JPS5947735A - ガラス被覆半導体装置用不要ガラス除去装置 - Google Patents
ガラス被覆半導体装置用不要ガラス除去装置Info
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- JPS5947735A JPS5947735A JP57158153A JP15815382A JPS5947735A JP S5947735 A JPS5947735 A JP S5947735A JP 57158153 A JP57158153 A JP 57158153A JP 15815382 A JP15815382 A JP 15815382A JP S5947735 A JPS5947735 A JP S5947735A
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- Japan
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- semiconductor
- spinner
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｉ−を電気泳動法でガラス金付着した半導体ウェ
ハ端面に付臂する不要ガラスの除去装置に門する。
ハ端面に付臂する不要ガラスの除去装置に門する。
ガラス膜は半導体装置のバツンベーション材トして、信
頼性及び再現性の面で優れているため、しばしば用いら
れている。ガラス１１弾の形成方法は、量産性に優れ必
要部に選択付着のできる電気泳動法によシガラス粉末を
付着せしめ、これを電気炉中で焼成する方法が一般的で
ある。しかし、′電気泳動法によるガラス付着方法は次
に述べる欠点もあシ、通常の無機膜を用いた半導体装置
に比べ自動化しにくくコスト高の要因ともなっている。
頼性及び再現性の面で優れているため、しばしば用いら
れている。ガラス１１弾の形成方法は、量産性に優れ必
要部に選択付着のできる電気泳動法によシガラス粉末を
付着せしめ、これを電気炉中で焼成する方法が一般的で
ある。しかし、′電気泳動法によるガラス付着方法は次
に述べる欠点もあシ、通常の無機膜を用いた半導体装置
に比べ自動化しにくくコスト高の要因ともなっている。
すなわちガラス付着自体は通常の金属メッキ等の電着方
法と同じく自動化も容易であるが、ガラス付着成牛導体
つエノ・の処理に人手を要する場合が多かった。電気泳
動法による半導体ウエノ・へのガラス付着方法は周知の
通り、ガラス粉末を分散させ電Ｍ質を溶かし込んだ泳動
液中に半導体ウエノ・及び対向電極を浸漬し、これに直
流電圧を印加すれば良い。これらの方法により、（Ｉ）
半導体ウエノ・はガラス不要な面まで、ガラス粉末の浮
遊する浴槽中に浸漬されるため、例えばサイリスクの場
合においてはゲート、カソード間、トランジスタの場合
はエミッタ、ベース間等がガラス粉末によって汚染され
る、（２）ガラス付着以前工程、具体的には溝エツチン
グにより半導体ウエノ・端面のシリカ等の絶縁物は他の
面に比べ損傷され７リコン表面が露出している場合が多
く、従ってこの部分にはガラス粉が強固に付着する、と
いう欠点がある。これら不要のガラスを処理せず焼成し
た場合、ガラスの突起あるいはウェハの反υ等の現象が
見られ、その後の電極形成工程で用いるホトリソグラフ
ィ法での密着露光においてガラスマスクを傷つけたシ、
ウェハ割れの原因ともなっていた。上述した従来方法の
欠点を改善するためにガラス粒子１１Ｊの接着力を向上
させ、ガラス刊着後に水洗する方法やウェハ表面をこす
り取る方法等が試みられているがいずれも従来方法の欠
点をカバーするに至っていない。
法と同じく自動化も容易であるが、ガラス付着成牛導体
つエノ・の処理に人手を要する場合が多かった。電気泳
動法による半導体ウエノ・へのガラス付着方法は周知の
通り、ガラス粉末を分散させ電Ｍ質を溶かし込んだ泳動
液中に半導体ウエノ・及び対向電極を浸漬し、これに直
流電圧を印加すれば良い。これらの方法により、（Ｉ）
半導体ウエノ・はガラス不要な面まで、ガラス粉末の浮
遊する浴槽中に浸漬されるため、例えばサイリスクの場
合においてはゲート、カソード間、トランジスタの場合
はエミッタ、ベース間等がガラス粉末によって汚染され
る、（２）ガラス付着以前工程、具体的には溝エツチン
グにより半導体ウエノ・端面のシリカ等の絶縁物は他の
面に比べ損傷され７リコン表面が露出している場合が多
く、従ってこの部分にはガラス粉が強固に付着する、と
いう欠点がある。これら不要のガラスを処理せず焼成し
た場合、ガラスの突起あるいはウェハの反υ等の現象が
見られ、その後の電極形成工程で用いるホトリソグラフ
ィ法での密着露光においてガラスマスクを傷つけたシ、
ウェハ割れの原因ともなっていた。上述した従来方法の
欠点を改善するためにガラス粒子１１Ｊの接着力を向上
させ、ガラス刊着後に水洗する方法やウェハ表面をこす
り取る方法等が試みられているがいずれも従来方法の欠
点をカバーするに至っていない。
本発明の目的は前述した半導体ウェハ上に伺着する不要
ガラスを簡便でかつ効率よく除去できる装置を提供する
ことにある。
ガラスを簡便でかつ効率よく除去できる装置を提供する
ことにある。
半導体ウェハ上に付着する不要ガラスは前述したように
（１）ウェハ表面の絶縁膜上に付伊するガラスと（２）
ウェハ端面に伺着するもの及び（３）ウェハ裏面に付着
するものの３神類が存在する。（１）及び（２）ｔよ綿
棒でふれただけで落ちる程度の付着力の弱いものであシ
我々ｔｉ夾験的に付着力の差を利用Ｌｙ ｌｆ’ｉ：圧
カスを吹き伺りることにより選択的に除去できることを
発見した。捷だ（２）は必要部分のガラスと同じく電気
的に付着したものであるか、デバイ７の形成されないウ
ェハの端面であり＋〜械的に取り除けは良い。
（１）ウェハ表面の絶縁膜上に付伊するガラスと（２）
ウェハ端面に伺着するもの及び（３）ウェハ裏面に付着
するものの３神類が存在する。（１）及び（２）ｔよ綿
棒でふれただけで落ちる程度の付着力の弱いものであシ
我々ｔｉ夾験的に付着力の差を利用Ｌｙ ｌｆ’ｉ：圧
カスを吹き伺りることにより選択的に除去できることを
発見した。捷だ（２）は必要部分のガラスと同じく電気
的に付着したものであるか、デバイ７の形成されないウ
ェハの端面であり＋〜械的に取り除けは良い。
以下、本発明の実施例を図によって説明する。
電気泳動法でガラスを付着した半導体ウエノ・上に付着
する不要ガラスは（１）側面、（２）裏面、（３）表面
の１−で除去すれば良い。第１図はそのｌ実施例である
。ベルト等によシ運ばれたガラス付着後の半導体ウェハ
１．１をスピンナー１．２上に吸着固定した後回転させ
る。次に本装置の上部（場合によっては下部又は側面で
も良い）に設置したアーム１．３を静かに半導体ウニ・
・１．１の側面に押し付は機械的に半導体ウエノ・側面
の不要ガラスをこすυ落す。
する不要ガラスは（１）側面、（２）裏面、（３）表面
の１−で除去すれば良い。第１図はそのｌ実施例である
。ベルト等によシ運ばれたガラス付着後の半導体ウェハ
１．１をスピンナー１．２上に吸着固定した後回転させ
る。次に本装置の上部（場合によっては下部又は側面で
も良い）に設置したアーム１．３を静かに半導体ウニ・
・１．１の側面に押し付は機械的に半導体ウエノ・側面
の不要ガラスをこすυ落す。
アーム１．３には毛足の短いブラシ又はスポンジ等比較
的やわらかく半導体ウエノ・１．１をはさみ込む際破損
させない材質１．４かはυつけである。又、アームは３
本以上あれば良い。次にスピンナー１．２の回転を停止
させ吸着を解除しアーム１．３によシ半導体ウニ／・１
．１を固定した後スピンナー１．２ヲ下方へ落し込む。
的やわらかく半導体ウエノ・１．１をはさみ込む際破損
させない材質１．４かはυつけである。又、アームは３
本以上あれば良い。次にスピンナー１．２の回転を停止
させ吸着を解除しアーム１．３によシ半導体ウニ／・１
．１を固定した後スピンナー１．２ヲ下方へ落し込む。
次いて半導体ウエノ・の下方に設置した１個又は複数個
のノズル１．５１ｃ移動させながら空気又は窒素等のガ
スを吹き付は半導体ウェハ裏面の不要ガラスを除去する
。裏面の絶縁膜は半導体装置の種類によってｅま、その
後の工程で除去されてしまうので不要カラスが突起とな
ｐホトリンクラフイ一工程の障害とならなりれθＪ、良
く、ガスを吹き伺ける方法とは別にブラシを移動させて
機械的にこす！７落しても良い。次にノスル１．５ヲ元
の位置にもとしスピンナーを押し上げ半導体ウエノ・１
．１ヲ吸着しアーｌ、１．３の固定を解除する。スピン
ナーを回転させたのち、半導体ウェハ表面の上方に設置
したノズル１．６を移動さげながら空気又は窒素等のガ
スを吹き伺り４、曹ガラスをＵＢ；去することで目的の
不要ガラスを簡（更かつ迅速に除去できる。
のノズル１．５１ｃ移動させながら空気又は窒素等のガ
スを吹き付は半導体ウェハ裏面の不要ガラスを除去する
。裏面の絶縁膜は半導体装置の種類によってｅま、その
後の工程で除去されてしまうので不要カラスが突起とな
ｐホトリンクラフイ一工程の障害とならなりれθＪ、良
く、ガスを吹き伺ける方法とは別にブラシを移動させて
機械的にこす！７落しても良い。次にノスル１．５ヲ元
の位置にもとしスピンナーを押し上げ半導体ウエノ・１
．１ヲ吸着しアーｌ、１．３の固定を解除する。スピン
ナーを回転させたのち、半導体ウェハ表面の上方に設置
したノズル１．６を移動さげながら空気又は窒素等のガ
スを吹き伺り４、曹ガラスをＵＢ；去することで目的の
不要ガラスを簡（更かつ迅速に除去できる。
なお、上記した本発明において半導体ウエノ・１．１裏
面の不要ガラスは泳動法によシガラス付着工程で半導体
ウエノ・１．１を押える治具を改良す２）ことで周辺部
のみにしかつかない、鳴合もある。乙の場合は半導体ウ
エノ・１．１個面の不要ガラスをアーム１．３によって
こすり落したあとはアームを元ノ位置に離して、スピン
ナー１．２によゆ半導体ウェハ１，１を回転させたまま
上１丁両方向のノズル１．５及び１．６から空気又は窒
素等のガスの吹き付けを同時に行っても良い。
面の不要ガラスは泳動法によシガラス付着工程で半導体
ウエノ・１．１を押える治具を改良す２）ことで周辺部
のみにしかつかない、鳴合もある。乙の場合は半導体ウ
エノ・１．１個面の不要ガラスをアーム１．３によって
こすり落したあとはアームを元ノ位置に離して、スピン
ナー１．２によゆ半導体ウェハ１，１を回転させたまま
上１丁両方向のノズル１．５及び１．６から空気又は窒
素等のガスの吹き付けを同時に行っても良い。
次に第２の実施例を図によって説明する。
半導体ウェハｚ１は第１の実施例と同様ベルト等により
運ばれ、（ａ）で示すようにスピンナー２．２上で吸着
固定される。このスピンナーを押し上げると共に回転さ
せる。次いで毛先２．４の短いブラシ又はスポンジ等を
は９つけたアーム２．３を半導体ウェハ２．２の側面に
押し付ける。この場合のアームは第１の実施例とは異な
りその後半導体ウェハ２．１は固定する必要がないので
１本でも良い。
運ばれ、（ａ）で示すようにスピンナー２．２上で吸着
固定される。このスピンナーを押し上げると共に回転さ
せる。次いで毛先２．４の短いブラシ又はスポンジ等を
は９つけたアーム２．３を半導体ウェハ２．２の側面に
押し付ける。この場合のアームは第１の実施例とは異な
りその後半導体ウェハ２．１は固定する必要がないので
１本でも良い。
側面の不要ガラスを除去したあと、アーム２．３を元の
位置にもどしスピンナー２．３の回転を停止させつめ２
．７によυ半導体ウニ、−２，１を固定するとともに内
側のスピンナー２．２を下げ（ｂ）で示すことき状態に
する。次いで外側のスピンナー２．６を回転させ半導体
ウニ・・２．１の下方に設置した１個又は複数個のノズ
ル２．８ヲ移動させながら空気又は窒素等のガスを吹き
付は半導体ウエノ・２．１裏面の不要ガラスを除去する
。次いで半導体ウエノ・２，１表面上方に設置したノズ
ル２．５金移動させながら空気又は窒素等のガスを吹き
利は不要ガラスを除去する。その後、内側のスピンナー
２．２ヲ上昇させ半導体ウェハ２．１ヲ吸着固定しつめ
２．７’ｒ（ａ）の状態に開放しさらには内側のスピン
ナーを降ドさせ吸着を解除しベルト等で次の工程へ移動
させる。
位置にもどしスピンナー２．３の回転を停止させつめ２
．７によυ半導体ウニ、−２，１を固定するとともに内
側のスピンナー２．２を下げ（ｂ）で示すことき状態に
する。次いで外側のスピンナー２．６を回転させ半導体
ウニ・・２．１の下方に設置した１個又は複数個のノズ
ル２．８ヲ移動させながら空気又は窒素等のガスを吹き
付は半導体ウエノ・２．１裏面の不要ガラスを除去する
。次いで半導体ウエノ・２，１表面上方に設置したノズ
ル２．５金移動させながら空気又は窒素等のガスを吹き
利は不要ガラスを除去する。その後、内側のスピンナー
２．２ヲ上昇させ半導体ウェハ２．１ヲ吸着固定しつめ
２．７’ｒ（ａ）の状態に開放しさらには内側のスピン
ナーを降ドさせ吸着を解除しベルト等で次の工程へ移動
させる。
以上、述べた第２の装置ｅｔは次の順序で行っても良い
。すなわち、ベルト等で運Ｑよれた半導体ウェハ２．１
を内側スピンナ−２，２に吸着同定したのし上昇させ回
転を開始する。次いで半導体ウェハ２．１端而の不要ガ
ラスを除去すべきアーム２．３を押し付けた後アーム２
．３を元の位置にもとし半導体ウェハ２．１表面の上方
に設置したノズル２．５’ｔ ：ｌ多動させながら空気
又は窒素ガス等を吹き付けたのちつめ２，７を起しくｂ
）の状態になるよう内側スピンナー２．２を降下させた
のち外側スピンナー２．６ ′ｆ！：回転させながらノ
ズル２．８により空気又は窒素ガスを吹き付けることで
も良い。更には（ｂ）の動作においてノズル２．５及び
２．６で空気又は窒素ガスを同時に吹き付は不要ガラス
を除去しても良い。
。すなわち、ベルト等で運Ｑよれた半導体ウェハ２．１
を内側スピンナ−２，２に吸着同定したのし上昇させ回
転を開始する。次いで半導体ウェハ２．１端而の不要ガ
ラスを除去すべきアーム２．３を押し付けた後アーム２
．３を元の位置にもとし半導体ウェハ２．１表面の上方
に設置したノズル２．５’ｔ ：ｌ多動させながら空気
又は窒素ガス等を吹き付けたのちつめ２，７を起しくｂ
）の状態になるよう内側スピンナー２．２を降下させた
のち外側スピンナー２．６ ′ｆ！：回転させながらノ
ズル２．８により空気又は窒素ガスを吹き付けることで
も良い。更には（ｂ）の動作においてノズル２．５及び
２．６で空気又は窒素ガスを同時に吹き付は不要ガラス
を除去しても良い。
以上、述べた第１図、第２図の装置によりこれまでの泳
動法の欠点であった不便ガラスが簡便でかつ迅速に効率
よく除去できるようになった。
動法の欠点であった不便ガラスが簡便でかつ迅速に効率
よく除去できるようになった。
又、本発明になる装置のノズルから吹き出す空気又は窒
素ガス等の流量又は圧力等を適当に調節することによシ
ミ気泳動で付着した不ぞろいなガラスの形状金一定な厚
みに形成できる利点も合せもっている。
素ガス等の流量又は圧力等を適当に調節することによシ
ミ気泳動で付着した不ぞろいなガラスの形状金一定な厚
みに形成できる利点も合せもっている。
以上は第１図、第２図により本発明の実施例について述
べた。本発明によれば、従来の電気泳動法によシガラス
を付着させた。場合の欠点を効率良く取り除くことがで
きる。例えば、第１には、半導体ウェハ外側に付着した
不要ガラスがなくなシ１ホ） ＩＪソングラフイー法用
いるその後の電極工程でのウェハの割れ、ホトマスクｔ
′きずっけたシすることがなくなる。第２には、半導体
ウェハ表面に付着する不要ガラスは本発明の装置を用い
ることによシ簡・Ｐ−に除去できるためホトリソグラフ
ィー法を用いる電極工程でのパターン形成が容易になシ
、また突起もなくなシホトマスクの密着性の向上しパタ
ーンＣ１度の向上がはがれる。さらに第３には、半導体
ウニ、ハの裏面においでも本発明の装置により簡１ｔに
ガラスが除去できることからこれまでにホトエ桿でのア
ライメント作イと時の半導体ウェハの吸着がガラスの突
起に上り困り・１ｔであったことも全くなくなった。
べた。本発明によれば、従来の電気泳動法によシガラス
を付着させた。場合の欠点を効率良く取り除くことがで
きる。例えば、第１には、半導体ウェハ外側に付着した
不要ガラスがなくなシ１ホ） ＩＪソングラフイー法用
いるその後の電極工程でのウェハの割れ、ホトマスクｔ
′きずっけたシすることがなくなる。第２には、半導体
ウェハ表面に付着する不要ガラスは本発明の装置を用い
ることによシ簡・Ｐ−に除去できるためホトリソグラフ
ィー法を用いる電極工程でのパターン形成が容易になシ
、また突起もなくなシホトマスクの密着性の向上しパタ
ーンＣ１度の向上がはがれる。さらに第３には、半導体
ウニ、ハの裏面においでも本発明の装置により簡１ｔに
ガラスが除去できることからこれまでにホトエ桿でのア
ライメント作イと時の半導体ウェハの吸着がガラスの突
起に上り困り・１ｔであったことも全くなくなった。
第１図及び第２図は本発明になる不要ガラス除去装置の
断面図である。 １．１，２．１・・・平導体ウェハ、１．５１ Ｊ、
６．２．５゜２．８・・・ノズル、１．３．２．３・・
・アー１１．１．４，２．４・・・ブラシあるいはスポ
ンジ等、１．２．２．２．２．６Ａ述・ｊｌ、゛ 察１図 第２図
断面図である。 １．１，２．１・・・平導体ウェハ、１．５１ Ｊ、
６．２．５゜２．８・・・ノズル、１．３．２．３・・
・アー１１．１．４，２．４・・・ブラシあるいはスポ
ンジ等、１．２．２．２．２．６Ａ述・ｊｌ、゛ 察１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気泳動法でガラスを付着せしめた半導体つ工・・
の不要部分のガラスを除去する装置に於いて、上記半導
体ウェハを吸着固定し回転する部分と、回転する上記半
導体ウエノ・の端部に付着するガラスをこすシ取ること
及びささえることのできる部分と、上記半導体ウエノ・
の表裏全面を各々カッ＜−できる範囲に移動しガスを吹
き付けるノズルとを具備することを特徴としたガラス被
覆半導体装置用不要ガラス除去装置。 ２、特許請求の範囲第１項に於いてガラスを吹き付ける
べきノズルは１個あるいは複数個設置されており、この
ノズルからは高圧の空気、酸素、空素アルゴンあるいは
炭酸ガス等から選ばれた少なくとも一種類が半導体ウェ
ハ表面に吹き付けられるように構成されていることを特
徴とするガラス被覆半導体装置用不要ガラス除去装置。 ３、特許請求の範囲第１項或いは第２項に於いて、端部
の不要ガラスを除去し、半導体ウニ・・全ささえ保持す
る部分は宅配の短いグラスチック製ブラシ又はスポンジ
状の物質から成っていることを特徴とするガラス被覆半
導体装置用不要ガラス除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158153A JPS5947735A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | ガラス被覆半導体装置用不要ガラス除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158153A JPS5947735A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | ガラス被覆半導体装置用不要ガラス除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947735A true JPS5947735A (ja) | 1984-03-17 |
Family
ID=15665418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158153A Pending JPS5947735A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | ガラス被覆半導体装置用不要ガラス除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5947735A (ja) |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP57158153A patent/JPS5947735A/ja active Pending
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