JPS5946439B2 - Manufacturing method of multilayer ceramic circuit board - Google Patents

Manufacturing method of multilayer ceramic circuit board

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JPS5946439B2
JPS5946439B2 JP13965977A JP13965977A JPS5946439B2 JP S5946439 B2 JPS5946439 B2 JP S5946439B2 JP 13965977 A JP13965977 A JP 13965977A JP 13965977 A JP13965977 A JP 13965977A JP S5946439 B2 JPS5946439 B2 JP S5946439B2
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JP
Japan
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via hole
conductor layer
photoresist
layer
forming
Prior art date
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Expired
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JP13965977A
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Japanese (ja)
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JPS5472461A (en
Inventor
成一 山田
伸男 亀原
恭平 村川
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多層セラミック回路基板の製造方法に関し、特
に、高密度に微細な回路パターンが形成された多層セラ
ミック回路基板の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer ceramic circuit board, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer ceramic circuit board on which a fine circuit pattern is formed with high density.

従来、焼結されたセラミック板の表面にスクリーン印刷
法により印刷配線して、例えば混成集、積回路の構成部
品とすることが行なわれている。
Conventionally, wiring has been printed on the surface of a sintered ceramic plate by a screen printing method to form, for example, a component of a hybrid assembly or an integrated circuit.

ぷ二:一■■÷二■■■〒=【゛板が開発されている。Punii: 1■■÷2■■■ 〒=【゛The board has been developed.

このような多層セラミック回路基板に石いては、各配線
層間の導通をとる孔(以下バイヤホールと称する)の確
実な形成及びバイヤホール配線パターンを微細化し、高
密度化することが要求されている。
For such multilayer ceramic circuit boards, it is required to reliably form holes (hereinafter referred to as via holes) that provide conduction between each wiring layer, and to miniaturize and increase the density of via hole wiring patterns. .

ところが、従来の印刷配線法では、配線幅及びバイヤホ
ールの径を100Pm以下の微細パターンに形成するこ
とは困難である。このような問題を解決するものとして
、フォトリソグラフィーを適用して回路パターンを形成
する方法が提案されている。
However, with the conventional printed wiring method, it is difficult to form a fine pattern with a wiring width and via hole diameter of 100 Pm or less. As a solution to these problems, a method has been proposed in which a circuit pattern is formed using photolithography.

例えば、特公昭51−20699号公報には、セラミッ
ク基板表面に回路パターンを形成し、次いでバイヤホー
ルパターンを有するフォトレジスト層を形成、該バイヤ
ホール部を電気めつき等により、金(Au)等の導体で
埋めて導電性スタッドを形成、前記フォトレジスト層を
除去した後、ガラス、ガラスセラミック等の絶縁ペース
トをドクタ・ブレード又は噴霧方法を用いて付着、焼成
する工程を繰り返して多層セラミック基板を製造する方
法が提案されている。
For example, in Japanese Patent Publication No. 51-20699, a circuit pattern is formed on the surface of a ceramic substrate, a photoresist layer having a via hole pattern is then formed, and the via hole portion is made of gold (Au) by electroplating or the like. After the photoresist layer is removed, an insulating paste of glass, glass ceramic, etc. is applied using a doctor blade or spraying method, and the process of firing is repeated to form a multilayer ceramic substrate. A manufacturing method has been proposed.

この方法によれば、導電性スタッド上の絶縁体を除去し
、絶縁層表面を平担化するために、研磨を行なわなけれ
ばならない。しかし、研磨により、大きなセラミック基
板の絶縁層の厚さを均一になるように制御するこは極め
て難しく、また研磨工程は多くの時間を要する。本発明
は、微細なバイヤホール、回路パターンを有する高密度
多層セラミック回路基板の簡単な製造方法を目的とする
もので焼結されたセラミツク基板全面に導体ペーストを
塗布焼成して第1の導体層を形成する工程、前記第1の
導体層に回路パターンを形成する工程、前記回路パター
ン上のバイアホール形成部にフオトレジストよりなるス
タツドを形成する工程、前記フオトレジストよりなるス
タツドを設けた前記セラミツク基板全面に絶縁ぺースト
を塗布焼成し、絶縁層及びバイアホールを形成する工程
、及び前記絶縁層表面及びバイアホール部に導体ペース
トを塗布焼成し、第2の導体層と同時に、第1の導体層
と第2の導体層間を導通させるバイアホール導体部を形
成する工程が含まれてなることを特徴とする。
According to this method, polishing must be performed to remove the insulator on the conductive stud and flatten the surface of the insulating layer. However, it is extremely difficult to control the thickness of the insulating layer of a large ceramic substrate to be uniform by polishing, and the polishing process requires a lot of time. The present invention aims to provide a simple manufacturing method for high-density multilayer ceramic circuit boards having fine via holes and circuit patterns.A first conductive layer is formed by applying a conductive paste to the entire surface of a sintered ceramic substrate and firing it. a step of forming a circuit pattern on the first conductor layer; a step of forming a stud made of photoresist in a via hole forming portion on the circuit pattern; A step of applying and baking an insulating paste on the entire surface of the substrate to form an insulating layer and a via hole, and applying and baking a conductive paste on the surface of the insulating layer and the via hole, and simultaneously forming a second conductor layer and forming a first conductor layer. The method is characterized in that it includes a step of forming a via hole conductor portion that provides electrical continuity between the layer and the second conductor layer.

次に本発明を実施例に基いて詳細に説明する。Next, the present invention will be explained in detail based on examples.

工程1焼結されたセラミツク基板1(以下ベース基板と
称する。
Step 1 Sintered ceramic substrate 1 (hereinafter referred to as base substrate).

)全表面に導体ペーストをスクリーン印刷法により塗布
、焼成して、前記セラミツク基板上に第1の導体層2を
形成する。(第1図参幹前記ベース基板としては、アル
ミニウム、ムライト、フオルステライト、ステアライト
等の各種のセラミツク基板を用いることができるが、該
ベース基板上に積層する絶縁層と同等の熱膨張係数を有
するセラミツク板を使用する必要がある。本実施例では
厚さ0.6m1のムライト基板を用いた。導体金属ペー
ストとしては種々の金属が使用可能であるが、回路パタ
ーンの配線幅が細い場合には電気抵抗の小さな金、銅等
の金属を用いるのが望ましい、900℃で10分間焼成
し、厚さ15μmの導体層を形成した。工程2 前記導体層にフオトレジスト3を塗布、現像、露光し、
該フオトレジスト3をエツチングマスクとするフオトリ
ソグラフイ一を適用して回路パターンを形成する。
) A first conductor layer 2 is formed on the ceramic substrate by applying a conductor paste to the entire surface by screen printing and firing. (Reference to Figure 1) Various ceramic substrates such as aluminum, mullite, forstellite, stearite, etc. can be used as the base substrate. In this example, a mullite board with a thickness of 0.6 m1 was used.Various metals can be used as the conductive metal paste, but when the wiring width of the circuit pattern is narrow, It is preferable to use a metal such as gold or copper having low electrical resistance.The conductor layer was baked at 900° C. for 10 minutes to form a conductor layer with a thickness of 15 μm.Step 2 Photoresist 3 was applied to the conductor layer, developed, and exposed. death,
A circuit pattern is formed using photolithography using the photoresist 3 as an etching mask.

該回路パターンの配線幅及び配線間の間隔は50μm、
バイアホールの直径は75μmφである。(第2図参照
)工程3 前記フオトレジスト3を除去した後、再びフオトレジス
トを厚さ40μm程度に塗布し、バイアホール形成部に
フオトレジストが残るように露光、現像し、バイアホー
ル形成部にフオトレジストよりなるスタツド4を形成す
る。
The wiring width of the circuit pattern and the interval between wirings are 50 μm,
The diameter of the via hole is 75 μmφ. (See Figure 2) Step 3 After removing the photoresist 3, apply photoresist again to a thickness of about 40 μm, expose and develop so that the photoresist remains in the via hole forming area, and then apply photoresist to the via hole forming area. A stud 4 made of photoresist is formed.

(第3図参照)尚、バイアホール形成部のスタツドの直
径は75μmφである。工程4 前記フオトレジストよりなるスタツド4が形成された前
記ベース基板1表面に絶縁ペースト5をスクリーン印刷
法又はドクタ・ブレード法によりフオトレジストよりな
るスタツドの厚さよりも10μm厚く塗布する。
(See FIG. 3) The diameter of the stud in the via hole forming portion is 75 μmφ. Step 4: On the surface of the base substrate 1 on which the photoresist studs 4 are formed, an insulating paste 5 is applied by screen printing or a doctor blade method to a thickness of 10 μm thicker than the thickness of the photoresist studs.

(第4図参照)該絶縁ペースト5としては、金、銅等の
前記導体金属が導体として使用できる温度範囲内で焼成
することができ、しかも誘電率が低く熱伝導率が高い材
料が望ましい。
(See FIG. 4) The insulating paste 5 is desirably a material that can be fired within a temperature range in which the conductive metal such as gold or copper can be used as a conductor, and has a low dielectric constant and high thermal conductivity.

本実施例では、ボロンシリケイト−アルミナ系のガラス
・セラミツクペーストを用いた。
In this example, a boron silicate-alumina glass/ceramic paste was used.

工程5 次いで、前記絶縁ペースト層5を900℃で10分間焼
成した後、該絶縁層6表面をフツ化水素酸系エツチング
液でエツチングして、バイアホールとなる孔を開孔する
Step 5 Next, after baking the insulating paste layer 5 at 900° C. for 10 minutes, the surface of the insulating layer 6 is etched with a hydrofluoric acid etching solution to form a hole that will become a via hole.

該900℃の焼成によつて、前記フオトレジストよりな
るスタツド4は蒸発分解して空洞となる。
By the firing at 900° C., the stud 4 made of the photoresist is evaporated and decomposed to form a cavity.

このためエツチング工程時にスタツドの高さより厚く塗
布、焼成された絶縁層のスタツド上の絶縁体は容易に溶
解除去され、バイアホールとなる孔7が確保される。(
第5図参照)尚、研磨によりスタツド上の絶縁層を除去
し、バイアホール孔を形成することもできる。
Therefore, the insulator on the stud of the insulating layer coated and fired to a thickness greater than the height of the stud during the etching process is easily dissolved and removed, and the hole 7 serving as the via hole is secured. (
(See FIG. 5) Note that it is also possible to remove the insulating layer on the stud by polishing and form a via hole.

この場合、スタツド上の絶縁層は、焼成時に形成された
空洞部に陥没し容易にバイアホールとなる孔が形成でき
る。工程6 超音波洗浄により、バイアホール孔7部に存在する研磨
粒等を除去した後、前記絶縁層6全面に金ペーストをス
クリーン印刷法により塗布焼成する。
In this case, the insulating layer on the stud sinks into the cavity formed during firing, easily forming a hole that becomes a via hole. Step 6 After removing abrasive grains and the like present in the via holes 7 by ultrasonic cleaning, gold paste is coated on the entire surface of the insulating layer 6 by screen printing and fired.

このようにして、バイアホール孔部は導体で埋められる
と同時に2層目の導体層8が形成される。
In this way, the via hole is filled with a conductor and at the same time the second conductor layer 8 is formed.

(第6図参照)上述の工程2乃至6の工程を繰り返して
高密度回路パターンを多層に形成する。
(See FIG. 6) The above steps 2 to 6 are repeated to form a multilayer high-density circuit pattern.

本発明によれば、配線幅及びバイアホールの径が50μ
m程度の微細な導体回路パターンを容易に確実に形成す
ることができ、しかもバイアホール部の導体と次の導体
層を同時に形成することができるので工程が短縮される
According to the present invention, the wiring width and via hole diameter are 50 μm.
It is possible to easily and reliably form a conductor circuit pattern as fine as 100 m in diameter, and the process can be shortened because the conductor in the via hole portion and the next conductor layer can be formed at the same time.

即ち、バイアホールの導通、配線の断線、短絡等のない
は頼性の高い、高密度回路パターンを有する多層セラミ
ツク回路基板を簡単な工程で製造できる。
That is, a highly reliable multilayer ceramic circuit board having a high-density circuit pattern without conduction through via holes, disconnection of wiring, short circuits, etc. can be manufactured by a simple process.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図乃至第6図は本発明による一部工程図を示す。 1・・・・・・ベース基板、2・・・・・・第1の導体
層、3・・・・・・フオトレジスト、4・・・・・・ス
タツド、5・・・・・・絶縁ペースト、6・・・・・・
絶縁層、7・・・・・・バイアホール孔、8・・・・・
・第2の導体層。
1 to 6 show partial process diagrams according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Base substrate, 2...First conductor layer, 3...Photoresist, 4...Stud, 5...Insulation Paste, 6...
Insulating layer, 7... Via hole, 8...
-Second conductor layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 焼結されたセラミック基板全面に導体ペーストを塗
布焼成して第1の導体層を形成する工程、前記第1の導
体層に回路パターンを形成する工程、前記回路パターン
上のバイヤホール形成部にフォトレジストよりなるスタ
ッドを形成する工程、前記フォトレジストよりなるスタ
ッドを設けた前記セラミック基板全面に絶縁ペーストを
塗布焼成し、絶縁層及びバイヤホールを形成する工程、
及び前記絶縁層表面及びバイヤホール部に導体ペースト
を塗布、焼成し、第2の導体層と同時に第1の導体層と
第2の導体層間を導通させるバイヤホール導体部を形成
する工程が含まれてなることを特徴とする多層セラミッ
ク回路基板の製造方法。
1 A step of applying a conductive paste to the entire surface of the sintered ceramic substrate and firing it to form a first conductor layer, a step of forming a circuit pattern on the first conductor layer, and a step of forming a via hole forming part on the circuit pattern. a step of forming a stud made of photoresist; a step of applying and baking an insulating paste on the entire surface of the ceramic substrate provided with the stud made of photoresist to form an insulating layer and a via hole;
and a step of applying a conductive paste to the surface of the insulating layer and the via hole portion and baking it to form a via hole conductor portion that connects the first conductor layer and the second conductor layer at the same time as the second conductor layer. A method of manufacturing a multilayer ceramic circuit board characterized by:
JP13965977A 1977-11-21 1977-11-21 Manufacturing method of multilayer ceramic circuit board Expired JPS5946439B2 (en)

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Publication Number Publication Date
JPS5472461A JPS5472461A (en) 1979-06-09
JPS5946439B2 true JPS5946439B2 (en) 1984-11-12

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01101585U (en) * 1987-12-25 1989-07-07

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01101585U (en) * 1987-12-25 1989-07-07

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JPS5472461A (en) 1979-06-09

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