JPS5947369A - 溶射被膜の再溶融処理方法 - Google Patents
溶射被膜の再溶融処理方法Info
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- JPS5947369A JPS5947369A JP15681282A JP15681282A JPS5947369A JP S5947369 A JPS5947369 A JP S5947369A JP 15681282 A JP15681282 A JP 15681282A JP 15681282 A JP15681282 A JP 15681282A JP S5947369 A JPS5947369 A JP S5947369A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、被処理物の表面１に形成ＨＸ Ｉｔ ７．
−溶射被膜の再溶融処理力法に門１イ）イ、いてバ・・
イ１６、被処理物の表面）・に、溶ｒｐ−＋法Ｌ（よ−
）−（例ン０．１白溶性合金の溶射彼１ｊら１を形成−
４゛イ・ｋ２／）にＧ」、つ−７−）前処理−１：稈に
より被処理物の表向を１１１面山１人・「４二、■１化
きれた表面に溶射利とし゛（自溶１ｆ１合合の溶射を行
ない、ついで形成さｉ］ｋ白溶白金性合金Ｊ〕・１腔膜
に対し再溶融処理を施し、に後、イ１１υ１１： （、
’、！ ＆（−より前記破膜の表面ｆｌ： Ｌ、 ＆ｉ
ろ・’ｌｉ’ ｆｔ： ’］ ４つグ）Ｉ″ｐ、ｌ／Ａ
必要表している。
−溶射被膜の再溶融処理力法に門１イ）イ、いてバ・・
イ１６、被処理物の表面）・に、溶ｒｐ−＋法Ｌ（よ−
）−（例ン０．１白溶性合金の溶射彼１ｊら１を形成−
４゛イ・ｋ２／）にＧ」、つ−７−）前処理−１：稈に
より被処理物の表向を１１１面山１人・「４二、■１化
きれた表面に溶射利とし゛（自溶１ｆ１合合の溶射を行
ない、ついで形成さｉ］ｋ白溶白金性合金Ｊ〕・１腔膜
に対し再溶融処理を施し、に後、イ１１υ１１： （、
’、！ ＆（−より前記破膜の表面ｆｌ： Ｌ、 ＆ｉ
ろ・’ｌｉ’ ｆｔ： ’］ ４つグ）Ｉ″ｐ、ｌ／Ａ
必要表している。
十記ｌ：稈のうち、自溶１ソ１合仝溶射岐膜Ｉ／′）円
溶融処理は、溶射破膜な１１！（孔′Ｕとろ−Ｌ、肢処
理物の大曲］、に前記破膜を完全に融合ぜ］めイ、ブと
めの中力、°ｔ１王程であ７．）。
溶融処理は、溶射破膜な１１！（孔′Ｕとろ−Ｌ、肢処
理物の大曲］、に前記破膜を完全に融合ぜ］めイ、ブと
めの中力、°ｔ１王程であ７．）。
この１１（溶融処理は、被処理物の表面Ｉに＋＋４成さ
ｔまた自溶Ｖ１合金の溶射被膜を、例えば１・−イから
噴射さ）する酸素−アセチレン炎の如きりｊシ１１１；
ｉ （′Ｘ加軌することにより再溶融ずろもので、この
処理ｂ：１ｒａｔ来作業員により手作業て行なわ１１て
ぃ／ζ。
ｔまた自溶Ｖ１合金の溶射被膜を、例えば１・−イから
噴射さ）する酸素−アセチレン炎の如きりｊシ１１１；
ｉ （′Ｘ加軌することにより再溶融ずろもので、この
処理ｂ：１ｒａｔ来作業員により手作業て行なわ１１て
ぃ／ζ。
即ち、作業員がトーチを用い溶射被膜の表面を加熱する
と共にその表面状態を目視で観、察し、加熱によって皮
膜が光沢をもち、あぶらぎったように見えろ状態に二な
ろ如くトーチを千で操作し、被膜の表面１を移動してい
た。
と共にその表面状態を目視で観、察し、加熱によって皮
膜が光沢をもち、あぶらぎったように見えろ状態に二な
ろ如くトーチを千で操作し、被膜の表面１を移動してい
た。
しか７．、に１１述した操作には市川的な基準がなく、
作業員の勘に頼っていたため作業に熟練を要し、しかも
溶射被膜を過熱したり、まｆ、： 針ｔ １１１１ぜＬ
不足で被膜に未溶融部が生ずる等の問題があった。
作業員の勘に頼っていたため作業に熟練を要し、しかも
溶射被膜を過熱したり、まｆ、： 針ｔ １１１１ぜＬ
不足で被膜に未溶融部が生ずる等の問題があった。
この発明は、ｌ−、述のような観点から、被処理物の表
面１−に形成された溶射被膜の再溶融処理に当り、被膜
に過熱や未溶融が牛することなく、しかも作業に熟練を
要しないで簡ｉ１ｔかつ適確に自動的に再溶融処理を行
なうことができる溶射被膜の再溶融処理方法を提供する
もので、熱源により加熱された溶射被膜の再溶融面の温
輿を連続的に測定し、得られた測定値と、予め前記溶射
被膜を形成する溶射拐の特性により設定した再溶融面の
最高加熱温度お」＝び最低加熱温度との関係に基づいて
、加熱熱源または被処理物の移動速度を制御するととに
特徴を有するものである。
面１−に形成された溶射被膜の再溶融処理に当り、被膜
に過熱や未溶融が牛することなく、しかも作業に熟練を
要しないで簡ｉ１ｔかつ適確に自動的に再溶融処理を行
なうことができる溶射被膜の再溶融処理方法を提供する
もので、熱源により加熱された溶射被膜の再溶融面の温
輿を連続的に測定し、得られた測定値と、予め前記溶射
被膜を形成する溶射拐の特性により設定した再溶融面の
最高加熱温度お」＝び最低加熱温度との関係に基づいて
、加熱熱源または被処理物の移動速度を制御するととに
特徴を有するものである。
次に、この発明の方法を図面に基づいて説明する０
第１図はこの発明方法の説明図で、１は溶Ｑ−１′ｆＩ
ン膜が形成された被処理物、２ ｉｄ−、ｌｉｌ、Ｑ処
理物１を・１＆せて水平方向に移動自在な台、：３は被
処理物１の１かにあって被処理物１を加熱するための、
例えＱ」゛酸素−アセチレン炎、酸素−水素炎、プラズ
マ炎、高周波誘導加熱、レーザーなとの如き熱源、４は
熱源３を水下方向に自在に移動させるゲし源移動装置で
ある。
ン膜が形成された被処理物、２ ｉｄ−、ｌｉｌ、Ｑ処
理物１を・１＆せて水平方向に移動自在な台、：３は被
処理物１の１かにあって被処理物１を加熱するための、
例えＱ」゛酸素−アセチレン炎、酸素−水素炎、プラズ
マ炎、高周波誘導加熱、レーザーなとの如き熱源、４は
熱源３を水下方向に自在に移動させるゲし源移動装置で
ある。
溶射被膜が形成さノ１を被処理物＋（ｌ−１，熱源：３
によってその溶射被膜が１万溶融されるが、その＋１溶
融面５のｚ都度は、温度８１６によって常時４１１１γ
ｉ′さ）する。温度用６は、非接触型の放射温度；￥１
、光扁ＩＣ泪、２色高濡度語りηのほか熱電７１を使用
ずイ、こともできる。
によってその溶射被膜が１万溶融されるが、その＋１溶
融面５のｚ都度は、温度８１６によって常時４１１１γ
ｉ′さ）する。温度用６は、非接触型の放射温度；￥１
、光扁ＩＣ泪、２色高濡度語りηのほか熱電７１を使用
ずイ、こともできる。
７は、温度８１６からの人力により、被処理・物１が載
置された台２または、熱源移動装置４にλ、１し、所定
速度での移動を指令するための制？ａ監であイ、。
置された台２または、熱源移動装置４にλ、１し、所定
速度での移動を指令するための制？ａ監であイ、。
制御器７には、温度を変数とした数式が記憶されている
マイクロコンピュータが組込まれており、このマイクロ
コンピュータは、温度計６から人力された値に基づき、
記憶されている数式によって演算を行ない、その結果を
台２または熱源移動装置４に出力する。
マイクロコンピュータが組込まれており、このマイクロ
コンピュータは、温度計６から人力された値に基づき、
記憶されている数式によって演算を行ない、その結果を
台２または熱源移動装置４に出力する。
台２または熱源移動装＠４は、−１−述した制御器７か
らの出力を受けて、温度用６で測定された再溶融面５の
温度に対応する速度で移動して被処理物の末再溶融面の
加熱に移り、かくして被処理物１にはその溶射破膜が次
々と連続的に再溶融処理が施される。
らの出力を受けて、温度用６で測定された再溶融面５の
温度に対応する速度で移動して被処理物の末再溶融面の
加熱に移り、かくして被処理物１にはその溶射破膜が次
々と連続的に再溶融処理が施される。
なお、＝１−記処理に１３いて、熱源３を固定して被処
理物１の載置された台２を移動するか、または、被処理
物１の載置された台２を固定して熱源３を移動するかは
、被処理物１の形状や熱１ｊｉｉ ３の種類によって適
宜選択することができる。
理物１の載置された台２を移動するか、または、被処理
物１の載置された台２を固定して熱源３を移動するかは
、被処理物１の形状や熱１ｊｉｉ ３の種類によって適
宜選択することができる。
次に、この発明方法を実施例により川に具体的に説明す
る。
る。
第２図はこの実施例に使用した再溶融処理装置の説明図
で、試料である被処理物１は、１辺が１００ ｍｍで厚
さが１ｏｍｍのＳ Ｕ Ｓ ３０ ／Ｉ板であり、その
片面に溶射拐としてニッケル基白溶性合金（ＭＳＦＮｉ
３）５０．９を、高周波ノ０ラズマ炎しこより溶射し溶
射被膜を形成した。
で、試料である被処理物１は、１辺が１００ ｍｍで厚
さが１ｏｍｍのＳ Ｕ Ｓ ３０ ／Ｉ板であり、その
片面に溶射拐としてニッケル基白溶性合金（ＭＳＦＮｉ
３）５０．９を、高周波ノ０ラズマ炎しこより溶射し溶
射被膜を形成した。
溶射被膜の耐溶融処理は、その熱源として１１７１Ｎし
た如く高周波プラズマ炎を用い、溶射とｌ″Ｉｆ溶酸］
１処理とを一連の操作で行なった。８は高周波グラズマ
ガン、９は高周波発生装置で・、試料台１２１に載置さ
れた被処理物１の溶射肢１挨を、高周波ノ。
た如く高周波プラズマ炎を用い、溶射とｌ″Ｉｆ溶酸］
１処理とを一連の操作で行なった。８は高周波グラズマ
ガン、９は高周波発生装置で・、試料台１２１に載置さ
れた被処理物１の溶射肢１挨を、高周波ノ。
ラズマガン８から噴射されろ高周波プラズマ炎１（１で
加熱し、再溶融した。
加熱し、再溶融した。
被処理物１を載置する試料台１２は、ｘｉｌηＩｔ ｈ
面駆動モータ１３およびｙ軸Ｊｊ向駆動モータＩ ４
Ｋより、Ｘ軸ｔｙ向およびｙ軸方向しこ移動白イ１．！
−なって゛おり、試料台１２の移動によって、被処理物
１はその溶射被膜か全体的に［１１溶融処理されるよう
にした。
面駆動モータ１３およびｙ軸Ｊｊ向駆動モータＩ ４
Ｋより、Ｘ軸ｔｙ向およびｙ軸方向しこ移動白イ１．！
−なって゛おり、試料台１２の移動によって、被処理物
１はその溶射被膜か全体的に［１１溶融処理されるよう
にした。
被処理物１の再溶融面５の温度を、放射ｌｊ情度８１１
１によって連続的に測定し、その測定信号を／イズフィ
ルタ１５、リニアライザ１６な経て制御器７に人力した
。制御器７は前記測定は壮に＾ｔづいて内蔵きれている
マイクロコンピュ−タにより指令し、 ｆｔ 。
１によって連続的に測定し、その測定信号を／イズフィ
ルタ１５、リニアライザ１６な経て制御器７に人力した
。制御器７は前記測定は壮に＾ｔづいて内蔵きれている
マイクロコンピュ−タにより指令し、 ｆｔ 。
第；３図は被処理物ＩＫ対する高周波プラズマ炎の加熱
軌跡で、見かけ＋、フ０ラズマ炎が被処理物１の表面１
を移動するように、制御器７のマイクロコンピュ−タて
移動・ぐクーンヲＷｉ ｇ Ｌ ｆｃ。
軌跡で、見かけ＋、フ０ラズマ炎が被処理物１の表面１
を移動するように、制御器７のマイクロコンピュ−タて
移動・ぐクーンヲＷｉ ｇ Ｌ ｆｃ。
ノ０ラズマ炎のスタート位置８、Ｘ輔ノｊ向林動ス・Ｐ
−ンＸ。、ｙ軸ノｊ向移動スパーンｙ。は、予め定数表
して設定し、プラズマ炎のＸ軸ノｊ向移動庫度□ｘのみ
を放射ｎ１１度、￥ＩＩ＋の出力により決定するように
し２ ｋ 。
−ンＸ。、ｙ軸ノｊ向移動スパーンｙ。は、予め定数表
して設定し、プラズマ炎のＸ軸ノｊ向移動庫度□ｘのみ
を放射ｎ１１度、￥ＩＩ＋の出力により決定するように
し２ ｋ 。
ｘ ＋Ｉｉｂ方向移動津川７）用は、ｘ Ｑｂｈ向駆動
モータ］３の制御電圧〜／Ｘにより宇井るものであり、
前記制御器１１：＼／Ｘは、制御器７内のマイクロコン
ピュータに記憶させたド記（１）、 （２）式により算
出した。なお、プラズマ炎のｙ軸方向移動速度ひｙも、
ｙ ＋ｌｉ＃方向駆動モータ１４の制ｊ９１１電圧＼／
ｙに１丁り定まるか、この実施例では前記制御７１．ｔ
ｌ−・′ｙは ’ｒ；’ （’ Ｌ ｉｃ ｔ、＼ｌＸ
−＼／。×Ａ −−一 〜−−−−−−−−−−−−
−−（Ｉｆｔ−１’ｌ＝ ｎ Ａ−Ｃ，（−） 十Ｃ，−−（２） Ｔｏ −’ｉｔ、 十式において、Ｖ、、６：ｌｒめ１投′、１′さ１１な
Ｘ軸力向１す（動モータの最高回転数に勾１ル、する稼
動型ｊ１、ＡはＸ軸方向駆動モータの制御出力ｌ゛１シ
、ｔはｌｌ（Ｅ Ｉ′ｌ・［温１９ａｉ １＋により？
１１位時間内に測定さＩ−Ｌ ｙ、＝ ｉ１１’溶融面
のゝ１′均温度（℃） 、ＴＩＴはｆめ溶射破膜を形成
する溶射材の特性により設定した１丁溶融面のｊ′１ψ
高１１１１ゲＬ温１０、ＴＩ、は同しく最高加熱温度σ
、Ｉ］は自溶性合金の溶融時の特性を加味するための定
数、Ｃ１およびＣ０，はｆ）ｉＪ記Ａ値を補１１ミずイ
、にめの定数（ある。
モータ］３の制御電圧〜／Ｘにより宇井るものであり、
前記制御器１１：＼／Ｘは、制御器７内のマイクロコン
ピュータに記憶させたド記（１）、 （２）式により算
出した。なお、プラズマ炎のｙ軸方向移動速度ひｙも、
ｙ ＋ｌｉ＃方向駆動モータ１４の制ｊ９１１電圧＼／
ｙに１丁り定まるか、この実施例では前記制御７１．ｔ
ｌ−・′ｙは ’ｒ；’ （’ Ｌ ｉｃ ｔ、＼ｌＸ
−＼／。×Ａ −−一 〜−−−−−−−−−−−−
−−（Ｉｆｔ−１’ｌ＝ ｎ Ａ−Ｃ，（−） 十Ｃ，−−（２） Ｔｏ −’ｉｔ、 十式において、Ｖ、、６：ｌｒめ１投′、１′さ１１な
Ｘ軸力向１す（動モータの最高回転数に勾１ル、する稼
動型ｊ１、ＡはＸ軸方向駆動モータの制御出力ｌ゛１シ
、ｔはｌｌ（Ｅ Ｉ′ｌ・［温１９ａｉ １＋により？
１１位時間内に測定さＩ−Ｌ ｙ、＝ ｉ１１’溶融面
のゝ１′均温度（℃） 、ＴＩＴはｆめ溶射破膜を形成
する溶射材の特性により設定した１丁溶融面のｊ′１ψ
高１１１１ゲＬ温１０、ＴＩ、は同しく最高加熱温度σ
、Ｉ］は自溶性合金の溶融時の特性を加味するための定
数、Ｃ１およびＣ０，はｆ）ｉＪ記Ａ値を補１１ミずイ
、にめの定数（ある。
第４図に、Ｔｏ ： Ｉ ２８（１、Ｔ’＋、： ＋２
：＋ｏ、 ｃ、 ：＋、ｏ。
：＋ｏ、 ｃ、 ：＋、ｏ。
Ｃ２： ０−０であって、ｎ値が１，２．、’、）、８
お２にひ２０の場合におけるｔ値とＡ値吉の関ｆ系を示
しｆｊ。
お２にひ２０の場合におけるｔ値とＡ値吉の関ｆ系を示
しｆｊ。
図面かられかるように、を値が′白、二っｔ ＜ ’ｌ
”ｕの場合Ｋ ｔｄ、Ａ＠は０から１まで変ｆｌ；−１
−る。ｒ！ｕち、＋ｌｉ溶融面の温度が高いほとフ０ラ
ズマ炎の体動ｉ中１１Ｊは沖＜ 、ｒ１５溶融而のｌ晶
度が低いほどプラズマ炎の移動沖度員咥〈なろ。まｌこ
ｔ （Ｔ＋、の場合にはＡ＝０．０となってプラズマ炎
は静ｔｌｚし、一方、ＴＩＴ （ｔ の場合にはＡ−
１，０となってプラズマ炎は最高速度で移ＪＪ＋ず４ン
。なお、プラズマ炎が被処理物から外ｊ１で＋Ｔ５溶副
溶面１曲’！ｌｉｔ度指示が得られないときは、八も（
１は１．０とな７．、）ように設定した。
”ｕの場合Ｋ ｔｄ、Ａ＠は０から１まで変ｆｌ；−１
−る。ｒ！ｕち、＋ｌｉ溶融面の温度が高いほとフ０ラ
ズマ炎の体動ｉ中１１Ｊは沖＜ 、ｒ１５溶融而のｌ晶
度が低いほどプラズマ炎の移動沖度員咥〈なろ。まｌこ
ｔ （Ｔ＋、の場合にはＡ＝０．０となってプラズマ炎
は静ｔｌｚし、一方、ＴＩＴ （ｔ の場合にはＡ−
１，０となってプラズマ炎は最高速度で移ＪＪ＋ず４ン
。なお、プラズマ炎が被処理物から外ｊ１で＋Ｔ５溶副
溶面１曲’！ｌｉｔ度指示が得られないときは、八も（
１は１．０とな７．、）ように設定した。
１１（溶融面の最高加熱温度Ｔｌｌおよび最低加熱温度
’Ｆ１．は、定′１（τ状態で・の再溶融処理がこの温
度ＩＦ（（凹円で？ＪなわれろことになるからＩＰ常に
ｉｆｉ要であり、溶射（Ａの特性により適切な温度を定
めろ必要かあイ）。
’Ｆ１．は、定′１（τ状態で・の再溶融処理がこの温
度ＩＦ（（凹円で？ＪなわれろことになるからＩＰ常に
ｉｆｉ要であり、溶射（Ａの特性により適切な温度を定
めろ必要かあイ）。
被処理物に対するプラズマ炎の移動は、＋１）溶融面が
最滴溶１３１（温度に達したならば、そのｎ１１１度以
トに＝ Ｃ−を渦熱さｉ］ないような速度、即ち「１溶
融曲が高？ｆ＋ｉ’ｔ Ｋなるほと移動速度を急激に変
化させる必要がある。このような＋ｌＴ溶融面の・温度
は、被処理物に溶射された自溶性合金の１゛３性によっ
て変化するので、Ａ値のい出に当り前記定数りを加味し
たのであＺ）。
最滴溶１３１（温度に達したならば、そのｎ１１１度以
トに＝ Ｃ−を渦熱さｉ］ないような速度、即ち「１溶
融曲が高？ｆ＋ｉ’ｔ Ｋなるほと移動速度を急激に変
化させる必要がある。このような＋ｌＴ溶融面の・温度
は、被処理物に溶射された自溶性合金の１゛３性によっ
て変化するので、Ａ値のい出に当り前記定数りを加味し
たのであＺ）。
第４図から明らかなように、１１植を変えイ〕こノーに
より、高温側での変ｆ１：の１μ合をｆｒ、 、１：γ
Ｉ／Ｃｉ暫定（きる。しかし、１］値が人きくなイ）に
経って、ＯＮ −０ＦＦ的な移動とな不）ため、−１編
″的な大曲状に１にか１１１られなくな’、＞ ｉｓ
ソｈ カ牛＃’Ｚ）ｏｉｌコ、？Ｍ （４Ｊ ４４（１
） □Ｍ質により最適処理溜３度−刈・ｔ１ｆ溶副１面
の溶用！広かり速さ等も異なイ）。従って０１１記＋〕
（直は自溶Ｖ１合６＞の溶融時の特性に」こつて、適す
ノな１）？１ろ・宇めイ）必四゛かｉノ）ろ。
より、高温側での変ｆ１：の１μ合をｆｒ、 、１：γ
Ｉ／Ｃｉ暫定（きる。しかし、１］値が人きくなイ）に
経って、ＯＮ −０ＦＦ的な移動とな不）ため、−１編
″的な大曲状に１にか１１１られなくな’、＞ ｉｓ
ソｈ カ牛＃’Ｚ）ｏｉｌコ、？Ｍ （４Ｊ ４４（１
） □Ｍ質により最適処理溜３度−刈・ｔ１ｆ溶副１面
の溶用！広かり速さ等も異なイ）。従って０１１記＋〕
（直は自溶Ｖ１合６＞の溶融時の特性に」こつて、適す
ノな１）？１ろ・宇めイ）必四゛かｉノ）ろ。
１ 述 ［フト 最 高ＪＪＩＩ ％ ン＝ Ｉａ
Ｔｌｌ １（，１： ｒＪ’ ／ＩＱ 低
１＋ｕ ）九 ７：ｕ’１１！Ｊ７ｒＩ、なＣ−＞Ｕ
Ｋ’ｉ’ｔｘ％ｎ、 ｃｌ、 Ｃ２１，１−友’ｚ
ｊＮ Ｉｆ）Ｊろ一１１？１． ｌｒ’ ）巽５釘す
ることしＣより、Ｘ軸ノＪ゛向駆巾）１モーウＩＩ（７
′＋制御電圧Ｖｘが決定され、これに）１シづいて被処
理物６−」Ｘ軸力向に速度ひＸで移動［７、以１・”放
ｊ〕・１扁度、Ｂ１＋＋により律お、Ｘ的に４１１１宇
さ才１イ）内溶醸！曲の温度υｒｌ Ｊ、Ｕづいて１−
述した動作が連続的に？Ｊわ１１、こノ１に１こり被処
理物の溶射破膜を、過・勢へ・未溶融が生ずることなく
筒中適作に自動的にｉｆｊ溶融処理ず２）こＬができた
。
Ｔｌｌ １（，１： ｒＪ’ ／ＩＱ 低
１＋ｕ ）九 ７：ｕ’１１！Ｊ７ｒＩ、なＣ−＞Ｕ
Ｋ’ｉ’ｔｘ％ｎ、 ｃｌ、 Ｃ２１，１−友’ｚ
ｊＮ Ｉｆ）Ｊろ一１１？１． ｌｒ’ ）巽５釘す
ることしＣより、Ｘ軸ノＪ゛向駆巾）１モーウＩＩ（７
′＋制御電圧Ｖｘが決定され、これに）１シづいて被処
理物６−」Ｘ軸力向に速度ひＸで移動［７、以１・”放
ｊ〕・１扁度、Ｂ１＋＋により律お、Ｘ的に４１１１宇
さ才１イ）内溶醸！曲の温度υｒｌ Ｊ、Ｕづいて１−
述した動作が連続的に？Ｊわ１１、こノ１に１こり被処
理物の溶射破膜を、過・勢へ・未溶融が生ずることなく
筒中適作に自動的にｉｆｊ溶融処理ず２）こＬができた
。
子連した実施例で゛は、彼α理物か四角ろＦ ４ノｖの
場合について説明したが、本発明方法は平板に限らず、
いかなる形状の被処理物に対しても適用することかでき
る。第５図は円柱状被処理物１８をこの発明方法で再溶
融処理を１′イ）場合の例で、円柱状彼処Ｐ１１物１８
の回転罐）ｇ Ｔ／Ｌｎ ｉＸ−宇とし、その頓１方向
の移動速度ｖ′Ｚを古溶融面の温１９により制御するか
、または、逆に軸方向の移動速度ｖｚを一′；ｉ！とし
、その回転速度ひＲを制御することにより、適確な再溶
融処理を施すことができる。
場合について説明したが、本発明方法は平板に限らず、
いかなる形状の被処理物に対しても適用することかでき
る。第５図は円柱状被処理物１８をこの発明方法で再溶
融処理を１′イ）場合の例で、円柱状彼処Ｐ１１物１８
の回転罐）ｇ Ｔ／Ｌｎ ｉＸ−宇とし、その頓１方向
の移動速度ｖ′Ｚを古溶融面の温１９により制御するか
、または、逆に軸方向の移動速度ｖｚを一′；ｉ！とし
、その回転速度ひＲを制御することにより、適確な再溶
融処理を施すことができる。
第６図は円板状被処理物Ｉ９をこの発明方法で１■ｊ溶
樹！処理をする場合の例で、円板状被処理物１９の円周
Ｊｊ向の回転？ＡｊＪσ９Ｒを一定とし、その゛：″径
方向の移動速度ひｒを再溶融面の温度により制御するか
、または、逆に半径）５向の移動速度ｐｒを−・定よし
、円周方向の回転速度ひＲを制御することにより、部面
な再溶融処理を施すことかできる。
樹！処理をする場合の例で、円板状被処理物１９の円周
Ｊｊ向の回転？ＡｊＪσ９Ｒを一定とし、その゛：″径
方向の移動速度ひｒを再溶融面の温度により制御するか
、または、逆に半径）５向の移動速度ｐｒを−・定よし
、円周方向の回転速度ひＲを制御することにより、部面
な再溶融処理を施すことかできる。
また、被処理物か不規則な形状のものであっても、熱源
または被処理物の移動・ぐターンなＦめ設定しておくこ
とにより、この発明方法で適確な再溶融処理を施すと表
ができる。
または被処理物の移動・ぐターンなＦめ設定しておくこ
とにより、この発明方法で適確な再溶融処理を施すと表
ができる。
以上述べたように、この発明方法によれにｊ：、６ム処
理物の表面」二に形成された溶射破膜の内＃ｆ Ｉｉｉ
！処理に当り、再溶剤ｉ ｉ＃ｉの１品１隻を仲、ｉ売
Ｉ′白にイ四゛、にし、Ｃの温ＩＷを定油面な基準とし
て、この１．１１．１１度に月応した速度により被部１
隼′１勿寸／次は：１ノＶ占ｌ５−（ｇ ！肋？＼ｌ−
１円溶融処理を施すようにし７で（−とによって、円市
融酊に過熱や未溶融ｆｆＪが生ずることｔ」、なく、１
′１札（ｃ＝熟練を要しないで１ハ戸セ適確に自動的（
・（＝１り溶融ＩＩＬ Ｉｌｌ！を行なうことかでき、
密沼力の面い溶射岐１１Ｑを形成することができる等、
工菜十多くの複れｌｒ−６，ｈ ’Ａ−がもたらされる
。
理物の表面」二に形成された溶射破膜の内＃ｆ Ｉｉｉ
！処理に当り、再溶剤ｉ ｉ＃ｉの１品１隻を仲、ｉ売
Ｉ′白にイ四゛、にし、Ｃの温ＩＷを定油面な基準とし
て、この１．１１．１１度に月応した速度により被部１
隼′１勿寸／次は：１ノＶ占ｌ５−（ｇ ！肋？＼ｌ−
１円溶融処理を施すようにし７で（−とによって、円市
融酊に過熱や未溶融ｆｆＪが生ずることｔ」、なく、１
′１札（ｃ＝熟練を要しないで１ハ戸セ適確に自動的（
・（＝１り溶融ＩＩＬ Ｉｌｌ！を行なうことかでき、
密沼力の面い溶射岐１１Ｑを形成することができる等、
工菜十多くの複れｌｒ−６，ｈ ’Ａ−がもたらされる
。
第１図はこの発明方法の原ｊ１１！をｊＪ＜ず、、５２
１ＪＪ図、第２図はこの発明方法の実／Ｊ亀例に１史用
したＩ’）溶１゛１１！Ｉ！処理装置の説明図、ｒ：＋
’ｙ ：う図は彼処ｌ！Ｉ！ ’Ｉ′／／Ｊｆｔｌ利ｊ
る加熱軌跡を示す図、第・１図はｔ（ｌｌ′ｌとＡ１１
ｌ′ｌとの１ソ１係を小す図、第５図および第６図はこ
の発明方７人の１１１２の実施例を示す説明南である。 図面に」っ・いて、■・・・被処理物、２・・・台、３
・・・デ〈υシ源、４・・・熱源移動装ｒ（ｔ、５・・
・再溶融面、６・・・温度計、７・・・制御器、８・高
周波〕０ラズマガン、９・・高周波発生装置、１０・・
ノ°ラズマ炎、１１・・・放射濡度泪、１２・・・試イ
′［台、１：３・・・ｘ ｒｆｔ＋力向駆動向駆動モー
タ・・・ｙ軸方向駆動モータ、１５・・・ノイズフィル
タ、１６・・・リニアライザ、１７・・モータ出力部、
１８・・・円柱状被処理物、１０・・・円板状被処理物
。 出願人 株式会？ｌ 荏原製作所 代理人 潮谷奈津夫 （他２名） 第１図
１ＪＪ図、第２図はこの発明方法の実／Ｊ亀例に１史用
したＩ’）溶１゛１１！Ｉ！処理装置の説明図、ｒ：＋
’ｙ ：う図は彼処ｌ！Ｉ！ ’Ｉ′／／Ｊｆｔｌ利ｊ
る加熱軌跡を示す図、第・１図はｔ（ｌｌ′ｌとＡ１１
ｌ′ｌとの１ソ１係を小す図、第５図および第６図はこ
の発明方７人の１１１２の実施例を示す説明南である。 図面に」っ・いて、■・・・被処理物、２・・・台、３
・・・デ〈υシ源、４・・・熱源移動装ｒ（ｔ、５・・
・再溶融面、６・・・温度計、７・・・制御器、８・高
周波〕０ラズマガン、９・・高周波発生装置、１０・・
ノ°ラズマ炎、１１・・・放射濡度泪、１２・・・試イ
′［台、１：３・・・ｘ ｒｆｔ＋力向駆動向駆動モー
タ・・・ｙ軸方向駆動モータ、１５・・・ノイズフィル
タ、１６・・・リニアライザ、１７・・モータ出力部、
１８・・・円柱状被処理物、１０・・・円板状被処理物
。 出願人 株式会？ｌ 荏原製作所 代理人 潮谷奈津夫 （他２名） 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理物の表面１に形成された、自溶性合金の溶１：Ｊ
ＪＫよイ）溶Ｑ＝１被膜を、前記溶射破膜に向けられた
熱源によって、前記熱源または被処理物の移動により、
小絞的に加ゼＬＬ ｉＴｊ溶融処理を施す溶射被膜の（
ｌｊ溶融処理か法に４−９いて、 ＋”＋ｉｉ記熱を皇により加熱さ）また溶射敲１１ψの
［（）溶融面の温ＩσをｔＵｔ続的に４１す定し、得ら
ｔまた測′、ｉＩ値と、予め前記溶射被膜を形成する溶
射材の特性により設定した前記ｉ１溶融而の最高ＩＪＩ
Ｉ熱温度および最低加熱温度との関係に基づいて、前記
熱源または被処理物の移動速度を制御することを肪徴と
−する溶射被膜の１１１溶融処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15681282A JPS6053111B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 溶射被膜の再溶融処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15681282A JPS6053111B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 溶射被膜の再溶融処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947369A true JPS5947369A (ja) | 1984-03-17 |
| JPS6053111B2 JPS6053111B2 (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=15635862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15681282A Expired JPS6053111B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 溶射被膜の再溶融処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053111B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000011234A1 (de) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von hochtemperaturbauteilen mittels plasmaspritzens |
| JP2000087211A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-28 | Dai Ichi High Frequency Co Ltd | 高周波再溶融処理方法及び装置 |
| JP2006193772A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nippon Steel Corp | 転炉ｏｇ排ガスダクトの自溶性合金溶射方法および溶射装置 |
| KR100797822B1 (ko) | 2006-09-19 | 2008-01-24 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 자용성 합금 용사코팅의 재용융 방법 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15681282A patent/JPS6053111B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000011234A1 (de) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von hochtemperaturbauteilen mittels plasmaspritzens |
| JP2000087211A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-28 | Dai Ichi High Frequency Co Ltd | 高周波再溶融処理方法及び装置 |
| JP2006193772A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nippon Steel Corp | 転炉ｏｇ排ガスダクトの自溶性合金溶射方法および溶射装置 |
| KR100797822B1 (ko) | 2006-09-19 | 2008-01-24 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 자용성 합금 용사코팅의 재용융 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6053111B2 (ja) | 1985-11-22 |
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