JPS5944881A - 超伝導リ−ドスイツチ - Google Patents
超伝導リ−ドスイツチInfo
- Publication number
- JPS5944881A JPS5944881A JP57156298A JP15629882A JPS5944881A JP S5944881 A JPS5944881 A JP S5944881A JP 57156298 A JP57156298 A JP 57156298A JP 15629882 A JP15629882 A JP 15629882A JP S5944881 A JPS5944881 A JP S5944881A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- adhered
- temperature
- superconductive
- reed switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0201—Materials for reed contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H36/00—Switches actuated by change of magnetic field or of electric field, e.g. by change of relative position of magnet and switch, by shielding
- H01H36/0006—Permanent magnet actuating reed switches
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａ）発明の技術分野
本発明はリードスイッチ、特に室温より液体ヘリウム温
度（４２″’ＫＪのような極低温領域まで広範囲に動作
し得るリードスイッチに関する。
度（４２″’ＫＪのような極低温領域まで広範囲に動作
し得るリードスイッチに関する。
（６）技術の背景
磁性体よりなる一対の金属片を所定の間隔を陥てて一部
対向して不活性ガスを封入したガフヌ封管内に設置し、
該ガラス管の外部にコ４ ）’Ｉｙを設け、該コイルに
電流を流すことで一対の金属片の間に磁界を発生させ、
この磁界によって磁性体の金属同志が接触するリードス
イッチはすでに周知である。
対向して不活性ガスを封入したガフヌ封管内に設置し、
該ガラス管の外部にコ４ ）’Ｉｙを設け、該コイルに
電流を流すことで一対の金属片の間に磁界を発生させ、
この磁界によって磁性体の金属同志が接触するリードス
イッチはすでに周知である。
このようなリードスイッチは可動部分の質量が小さく、
かつ移動距離が小さいので動作が速く、また接点の動作
に際して機械的摩擦個所がないので機械的損耗による特
性度動かなく、長寿命であるので各種電子（幾器に広く
用いられている。
かつ移動距離が小さいので動作が速く、また接点の動作
に際して機械的摩擦個所がないので機械的損耗による特
性度動かなく、長寿命であるので各種電子（幾器に広く
用いられている。
（Ｃ）従来技術と問題点
第１図に従来のリードスイッチの断面図を示す。
図示するように磁性体の鉄（Ｆ’ｅ）−ニッケル（Ｎ：
ｌ）合金（５２％Ｎｉ、、 ４＋８％Ｆｅ）よりなるリ
ード片Ｊ。
ｌ）合金（５２％Ｎｉ、、 ４＋８％Ｆｅ）よりなるリ
ード片Ｊ。
２を所定の間隔Ａ′ｆｔ隔てて一部対向配置して設置し
、該リード片１．２をガラス管３内に窒素（Ｎ２）ガス
のような不活性ガスを封入させた状■で封止する。そし
て図示しないがコイ／しをガラス管の外壁の周囲に巻く
ようにして設け、該コイルに電流を流゛づことでリード
片間に磁界を発生させ、この磁界を利用してリード片同
志を接触させ、１／Ｃコ、（ｌしの通電を停止すること
でリードハ（７） Ｊｌｌｉ性によってＩＪ −Ｆ片同
志かもとの所定の間隔分保つように離れて非接触の状態
を床つよりになる。
、該リード片１．２をガラス管３内に窒素（Ｎ２）ガス
のような不活性ガスを封入させた状■で封止する。そし
て図示しないがコイ／しをガラス管の外壁の周囲に巻く
ようにして設け、該コイルに電流を流゛づことでリード
片間に磁界を発生させ、この磁界を利用してリード片同
志を接触させ、１／Ｃコ、（ｌしの通電を停止すること
でリードハ（７） Ｊｌｌｉ性によってＩＪ −Ｆ片同
志かもとの所定の間隔分保つように離れて非接触の状態
を床つよりになる。
ところで最近このようなリードスイッチを液体ヘリウム
温度（４・２°Ｋ）のような極低温領域で動作する超伝
導マグネットの永久？（Ｉ流スイッチ等に利用しようと
する要望が生じている。
温度（４・２°Ｋ）のような極低温領域で動作する超伝
導マグネットの永久？（Ｉ流スイッチ等に利用しようと
する要望が生じている。
しかし従来のこのようなリードスイッチにおいてはＲｊ
一体ヘリウム温度の極低温領域ではガラス封ゞ１内に封
入さｉしているＮ２ガスは固化して（ヅまい、リードス
イッチの接触点に何）イして該スイッチが動作しなくな
る欠点を生じる。
一体ヘリウム温度の極低温領域ではガラス封ゞ１内に封
入さｉしているＮ２ガスは固化して（ヅまい、リードス
イッチの接触点に何）イして該スイッチが動作しなくな
る欠点を生じる。
またリード片に鉄−ニッケル合金等の磁性体洞料を用い
たのでは、液体ヘリウム温度の極低温領域では電気抵抗
が零とならないブこめこのような小型ナコンパクトなス
イッチでは役に立たず市、流谷爪が大きい大型のスイッ
チが必要となり、そのためこれ等スイッチ４用いた超伏
２１１マグネツ１−ヲ有た装置のコストが高ぐなる欠点
を生じる。
たのでは、液体ヘリウム温度の極低温領域では電気抵抗
が零とならないブこめこのような小型ナコンパクトなス
イッチでは役に立たず市、流谷爪が大きい大型のスイッ
チが必要となり、そのためこれ等スイッチ４用いた超伏
２１１マグネツ１−ヲ有た装置のコストが高ぐなる欠点
を生じる。
（（１） 発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し室温より液体ヘリウム温
度のような極低温領域の広い範囲に頁って動作し、特に
液体ヘリウム温度のような４”］寅低ｒ１□Ｎ領域では
スイッチの接触点が超伝導状態を呈し？ｊＦるような小
型でコンバクｌ−な新規な超伝導リードスイッチの提供
を目的とするものである。
度のような極低温領域の広い範囲に頁って動作し、特に
液体ヘリウム温度のような４”］寅低ｒ１□Ｎ領域では
スイッチの接触点が超伝導状態を呈し？ｊＦるような小
型でコンバクｌ−な新規な超伝導リードスイッチの提供
を目的とするものである。
（ｅ） 発明の構成
かかる目的を達成する１こめの本発明の超伝導リードス
イッチは、二方向に分岐した軟質またＶよ、半硬質磁性
体材料片の一方に超伝導体材料を被Ｊ１りし、該分岐せ
る利料片の他方に非超伝導体月利を被着せるものを一対
形成し、１）１」記一対の二方向に分岐せる材料片のう
ち、超伝導体材料を被５ｉ′７せる材料片および非超伝
導体月利を被着せる利料片同志をそれぞれ対向するよう
にして容器内に配ｔｆｆＬ、ヘリウムガスを封入しなが
ら該容器の端部分封１１７−したこと１ｃ特徴とするも
のである。
イッチは、二方向に分岐した軟質またＶよ、半硬質磁性
体材料片の一方に超伝導体材料を被Ｊ１りし、該分岐せ
る利料片の他方に非超伝導体月利を被着せるものを一対
形成し、１）１」記一対の二方向に分岐せる材料片のう
ち、超伝導体材料を被５ｉ′７せる材料片および非超伝
導体月利を被着せる利料片同志をそれぞれ対向するよう
にして容器内に配ｔｆｆＬ、ヘリウムガスを封入しなが
ら該容器の端部分封１１７−したこと１ｃ特徴とするも
のである。
（ｆ） 発明の実施例
１ｑノ、下図面を用いながら詳卸１（・τ−Ｈｉ＋＞明
する。
する。
第２図１０．）は本発明の超伝導リードスイッチの平面
図、第２図（ト）、卦よび第２図（Ｃ）は該平面図］３
−Ｂ’線に沿った断面図およびに −Ｃ：’線に沿った
断面図である。
図、第２図（ト）、卦よび第２図（Ｃ）は該平面図］３
−Ｂ’線に沿った断面図およびに −Ｃ：’線に沿った
断面図である。
図示するように本発明の超伝導リードスイッチは途中で
二股に分岐したＦＯ−Ｎｉ９金（５２％１軌。
二股に分岐したＦＯ−Ｎｉ９金（５２％１軌。
７１１８％Ｆｅ ）あるいはニッケル合金（８５％Ｃ′
、ｏ 。
、ｏ 。
１２％Ｆｅ、３％Ｎｂ）のような軟質磁性材料やあるい
は半硬質磁性料よりなる長さ２０〜４・Ｏｍｍのリード
片１１．１２をそオしぞｈｌ苅用意すＺ、。
は半硬質磁性料よりなる長さ２０〜４・Ｏｍｍのリード
片１１．１２をそオしぞｈｌ苅用意すＺ、。
そしてこの１対のそれぞノ１のリードハＩＩ、１２の二
股に分岐（−た一方の側りへ非超伝導体の接、ケシ、利
料１８となる金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒ１１）、ルテニ
ウム（Ｒｕ）等の貰金属月料をスパッタや蒸着あるいは
メッキ等の方法により被着する、またリード片１１、■
２の二股に分岐した他方の＋＋＋＋＋ ｒ：：へは超伝
導体の接点利料１４・となるニオブ（ＩＸＩｂ）の＋＋
−＊を蒸着あるいはスパッタにより被着する。
股に分岐（−た一方の側りへ非超伝導体の接、ケシ、利
料１８となる金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒ１１）、ルテニ
ウム（Ｒｕ）等の貰金属月料をスパッタや蒸着あるいは
メッキ等の方法により被着する、またリード片１１、■
２の二股に分岐した他方の＋＋＋＋＋ ｒ：：へは超伝
導体の接点利料１４・となるニオブ（ＩＸＩｂ）の＋＋
−＊を蒸着あるいはスパッタにより被着する。
このようにした１苅のり一１片」１．１２を被着した金
属層がそｔＬぞ１１文・１向１゛る」二つにしでｒＩｌ
ｉ定の間隔Ｐ４を隔ててｌ’！ｌｉ！置し、ガラス管１
５内へヘリウム（Ｈｅ）ガスを」５］入した状μしで刺
止する。
属層がそｔＬぞ１１文・１向１゛る」二つにしでｒＩｌ
ｉ定の間隔Ｐ４を隔ててｌ’！ｌｉ！置し、ガラス管１
５内へヘリウム（Ｈｅ）ガスを」５］入した状μしで刺
止する。
このようにずれば１１ ’ｂが超広７’ｊＷ７、体とな
る１）２５°にの極低温以下の温度でｔよ接触抵抗ゼロ
の超１ン＜導スイッチとなり、捷だこの９．２５°Ｋ
Ｉクー１−の１１１Ａ Ｊ、’；では接点が非超伝導
体となるので通常のリ−１”スイッチにおけるような接
触■Ｎ；抗な冶するように々２）。
る１）２５°にの極低温以下の温度でｔよ接触抵抗ゼロ
の超１ン＜導スイッチとなり、捷だこの９．２５°Ｋ
Ｉクー１−の１１１Ａ Ｊ、’；では接点が非超伝導
体となるので通常のリ−１”スイッチにおけるような接
触■Ｎ；抗な冶するように々２）。
゛またこのようにすｈば９．２５°「ぐの（゛萌低温以
」−の温度ではＮｂが超伝導特性を示−？ので（１ζ低
ｊｉ、Ａ領域で動イＹする超伝導体マグネツトヌ・ｒツ
ヅーの永久電流スイッチ等に利用できる。
」−の温度ではＮｂが超伝導特性を示−？ので（１ζ低
ｊｉ、Ａ領域で動イＹする超伝導体マグネツトヌ・ｒツ
ヅーの永久電流スイッチ等に利用できる。
また月管内にｒ−ｔｅガスが充たさオじＣいるｉ、−め
、従来の窒素ガスを導入したり−ＩＳスイッチレこ比べ
ると封管中に封入さ〕７ているＩｒｅが固化ぜずそのた
め、接点で接触不良といった月１故もツブくなる利点を
生じる。
、従来の窒素ガスを導入したり−ＩＳスイッチレこ比べ
ると封管中に封入さ〕７ているＩｒｅが固化ぜずそのた
め、接点で接触不良といった月１故もツブくなる利点を
生じる。
東）発明の効果
以上述べたように本発明のり一１スイッチによれ（づ゛
、二・１月１、Ｋより７１′−俸一・リウＪ−温反の１
４＋ｊ Ｉ＋諭）漬領域まで広い範囲で動作で６、特に
極低１ｉｉ：を領域では使用されていゐ１般点利料が超
伝導体特性を示すので、（富低温領域で使用できる超伝
導マクネットの永久１１Σ流スイツチ等に利用できる等
効果が犬である。
、二・１月１、Ｋより７１′−俸一・リウＪ−温反の１
４＋ｊ Ｉ＋諭）漬領域まで広い範囲で動作で６、特に
極低１ｉｉ：を領域では使用されていゐ１般点利料が超
伝導体特性を示すので、（富低温領域で使用できる超伝
導マクネットの永久１１Σ流スイツチ等に利用できる等
効果が犬である。
寸だ：１ノバクトでかつ極低ム１７．領域で大電流を流
し得るリード７−イツチが得られる利点を生じる。
し得るリード７−イツチが得られる利点を生じる。
第１図は従来のリードスイッチのＪＭ 造を示す断面図
、第２図回）、第２図（１））、第２図（０）は本発明
の超伝導リードスイッチの一実施例の１１４造を示す平
面図、該平面図のＢ −）３’断面図、５に平面図のＣ
−Ｃ′断面図である。 図におい−Ｃ１，２，１１，１２ケ：しリードハ、３゜
１５＆：ｉニガラス管、］ ３は貴金属Ａ：Ａ％：’＋
、１４はＩゝ１１）層、Ａ、Ｆは間隙、Ｄ、１１２はり
一１′片の１１側を示す。 第１図 第２図（Ｑ） 第２図（ｂし。
、第２図回）、第２図（１））、第２図（０）は本発明
の超伝導リードスイッチの一実施例の１１４造を示す平
面図、該平面図のＢ −）３’断面図、５に平面図のＣ
−Ｃ′断面図である。 図におい−Ｃ１，２，１１，１２ケ：しリードハ、３゜
１５＆：ｉニガラス管、］ ３は貴金属Ａ：Ａ％：’＋
、１４はＩゝ１１）層、Ａ、Ｆは間隙、Ｄ、１１２はり
一１′片の１１側を示す。 第１図 第２図（Ｑ） 第２図（ｂし。
Claims (1)
- 二方向に分岐した軟質または、生硬質磁性体材料片の一
方に超伝導体材料を被着し、該分岐せる月刺片の他方に
非超伝導体材料を被着ぜるものを一対形成し、前記一対
の二方向に分岐せる材１片のうち、超伝導体材料を被着
せる材料片および非超伝導体材料を′＄、着せる材料片
同志をそれぞれ対向するようにして容器内に配置し、ヘ
リウムガスを封入しながら該容器の端部を封止したこと
を特徴とする超伝導リードスイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156298A JPS5944881A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 超伝導リ−ドスイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156298A JPS5944881A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 超伝導リ−ドスイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944881A true JPS5944881A (ja) | 1984-03-13 |
Family
ID=15624747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57156298A Pending JPS5944881A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 超伝導リ−ドスイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944881A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2626992A1 (fr) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Sgs Thomson Microelectronics | Carte a puce a changement de fonctionnalite par effet supraconducteur |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP57156298A patent/JPS5944881A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2626992A1 (fr) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Sgs Thomson Microelectronics | Carte a puce a changement de fonctionnalite par effet supraconducteur |
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