JPS5946473A - 半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法 - Google Patents
半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法Info
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- JPS5946473A JPS5946473A JP57158539A JP15853982A JPS5946473A JP S5946473 A JPS5946473 A JP S5946473A JP 57158539 A JP57158539 A JP 57158539A JP 15853982 A JP15853982 A JP 15853982A JP S5946473 A JPS5946473 A JP S5946473A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、十カ１体用単結晶ｉＪ＋’Ｊ造順の雰囲気
、カスとして使用される高純アルゴンガスの使用後の不
純アルゴンを回収する方法に関する。
、カスとして使用される高純アルゴンガスの使用後の不
純アルゴンを回収する方法に関する。
半導体用単結晶製造国の２′＃囲気ガスとして使用され
る高純アルゴンカスは、通常液体で貯槽に貯えられ、使
用する際気化器で大気との熱交換を行い冷熱を放出し常
温のガスとして使用され、使用〔麦は大気中に放出され
ている。
る高純アルゴンカスは、通常液体で貯槽に貯えられ、使
用する際気化器で大気との熱交換を行い冷熱を放出し常
温のガスとして使用され、使用〔麦は大気中に放出され
ている。
アルゴンは空気中に０．９３係含まれＣおり、沸点が酸
素、窒素の中間にあるため、空気深冷分摩のさい儂縮さ
れ粗アルゴンとして得ら′れ、さらに酸素、窒素を分離
除去し、９９．９９９係以上の硝鯛アルゴンが作られる
のである。
素、窒素の中間にあるため、空気深冷分摩のさい儂縮さ
れ粗アルゴンとして得ら′れ、さらに酸素、窒素を分離
除去し、９９．９９９係以上の硝鯛アルゴンが作られる
のである。
近年、この空気中にわずかに含まれるアルゴンは金属精
錬用、熱処理用、溶接用、電子工柴用の作獲ガスとして
需要が増えている。
錬用、熱処理用、溶接用、電子工柴用の作獲ガスとして
需要が増えている。
上記のごとく、空気中にわずかに含まれ、空気の深冷分
１４（Ｅによって製造される高純アルゴンを使用後に太
りＣ中へ放出して、新ブこ＋’ｌ １’＋’ｆ１純アル
ゴンを使用するのは不経済なことである。
１４（Ｅによって製造される高純アルゴンを使用後に太
りＣ中へ放出して、新ブこ＋’ｌ １’＋’ｆ１純アル
ゴンを使用するのは不経済なことである。
この発明は、かかる現状に鑑み、半導体用単結晶！Ｔｌ
！ｊ造り１の雰囲気ガスとし゛〔使用された不純アルゴ
ンの回収出、利用を図るもので４）つ−Ｃ１従来使用ｔ
ｉｉＪの高純液体アルゴンを気化器で９℃化させるさい
に大気に放出されていた冷熱を利用して、使用後のアル
ゴンガスを冷却／１夕化するのしでしすると共シて、不
純アルゴンカスの純度を高め、高収率で液化アルゴンと
して回収する方法を提案するもので、ｂる。
！ｊ造り１の雰囲気ガスとし゛〔使用された不純アルゴ
ンの回収出、利用を図るもので４）つ−Ｃ１従来使用ｔ
ｉｉＪの高純液体アルゴンを気化器で９℃化させるさい
に大気に放出されていた冷熱を利用して、使用後のアル
ゴンガスを冷却／１夕化するのしでしすると共シて、不
純アルゴンカスの純度を高め、高収率で液化アルゴンと
して回収する方法を提案するもので、ｂる。
すなわち、この出願は、半導体用１゛）を結晶製造１月
の雰囲気カスとして使用後の不純アルゴンガスを昇圧し
′Ｃ反応装置中で酸素又は空気と反応させ不純アルゴン
ガス中に含有する可燃性成分を二酸化炭素と水に変換し
た後、冷却して吸層塔に送入して水分を除去し、熱交換
器で低温高純アルゴンガスと熱交換させた後、低温吸着
塔に送入して二酸化炭素を除去し、再び熱交換器で高純
液化アルゴンと熱交換させ゛Ｃ冷却した後蒸留塔で深冷
液化分離することを第１の発明とし、又前記第１発明に
おい゛Ｃ反応装置中で不純アルゴンガス中に含有する可
燃性成分を二酸化炭素と水に変換した後に、さらに反応
装置中で水素と反応させて不純アルゴン中に残存する酸
素を水に変換することを付加して高純液化アルゴンを回
収することを第２の発明とし、さらに前記第２の発明に
訃いて回収した高純液化アルゴンを再び店雰囲気ガスと
して循環使用することを第３の発明とする。
の雰囲気カスとして使用後の不純アルゴンガスを昇圧し
′Ｃ反応装置中で酸素又は空気と反応させ不純アルゴン
ガス中に含有する可燃性成分を二酸化炭素と水に変換し
た後、冷却して吸層塔に送入して水分を除去し、熱交換
器で低温高純アルゴンガスと熱交換させた後、低温吸着
塔に送入して二酸化炭素を除去し、再び熱交換器で高純
液化アルゴンと熱交換させ゛Ｃ冷却した後蒸留塔で深冷
液化分離することを第１の発明とし、又前記第１発明に
おい゛Ｃ反応装置中で不純アルゴンガス中に含有する可
燃性成分を二酸化炭素と水に変換した後に、さらに反応
装置中で水素と反応させて不純アルゴン中に残存する酸
素を水に変換することを付加して高純液化アルゴンを回
収することを第２の発明とし、さらに前記第２の発明に
訃いて回収した高純液化アルゴンを再び店雰囲気ガスと
して循環使用することを第３の発明とする。
次（で、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
まず、回収アルゴンの純度が低くてもよい場合、たとえ
ば溶接用雰囲気ガスとし−Ｃ１又はＡＯＤ精錬法でステ
ンレス鋼を溶製する際のガス等として使用される低純度
アルゴンを回収する場合について説明する。
ば溶接用雰囲気ガスとし−Ｃ１又はＡＯＤ精錬法でステ
ンレス鋼を溶製する際のガス等として使用される低純度
アルゴンを回収する場合について説明する。
高純アルゴン貯槽（１）に貯えられた高純液化アルゴン
は弁翰を有する配管（至）で熱交換器１２Ｂに送入され
、ここでコンデンサ０２を通る回収アルゴンガスと熱交
換し、液化アルゴンの冷熱は回収アルゴンの冷却に使用
され、自らは蒸発して常／１ｌｉｌの高純アルゴンガス
に、なる。
は弁翰を有する配管（至）で熱交換器１２Ｂに送入され
、ここでコンデンサ０２を通る回収アルゴンガスと熱交
換し、液化アルゴンの冷熱は回収アルゴンの冷却に使用
され、自らは蒸発して常／１ｌｉｌの高純アルゴンガス
に、なる。
この低温高純アルゴンガスの一部は配管（４１）で熱交
換器θ０に送入され、ここでコンデンサＬ（］）を通る
回収アルゴンカスと再度簡交換し、常温の高純アルゴン
ガスとなって配管（４２１を］１０す、さきの低温高純
アルゴンガスの残りと一緒になって供給管（ハ）により
半導体用単結晶製造・脳（３）に供給される。
換器θ０に送入され、ここでコンデンサＬ（］）を通る
回収アルゴンカスと再度簡交換し、常温の高純アルゴン
ガスとなって配管（４２１を］１０す、さきの低温高純
アルゴンガスの残りと一緒になって供給管（ハ）により
半導体用単結晶製造・脳（３）に供給される。
半導、ダ体用単結晶製匍・順（３）で使用さＩした高純
アルゴンガスは、回収系に導入される。２ Ｊ？、ｒｊ
ｌｌよイ、イ料の装置Ｊ′（、製品の取出し等で開放さ
れ・ｂ１内へ４ソー（が侵入する。この侵入空気を回収
系へ持ち込′まないため、回収系への弁（５）を閉じ、
大気中への放出管の放出弁（４）を開いて、回収の初期
には、空気の混入したアルゴンを大気中へ放出する。
アルゴンガスは、回収系に導入される。２ Ｊ？、ｒｊ
ｌｌよイ、イ料の装置Ｊ′（、製品の取出し等で開放さ
れ・ｂ１内へ４ソー（が侵入する。この侵入空気を回収
系へ持ち込′まないため、回収系への弁（５）を閉じ、
大気中への放出管の放出弁（４）を開いて、回収の初期
には、空気の混入したアルゴンを大気中へ放出する。
又、上記供給管（至）を経ｃｔｔ＝に供給されるアルゴ
ンが不足するときは、従来装置で使われ−Ｃいる気化器
（２）を使って補給する。
ンが不足するときは、従来装置で使われ−Ｃいる気化器
（２）を使って補給する。
上記のごとくして大気放出が終れば、放出弁（４）を閉
じ弁（５）を開いて使用されたアルゴンガスは回吸糸に
導入する。このｊ９の回収アルゴンガス組成を第１表の
八に示す。
じ弁（５）を開いて使用されたアルゴンガスは回吸糸に
導入する。このｊ９の回収アルゴンガス組成を第１表の
八に示す。
第 １ 表 組 成 （係）回収系にお
い−ＣＵ、回収アルゴンガスをまずバッファタンク（７
）をｉ＋ｆｉ Ｌで圧縮機（８）で所定の圧力（この実
施例では８にり／ｃｄＧ ）土で圧１１ｆｉ］−，４−
る。圧縮さ才１゜た回収アルゴンカスに、この回収アル
ゴンガス中の１−ＩＪ燃性成分の、ｆ（を完全に燃焼−
Ｊ−るのに必′決な酸素＆ｌＣｅ ５Ｃは空気を混入さ
せて触媒を光＋」’ＣＬ−Ｃいる反応装置（９）に送入
する。この反応装置ｒ′ｔ（９）で可燃性成分を酸素と
反応させ二酸化炭素と水に変換する。
い−ＣＵ、回収アルゴンガスをまずバッファタンク（７
）をｉ＋ｆｉ Ｌで圧縮機（８）で所定の圧力（この実
施例では８にり／ｃｄＧ ）土で圧１１ｆｉ］−，４−
る。圧縮さ才１゜た回収アルゴンカスに、この回収アル
ゴンガス中の１−ＩＪ燃性成分の、ｆ（を完全に燃焼−
Ｊ−るのに必′決な酸素＆ｌＣｅ ５Ｃは空気を混入さ
せて触媒を光＋」’ＣＬ−Ｃいる反応装置（９）に送入
する。この反応装置ｒ′ｔ（９）で可燃性成分を酸素と
反応させ二酸化炭素と水に変換する。
そし−Ｃ１この反応装置（（りを出た回収γルコ°ンカ
スは第１冷却器（＋１１、冷凍機（１３を（＝Ｊ設した
第２冷却沿（ｑのを通して７”Ｃ程度まで冷却され、こ
のｉ祭析出する水分はドレントラップ０（）で系外に排
出されろ。
スは第１冷却器（＋１１、冷凍機（１３を（＝Ｊ設した
第２冷却沿（ｑのを通して７”Ｃ程度まで冷却され、こ
のｉ祭析出する水分はドレントラップ０（）で系外に排
出されろ。
冷却された回収アルゴンカスは配イＨ口を１ｆｆｌ Ｌ
、 ゛Ｃ吸尉塔ｕ′Ｉ）に送られ水分が除去される。そ
の後、ｆｉｉＪ記熱ダ換器Ｏ匂のコンデンサ６υに送ら
れ、使用前の低温高純アルゴンガスと１・、アダ換しＣ
冷却される。
、 ゛Ｃ吸尉塔ｕ′Ｉ）に送られ水分が除去される。そ
の後、ｆｉｉＪ記熱ダ換器Ｏ匂のコンデンサ６υに送ら
れ、使用前の低温高純アルゴンガスと１・、アダ換しＣ
冷却される。
冷却された回収アルゴンガスは低ｌｉ、ｉｉ吸７ｔ１′
塔（噂して送られ二酸化炭素は吸着除去される。以りの
処理を終った後の代表的な回収アルゴン組成を第１表の
Ｂに示す。
塔（噂して送られ二酸化炭素は吸着除去される。以りの
処理を終った後の代表的な回収アルゴン組成を第１表の
Ｂに示す。
そして、低温吸着塔（ｊりを出た後の回収アルコ゛ンガ
スは前記熱交換器ｔ２１）のコンデンサ０々に送られ、
使用曲の高純液化アルゴンガスと熱交換して冷却される
。冷却された回収アルゴンガスは膨張弁（イ）で減圧さ
れてアルゴン蒸留塔（ハ）へ供給されるが、回１■アル
ゴンガスの一部はリボイラ（ロ）の熱源とし−ご使用し
た後供給される。
スは前記熱交換器ｔ２１）のコンデンサ０々に送られ、
使用曲の高純液化アルゴンガスと熱交換して冷却される
。冷却された回収アルゴンガスは膨張弁（イ）で減圧さ
れてアルゴン蒸留塔（ハ）へ供給されるが、回１■アル
ゴンガスの一部はリボイラ（ロ）の熱源とし−ご使用し
た後供給される。
アルゴン蒸留塔（至）のコンデンサ（至）にはＭ Ｋ
Ｎ 素（ト）を送入し、熱交換し−Ｃガス化した窒素は
配管（ロ）途中の／Ｊ１１ ：：ヤ）？：ｇ（イ）で加
熱された後吸庸塔０ηに送られ再生ガスとして使用する
。
Ｎ 素（ト）を送入し、熱交換し−Ｃガス化した窒素は
配管（ロ）途中の／Ｊ１１ ：：ヤ）？：ｇ（イ）で加
熱された後吸庸塔０ηに送られ再生ガスとして使用する
。
アルゴン蒸留塔（至）に送入された回収アルゴンカスは
、ここで酸化精製されつつ不純成分はベントガス放出ラ
インＱより大気中へ放出される。そしてｌ夜化精製した
回収アルゴンは回収アルゴン針目（２５）に貯留される
。この貯留された回収アルゴン組成ノ１ 例をＸＳ １
表のＣに示す。この際のアルゴン回収率は９７条であっ
た。
、ここで酸化精製されつつ不純成分はベントガス放出ラ
インＱより大気中へ放出される。そしてｌ夜化精製した
回収アルゴンは回収アルゴン針目（２５）に貯留される
。この貯留された回収アルゴン組成ノ１ 例をＸＳ １
表のＣに示す。この際のアルゴン回収率は９７条であっ
た。
次に回収アルゴンの純度を９９．９９９９６以上に高純
化して回収した場合の実施例につい−〔説明する。
化して回収した場合の実施例につい−〔説明する。
この場合は、第１図において触媒を充填している反応装
置Ｋｔ （９）と吸着塔０７）の間に水素供給設備に）
、触媒を充填した反応装置（１４）、第３冷却潴Ｏつ、
冷凍機（臣を付設した第４冷却Ｒ１！Ｆ ＱＧ及びドレ
ントラップ（１１を有し、配管（４３）はその両端部に
設けた弁Ｃ１ｉ ＋４４）を閉じ一部おく。
置Ｋｔ （９）と吸着塔０７）の間に水素供給設備に）
、触媒を充填した反応装置（１４）、第３冷却潴Ｏつ、
冷凍機（臣を付設した第４冷却Ｒ１！Ｆ ＱＧ及びドレ
ントラップ（１１を有し、配管（４３）はその両端部に
設けた弁Ｃ１ｉ ＋４４）を閉じ一部おく。
すなわち、高純アルゴン貯４漕（１）に貯えた高純液化
アルゴンは、前記実施例の低純度アルゴン回収の場合と
同様に、熱交換器（２］） ｆｉｇ）、供給管（ハ）を
経工半導体用単結晶製造ｉ’Ａ （３）に供給される。
アルゴンは、前記実施例の低純度アルゴン回収の場合と
同様に、熱交換器（２］） ｆｉｇ）、供給管（ハ）を
経工半導体用単結晶製造ｉ’Ａ （３）に供給される。
そし゛〔、使用後のアルゴンガスはｒｑｉｌ記実施例と
同様にしてアルゴンガス回収系に尋人される。−Ｕの回
収アルゴンガスの組成の一例を第２表のＡに示す。
同様にしてアルゴンガス回収系に尋人される。−Ｕの回
収アルゴンガスの組成の一例を第２表のＡに示す。
第２表 ｉｊｌ 成 （チ）回収系に
おいては、前記低純度アルゴンを回収する場合と同様に
、バッファタンク（７）を通し圧縮機（８）で所定圧方
寸で圧縮した後酸素−又は空気を混入して反応装置（９
）で可燃性成分を二酸化炭素と水に変換する。。
おいては、前記低純度アルゴンを回収する場合と同様に
、バッファタンク（７）を通し圧縮機（８）で所定圧方
寸で圧縮した後酸素−又は空気を混入して反応装置（９
）で可燃性成分を二酸化炭素と水に変換する。。
次に、回収アルゴンカス中に残存する酸素を除去するた
めに水素を混入して反応装＠ａ局に送入し、ここで回収
アルゴンガス中の１貸素を水に変換する。
めに水素を混入して反応装＠ａ局に送入し、ここで回収
アルゴンガス中の１貸素を水に変換する。
そして第３冷却器０５１、第４冷却？ｒｇ ＱＱで７”
Ｃ程度寸で冷却し、析出する水分はドレントラップ０１
）で系外へｔｄ１４出する。冷却された回収アルゴンガ
スは吸着塔（１７）に送入し水分を除去する。
Ｃ程度寸で冷却し、析出する水分はドレントラップ０１
）で系外へｔｄ１４出する。冷却された回収アルゴンガ
スは吸着塔（１７）に送入し水分を除去する。
その後、前記熱交換器（１約のコンデンサのＤに送ら）
ｔ、使用前の低ｌ晶高純アルゴンガスと・盗ゾ挨し゛Ｃ
冷却される。冷却された回収アルゴンカスケ」、低温吸
ノ、オ塔（１！１に送られ二酸化炭素は吸漕除去される
。
ｔ、使用前の低ｌ晶高純アルゴンガスと・盗ゾ挨し゛Ｃ
冷却される。冷却された回収アルゴンカスケ」、低温吸
ノ、オ塔（１！１に送られ二酸化炭素は吸漕除去される
。
この吸＞Ｒ塔（＋！ｌ）で処理さｉｔ出Ｃきた回収アル
ゴンカスの代表的組成を第２表のＢに示す。
ゴンカスの代表的組成を第２表のＢに示す。
低胤吸ノ１７ 格θ９を出た後の回収アルゴンカスケ」
、ｒｉｉＪ記大施例と同様に熱交換器（２１）及び−フ
ルボン蒸留塔（２４１で処理して液化精（視され回収ア
ルゴン貯＋ｆｆ ｔ２ｆｉ）に貯留される。この貯留さ
れた回収アルゴンの組成の一例を第２表のＣに示した。
、ｒｉｉＪ記大施例と同様に熱交換器（２１）及び−フ
ルボン蒸留塔（２４１で処理して液化精（視され回収ア
ルゴン貯＋ｆｆ ｔ２ｆｉ）に貯留される。この貯留さ
れた回収アルゴンの組成の一例を第２表のＣに示した。
この際のアルゴン回収率は９０つ石でらｐた。
又、この実施例で得た回収高純ｔｔｙ化フルゴンを半導
体用単結晶製造・順における雰囲気ガスとじて再使用す
る際は貯槽い）に付設したポンプ（イ）により昇ｆＥ
ｔ、て配管（４０により高純アルボ／ｌｒｉ”伯（１）
に移送して循環使用することができる。
体用単結晶製造・順における雰囲気ガスとじて再使用す
る際は貯槽い）に付設したポンプ（イ）により昇ｆＥ
ｔ、て配管（４０により高純アルボ／ｌｒｉ”伯（１）
に移送して循環使用することができる。
なお、アルゴン蒸留塔（ハ）と回収アルゴン貯（曹（２
ｂ）との配管途中に設けた弁（至）及び配管（噂に設け
た弁翰を閉じ、アルゴン蒸留塔（ハ）と配管（７）とを
結ぶ枝管に設けた弁（イ）を開き、アルゴン蒸留塔Ｃ２
喧から得られる回収高純液化アルゴンを直接に熱交換器
１２１）へ送り循環使用することも出来る。
ｂ）との配管途中に設けた弁（至）及び配管（噂に設け
た弁翰を閉じ、アルゴン蒸留塔（ハ）と配管（７）とを
結ぶ枝管に設けた弁（イ）を開き、アルゴン蒸留塔Ｃ２
喧から得られる回収高純液化アルゴンを直接に熱交換器
１２１）へ送り循環使用することも出来る。
又°アルゴン蒸留塔（ハ）のコンアンサ（至）の冷熱と
しては面体窒素の代りに高純液化アルゴンを使用するこ
とはｉＴＪ能であるが、この場合は気化した高純アルゴ
ンガスが配管（至）に流入できるように配管（ロ）を接
続し、λさ交換器（２１） （ｌｌ’ｌ）で回収アルゴ
ンガスと熱交換した後雰囲（℃カスとして使用し、かつ
回収するのである。
しては面体窒素の代りに高純液化アルゴンを使用するこ
とはｉＴＪ能であるが、この場合は気化した高純アルゴ
ンガスが配管（至）に流入できるように配管（ロ）を接
続し、λさ交換器（２１） （ｌｌ’ｌ）で回収アルゴ
ンガスと熱交換した後雰囲（℃カスとして使用し、かつ
回収するのである。
この発明は上記のごとく、半導体用単結晶製へ・題にお
い−〔雰囲気ガスとし゛Ｃ使用したア／ｌ、コ゛ンカス
を大気中へ放出ｒることなく、扉に供給される高純ぞ線
化アルゴンの冷酒を利用して、α化回収し循環１吏用を
も可能としたものであり、半導体用単結晶製造コストの
低減等に寄与すること大なるものがあり、工業的にきわ
めて有益である。
い−〔雰囲気ガスとし゛Ｃ使用したア／ｌ、コ゛ンカス
を大気中へ放出ｒることなく、扉に供給される高純ぞ線
化アルゴンの冷酒を利用して、α化回収し循環１吏用を
も可能としたものであり、半導体用単結晶製造コストの
低減等に寄与すること大なるものがあり、工業的にきわ
めて有益である。
第１図はこの発明の一実施例をフローノート化して示す
説明図である。 図中、１・・・高純アルゴン貯槽、２・・・気化器、３
・・・半導体用単結晶製造・趙、４・・・放出弁、５・
・・升、６・・・真空ポンプ、７・・・バラ−ノアタン
ク、８・・・ＩＥ ４イ＋’ｉ機、９・・・反応装置、
ＩＯ・・・ドレン１ラツプ、１１− 第ｌ冷却器、１２
・・・第２冷却藷、ｌ：３・・・冷凍（港、１４・・・
反応装＋ｒ１．，１５ ＝−’ｄｓ ３１％）ＡＮ４：
”ｒ、Ｉ（ｉ ・＝ ｒ、ｉｋ ４ 冷ＪＪＩ ｉ：：
；、１７・・・吸着塔、１８・・・熱交換器、１９・・
−低ｊ１１Ｌ吸冶塔、２０−＃ｌＩ ；ｉＡ ｇｈ、２
１− 熱’Ｚ ４’ｋ ’ｔ：：：、２２−１１ｔ°を
張弁、２３（・・・ベントガス放出ライン、２４・・パ
Ｙルゴン蒸留塔、２５・・・回収高純アルゴン貯１ｉ”
Ｊ、 ２６・・・ポンプ、２７゜２８、２９・・・弁、
３０・・・６１管、３１．８２・・・コンアンサ、３３
・・・供給管、３４ ・−・リポイラ、３５・・・コン
ノ′ン→ｊ、３Ｇ・・ｒｔｌ、体水素、二３７・・・配
り′λ・、３８・・・水素供給膜ｆ＋ｉｉｆ、３９・・
・卯、４０・・・酸素、４１．４２．４３．４５・・・
配管、４４・・・弁。 出願人 共同酸素株式会社 代理人 押 １） 良 久自発千糸売ネ
市正ｐ腎 １召和５７ンｆ１１Ｊ−１２６Ｈ 特許庁長官 若杉和夫 ｌ１ｉＱ １ 、 ’Ｊｉ（！ｌの表示 ｌｉｔ？和５フイＩ゛ 特訂願 第１５３３５３９５−
３２、発明の名称 半導体用単結晶製造炉に、１′３りる雰囲気用アルゴン
回収力ｄ、３、補正をりる者 串イ′１ど（７］３’ｊ係 ；に１９１人ワノＪ
八フマへミナト 住 所 和歌山県和歌山市淡１８５０番地キョウドウ１
ナンソ 名 称 ノ（同酸素株式会ネ１゜ ４、代理人 ５、補正の対象 明細１Ｂの１−発明の詳細な説明」の欄１、 本願間
ａＩ ｉ！＋ ６ Ｔｌ １ （Ｔ （Ｄ ｒ常）！Ｌ
Ｊ ヲｒ低ン晶」トｆ市正する。 ２、同９頁８イ１の「１段ノ１′￥Ｊ苔ｔ１７） Ｊを
［吸ｔ（ｆ 〕各（［７１、［１（扁吸／／−Ｆ塔（１
≦身］と補正する。 ３、 同９頁１６イ１の「９７チ」を「９４チ」と浦ｌ
′ＥＶる。 ４、 同添付図面の第１図に符号ｒ２（ｌＪ％加え別紙
のと１？り補正する。 Ｉ奈ｉｔ 、ｊ、）煩の目録 （１）第１図 １涌
説明図である。 図中、１・・・高純アルゴン貯槽、２・・・気化器、３
・・・半導体用単結晶製造・趙、４・・・放出弁、５・
・・升、６・・・真空ポンプ、７・・・バラ−ノアタン
ク、８・・・ＩＥ ４イ＋’ｉ機、９・・・反応装置、
ＩＯ・・・ドレン１ラツプ、１１− 第ｌ冷却器、１２
・・・第２冷却藷、ｌ：３・・・冷凍（港、１４・・・
反応装＋ｒ１．，１５ ＝−’ｄｓ ３１％）ＡＮ４：
”ｒ、Ｉ（ｉ ・＝ ｒ、ｉｋ ４ 冷ＪＪＩ ｉ：：
；、１７・・・吸着塔、１８・・・熱交換器、１９・・
−低ｊ１１Ｌ吸冶塔、２０−＃ｌＩ ；ｉＡ ｇｈ、２
１− 熱’Ｚ ４’ｋ ’ｔ：：：、２２−１１ｔ°を
張弁、２３（・・・ベントガス放出ライン、２４・・パ
Ｙルゴン蒸留塔、２５・・・回収高純アルゴン貯１ｉ”
Ｊ、 ２６・・・ポンプ、２７゜２８、２９・・・弁、
３０・・・６１管、３１．８２・・・コンアンサ、３３
・・・供給管、３４ ・−・リポイラ、３５・・・コン
ノ′ン→ｊ、３Ｇ・・ｒｔｌ、体水素、二３７・・・配
り′λ・、３８・・・水素供給膜ｆ＋ｉｉｆ、３９・・
・卯、４０・・・酸素、４１．４２．４３．４５・・・
配管、４４・・・弁。 出願人 共同酸素株式会社 代理人 押 １） 良 久自発千糸売ネ
市正ｐ腎 １召和５７ンｆ１１Ｊ−１２６Ｈ 特許庁長官 若杉和夫 ｌ１ｉＱ １ 、 ’Ｊｉ（！ｌの表示 ｌｉｔ？和５フイＩ゛ 特訂願 第１５３３５３９５−
３２、発明の名称 半導体用単結晶製造炉に、１′３りる雰囲気用アルゴン
回収力ｄ、３、補正をりる者 串イ′１ど（７］３’ｊ係 ；に１９１人ワノＪ
八フマへミナト 住 所 和歌山県和歌山市淡１８５０番地キョウドウ１
ナンソ 名 称 ノ（同酸素株式会ネ１゜ ４、代理人 ５、補正の対象 明細１Ｂの１−発明の詳細な説明」の欄１、 本願間
ａＩ ｉ！＋ ６ Ｔｌ １ （Ｔ （Ｄ ｒ常）！Ｌ
Ｊ ヲｒ低ン晶」トｆ市正する。 ２、同９頁８イ１の「１段ノ１′￥Ｊ苔ｔ１７） Ｊを
［吸ｔ（ｆ 〕各（［７１、［１（扁吸／／−Ｆ塔（１
≦身］と補正する。 ３、 同９頁１６イ１の「９７チ」を「９４チ」と浦ｌ
′ＥＶる。 ４、 同添付図面の第１図に符号ｒ２（ｌＪ％加え別紙
のと１？り補正する。 Ｉ奈ｉｔ 、ｊ、）煩の目録 （１）第１図 １涌
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 炉雰囲気ガスに使用後の不純アルゴンガスを昇圧し
゛Ｃ反応装置中で酸素又は空気と反応させ不純アルゴン
ガス中に含有する可燃性成分を二酸化炭素と水に変換し
た後、冷却して吸着塔に送入して水分を除去し、熱交換
器で低温高純アルゴンガスと熱交換させたイ浸、低温吸
着塔に送入して二酸化炭素を除去し、再び熱交換器で高
純液化アルゴンと熱交換させ゛Ｃ冷却した後蒸留塔で深
冷液化分離することを特徴とする半導体用単結晶製造炬
における雰囲気用−ｒルゴン回収方法。 ２ 炉雰囲気ガスに使用後の不純アルゴンガスを昇圧し
゛Ｃ反応装置中で酸素又は空気と反応させ不純アルゴン
ガス中に含有する可燃性成分を二酸化炭素と水に変換し
た後、さらに反応装置中で水素と反応させ不純アルゴン
ガス中に残存する酸素を水に変換し、冷却して吸着塔に
送入して水分を除去し、熱交４φ冊で低温高純アルゴン
ガスと：ｉＦ！！ ９換させた後、低温吸着塔に送入し
−Ｃ二酸化炭素を除去し、さらに曹）父換器で高純液化
アルゴンと、’Ｇ’！交換させて冷却した後蒸留ｊみで
深冷液化分Ｍｉｔｔ Ｌ、高純液化アルゴンを回収する
ことを特徴とする半導体用単結晶中ＭＪ告偵して１．−
ける雰ＩＲ）ｌ成用アルゴン回収方法。 ３ 炉雰囲気ガスに使用後の不純１ルゴンガスを昇圧し
て反応装置１′を中で酸素又はソ１ソ気と反応させ不純
アルゴンガス中に含有するｉ１Ｊ燃性成分を二酸化炭素
と水に変換した後、さしに反応装置１り中で水素と反応
させ不純アルゴンガス中に残存−ｒる酸素を水に変換し
、冷却し゛〔吸着塔して送入し−Ｃ水分を除去し、・第
ダ換器で１氏１１■高純アルゴンガスと１苓交換させた
後、低温吸ンＵ塔に送入して二酸化炭素を１余失し、さ
らに熱ダ換器で旨純液化アルゴンと望交換させ−Ｃ冷却
した後蒸留塔で深冷液化うす雌し７、高純＋’ｉｌ ｆ
ヒアルボンを回収し、回収した高純顯（しアルゴンを再
び・炉雰囲気ガスとして循ｆ！；ｌ使用することを特徴
とする半７．１＋体用雫結晶製造・廂における雰囲気用
アルゴン回収方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158539A JPS5946473A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158539A JPS5946473A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946473A true JPS5946473A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15673919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158539A Pending JPS5946473A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946473A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202380A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 大同酸素株式会社 | アルゴン回収方法 |
| JPS59202381A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 大同酸素株式会社 | アルゴン回収方法 |
| JPS60204608A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-16 | Hitachi Ltd | アルゴンの回収方法およびその装置 |
| JP2016179916A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 信越半導体株式会社 | アルゴンガスの精製方法及びアルゴンガスの回収精製装置 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP57158539A patent/JPS5946473A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202380A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 大同酸素株式会社 | アルゴン回収方法 |
| JPS59202381A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 大同酸素株式会社 | アルゴン回収方法 |
| JPH0412393B2 (ja) * | 1983-04-30 | 1992-03-04 | Daido Oxygen | |
| JPH0451753B2 (ja) * | 1983-04-30 | 1992-08-19 | Daido Oxygen | |
| JPS60204608A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-16 | Hitachi Ltd | アルゴンの回収方法およびその装置 |
| JP2016179916A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 信越半導体株式会社 | アルゴンガスの精製方法及びアルゴンガスの回収精製装置 |
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