JPS5946544A - Ｘ線元素分析装置 - Google Patents
Ｘ線元素分析装置Info
- Publication number
- JPS5946544A JPS5946544A JP57156976A JP15697682A JPS5946544A JP S5946544 A JPS5946544 A JP S5946544A JP 57156976 A JP57156976 A JP 57156976A JP 15697682 A JP15697682 A JP 15697682A JP S5946544 A JPS5946544 A JP S5946544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- sample
- ray
- characteristic
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えば絶縁物試料、昇華性試料に対しても
測定可能とする電子線グローブＸ線々イクロアナライザ
のようなＸ線元素分析装置に関する。
測定可能とする電子線グローブＸ線々イクロアナライザ
のようなＸ線元素分析装置に関する。
電子線ゾローブＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）は
、電子銃から発生される電子線プローブを試料に対して
照射し、この試料で電子線照射□に対応して発生される
特性Ｘ線を検出測定して試料の元素分析を行なう。この
ような１ｎＰＭＡは、物体の微小領域の成分元素分析手
段として効果的に使用されるものである。しかし、例え
ば絶縁物試料や昇華性試料に対して上記のよりなＥＰＭ
Ａを使用すると、それぞれジャーシアツノ゛現象や発熱
に伴なう物質の蒸発等のために、正確な測定分析を行な
うことが困難である。
、電子銃から発生される電子線プローブを試料に対して
照射し、この試料で電子線照射□に対応して発生される
特性Ｘ線を検出測定して試料の元素分析を行なう。この
ような１ｎＰＭＡは、物体の微小領域の成分元素分析手
段として効果的に使用されるものである。しかし、例え
ば絶縁物試料や昇華性試料に対して上記のよりなＥＰＭ
Ａを使用すると、それぞれジャーシアツノ゛現象や発熱
に伴なう物質の蒸発等のために、正確な測定分析を行な
うことが困難である。
この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、微小
領域の分析が可能であるＥＰＭＡの特徴を損うことなく
、絶縁性試料や昇華性試料に対しても正確な元素分析が
行なえるようにするＸ線元素分析装置を提供しようとす
るものである。
領域の分析が可能であるＥＰＭＡの特徴を損うことなく
、絶縁性試料や昇華性試料に対しても正確な元素分析が
行なえるようにするＸ線元素分析装置を提供しようとす
るものである。
すなわち、この発明に係るＸ線元素分析装置は、被測定
試料に対して電子線を間欠的に照射すると共に、試料か
ら発生される特性Ｘ線を、上記電子線照射時間に同期し
て検出し測定分析に供するようにしたものである。
試料に対して電子線を間欠的に照射すると共に、試料か
ら発生される特性Ｘ線を、上記電子線照射時間に同期し
て検出し測定分析に供するようにしたものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
添付図面はその構成を示したもので、被測定試料１ノに
対して鎖線で示すように電子線プローブが照射されるよ
うに電子銃１２を設定する。この電子銃１２檄は電子銃
電源１３によって駆動されるもので、この電源１３はト
リガパルサ１４からのｉ４ルス状信号によって駆動して
電子銃１２に・ｆルス状高電圧駆動信号を供給させ、試
料１ノに対して照射時間１１および非照射時間ｔ、の設
定されるＡルス状電子線が照射されるようにする。
対して鎖線で示すように電子線プローブが照射されるよ
うに電子銃１２を設定する。この電子銃１２檄は電子銃
電源１３によって駆動されるもので、この電源１３はト
リガパルサ１４からのｉ４ルス状信号によって駆動して
電子銃１２に・ｆルス状高電圧駆動信号を供給させ、試
料１ノに対して照射時間１１および非照射時間ｔ、の設
定されるＡルス状電子線が照射されるようにする。
試料１ノからは、上記電子線の照射に対応して試料１ノ
の構成元素によυ特性Ｘ線が発生されるもので、この特
性Ｘ線は高分解能の半導体検出器１５によって検出され
る。この検出器１５は、検出特性Ｘ線の波長と強度に応
じた電気的・ぐシス信号状の検出信号を発生し、この検
出パルス信号はノ卆ルスカウンタ１６で計数される。こ
のノマルスカウンタ１６は、上記トリガパルサ１４ＶＣ
同期して作動されるように設定され、試料１１に電子線
が照射される時間範囲でのみ同期的に制御し、電子線照
射時に発生した特性Ｘ線に対応する検出信号のみを計数
するようにしてなる。
の構成元素によυ特性Ｘ線が発生されるもので、この特
性Ｘ線は高分解能の半導体検出器１５によって検出され
る。この検出器１５は、検出特性Ｘ線の波長と強度に応
じた電気的・ぐシス信号状の検出信号を発生し、この検
出パルス信号はノ卆ルスカウンタ１６で計数される。こ
のノマルスカウンタ１６は、上記トリガパルサ１４ＶＣ
同期して作動されるように設定され、試料１１に電子線
が照射される時間範囲でのみ同期的に制御し、電子線照
射時に発生した特性Ｘ線に対応する検出信号のみを計数
するようにしてなる。
このカウンタ１６の計数出力はメモリ１７に記憶蓄積さ
れるもので、Ｓ／Ｎを向上させるために・ぐルス状に間
欠的に発生される電子線照射をある測定時間範囲で繰り
返し行なわせた時に、その各電子線照射毎の測定計測結
果を蓄積するようになる。そして、このメモリ１７に記
憶蓄積された計測データは、インターフェース１８を介
して信号処理装置１９に供給して分析処理し、Ｘ−Ｙプ
ロッタ２０．結果の数値表示を行なうプリンタ２１、さ
らに各成分元素に応じた強度（濃度）のグラス表示、面
分布表等を行なうＣＲＴ−、？ 、？を表示駆動する。
れるもので、Ｓ／Ｎを向上させるために・ぐルス状に間
欠的に発生される電子線照射をある測定時間範囲で繰り
返し行なわせた時に、その各電子線照射毎の測定計測結
果を蓄積するようになる。そして、このメモリ１７に記
憶蓄積された計測データは、インターフェース１８を介
して信号処理装置１９に供給して分析処理し、Ｘ−Ｙプ
ロッタ２０．結果の数値表示を行なうプリンタ２１、さ
らに各成分元素に応じた強度（濃度）のグラス表示、面
分布表等を行なうＣＲＴ−、？ 、？を表示駆動する。
２３は試料１１に対して接続される試料電流測定用の電
流計である。
流計である。
すなわち、トリガフ４ルサ１４からのパルス状信号で電
子銃電源１３を駆動することにより、周期的な高電圧・
ぐルスを電子銃１２に供給する。
子銃電源１３を駆動することにより、周期的な高電圧・
ぐルスを電子銃１２に供給する。
したがって、電子銃１２からはその高電圧・ぐルスに対
応して発生され加速された電子線が、試料１ノに照射さ
れ、試料１１からの特性Ｘ線が検出器１５で検出され、
ノ２ルスカウタ１６で上記電子線照射時間に同期して計
数されるようになる。
応して発生され加速された電子線が、試料１ノに照射さ
れ、試料１１からの特性Ｘ線が検出器１５で検出され、
ノ２ルスカウタ１６で上記電子線照射時間に同期して計
数されるようになる。
このように試料１１に照射する電子線を・ぐルス状にし
た間欠電子線とすることによって、１測定単位の電子線
照射時間を極めて短時間とすることができるようになり
、トリガパルサ１４０指令で／’Ｐルスカウンタ１６を
同期的に制御することによって、その限られた短時間に
おける特性Ｘ線による計測データを計数できるようにな
る。ここで、トリガパルサ１４によって照射電子線のｉ
４ルス間隔、幅を任意に選定できるようにすることによ
って、試料１ノの種類に応じた最適・（ルス間隔、幅を
設定することが可能になる。
た間欠電子線とすることによって、１測定単位の電子線
照射時間を極めて短時間とすることができるようになり
、トリガパルサ１４０指令で／’Ｐルスカウンタ１６を
同期的に制御することによって、その限られた短時間に
おける特性Ｘ線による計測データを計数できるようにな
る。ここで、トリガパルサ１４によって照射電子線のｉ
４ルス間隔、幅を任意に選定できるようにすることによ
って、試料１ノの種類に応じた最適・（ルス間隔、幅を
設定することが可能になる。
例えば、試料１１が絶縁性試料の場合、最初の・ぐルス
状電子線照射によシ注入された電荷が、次の電子線・ヤ
ルス照射が行なわれるまでの間に５− 充分に放電され、チャージアップ現象が回避されるよう
な・ぐルス間隔に設定すればよいものである。したがっ
て、正確な測定が可能となる。
状電子線照射によシ注入された電荷が、次の電子線・ヤ
ルス照射が行なわれるまでの間に５− 充分に放電され、チャージアップ現象が回避されるよう
な・ぐルス間隔に設定すればよいものである。したがっ
て、正確な測定が可能となる。
また、昇華性試料の場合は、間欠的電子線照射による照
射時間の減少による発熱量の減少と、電子線非照射期間
の放熱作用によって、試料の蒸発および破壊現象が確実
に抑えられるようになるものである。
射時間の減少による発熱量の減少と、電子線非照射期間
の放熱作用によって、試料の蒸発および破壊現象が確実
に抑えられるようになるものである。
このような効果は、任意の径の電子線に対して発揮され
るものであるため、照射電子線を充分に細く絞ることが
可能となシ、上記のよう々絶縁性試料、昇華性試料にお
いても、ＥＰＭＡの特徴である微小領域の元素分析を可
能とするものである。
るものであるため、照射電子線を充分に細く絞ることが
可能となシ、上記のよう々絶縁性試料、昇華性試料にお
いても、ＥＰＭＡの特徴である微小領域の元素分析を可
能とするものである。
尚、上記実施例では試料１）に対して電子線をノ９ルス
状に照射させる手段としてトリガフ４ルサ１４を使用し
、電子線電源Ｊ３を制御するようにしたが、これは電子
銃１２では連続的に電子線を発生させ、その電子線通路
に対してメカニカルチョッパを設けて、試料１１に照射
され６− る電子線がパルス状間欠的になるようにしてもよい。ま
た、電子線通路に対して、デフレクタおよび電子線トラ
ップを設け、デフレクタに対する印加偏向電圧を調整し
て、連続的に発生される電子線を試料と電子線トラップ
との間に交互にふり分は照射するようにしてもよい。
状に照射させる手段としてトリガフ４ルサ１４を使用し
、電子線電源Ｊ３を制御するようにしたが、これは電子
銃１２では連続的に電子線を発生させ、その電子線通路
に対してメカニカルチョッパを設けて、試料１１に照射
され６− る電子線がパルス状間欠的になるようにしてもよい。ま
た、電子線通路に対して、デフレクタおよび電子線トラ
ップを設け、デフレクタに対する印加偏向電圧を調整し
て、連続的に発生される電子線を試料と電子線トラップ
との間に交互にふり分は照射するようにしてもよい。
その他、試料台に対して複数の試料ａ、ｂ・・・を並べ
て設置し、連続的に発生される電子線の通路に偏向機構
を設けて、試料ａ→試料台等でなる電子線トラップ→試
料ｂ→・・・のように電子線を偏向走査し、且つ試料か
らの特性Ｘ線検出をマルチ化して構成するようにしても
よい。
て設置し、連続的に発生される電子線の通路に偏向機構
を設けて、試料ａ→試料台等でなる電子線トラップ→試
料ｂ→・・・のように電子線を偏向走査し、且つ試料か
らの特性Ｘ線検出をマルチ化して構成するようにしても
よい。
実施例では、特性ｘｌｌｉｌの検出手段としてエネルギ
ー分散方式を採用する場合を示したが、これは例えば波
長分散方式を用いて、一定時間毎に分光結晶を連続ある
いはステップ状に走査し、特定元素毎に順次分析するよ
うにしても同様の効果が得られる。
ー分散方式を採用する場合を示したが、これは例えば波
長分散方式を用いて、一定時間毎に分光結晶を連続ある
いはステップ状に走査し、特定元素毎に順次分析するよ
うにしても同様の効果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、ＥＰＭＡの効果を損う
ことなく、例えば絶縁性試料あるいは昇華性試料等の微
小領域に対する元素分析を正確に実行し得るものであり
、この種の分析装置をより効果的に応用可能とするもの
である。
ことなく、例えば絶縁性試料あるいは昇華性試料等の微
小領域に対する元素分析を正確に実行し得るものであり
、この種の分析装置をより効果的に応用可能とするもの
である。
添付図面は、この発明の一実施例に係る元素分析装置を
説明する構成図である。。 １１・・・試料、１２・・・電子銃、１３・・・電子銃
電源、１４・・・トリガパルサ、１５・・・半導体検出
器、１６・りぐルスカウンタ。
説明する構成図である。。 １１・・・試料、１２・・・電子銃、１３・・・電子銃
電源、１４・・・トリガパルサ、１５・・・半導体検出
器、１６・りぐルスカウンタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 香 試料に対して間欠的に電子線セ照射する電子銃装置と、
この電子銃装置からの電子線照射に対応して上記試料か
ら発生される特性Ｘ線を検知する検出器と、この検出器
からの検出信号を上記電子照射時間に同期して検出し測
定分析処理する手段とを具備したことを特徴とするＸ線
元素分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156976A JPS5946544A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | Ｘ線元素分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156976A JPS5946544A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | Ｘ線元素分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946544A true JPS5946544A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15639441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57156976A Pending JPS5946544A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | Ｘ線元素分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946544A (ja) |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP57156976A patent/JPS5946544A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100731455B1 (ko) | Ｘ선 발생 장치, ｘ선 촬상 장치 및 ｘ선 검사 시스템 | |
| US7486772B2 (en) | Systems and methods for x-ray imaging and scanning of objects | |
| EP0615123A4 (en) | SURFACE ANALYSIS METHOD AND DEVICE. | |
| KR930014870A (ko) | 집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법 및 그 장치 | |
| US4764674A (en) | High time resolution electron microscope | |
| JPS5946544A (ja) | Ｘ線元素分析装置 | |
| EP0801310A4 (en) | METHOD FOR ELEMENTAL ANALYSIS WITH A SCREEN SAMPLING MICROSCOPE USING A METHOD REFERRED TO IT WITH SHORT HIGH VOLTAGE PULSES | |
| Connolly et al. | Laser beam-profile monitor development at BNL for SNS | |
| JP2002318258A (ja) | 回路基板の検査装置および検査方法 | |
| JP3481031B2 (ja) | 二重円筒形オープンカウンター | |
| JP2629594B2 (ja) | Ｘ線光電子分光装置 | |
| JP2730229B2 (ja) | 荷電粒子ビーム照射型分析装置 | |
| JPS5811569B2 (ja) | デンシブンコウソウチ | |
| JP2861153B2 (ja) | 荷電粒子ビーム照射型分析装置 | |
| JP7479859B2 (ja) | 質量分析装置、及び質量分析方法 | |
| JPS6250648A (ja) | 電子線照射による試料中の注目元素の分析方法 | |
| WO2021152874A1 (ja) | 撮像ユニット、質量分析装置、及び質量分析方法 | |
| JPS6114817B2 (ja) | ||
| JPH08287864A (ja) | 質量分析装置および分析方法 | |
| JPH08247971A (ja) | 蛍光ｘ線分析装置 | |
| JP3055159B2 (ja) | 中性粒子質量分析装置 | |
| JP2527735B2 (ja) | ストリ−ク装置 | |
| GB2224352A (en) | Light waveform measuring apparatus | |
| JPH0729538A (ja) | レーザイオン化中性粒子質量分析方法 | |
| JPH05251034A (ja) | イオンビーム分析装置 |