JPS5949017A - 駆動回路 - Google Patents
駆動回路Info
- Publication number
- JPS5949017A JPS5949017A JP16032682A JP16032682A JPS5949017A JP S5949017 A JPS5949017 A JP S5949017A JP 16032682 A JP16032682 A JP 16032682A JP 16032682 A JP16032682 A JP 16032682A JP S5949017 A JPS5949017 A JP S5949017A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- light emitting
- conducts
- sequencer
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
- H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、負荷を駆ジノするだめの回路に関する。
工場ｐｒの設備におけるシーケンスコントローラなどの
典型的な先行技術は、第１図に示されている。第１図に
おいて、抵抗Ｒ１、ホトカプラＰＣを４’１１’ｙ成す
る発光ダイオードｌ−’ Ｄ 、表示用発光ダイオード
１〕およびスイッチＳは、直列＋３わ１：されて電源Ｅ
Ｋｆｆ枕され、シーケンスコントローラの入力回路が、
構成される。ホトカプラＰ Ｃｋ ｔｌｉ１７成するホ
トトランジスタＰＴのコレクタには、プルアンプ抵１ｉ
’、 Ｒ２ｆ：介して電圧Ｖｃｃが与えられる。ホトト
ランジスタＰＴのコレクタは、ラインＩ！を介してシー
ケンサ１に接続される。電源Ｅは、直ン危のたとえば２
４Ｖを出力し、抵抗Ｉｔ １の抵抗値廻：、スイッチＳ
ｆ：閉じたとき負荷電流Ｉ ＬがたとえＱま１０ｍＡ位
になるように定める。
典型的な先行技術は、第１図に示されている。第１図に
おいて、抵抗Ｒ１、ホトカプラＰＣを４’１１’ｙ成す
る発光ダイオードｌ−’ Ｄ 、表示用発光ダイオード
１〕およびスイッチＳは、直列＋３わ１：されて電源Ｅ
Ｋｆｆ枕され、シーケンスコントローラの入力回路が、
構成される。ホトカプラＰ Ｃｋ ｔｌｉ１７成するホ
トトランジスタＰＴのコレクタには、プルアンプ抵１ｉ
’、 Ｒ２ｆ：介して電圧Ｖｃｃが与えられる。ホトト
ランジスタＰＴのコレクタは、ラインＩ！を介してシー
ケンサ１に接続される。電源Ｅは、直ン危のたとえば２
４Ｖを出力し、抵抗Ｉｔ １の抵抗値廻：、スイッチＳ
ｆ：閉じたとき負荷電流Ｉ ＬがたとえＱま１０ｍＡ位
になるように定める。
負荷電流ＩＬが流れると、表示用発光ダイオードＤと発
光ダイオードＰＤが発光し、ホトトランジスタＰＴが導
通する。それによって抵托Ｉｔ ２とホトトランジスタ
■）Ｔの接続点の１Ｖ位は、ノｈイレベルからローレベ
ルに下がるため、シーケンサ１にローレベルの信号が人
力される。シーケンスコントローラにおける４１（抗ｌ
ζ１、ホトカプラＰＣ１発’）’（ｌダイオードＤ１ス
イッチＳとから成る入力１１ｊ１路は、たとえば１０〜
２０００位の数である。入力回路の数が多く々ると、電
池’５； ｙ）客用を大きくしなければならない。１だ
抵抗Ｒ１の消費Ｔｌｆ□力Ｖ１′。
光ダイオードＰＤが発光し、ホトトランジスタＰＴが導
通する。それによって抵托Ｉｔ ２とホトトランジスタ
■）Ｔの接続点の１Ｖ位は、ノｈイレベルからローレベ
ルに下がるため、シーケンサ１にローレベルの信号が人
力される。シーケンスコントローラにおける４１（抗ｌ
ζ１、ホトカプラＰＣ１発’）’（ｌダイオードＤ１ス
イッチＳとから成る入力１１ｊ１路は、たとえば１０〜
２０００位の数である。入力回路の数が多く々ると、電
池’５； ｙ）客用を大きくしなければならない。１だ
抵抗Ｒ１の消費Ｔｌｆ□力Ｖ１′。
上述の例ではたとえば約２１０・］１Ｗ程度であり、入
力回路数が多くなるにしたがって、全体の発熱量が大き
く在る。
力回路数が多くなるにしたがって、全体の発熱量が大き
く在る。
本発明の目的は、多くの負荷を少ない消イシ電力で駆動
することができるようにした負荷の駆動回路を提供する
ことである。
することができるようにした負荷の駆動回路を提供する
ことである。
第２図は、本発明の一実施例の′ｌ：ｌｉ気回ｌ囲気あ
る。このシーケンスコントローラでは、工場等の設備に
設けられているスイッチＳｌ、Ｓ２．Ｓ３゜・・・、Ｓ
ｎからの（次号は以下に述べるようにしてシーケンサ１
に人力される。スイッチＳ１に個別的に対応した負荷と
しての表示用発光ダイオードＩ）１とホトカプラ１〕Ｃ
１の発光ダイオードＰ］〕１とは、直列に接続されてい
る。この表示用発光ダイオード１）１と発光ダイオード
ｉ） Ｄ １とは、スイッチング素子としてのＰ Ｎ
Ｐ ｌ−ランジスタＴｒｌに並列に接続されて並列回路
Ａ１が＋ｊＪＨ成される。同様にして、・スイッチ８２
へＳｎに個別的に対応した負荷としての表示用発光ダイ
オードＤ２〜ＤｎおよびホトカプラＰＣ２〜ＰＣｎの発
光ダイオードＰＤ２〜ＰＤ、ｎは、スイッチング素子と
してのＰＮＰ）ランジスタＴｒ２〜Ｔｒｎに並列に接続
されて、ｌ】個の並列回路Ａ２〜Ａｎが構成される。
る。このシーケンスコントローラでは、工場等の設備に
設けられているスイッチＳｌ、Ｓ２．Ｓ３゜・・・、Ｓ
ｎからの（次号は以下に述べるようにしてシーケンサ１
に人力される。スイッチＳ１に個別的に対応した負荷と
しての表示用発光ダイオードＩ）１とホトカプラ１〕Ｃ
１の発光ダイオードＰ］〕１とは、直列に接続されてい
る。この表示用発光ダイオード１）１と発光ダイオード
ｉ） Ｄ １とは、スイッチング素子としてのＰ Ｎ
Ｐ ｌ−ランジスタＴｒｌに並列に接続されて並列回路
Ａ１が＋ｊＪＨ成される。同様にして、・スイッチ８２
へＳｎに個別的に対応した負荷としての表示用発光ダイ
オードＤ２〜ＤｎおよびホトカプラＰＣ２〜ＰＣｎの発
光ダイオードＰＤ２〜ＰＤ、ｎは、スイッチング素子と
してのＰＮＰ）ランジスタＴｒ２〜Ｔｒｎに並列に接続
されて、ｌ】個の並列回路Ａ２〜Ａｎが構成される。
これらの並列回路Ａ１〜Ａｎは、直列に接続されて直列
回路が構成される。並列回路Ａ１〜Ａｎが直列に接続さ
れて’４１Ｑ成される直列回路は、電源Ｅの両端子間に
接続される。スイッチ８１〜Ｓｎが導辿スることによっ
て、介トランジスタＴｒｉ〜Ｔｒｎのベースとエミッタ
とに接続された抵抗１ζＩす１〜Ｉｔ Ｆｙ ｎと、ス
イッチ８１〜Ｓｎとトランジスタ１゛ｒ１〜Ｔ ｒ ｎ
のベース゛との間に介在された抵抗Ｒ４Ｂ１〜Ｂ 、１
３ ｎとのＷ続点の■）位か下がり、トランジスタＴｒ
１〜’、Ｕ ｒ ｎはそれぞれ導１山する。
回路が構成される。並列回路Ａ１〜Ａｎが直列に接続さ
れて’４１Ｑ成される直列回路は、電源Ｅの両端子間に
接続される。スイッチ８１〜Ｓｎが導辿スることによっ
て、介トランジスタＴｒｉ〜Ｔｒｎのベースとエミッタ
とに接続された抵抗１ζＩす１〜Ｉｔ Ｆｙ ｎと、ス
イッチ８１〜Ｓｎとトランジスタ１゛ｒ１〜Ｔ ｒ ｎ
のベース゛との間に介在された抵抗Ｒ４Ｂ１〜Ｂ 、１
３ ｎとのＷ続点の■）位か下がり、トランジスタＴｒ
１〜’、Ｕ ｒ ｎはそれぞれ導１山する。
ホトカプラＰＣＩ〜ＰＣｎでは、各発光ダイオードＰ
Ｄ １− Ｐ Ｉ’、） ｎからの光がホトトランジス
タＰ １’ １〜ｉ”Ｉ’ ｎにそれぞれ受光される。
Ｄ １− Ｐ Ｉ’、） ｎからの光がホトトランジス
タＰ １’ １〜ｉ”Ｉ’ ｎにそれぞれ受光される。
ホトトランジスタＰＴ１〜ＰＴｎ（ｌ−ｔ、プルアップ
抵抗Ｒ８１〜Ｒ，Ｓｎに接続される。ホトトランジスタ
Ｐ′Ｆ１〜Ｐ Ｔ ｎと、ブルアツブオＥ４に、 １１
Ｓ １〜ｒもＳｎとの接続点からの信号は、ライン４
１〜／ｎを介してシーケンサ１に入力される。並列回！
？？ｉＡ１〜Ａｎには、直列に抵抗（己りが介挿される
。抵抗ＲＬの抵抗値は、並列回路Ａ１〜Ａ ｎにおける
トランジスタ’ｆ’ ｒ １〜Ｔｒｎがすべて逅断して
おり、したがって表示用発光ダイオードＤ１〜Ｄｎおよ
び発光ダイオードＰＤＩ〜Ｐ、Ｄｎが発光している状態
において、負荷電流Ｉ Ｌがたとえば約１０ｍＡになる
ように定められる。
抵抗Ｒ８１〜Ｒ，Ｓｎに接続される。ホトトランジスタ
Ｐ′Ｆ１〜Ｐ Ｔ ｎと、ブルアツブオＥ４に、 １１
Ｓ １〜ｒもＳｎとの接続点からの信号は、ライン４
１〜／ｎを介してシーケンサ１に入力される。並列回！
？？ｉＡ１〜Ａｎには、直列に抵抗（己りが介挿される
。抵抗ＲＬの抵抗値は、並列回路Ａ１〜Ａ ｎにおける
トランジスタ’ｆ’ ｒ １〜Ｔｒｎがすべて逅断して
おり、したがって表示用発光ダイオードＤ１〜Ｄｎおよ
び発光ダイオードＰＤＩ〜Ｐ、Ｄｎが発光している状態
において、負荷電流Ｉ Ｌがたとえば約１０ｍＡになる
ように定められる。
畢ＪＪ作中、たとえばスイッチＳ１がｉ！Ｆ、 Ｍ Ｌ
でいるとき、トランジスタＴｒｉは：ｌｉＲ１ｊｊｉ
している。したがって表示用発光ダイオードＤ １およ
びホトカプラＰＣ１０発−＞Ｙ、ダイオードＰＤ１には
電流が流れて点灯している。そのためホトトランジスタ
Ｉ） Ｔ１が導通し、シーケンサ１にはライン１１を介
してローレベルの信号が人力される。
でいるとき、トランジスタＴｒｉは：ｌｉＲ１ｊｊｉ
している。したがって表示用発光ダイオードＤ １およ
びホトカプラＰＣ１０発−＞Ｙ、ダイオードＰＤ１には
電流が流れて点灯している。そのためホトトランジスタ
Ｉ） Ｔ１が導通し、シーケンサ１にはライン１１を介
してローレベルの信号が人力される。
スイッチＳ１が導通したとき、トランジスタＴｒ１には
抵抗ＲＢ１ｉ介してベース電γｆｉ、 Ｉ Ｒ１が流れ
、そのためトランジスタＴ ｒ １は導通する。
抵抗ＲＢ１ｉ介してベース電γｆｉ、 Ｉ Ｒ１が流れ
、そのためトランジスタＴ ｒ １は導通する。
したがって表示用発光ダイオードＩＪ １および発光ダ
イオードＰＤＩは消灯する。そのためホトトランジスタ
Ｐ Ｔ １は律断し、ライン１１からシーケンサ１には
ハイレベルの（Ｎ号が人力される。トランジスタ’ｌ’
ｒ １に流れるベース′１ｌＶ１、流Ｉ Ｂ １ ａ
：、トランジスタ’Ｅ’ ｒ １の電流１１ρ幅率をｈ
Ｆ″Ｅとすると、第１式のとおりとなる。
イオードＰＤＩは消灯する。そのためホトトランジスタ
Ｐ Ｔ １は律断し、ライン１１からシーケンサ１には
ハイレベルの（Ｎ号が人力される。トランジスタ’ｌ’
ｒ １に流れるベース′１ｌＶ１、流Ｉ Ｂ １ ａ
：、トランジスタ’Ｅ’ ｒ １の電流１１ρ幅率をｈ
Ｆ″Ｅとすると、第１式のとおりとなる。
このベース電流Ｉ Ｂ １はごく小さい値である。
したがってスイッチ８１〜Ｓｎに関連する入力回路の数
が多くなっても、表示用発光ダイオードＩ〕１〜Ｄ ｎ
およびホトカプラＩ） Ｃ］〜ＰＣｎの発光ダイオード
ＰＤ１〜ＰＤｎに流、れる負荷電流、［Ｌは小さくてず
与、析杭ＲＬ等による発熱を抑えることができる。
が多くなっても、表示用発光ダイオードＩ〕１〜Ｄ ｎ
およびホトカプラＩ） Ｃ］〜ＰＣｎの発光ダイオード
ＰＤ１〜ＰＤｎに流、れる負荷電流、［Ｌは小さくてず
与、析杭ＲＬ等による発熱を抑えることができる。
２「３２図の実ＩＭｉｊ例では、表示用発光ダイオード
１〕１〜Ｄ ｎと、ホトカプラ１〕Ｃ１〜ＰＣｎに含寸
れている発−）’ｔダイオードＰ１〕１〜Ｐ ｌ） ｎ
との順方向Ｔｌｉ、圧降下の−１１１と、トランジスタ
゛ｌ’ ｒ ｉ 〜’Ｉ’ ｒ ｎの導通時の宙、圧１
；年下とにＶＬ差があり、したがってスイッチ８１〜Ｆ
Ｅ Ｈのスイッチング対応の変化に１．乙、じて、負荷
電流ＩＬが変動するという間（・１０かある。
１〕１〜Ｄ ｎと、ホトカプラ１〕Ｃ１〜ＰＣｎに含寸
れている発−）’ｔダイオードＰ１〕１〜Ｐ ｌ） ｎ
との順方向Ｔｌｉ、圧降下の−１１１と、トランジスタ
゛ｌ’ ｒ ｉ 〜’Ｉ’ ｒ ｎの導通時の宙、圧１
；年下とにＶＬ差があり、したがってスイッチ８１〜Ｆ
Ｅ Ｈのスイッチング対応の変化に１．乙、じて、負荷
電流ＩＬが変動するという間（・１０かある。
この問題を解決するために２菖３図に示されろ本発明の
仙の実施例では、抵抗ＲＬの代りに′？電流１；ｌ！；
＜ ２が月１いられる。第３図に示される他の４”ｉ’
ｊ成ｉ＋１、第２図に示される実施例と同様である。
仙の実施例では、抵抗ＲＬの代りに′？電流１；ｌ！；
＜ ２が月１いられる。第３図に示される他の４”ｉ’
ｊ成ｉ＋１、第２図に示される実施例と同様である。
本発明のさらに他の実施例として、スイッチング素子の
トランジスタＴｒｉ〜Ｔｒｎに代えて電界効果トランジ
スタを用いてもよく、その他の構成によって実現されて
もよい。本発明は、シーケンスコントローラに関連して
実施されることのみに限ることは意図されておらず、負
荷を駆動するために広範囲の技術分野において実ｉｔＱ
されることができる。
トランジスタＴｒｉ〜Ｔｒｎに代えて電界効果トランジ
スタを用いてもよく、その他の構成によって実現されて
もよい。本発明は、シーケンスコントローラに関連して
実施されることのみに限ることは意図されておらず、負
荷を駆動するために広範囲の技術分野において実ｉｔＱ
されることができる。
以上のように本発明によれば、負荷とスイッチング素子
とから成る並列回路を直列に接続して、仁の直列回路に
電力を供給するようにしたので、多数の負荷を少ない消
費πエカで駆動することができるようになる。そのため
電源の容量を軽減することができ、また無駄な熱消費が
防がれる。
とから成る並列回路を直列に接続して、仁の直列回路に
電力を供給するようにしたので、多数の負荷を少ない消
費πエカで駆動することができるようになる。そのため
電源の容量を軽減することができ、また無駄な熱消費が
防がれる。
第１図は先行技術の電気回路図、第２図は本発明の一実
施例の電気回路図、ｆＰ、３図は本発明の他の実施例の
電気回路図である。 １・・・シーケンサ、２・・・定電流源、Ｓ１〜Ｓ ｎ
・・・スイッチ、Ａ１〜Ａｎ・・・１ト列回路、Ｄ１〜
Ｄｎ・・・表示用発光ダイオード、ＰＣ１〜ＰＣｎ・・
・ホトカプラ、ＰＤ１〜ＰＩ）ｎ・・・発光ダイオード
、ＰＴＩ〜ＰＴｎ・・・ホトトランジスタ、Ｔｒｌ〜１
” ｒ ｎ・・・トランジスタ 代理人 弁理士 西教圭一部
施例の電気回路図、ｆＰ、３図は本発明の他の実施例の
電気回路図である。 １・・・シーケンサ、２・・・定電流源、Ｓ１〜Ｓ ｎ
・・・スイッチ、Ａ１〜Ａｎ・・・１ト列回路、Ｄ１〜
Ｄｎ・・・表示用発光ダイオード、ＰＣ１〜ＰＣｎ・・
・ホトカプラ、ＰＤ１〜ＰＩ）ｎ・・・発光ダイオード
、ＰＴＩ〜ＰＴｎ・・・ホトトランジスタ、Ｔｒｌ〜１
” ｒ ｎ・・・トランジスタ 代理人 弁理士 西教圭一部
Claims (1)
- 負荷とスイッチング素子とから成る複数の並列回路を直
列に接続し、その直列回路を電源の両端子間にすｖ続し
、スイッチング素子をオンオフ制御することを特徴とし
ている、駆促１回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16032682A JPS5949017A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16032682A JPS5949017A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949017A true JPS5949017A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15712538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16032682A Pending JPS5949017A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949017A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271926U (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | ||
| JPH0382173A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Fuji Electric Co Ltd | 入出力信号絶縁回路 |
| JPH0685527U (ja) * | 1993-04-30 | 1994-12-06 | リズム時計工業株式会社 | スイッチ回路 |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP16032682A patent/JPS5949017A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271926U (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | ||
| JPH0382173A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Fuji Electric Co Ltd | 入出力信号絶縁回路 |
| JPH0685527U (ja) * | 1993-04-30 | 1994-12-06 | リズム時計工業株式会社 | スイッチ回路 |
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