JPS5947369A - 溶射被膜の再溶融処理方法 - Google Patents
溶射被膜の再溶融処理方法Info
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- JPS5947369A JPS5947369A JP15681282A JP15681282A JPS5947369A JP S5947369 A JPS5947369 A JP S5947369A JP 15681282 A JP15681282 A JP 15681282A JP 15681282 A JP15681282 A JP 15681282A JP S5947369 A JPS5947369 A JP S5947369A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、被処理物の表面1に形成HX It 7.
−溶射被膜の再溶融処理力法に門1イ)イ、いてバ・・
イ16、被処理物の表面)・に、溶rp−+法L(よ−
)−(例ン0.1白溶性合金の溶射彼1jら1を形成−
4゛イ・k2/)にG」、つ−7−)前処理−1:稈に
より被処理物の表向を111面山1人・「4二、■1化
きれた表面に溶射利とし゛(自溶1f1合合の溶射を行
ない、ついで形成さi]k白溶白金性合金J〕・1腔膜
に対し再溶融処理を施し、に後、イ11υ11: (、
’、! &(−より前記破膜の表面fl: L、 &i
ろ・’li’ ft: ’] 4つグ)I″p、l/A
必要表している。
−溶射被膜の再溶融処理力法に門1イ)イ、いてバ・・
イ16、被処理物の表面)・に、溶rp−+法L(よ−
)−(例ン0.1白溶性合金の溶射彼1jら1を形成−
4゛イ・k2/)にG」、つ−7−)前処理−1:稈に
より被処理物の表向を111面山1人・「4二、■1化
きれた表面に溶射利とし゛(自溶1f1合合の溶射を行
ない、ついで形成さi]k白溶白金性合金J〕・1腔膜
に対し再溶融処理を施し、に後、イ11υ11: (、
’、! &(−より前記破膜の表面fl: L、 &i
ろ・’li’ ft: ’] 4つグ)I″p、l/A
必要表している。
十記l:稈のうち、自溶1ソ1合仝溶射岐膜I/′)円
溶融処理は、溶射破膜な11!(孔′Uとろ−L、肢処
理物の大曲]、に前記破膜を完全に融合ぜ]めイ、ブと
めの中力、°t1王程であ7.)。
溶融処理は、溶射破膜な11!(孔′Uとろ−L、肢処
理物の大曲]、に前記破膜を完全に融合ぜ]めイ、ブと
めの中力、°t1王程であ7.)。
この11(溶融処理は、被処理物の表面Iに++4成さ
tまた自溶V1合金の溶射被膜を、例えば1・−イから
噴射さ)する酸素−アセチレン炎の如きりjシ111;
i (′X加軌することにより再溶融ずろもので、この
処理b:1rat来作業員により手作業て行なわ11て
ぃ/ζ。
tまた自溶V1合金の溶射被膜を、例えば1・−イから
噴射さ)する酸素−アセチレン炎の如きりjシ111;
i (′X加軌することにより再溶融ずろもので、この
処理b:1rat来作業員により手作業て行なわ11て
ぃ/ζ。
即ち、作業員がトーチを用い溶射被膜の表面を加熱する
と共にその表面状態を目視で観、察し、加熱によって皮
膜が光沢をもち、あぶらぎったように見えろ状態に二な
ろ如くトーチを千で操作し、被膜の表面1を移動してい
た。
と共にその表面状態を目視で観、察し、加熱によって皮
膜が光沢をもち、あぶらぎったように見えろ状態に二な
ろ如くトーチを千で操作し、被膜の表面1を移動してい
た。
しか7.、に11述した操作には市川的な基準がなく、
作業員の勘に頼っていたため作業に熟練を要し、しかも
溶射被膜を過熱したり、まf、: 針t 1111ぜL
不足で被膜に未溶融部が生ずる等の問題があった。
作業員の勘に頼っていたため作業に熟練を要し、しかも
溶射被膜を過熱したり、まf、: 針t 1111ぜL
不足で被膜に未溶融部が生ずる等の問題があった。
この発明は、l−、述のような観点から、被処理物の表
面1−に形成された溶射被膜の再溶融処理に当り、被膜
に過熱や未溶融が牛することなく、しかも作業に熟練を
要しないで簡i1tかつ適確に自動的に再溶融処理を行
なうことができる溶射被膜の再溶融処理方法を提供する
もので、熱源により加熱された溶射被膜の再溶融面の温
輿を連続的に測定し、得られた測定値と、予め前記溶射
被膜を形成する溶射拐の特性により設定した再溶融面の
最高加熱温度お」=び最低加熱温度との関係に基づいて
、加熱熱源または被処理物の移動速度を制御するととに
特徴を有するものである。
面1−に形成された溶射被膜の再溶融処理に当り、被膜
に過熱や未溶融が牛することなく、しかも作業に熟練を
要しないで簡i1tかつ適確に自動的に再溶融処理を行
なうことができる溶射被膜の再溶融処理方法を提供する
もので、熱源により加熱された溶射被膜の再溶融面の温
輿を連続的に測定し、得られた測定値と、予め前記溶射
被膜を形成する溶射拐の特性により設定した再溶融面の
最高加熱温度お」=び最低加熱温度との関係に基づいて
、加熱熱源または被処理物の移動速度を制御するととに
特徴を有するものである。
次に、この発明の方法を図面に基づいて説明する0
第1図はこの発明方法の説明図で、1は溶Q−1′fI
ン膜が形成された被処理物、2 id−、lil、Q処
理物1を・1&せて水平方向に移動自在な台、:3は被
処理物1の1かにあって被処理物1を加熱するための、
例えQ」゛酸素−アセチレン炎、酸素−水素炎、プラズ
マ炎、高周波誘導加熱、レーザーなとの如き熱源、4は
熱源3を水下方向に自在に移動させるゲし源移動装置で
ある。
ン膜が形成された被処理物、2 id−、lil、Q処
理物1を・1&せて水平方向に移動自在な台、:3は被
処理物1の1かにあって被処理物1を加熱するための、
例えQ」゛酸素−アセチレン炎、酸素−水素炎、プラズ
マ炎、高周波誘導加熱、レーザーなとの如き熱源、4は
熱源3を水下方向に自在に移動させるゲし源移動装置で
ある。
溶射被膜が形成さノ1を被処理物+(l−1,熱源:3
によってその溶射被膜が1万溶融されるが、その+1溶
融面5のz都度は、温度816によって常時4111γ
i′さ)する。温度用6は、非接触型の放射温度;¥1
、光扁IC泪、2色高濡度語りηのほか熱電71を使用
ずイ、こともできる。
によってその溶射被膜が1万溶融されるが、その+1溶
融面5のz都度は、温度816によって常時4111γ
i′さ)する。温度用6は、非接触型の放射温度;¥1
、光扁IC泪、2色高濡度語りηのほか熱電71を使用
ずイ、こともできる。
7は、温度816からの人力により、被処理・物1が載
置された台2または、熱源移動装置4にλ、1し、所定
速度での移動を指令するための制?a監であイ、。
置された台2または、熱源移動装置4にλ、1し、所定
速度での移動を指令するための制?a監であイ、。
制御器7には、温度を変数とした数式が記憶されている
マイクロコンピュータが組込まれており、このマイクロ
コンピュータは、温度計6から人力された値に基づき、
記憶されている数式によって演算を行ない、その結果を
台2または熱源移動装置4に出力する。
マイクロコンピュータが組込まれており、このマイクロ
コンピュータは、温度計6から人力された値に基づき、
記憶されている数式によって演算を行ない、その結果を
台2または熱源移動装置4に出力する。
台2または熱源移動装@4は、−1−述した制御器7か
らの出力を受けて、温度用6で測定された再溶融面5の
温度に対応する速度で移動して被処理物の末再溶融面の
加熱に移り、かくして被処理物1にはその溶射破膜が次
々と連続的に再溶融処理が施される。
らの出力を受けて、温度用6で測定された再溶融面5の
温度に対応する速度で移動して被処理物の末再溶融面の
加熱に移り、かくして被処理物1にはその溶射破膜が次
々と連続的に再溶融処理が施される。
なお、=1−記処理に13いて、熱源3を固定して被処
理物1の載置された台2を移動するか、または、被処理
物1の載置された台2を固定して熱源3を移動するかは
、被処理物1の形状や熱1jii 3の種類によって適
宜選択することができる。
理物1の載置された台2を移動するか、または、被処理
物1の載置された台2を固定して熱源3を移動するかは
、被処理物1の形状や熱1jii 3の種類によって適
宜選択することができる。
次に、この発明方法を実施例により川に具体的に説明す
る。
る。
第2図はこの実施例に使用した再溶融処理装置の説明図
で、試料である被処理物1は、1辺が100 mmで厚
さが1ommのS U S 30 /I板であり、その
片面に溶射拐としてニッケル基白溶性合金(MSFNi
3)50.9を、高周波ノ0ラズマ炎しこより溶射し溶
射被膜を形成した。
で、試料である被処理物1は、1辺が100 mmで厚
さが1ommのS U S 30 /I板であり、その
片面に溶射拐としてニッケル基白溶性合金(MSFNi
3)50.9を、高周波ノ0ラズマ炎しこより溶射し溶
射被膜を形成した。
溶射被膜の耐溶融処理は、その熱源として1171Nし
た如く高周波プラズマ炎を用い、溶射とl″If溶酸]
1処理とを一連の操作で行なった。8は高周波グラズマ
ガン、9は高周波発生装置で・、試料台121に載置さ
れた被処理物1の溶射肢1挨を、高周波ノ。
た如く高周波プラズマ炎を用い、溶射とl″If溶酸]
1処理とを一連の操作で行なった。8は高周波グラズマ
ガン、9は高周波発生装置で・、試料台121に載置さ
れた被処理物1の溶射肢1挨を、高周波ノ。
ラズマガン8から噴射されろ高周波プラズマ炎1(1で
加熱し、再溶融した。
加熱し、再溶融した。
被処理物1を載置する試料台12は、xilηIt h
面駆動モータ13およびy軸Jj向駆動モータI 4
Kより、X軸ty向およびy軸方向しこ移動白イ1.!
−なって゛おり、試料台12の移動によって、被処理物
1はその溶射被膜か全体的に[11溶融処理されるよう
にした。
面駆動モータ13およびy軸Jj向駆動モータI 4
Kより、X軸ty向およびy軸方向しこ移動白イ1.!
−なって゛おり、試料台12の移動によって、被処理物
1はその溶射被膜か全体的に[11溶融処理されるよう
にした。
被処理物1の再溶融面5の温度を、放射lj情度811
1によって連続的に測定し、その測定信号を/イズフィ
ルタ15、リニアライザ16な経て制御器7に人力した
。制御器7は前記測定は壮に^tづいて内蔵きれている
マイクロコンピュ−タにより指令し、 ft 。
1によって連続的に測定し、その測定信号を/イズフィ
ルタ15、リニアライザ16な経て制御器7に人力した
。制御器7は前記測定は壮に^tづいて内蔵きれている
マイクロコンピュ−タにより指令し、 ft 。
第;3図は被処理物IK対する高周波プラズマ炎の加熱
軌跡で、見かけ+、フ0ラズマ炎が被処理物1の表面1
を移動するように、制御器7のマイクロコンピュ−タて
移動・ぐクーンヲWi g L fc。
軌跡で、見かけ+、フ0ラズマ炎が被処理物1の表面1
を移動するように、制御器7のマイクロコンピュ−タて
移動・ぐクーンヲWi g L fc。
ノ0ラズマ炎のスタート位置8、X輔ノj向林動ス・P
−ンX。、y軸ノj向移動スパーンy。は、予め定数表
して設定し、プラズマ炎のX軸ノj向移動庫度□xのみ
を放射n11度、¥II+の出力により決定するように
し2 k 。
−ンX。、y軸ノj向移動スパーンy。は、予め定数表
して設定し、プラズマ炎のX軸ノj向移動庫度□xのみ
を放射n11度、¥II+の出力により決定するように
し2 k 。
x +Iib方向移動津川7)用は、x Qbh向駆動
モータ]3の制御電圧〜/Xにより宇井るものであり、
前記制御器11:\/Xは、制御器7内のマイクロコン
ピュータに記憶させたド記(1)、 (2)式により算
出した。なお、プラズマ炎のy軸方向移動速度ひyも、
y +li#方向駆動モータ14の制j911電圧\/
yに1丁り定まるか、この実施例では前記制御71.t
l−・′yは ’r;’ (’ L ic t、\lX
−\/。×A −−一 〜−−−−−−−−−−−−
−−(Ift−1’l= n A−C,(−) 十C,−−(2) To −’it、 十式において、V、、6:lrめ1投′、1′さ11な
X軸力向1す(動モータの最高回転数に勾1ル、する稼
動型j1、AはX軸方向駆動モータの制御出力l゛1シ
、tはll(E I′l・[温19ai 1+により?
11位時間内に測定さI−L y、= i11’溶融面
のゝ1′均温度(℃) 、TITはfめ溶射破膜を形成
する溶射材の特性により設定した1丁溶融面のj′1ψ
高1111ゲL温10、TI、は同しく最高加熱温度σ
、I]は自溶性合金の溶融時の特性を加味するための定
数、C1およびC0,はf)iJ記A値を補11ミずイ
、にめの定数(ある。
モータ]3の制御電圧〜/Xにより宇井るものであり、
前記制御器11:\/Xは、制御器7内のマイクロコン
ピュータに記憶させたド記(1)、 (2)式により算
出した。なお、プラズマ炎のy軸方向移動速度ひyも、
y +li#方向駆動モータ14の制j911電圧\/
yに1丁り定まるか、この実施例では前記制御71.t
l−・′yは ’r;’ (’ L ic t、\lX
−\/。×A −−一 〜−−−−−−−−−−−−
−−(Ift−1’l= n A−C,(−) 十C,−−(2) To −’it、 十式において、V、、6:lrめ1投′、1′さ11な
X軸力向1す(動モータの最高回転数に勾1ル、する稼
動型j1、AはX軸方向駆動モータの制御出力l゛1シ
、tはll(E I′l・[温19ai 1+により?
11位時間内に測定さI−L y、= i11’溶融面
のゝ1′均温度(℃) 、TITはfめ溶射破膜を形成
する溶射材の特性により設定した1丁溶融面のj′1ψ
高1111ゲL温10、TI、は同しく最高加熱温度σ
、I]は自溶性合金の溶融時の特性を加味するための定
数、C1およびC0,はf)iJ記A値を補11ミずイ
、にめの定数(ある。
第4図に、To : I 28(1、T’+、: +2
:+o、 c、 :+、o。
:+o、 c、 :+、o。
C2: 0−0であって、n値が1,2.、’、)、8
お2にひ20の場合におけるt値とA値吉の関f系を示
しfj。
お2にひ20の場合におけるt値とA値吉の関f系を示
しfj。
図面かられかるように、を値が′白、二っt < ’l
”uの場合K td、A@は0から1まで変fl;−1
−る。r!uち、+li溶融面の温度が高いほとフ0ラ
ズマ炎の体動i中11Jは沖< 、r15溶融而のl晶
度が低いほどプラズマ炎の移動沖度員咥〈なろ。まlこ
t (T+、の場合にはA=0.0となってプラズマ炎
は静tlzし、一方、TIT (t の場合にはA−
1,0となってプラズマ炎は最高速度で移JJ+ず4ン
。なお、プラズマ炎が被処理物から外j1で+T5溶副
溶面1曲’!lit度指示が得られないときは、八も(
1は1.0とな7.、)ように設定した。
”uの場合K td、A@は0から1まで変fl;−1
−る。r!uち、+li溶融面の温度が高いほとフ0ラ
ズマ炎の体動i中11Jは沖< 、r15溶融而のl晶
度が低いほどプラズマ炎の移動沖度員咥〈なろ。まlこ
t (T+、の場合にはA=0.0となってプラズマ炎
は静tlzし、一方、TIT (t の場合にはA−
1,0となってプラズマ炎は最高速度で移JJ+ず4ン
。なお、プラズマ炎が被処理物から外j1で+T5溶副
溶面1曲’!lit度指示が得られないときは、八も(
1は1.0とな7.、)ように設定した。
11(溶融面の最高加熱温度Tllおよび最低加熱温度
’F1.は、定′1(τ状態で・の再溶融処理がこの温
度IF((凹円で?JなわれろことになるからIP常に
ifi要であり、溶射(Aの特性により適切な温度を定
めろ必要かあイ)。
’F1.は、定′1(τ状態で・の再溶融処理がこの温
度IF((凹円で?JなわれろことになるからIP常に
ifi要であり、溶射(Aの特性により適切な温度を定
めろ必要かあイ)。
被処理物に対するプラズマ炎の移動は、+1)溶融面が
最滴溶131(温度に達したならば、そのn111度以
トに= C−を渦熱さi]ないような速度、即ち「1溶
融曲が高?f+i’t Kなるほと移動速度を急激に変
化させる必要がある。このような+lT溶融面の・温度
は、被処理物に溶射された自溶性合金の1゛3性によっ
て変化するので、A値のい出に当り前記定数りを加味し
たのであZ)。
最滴溶131(温度に達したならば、そのn111度以
トに= C−を渦熱さi]ないような速度、即ち「1溶
融曲が高?f+i’t Kなるほと移動速度を急激に変
化させる必要がある。このような+lT溶融面の・温度
は、被処理物に溶射された自溶性合金の1゛3性によっ
て変化するので、A値のい出に当り前記定数りを加味し
たのであZ)。
第4図から明らかなように、11植を変えイ〕こノーに
より、高温側での変f1:の1μ合をfr、 、1:γ
I/Ci暫定(きる。しかし、1]値が人きくなイ)に
経って、ON −0FF的な移動とな不)ため、−1編
″的な大曲状に1にか111られなくな’、> is
ソh カ牛#’Z)oilコ、?M (4J 44(1
) □M質により最適処理溜3度−刈・t1f溶副1面
の溶用!広かり速さ等も異なイ)。従って011記+〕
(直は自溶V1合6>の溶融時の特性に」こつて、適す
ノな1)?1ろ・宇めイ)必四゛かiノ)ろ。
より、高温側での変f1:の1μ合をfr、 、1:γ
I/Ci暫定(きる。しかし、1]値が人きくなイ)に
経って、ON −0FF的な移動とな不)ため、−1編
″的な大曲状に1にか111られなくな’、> is
ソh カ牛#’Z)oilコ、?M (4J 44(1
) □M質により最適処理溜3度−刈・t1f溶副1面
の溶用!広かり速さ等も異なイ)。従って011記+〕
(直は自溶V1合6>の溶融時の特性に」こつて、適す
ノな1)?1ろ・宇めイ)必四゛かiノ)ろ。
1 述 [フト 最 高JJII % ン= Ia
Tll 1(,1: rJ’ /IQ 低
1+u )九 7:u’11!J7rI、なC−>U
K’i’tx%n、 cl、 C21,1−友’z
jN If)Jろ一11?1. lr’ )巽5釘す
ることしCより、X軸ノJ゛向駆巾)1モーウII(7
′+制御電圧Vxが決定され、これに)1シづいて被処
理物6−」X軸力向に速度ひXで移動[7、以1・”放
j〕・1扁度、B1++により律お、X的に4111宇
さ才1イ)内溶醸!曲の温度υrl J、Uづいて1−
述した動作が連続的に?Jわ11、こノ1に1こり被処
理物の溶射破膜を、過・勢へ・未溶融が生ずることなく
筒中適作に自動的にifj溶融処理ず2)こLができた
。
Tll 1(,1: rJ’ /IQ 低
1+u )九 7:u’11!J7rI、なC−>U
K’i’tx%n、 cl、 C21,1−友’z
jN If)Jろ一11?1. lr’ )巽5釘す
ることしCより、X軸ノJ゛向駆巾)1モーウII(7
′+制御電圧Vxが決定され、これに)1シづいて被処
理物6−」X軸力向に速度ひXで移動[7、以1・”放
j〕・1扁度、B1++により律お、X的に4111宇
さ才1イ)内溶醸!曲の温度υrl J、Uづいて1−
述した動作が連続的に?Jわ11、こノ1に1こり被処
理物の溶射破膜を、過・勢へ・未溶融が生ずることなく
筒中適作に自動的にifj溶融処理ず2)こLができた
。
子連した実施例で゛は、彼α理物か四角ろF 4ノvの
場合について説明したが、本発明方法は平板に限らず、
いかなる形状の被処理物に対しても適用することかでき
る。第5図は円柱状被処理物18をこの発明方法で再溶
融処理を1′イ)場合の例で、円柱状彼処P11物18
の回転罐)g T/Ln iX−宇とし、その頓1方向
の移動速度v′Zを古溶融面の温19により制御するか
、または、逆に軸方向の移動速度vzを一′;i!とし
、その回転速度ひRを制御することにより、適確な再溶
融処理を施すことができる。
場合について説明したが、本発明方法は平板に限らず、
いかなる形状の被処理物に対しても適用することかでき
る。第5図は円柱状被処理物18をこの発明方法で再溶
融処理を1′イ)場合の例で、円柱状彼処P11物18
の回転罐)g T/Ln iX−宇とし、その頓1方向
の移動速度v′Zを古溶融面の温19により制御するか
、または、逆に軸方向の移動速度vzを一′;i!とし
、その回転速度ひRを制御することにより、適確な再溶
融処理を施すことができる。
第6図は円板状被処理物I9をこの発明方法で1■j溶
樹!処理をする場合の例で、円板状被処理物19の円周
Jj向の回転?AjJσ9Rを一定とし、その゛:″径
方向の移動速度ひrを再溶融面の温度により制御するか
、または、逆に半径)5向の移動速度prを−・定よし
、円周方向の回転速度ひRを制御することにより、部面
な再溶融処理を施すことかできる。
樹!処理をする場合の例で、円板状被処理物19の円周
Jj向の回転?AjJσ9Rを一定とし、その゛:″径
方向の移動速度ひrを再溶融面の温度により制御するか
、または、逆に半径)5向の移動速度prを−・定よし
、円周方向の回転速度ひRを制御することにより、部面
な再溶融処理を施すことかできる。
また、被処理物か不規則な形状のものであっても、熱源
または被処理物の移動・ぐターンなFめ設定しておくこ
とにより、この発明方法で適確な再溶融処理を施すと表
ができる。
または被処理物の移動・ぐターンなFめ設定しておくこ
とにより、この発明方法で適確な再溶融処理を施すと表
ができる。
以上述べたように、この発明方法によれにj:、6ム処
理物の表面」二に形成された溶射破膜の内#f Iii
!処理に当り、再溶剤i i#iの1品1隻を仲、i売
I′白にイ四゛、にし、Cの温IWを定油面な基準とし
て、この1.11.11度に月応した速度により被部1
隼′1勿寸/次は:1ノV占l5−(g !肋?\l−
1円溶融処理を施すようにし7で(−とによって、円市
融酊に過熱や未溶融ffJが生ずることt」、なく、1
′1札(c=熟練を要しないで1ハ戸セ適確に自動的(
・(=1り溶融IIL Ill!を行なうことかでき、
密沼力の面い溶射岐11Qを形成することができる等、
工菜十多くの複れlr−6,h ’A−がもたらされる
。
理物の表面」二に形成された溶射破膜の内#f Iii
!処理に当り、再溶剤i i#iの1品1隻を仲、i売
I′白にイ四゛、にし、Cの温IWを定油面な基準とし
て、この1.11.11度に月応した速度により被部1
隼′1勿寸/次は:1ノV占l5−(g !肋?\l−
1円溶融処理を施すようにし7で(−とによって、円市
融酊に過熱や未溶融ffJが生ずることt」、なく、1
′1札(c=熟練を要しないで1ハ戸セ適確に自動的(
・(=1り溶融IIL Ill!を行なうことかでき、
密沼力の面い溶射岐11Qを形成することができる等、
工菜十多くの複れlr−6,h ’A−がもたらされる
。
第1図はこの発明方法の原j11!をjJ<ず、、52
1JJ図、第2図はこの発明方法の実/J亀例に1史用
したI’)溶1゛11!I!処理装置の説明図、r:+
’y :う図は彼処l!I! ’I′//Jftl利j
る加熱軌跡を示す図、第・1図はt(ll′lとA11
l′lとの1ソ1係を小す図、第5図および第6図はこ
の発明方7人の1112の実施例を示す説明南である。 図面に」っ・いて、■・・・被処理物、2・・・台、3
・・・デ〈υシ源、4・・・熱源移動装r(t、5・・
・再溶融面、6・・・温度計、7・・・制御器、8・高
周波〕0ラズマガン、9・・高周波発生装置、10・・
ノ°ラズマ炎、11・・・放射濡度泪、12・・・試イ
′[台、1:3・・・x rft+力向駆動向駆動モー
タ・・・y軸方向駆動モータ、15・・・ノイズフィル
タ、16・・・リニアライザ、17・・モータ出力部、
18・・・円柱状被処理物、10・・・円板状被処理物
。 出願人 株式会?l 荏原製作所 代理人 潮谷奈津夫 (他2名) 第1図
1JJ図、第2図はこの発明方法の実/J亀例に1史用
したI’)溶1゛11!I!処理装置の説明図、r:+
’y :う図は彼処l!I! ’I′//Jftl利j
る加熱軌跡を示す図、第・1図はt(ll′lとA11
l′lとの1ソ1係を小す図、第5図および第6図はこ
の発明方7人の1112の実施例を示す説明南である。 図面に」っ・いて、■・・・被処理物、2・・・台、3
・・・デ〈υシ源、4・・・熱源移動装r(t、5・・
・再溶融面、6・・・温度計、7・・・制御器、8・高
周波〕0ラズマガン、9・・高周波発生装置、10・・
ノ°ラズマ炎、11・・・放射濡度泪、12・・・試イ
′[台、1:3・・・x rft+力向駆動向駆動モー
タ・・・y軸方向駆動モータ、15・・・ノイズフィル
タ、16・・・リニアライザ、17・・モータ出力部、
18・・・円柱状被処理物、10・・・円板状被処理物
。 出願人 株式会?l 荏原製作所 代理人 潮谷奈津夫 (他2名) 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理物の表面1に形成された、自溶性合金の溶1:J
JKよイ)溶Q=1被膜を、前記溶射破膜に向けられた
熱源によって、前記熱源または被処理物の移動により、
小絞的に加ゼLL iTj溶融処理を施す溶射被膜の(
lj溶融処理か法に4−9いて、 +”+ii記熱を皇により加熱さ)また溶射敲11ψの
[()溶融面の温IσをtUt続的に41す定し、得ら
tまた測′、iI値と、予め前記溶射被膜を形成する溶
射材の特性により設定した前記i1溶融而の最高IJI
I熱温度および最低加熱温度との関係に基づいて、前記
熱源または被処理物の移動速度を制御することを肪徴と
−する溶射被膜の111溶融処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15681282A JPS6053111B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 溶射被膜の再溶融処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15681282A JPS6053111B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 溶射被膜の再溶融処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5947369A true JPS5947369A (ja) | 1984-03-17 |
JPS6053111B2 JPS6053111B2 (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=15635862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15681282A Expired JPS6053111B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 溶射被膜の再溶融処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053111B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000011234A1 (de) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von hochtemperaturbauteilen mittels plasmaspritzens |
JP2000087211A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-28 | Dai Ichi High Frequency Co Ltd | 高周波再溶融処理方法及び装置 |
JP2006193772A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nippon Steel Corp | 転炉og排ガスダクトの自溶性合金溶射方法および溶射装置 |
KR100797822B1 (ko) | 2006-09-19 | 2008-01-24 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 자용성 합금 용사코팅의 재용융 방법 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15681282A patent/JPS6053111B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000011234A1 (de) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von hochtemperaturbauteilen mittels plasmaspritzens |
JP2000087211A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-28 | Dai Ichi High Frequency Co Ltd | 高周波再溶融処理方法及び装置 |
JP2006193772A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nippon Steel Corp | 転炉og排ガスダクトの自溶性合金溶射方法および溶射装置 |
KR100797822B1 (ko) | 2006-09-19 | 2008-01-24 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 자용성 합금 용사코팅의 재용융 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6053111B2 (ja) | 1985-11-22 |
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