
しくは流体又は粉体中に混入した異物等を称する。
しくは流体又は粉体中に混入した異物等を称する。
この欠陥を光学的に検出する方法として、被検面をフラ
イシダスポット方式、又はフライシダイメージ方式によ
り光学的に走査して被検面からの光を光検出器で受け、
この光検出器の出力を基準値と比較して欠陥信号を得る
方法は既に知られている。
イシダスポット方式、又はフライシダイメージ方式によ
り光学的に走査して被検面からの光を光検出器で受け、
この光検出器の出力を基準値と比較して欠陥信号を得る
方法は既に知られている。
しかしながら、この様な方法では光源の出力の低下、光
学系のくもり、光検出器の能力低下等により光検出器の
出力レベルが変動した場合、前記基準値をこの出力レベ
ルに対応して変更しなければ欠陥でないものも欠陥とし
て検出してたり、又、逆に欠陥であるものでは欠陥とし
て検出しなかつたりする恐れが有る。
学系のくもり、光検出器の能力低下等により光検出器の
出力レベルが変動した場合、前記基準値をこの出力レベ
ルに対応して変更しなければ欠陥でないものも欠陥とし
て検出してたり、又、逆に欠陥であるものでは欠陥とし
て検出しなかつたりする恐れが有る。
この様な欠点を解消する方法が既に特開昭５０−１７９
０号（公開日昭和５０年１月９日）に示されている。
０号（公開日昭和５０年１月９日）に示されている。
この方法は光学的走査機構により被検体を走査していな
い期間に、即ら、被検体を実際に走査する前に、被検体
の代わりに検出が望まれる大きさの傷を有する試料を走
査面に配し、光学的走査機構によりこの試料を走査し、
この走査によつて得られた光検出器の出力を基準値と比
較した際、前記傷が傷信号として得られるか否かを検知
して、もし、傷信号が得られなかつた場合、前記基準値
を変更し、上記欠点を解消している。
い期間に、即ら、被検体を実際に走査する前に、被検体
の代わりに検出が望まれる大きさの傷を有する試料を走
査面に配し、光学的走査機構によりこの試料を走査し、
この走査によつて得られた光検出器の出力を基準値と比
較した際、前記傷が傷信号として得られるか否かを検知
して、もし、傷信号が得られなかつた場合、前記基準値
を変更し、上記欠点を解消している。
即ち、試料を走査した際の光検出器の出力レベルに対応
して比較の基準値を変更している。しかしながら、この
方法は被検体を実際に走査する前に被検体の代わりに試
料を配しているため、実際の被検体の走査時に於ける光
検出器の出力レベルの変更に対処できないという欠点を
有していた。
して比較の基準値を変更している。しかしながら、この
方法は被検体を実際に走査する前に被検体の代わりに試
料を配しているため、実際の被検体の走査時に於ける光
検出器の出力レベルの変更に対処できないという欠点を
有していた。
本発明の目的はこの欠点を解消した欠陥検出装置を提供
することである。
することである。
そして、この目的を光’ 学的走査機構が実際に被検体
を走査している際、即ち、リアルタイムで前記光検出器
のレベルを検出することによつて達成している。以下本
発明の実施例を添付した図面を使用して説明する。
を走査している際、即ち、リアルタイムで前記光検出器
のレベルを検出することによつて達成している。以下本
発明の実施例を添付した図面を使用して説明する。
第１図中、１はレーザ発振器等の光源である。
２は光源からの光束を回転多面鏡３に向けるミラー、４
、５は回転多面鏡３からの走査ビームを被検面方向に向
けるミラー部材で、４は平面ミラー５は放物面鏡が示さ
れている。
、５は回転多面鏡３からの走査ビームを被検面方向に向
けるミラー部材で、４は平面ミラー５は放物面鏡が示さ
れている。
６は被検面に配置された被検体である。
この被検体６は走査ビームの移動方向に直角の方向に不
図示の装置によつて移動する。７は被検体６によつて反
射され放物面鏡５、ミラー４によつて正反射された光を
光検出器８に向けるミラーである。
図示の装置によつて移動する。７は被検体６によつて反
射され放物面鏡５、ミラー４によつて正反射された光を
光検出器８に向けるミラーである。
従つて、この光検出器８には被検体６の表面が正常の場
合には反射光が入射して、被検体６の表面が異常、即ち
傷による凹凸が有る場合、反射光が入射しない。従つて
、第２図ＴＣ−ＴＤ時間の間の出力が得られる。この出
力を基準値Ｖと比較することによつて欠陥信号が得られ
る。しかしながら、先に述べた様に光源光量の低下等に
より、光検出器の検出信号レベルが低下した場合、例え
ば、検出信号レベルがＶより低くなつた場合、被検面全
体に欠陥があるとされてしまう。この欠点を取り除くた
めに、本発明に於ては、被検体によつて影響を受けてい
ない光を検出しこのレベルが正常であるかを検知するか
、このレベルに対応して基準値を変更している。被検体
によつて影響を受けない光を検出するためには光源１と
回転多面鏡３との間にハーフミラーを配して常時光量を
測光してもよく、又、非走査時間、例えば戻り走査の時
間中だけ光源１と回転多面鏡３に光検出器を挿入しても
よく、更に回転多面鏡による走査ビームの振れ角を大き
くし、被検体が見込む角外に光検出器を配してもよい。
第１図の実施例には最後の方法に類似した方法が示され
ている。
合には反射光が入射して、被検体６の表面が異常、即ち
傷による凹凸が有る場合、反射光が入射しない。従つて
、第２図ＴＣ−ＴＤ時間の間の出力が得られる。この出
力を基準値Ｖと比較することによつて欠陥信号が得られ
る。しかしながら、先に述べた様に光源光量の低下等に
より、光検出器の検出信号レベルが低下した場合、例え
ば、検出信号レベルがＶより低くなつた場合、被検面全
体に欠陥があるとされてしまう。この欠点を取り除くた
めに、本発明に於ては、被検体によつて影響を受けてい
ない光を検出しこのレベルが正常であるかを検知するか
、このレベルに対応して基準値を変更している。被検体
によつて影響を受けない光を検出するためには光源１と
回転多面鏡３との間にハーフミラーを配して常時光量を
測光してもよく、又、非走査時間、例えば戻り走査の時
間中だけ光源１と回転多面鏡３に光検出器を挿入しても
よく、更に回転多面鏡による走査ビームの振れ角を大き
くし、被検体が見込む角外に光検出器を配してもよい。
第１図の実施例には最後の方法に類似した方法が示され
ている。
即ち、被検体６の存在しない走査スパン中に試料９を配
して、この試料９からの光を光検出器８で受けている。
この試料９は被検体６と同等の反射特性を有する欠陥の
ないものが望ましい。最も、装置が透過光を光検出器で
受けるものであつた場合、透過特性が等しいものが望ま
しい。この試料９を走査することによつて、第２図ＴＡ
−ＴＢ時間に示す出力が得られる。このＴＡ−ＴＢ時間
に得られる出力レベルが基準値Ｖに対して所定の関係で
あるか否かを判断することによつて、光源の光量低下等
が判別できる。又、この出力によつて基準値Ｖを変更す
れば光源の光量低下等に基づく装置の誤動作が防止され
る。これらの判別回路、変更回路等を第３図を使用して
説明する。第３図中、Ｓは１水平走査開始信号発生器で
ある。
して、この試料９からの光を光検出器８で受けている。
この試料９は被検体６と同等の反射特性を有する欠陥の
ないものが望ましい。最も、装置が透過光を光検出器で
受けるものであつた場合、透過特性が等しいものが望ま
しい。この試料９を走査することによつて、第２図ＴＡ
−ＴＢ時間に示す出力が得られる。このＴＡ−ＴＢ時間
に得られる出力レベルが基準値Ｖに対して所定の関係で
あるか否かを判断することによつて、光源の光量低下等
が判別できる。又、この出力によつて基準値Ｖを変更す
れば光源の光量低下等に基づく装置の誤動作が防止され
る。これらの判別回路、変更回路等を第３図を使用して
説明する。第３図中、Ｓは１水平走査開始信号発生器で
ある。
そしてこの水平走査開始信号は第２図ＴＯ時間で立上り
、ＴＡ時間までには立下るパルス波である。Ｐは光検出
器である。この光検出器は第１図で符号８で示した光検
出器と同様である。検出器９の出力はゲートＧ２を介し
て積分回路Ｃ３に入力する。ゲートＧ２は水平走査開始
信号の立下りからＴＢ−ＴＡ時間幅のパルス波を発生す
るワンシヨツトマルチ回路Ｗ２によつて制御されている
。即ち、ゲートＧ２はＴＡ−ＴＢ時間だけ開いている。
積分回路Ｃ３によつて得られた積分値は比較回路Ｃ４に
入力される。この比較回路Ｃ４には比較値Ｖ１に対応す
る信号を発生する回路Ｌ５からの信号が入力されている
。従つてＴＡ−ＴＢ時間に得られる出力がＶ１より低い
場合、比較器Ｃ４から比較出力が得られる。この比較出
力を警告装置に入力することによつて、光源の出力低下
が警告される。尚、積分回路Ｃ３の積分値は水平走査開
始信号の立上りによつてクリアーされる。光検出器Ｐの
出力は更にゲートＧ１を介して比較器Ｃ１に入力される
。
、ＴＡ時間までには立下るパルス波である。Ｐは光検出
器である。この光検出器は第１図で符号８で示した光検
出器と同様である。検出器９の出力はゲートＧ２を介し
て積分回路Ｃ３に入力する。ゲートＧ２は水平走査開始
信号の立下りからＴＢ−ＴＡ時間幅のパルス波を発生す
るワンシヨツトマルチ回路Ｗ２によつて制御されている
。即ち、ゲートＧ２はＴＡ−ＴＢ時間だけ開いている。
積分回路Ｃ３によつて得られた積分値は比較回路Ｃ４に
入力される。この比較回路Ｃ４には比較値Ｖ１に対応す
る信号を発生する回路Ｌ５からの信号が入力されている
。従つてＴＡ−ＴＢ時間に得られる出力がＶ１より低い
場合、比較器Ｃ４から比較出力が得られる。この比較出
力を警告装置に入力することによつて、光源の出力低下
が警告される。尚、積分回路Ｃ３の積分値は水平走査開
始信号の立上りによつてクリアーされる。光検出器Ｐの
出力は更にゲートＧ１を介して比較器Ｃ１に入力される
。
このゲートＧ，は水平走査開始信号を処理して得られた
ＴＤ−ＴＣ時間幅のパルス波を発生する回路Ｗ１によつ
て制御されている。従つて、光検出器Ｐからの出力はＴ
Ｃ−ＴＤ時間だけ比較器Ｃ１に入力される。比較器Ｃ，
には積分回路Ｃ３の出力を回路Ｌ３によつてマツチング
した比較信号が入力されている。従つて、この比較器Ｃ
１からは光検出器の出力レベルに見合つた欠陥信号が得
られる。この欠陥信号は更に欠陥の大きさを知るため比
較器Ｃ２に入力される。この比較器の比較値も積分信号
Ｃ３に対応した値にする必要が有る。その理由は光量の
変化によつて、検出信号の振幅が異なるためである。こ
のため、積分回路Ｃ３も回路Ｌ４を介して比較器Ｃ２に
入力されている。従つて、比較器Ｃ２からは所定の大き
さ以上の傷信号のみを含む欠陥信号が得られる。本実施
例は上述の様に構成されているため、光源光量の低下等
の警告が得られると共に、標準試料の反射特性に対応し
た比較基準値が得られる。従つて、例えばロッド毎に反
射率の異なる被検体を走査する場合、各ロッド毎に被検
体の切端を標準試料として使用することによつて前記比
較基準値が容易に得られる。
ＴＤ−ＴＣ時間幅のパルス波を発生する回路Ｗ１によつ
て制御されている。従つて、光検出器Ｐからの出力はＴ
Ｃ−ＴＤ時間だけ比較器Ｃ１に入力される。比較器Ｃ，
には積分回路Ｃ３の出力を回路Ｌ３によつてマツチング
した比較信号が入力されている。従つて、この比較器Ｃ
１からは光検出器の出力レベルに見合つた欠陥信号が得
られる。この欠陥信号は更に欠陥の大きさを知るため比
較器Ｃ２に入力される。この比較器の比較値も積分信号
Ｃ３に対応した値にする必要が有る。その理由は光量の
変化によつて、検出信号の振幅が異なるためである。こ
のため、積分回路Ｃ３も回路Ｌ４を介して比較器Ｃ２に
入力されている。従つて、比較器Ｃ２からは所定の大き
さ以上の傷信号のみを含む欠陥信号が得られる。本実施
例は上述の様に構成されているため、光源光量の低下等
の警告が得られると共に、標準試料の反射特性に対応し
た比較基準値が得られる。従つて、例えばロッド毎に反
射率の異なる被検体を走査する場合、各ロッド毎に被検
体の切端を標準試料として使用することによつて前記比
較基準値が容易に得られる。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図は第１図の光
検出器の出力を示す図、第３図は第１図の光検出器で得
られた出力の信号処理回路のプロツク図である。 図中、１は光源、２はミラー、３は回転多面鏡、４はミ
ラー、５は放物面鏡、６は被検体、７はミラー ８は光
検出器、９は試料である。
検出器の出力を示す図、第３図は第１図の光検出器で得
られた出力の信号処理回路のプロツク図である。 図中、１は光源、２はミラー、３は回転多面鏡、４はミ
ラー、５は放物面鏡、６は被検体、７はミラー ８は光
検出器、９は試料である。
Claims (1)
- １ 光学的走査機構により、光源によつて照明される被
検面を走査して該被検面からの光を光検出器で受け、該
光検出器の出力を基準値と比較して欠陥信号を得る欠陥
検出装置において、前記光学的走査機構により被検体を
走査している期間内に、被検体によつて影響を受けてい
ない光を検出し、この検出値に対応した前記基準値を得
ることを特徴とする欠陥検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15353275A JPS5949533B2 (ja) | 1975-12-23 | 1975-12-23 | ケツカンケンシユツソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15353275A JPS5949533B2 (ja) | 1975-12-23 | 1975-12-23 | ケツカンケンシユツソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5276985A JPS5276985A (en) | 1977-06-28 |
| JPS5949533B2 true JPS5949533B2 (ja) | 1984-12-03 |
Family
ID=15564571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15353275A Expired JPS5949533B2 (ja) | 1975-12-23 | 1975-12-23 | ケツカンケンシユツソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949533B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658645A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-21 | Tdk Corp | Flaw detecting device |
| JPS5950344A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-23 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 硝子ビンのきず検出装置 |
-
1975
- 1975-12-23 JP JP15353275A patent/JPS5949533B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5276985A (en) | 1977-06-28 |
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