JPS5946749A - イオン打込装置 - Google Patents
イオン打込装置Info
- Publication number
- JPS5946749A JPS5946749A JP15591982A JP15591982A JPS5946749A JP S5946749 A JPS5946749 A JP S5946749A JP 15591982 A JP15591982 A JP 15591982A JP 15591982 A JP15591982 A JP 15591982A JP S5946749 A JPS5946749 A JP S5946749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- mass
- ion implantation
- implantation chamber
- implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン打込装置の改良に関するもので２・・あ
り、特に打込イオン種を選択するときの誤操作を無くす
る改良に関するものである。
り、特に打込イオン種を選択するときの誤操作を無くす
る改良に関するものである。
まず、従来技術による装置の構成と、その問題点を説明
する。
する。
第１図は従来のイオン打込装置の主要部の構成説明図で
ある。イオン源１から引出されたイオンビーム２は、磁
場形質量分部器３の磁場により質量λｊ電荷比ごとに分
けられ、これら分かれたビームのうち、質量分離スリッ
ト、４を通過したものたけが打込室５に入り、その中に
置かれたウエノＸ６に照射される。照射するイオン種の
選択はτＩ量／、Ｔ］離器３の磁場強度を掃引し、打込
室電流を記録１１に人力して質量スペクトルを見て決め
るか、又はあらかじめ計算された磁場強度の（＝Ｊ近で
ピークを見つけるという方法がとられている。
ある。イオン源１から引出されたイオンビーム２は、磁
場形質量分部器３の磁場により質量λｊ電荷比ごとに分
けられ、これら分かれたビームのうち、質量分離スリッ
ト、４を通過したものたけが打込室５に入り、その中に
置かれたウエノＸ６に照射される。照射するイオン種の
選択はτＩ量／、Ｔ］離器３の磁場強度を掃引し、打込
室電流を記録１１に人力して質量スペクトルを見て決め
るか、又はあらかじめ計算された磁場強度の（＝Ｊ近で
ピークを見つけるという方法がとられている。
磁場形質量分部器で質量分湯１１されたイオンのａ置数
をＭとすると、磁場強度Ｂとイオン加速型１１−■との
関係は、 と表わされる。但しｋは比例定数である。従って、加速
電圧Ｖの設定が若干ずれた場合、それに応じて磁場強度
も少し変えてやらなければ、同じイオンを打込めなくな
ることがある。このとき、別のイオンビームを間違えて
選んでしまう可能性かある。ところで、イオン打込装置
は主として半導体装置の製造に使用されるものであるが
、オペレータの誤操作なとて、違ったイオンを打込んで
しまっても、それか判明するのはデバイスか完成してし
まってからであり、その間に大量の不良品を作１ってし
まうという問題がある。実際に半導体装置・の製造現場
等で起きる誤操作の一例を次に示す。
をＭとすると、磁場強度Ｂとイオン加速型１１−■との
関係は、 と表わされる。但しｋは比例定数である。従って、加速
電圧Ｖの設定が若干ずれた場合、それに応じて磁場強度
も少し変えてやらなければ、同じイオンを打込めなくな
ることがある。このとき、別のイオンビームを間違えて
選んでしまう可能性かある。ところで、イオン打込装置
は主として半導体装置の製造に使用されるものであるが
、オペレータの誤操作なとて、違ったイオンを打込んで
しまっても、それか判明するのはデバイスか完成してし
まってからであり、その間に大量の不良品を作１ってし
まうという問題がある。実際に半導体装置・の製造現場
等で起きる誤操作の一例を次に示す。
ＰＩ−Ｉ３ガスをイオン源に導入してＰ１イオンを１１
込むとき、條設は質量数３１（Ｐ’イオン）の近傍には
大きな質量ピークを持つイオ／は無いから、人まｌかな
磁場設定てＰ＋イオンを捕えることか出来る。
込むとき、條設は質量数３１（Ｐ’イオン）の近傍には
大きな質量ピークを持つイオ／は無いから、人まｌかな
磁場設定てＰ＋イオンを捕えることか出来る。
しかし、イオンυ；（の組立て不具合などにより、空気
の漏れかある場合はυｉ計数２８（Ｎｔシ）と）ｊ（１
（ＮＯ’ ）のところに大きな質量ピークが現われる。
の漏れかある場合はυｉ計数２８（Ｎｔシ）と）ｊ（１
（ＮＯ’ ）のところに大きな質量ピークが現われる。
このような場合に質量数３０のＮ０１−イオンを質量数
３１のＰ＋イオンと間違えて選んでしまう口とがあった
。
３１のＰ＋イオンと間違えて選んでしまう口とがあった
。
本発明の］」的は、−１１記のようなイオン神選択時に
起き得る誤選択を無くしたイオノ４’ｌ込装置を提供す
ることにある。
起き得る誤選択を無くしたイオノ４’ｌ込装置を提供す
ることにある。
イオンビームは残留カス等との衝突により、残留カス分
子およびイオンそのものが発光する。本願の発明者らは
、実験により、この発光スペクトルの中に衝突をするイ
オンそのものに関係するものがあることを見出した。従
って、質量分離をしたイオンビー１・の光を分光し、そ
のイオン４！Ｊ有のものをモニターすれば、１−記のよ
うな間違いは避けられることがわかった。本発明はこの
発光情報を検出する手段をイオン打込装置に（：Ｊ加し
たものである。
子およびイオンそのものが発光する。本願の発明者らは
、実験により、この発光スペクトルの中に衝突をするイ
オンそのものに関係するものがあることを見出した。従
って、質量分離をしたイオンビー１・の光を分光し、そ
のイオン４！Ｊ有のものをモニターすれば、１−記のよ
うな間違いは避けられることがわかった。本発明はこの
発光情報を検出する手段をイオン打込装置に（：Ｊ加し
たものである。
以下、本発明を実施例によって１；１細に説明する第２
図は本発明の・実施例のイオノ４’ｌ込装置の構成説明
図である。図において、前出のものと同一・符号のもの
は同一・又は均等部分を示している６゜７はイオンビー
ｌ、からの光を、透過さぜるためのヒューイングボート
てあり、８は分光１；１である。
図は本発明の・実施例のイオノ４’ｌ込装置の構成説明
図である。図において、前出のものと同一・符号のもの
は同一・又は均等部分を示している６゜７はイオンビー
ｌ、からの光を、透過さぜるためのヒューイングボート
てあり、８は分光１；１である。
Ｐ′イオン打込みの場合を例にすると、Ｐ１イオン特有
のラインに分光計をセットシ、イオン種の確認をするよ
うにしておけば、前述のような間違いをすることは無く
なる。
のラインに分光計をセットシ、イオン種の確認をするよ
うにしておけば、前述のような間違いをすることは無く
なる。
なお、分光計のかわりに、フィルタのような特定波長成
分の光を選択的に通過せしめる手段と、これを検出する
手段（例えば光電管）を用いても同様の効果か得られる
ことは、本発明の１：、旨より明らかである。
分の光を選択的に通過せしめる手段と、これを検出する
手段（例えば光電管）を用いても同様の効果か得られる
ことは、本発明の１：、旨より明らかである。
第３図は本発明の他の実施例を示すイオノ１ｊ込装置の
構成説明図である。本実施例は第２図の装置に更に改良
を加えたものである。図において、９はビーノ・通路に
所定の圧力たけ空気または特定のガスを導入するための
ガス流量制御バルブ（二−トルハルフ）である。このバ
ルブ９により、分光計を付加した場所（質量分１亜器３
と］Ｊ込室５との間）の近傍のビーム通路に空気又は特
定のガス（Ｎ２． Ａｒ、 Ｎｅ等）を導入し、かつそ
ノカス圧を；ｌｉｔ。
構成説明図である。本実施例は第２図の装置に更に改良
を加えたものである。図において、９はビーノ・通路に
所定の圧力たけ空気または特定のガスを導入するための
ガス流量制御バルブ（二−トルハルフ）である。このバ
ルブ９により、分光計を付加した場所（質量分１亜器３
と］Ｊ込室５との間）の近傍のビーム通路に空気又は特
定のガス（Ｎ２． Ａｒ、 Ｎｅ等）を導入し、かつそ
ノカス圧を；ｌｉｔ。
ｉ卸てきるので、イオンビーｔ・の発光強度を調′ｊ′
とすることかでき、イオン種の確認か容易になる。なお
、空気又はガスの導入は、イオン種選択１１Ｙたけに行
なえばよ（、イオン打込み操作時に影響を及ぼすことは
ない。
とすることかでき、イオン種の確認か容易になる。なお
、空気又はガスの導入は、イオン種選択１１Ｙたけに行
なえばよ（、イオン打込み操作時に影響を及ぼすことは
ない。
以上説明したように、本発明を実施することにより、従
来トランジスタ製造現場なとて１１．’ｌおり起ったイ
オン種の選択間違いによる不良品の発生を皆無にするこ
とができる。
来トランジスタ製造現場なとて１１．’ｌおり起ったイ
オン種の選択間違いによる不良品の発生を皆無にするこ
とができる。
第１図は従来のイオン打込装置の構成説明図、第２図及
び第３図はいずれも本発明のイオン打込装置の構成説明
図である。 １・・・イオン源 ２・・・イオンビーｊ・３・
・・磁場形質Ｌ１Ｆ分前型 ４・・・ｖ１量分；耶スリット ５・・打込室 ６ ウェハ ７・・・ビューイングボー１・ ８・・・分光；１１ ９・・カス流量器ｉ卸）・
ルフ代理人弁理士 中利純之助 １・１ 図 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 小池英己 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
び第３図はいずれも本発明のイオン打込装置の構成説明
図である。 １・・・イオン源 ２・・・イオンビーｊ・３・
・・磁場形質Ｌ１Ｆ分前型 ４・・・ｖ１量分；耶スリット ５・・打込室 ６ ウェハ ７・・・ビューイングボー１・ ８・・・分光；１１ ９・・カス流量器ｉ卸）・
ルフ代理人弁理士 中利純之助 １・１ 図 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 小池英己 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (3)
- （１）イオンを発生させるイオン源と、イオンを加速す
る手段と、このイオンを質量分離するためのＴ′ｆ量分
離器と、打込室を備えて成るイオン打込装置において、
」１記質量分離器と打込室の間における発光を計測する
手段を付加したことを特徴とするイオン打込装置。 - （２）前記発光を計測する手段は、分光計、又は特定波
長成分の光を選択的に通過せしめる手段とこれを検出す
る手段を具備して構成したものである特許請求の範囲第
１項記載のイオン打込装置。 - （３）前記発光を言１測する手段として、前記質量分離
器と打込室の間のビーム通路にカスを導入するための手
段を（−Ｊ加したことを特徴とする９、１′許ｊｌ’ｌ
求の範囲第２項記載のイオン打込装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15591982A JPS5946749A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | イオン打込装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15591982A JPS5946749A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | イオン打込装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946749A true JPS5946749A (ja) | 1984-03-16 |
Family
ID=15616375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15591982A Pending JPS5946749A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | イオン打込装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946749A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006016165A1 (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device manufacturing apparatus and a method of controlling a semiconductor device manufacturing process |
| JP2006196400A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置用の角度計測装置および関連装置 |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP15591982A patent/JPS5946749A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006016165A1 (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device manufacturing apparatus and a method of controlling a semiconductor device manufacturing process |
| JP2006196400A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置用の角度計測装置および関連装置 |
| US7358509B2 (en) | 2005-01-17 | 2008-04-15 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implanter, and angle measurement apparatus and beam divergence measurement apparatus for ion implanter |
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