JPS5944617B2 - ヒカリプリ−チング ヒカリド−ピングヨウガラス - Google Patents
ヒカリプリ−チング ヒカリド−ピングヨウガラスInfo
- Publication number
- JPS5944617B2 JPS5944617B2 JP13772375A JP13772375A JPS5944617B2 JP S5944617 B2 JPS5944617 B2 JP S5944617B2 JP 13772375 A JP13772375 A JP 13772375A JP 13772375 A JP13772375 A JP 13772375A JP S5944617 B2 JPS5944617 B2 JP S5944617B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- glass
- hikari
- thin film
- phenomenon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特定のＧｅ−Ｓ系カルコゲナイトKャ宴Xに光、
、照射像を形成する方法に関する。
、照射像を形成する方法に関する。
従来より知られているカルコゲイド系ガラスを対象とし
た光記録材料に関する研究としては次のものがある。
た光記録材料に関する研究としては次のものがある。
ａ、可逆的スイッチング現象
Ａｓ−Ｇｅ−ＴｅＮＧｅ−Ｓｂ−Ｓ−Ｔｅ系など、Ｔｅ
をベースとしたガラスで、光による非晶質Θ結晶の相変
換機構。
をベースとしたガラスで、光による非晶質Θ結晶の相変
換機構。
ｂ、光ダークニング現象
Ｔｅを含まないＡｓ−Ｂｅ−Ｇｅ系ガラスなど、光によ
る非晶質状態内での変化で、熱により可逆的にもとの状
態にもどる現象。
る非晶質状態内での変化で、熱により可逆的にもとの状
態にもどる現象。
ｃ、光ドーピング゛現象
Ａｓ−Ｓ系ガラスと金属−例えば銀一の接触状態で、ガ
ラスの固有吸収光励起により、金属がガラス中に拡散固
溶化する現象。
ラスの固有吸収光励起により、金属がガラス中に拡散固
溶化する現象。
ｄ、光結晶化現象
Ｂｅ蒸着薄膜で光による非晶質→結晶変換現象。
ｅ、光ブリーチング現象
Ａｓ−Ｂｅ−Ｇｅ系ガラスに光を照射することにより、
吸収端が短波長側にシフトし、透過率が増加する現象。
吸収端が短波長側にシフトし、透過率が増加する現象。
従来これら現象についてはいずれもＡｓ系カルコゲナイ
ドガラスについて報告されている。
ドガラスについて報告されている。
しかるにＡｅ系カルコゲナイドガラスは毒性があるばか
りでなく、強い光により分解してＡＳ２Ｏ３が生成され
るため、実用化にはあまり向かない。本発明者はかゝる
点に鑑み、無害かつ安定である丘−５系カルコゲナイド
ガラスについて種々研究、検討を重ねた結果、…−５系
カルコゲナイドガラスの特定の組成範囲において顕著な
る光ドーピング現象があることを見い出し本発明として
提供するものである。
りでなく、強い光により分解してＡＳ２Ｏ３が生成され
るため、実用化にはあまり向かない。本発明者はかゝる
点に鑑み、無害かつ安定である丘−５系カルコゲナイド
ガラスについて種々研究、検討を重ねた結果、…−５系
カルコゲナイドガラスの特定の組成範囲において顕著な
る光ドーピング現象があることを見い出し本発明として
提供するものである。
即ち、本発明は光ブリーチング現象、光ドーピング現象
に好適なガラスとして、原子百分率で１５〜３３％のＧ
ｅを含むＧｅ−Ｓ系ガラスを用いこれに光を照射し画像
露光を行ない、次いで金属薄膜を形成し、更に光を照射
することにより目視可能な像を形成することを特徴とす
るものである。
に好適なガラスとして、原子百分率で１５〜３３％のＧ
ｅを含むＧｅ−Ｓ系ガラスを用いこれに光を照射し画像
露光を行ない、次いで金属薄膜を形成し、更に光を照射
することにより目視可能な像を形成することを特徴とす
るものである。
この画像露光工程で露光された部分は露光されない部分
より金属のドーピング速度が遅いため、これに金属膜を
形成した後、光を照射すると前工程で露光された部分が
金属画像として形成される。従つて、露光した状態で保
存し、読み出しを行ないたい時、これに金属をコートし
更に光照射することで読出しが行なえる。本発明におい
てＧｅ含量を原子百分率で１５〜３３％と限定する理由
は、か＼る組成範囲において、１分相することなく安定
で物質なガラス及びそれらの蒸着薄膜が得られる。
より金属のドーピング速度が遅いため、これに金属膜を
形成した後、光を照射すると前工程で露光された部分が
金属画像として形成される。従つて、露光した状態で保
存し、読み出しを行ないたい時、これに金属をコートし
更に光照射することで読出しが行なえる。本発明におい
てＧｅ含量を原子百分率で１５〜３３％と限定する理由
は、か＼る組成範囲において、１分相することなく安定
で物質なガラス及びそれらの蒸着薄膜が得られる。
２吸収端がシヤープである。
３光ブリーチングが顕著である。
４光ドーピングの速度が速く顕著である。
ためである。
これら組成は、基本的な組合せを示すもので、光ブリー
チング特性及び光ドーピング特性が本質的に損なわれな
い限り、夫々の物質の一部を他の物質でおきかえること
ができる。
チング特性及び光ドーピング特性が本質的に損なわれな
い限り、夫々の物質の一部を他の物質でおきかえること
ができる。
例えば、イオウの一部を置換する物質がセレンであると
きは３０％まで、テルルであるときは１０％まで、また
、ゲルマニウムの一部を置換する物質がアンチモンであ
るときは５％まで、ヒ素であるときは１５％までそれぞ
れ置換することができる。本発明にあつてカルコゲナイ
ド系ガラスの作製は、例えば次のようにして行なわれる
。
きは３０％まで、テルルであるときは１０％まで、また
、ゲルマニウムの一部を置換する物質がアンチモンであ
るときは５％まで、ヒ素であるときは１５％までそれぞ
れ置換することができる。本発明にあつてカルコゲナイ
ド系ガラスの作製は、例えば次のようにして行なわれる
。
即ち、目的組成になるようにガラス構成元素を石英管中
に秤量したのち、１０−３７ｍ１Ｈｇ以上の真空で封入
し、熔融炉中で８００〜１０００℃で５〜１０時間熔融
撹拌し、空気中又は水中に急冷することにより行なわれ
る。得られた塊状ガラスは、切断して板状としたり、窒
素ガス中で再加熱して目的の形状に加工したり、塊状ま
たは粉末ガラスを電子ビーム法、フラツシヤ一法、スパ
ツタ一法などで目的基板の上に直接蒸着して薄膜面を形
成させたりして使用に供される。か＼る方法により形成
されたα−Ｓ系カルコゲナイドガラスの透過スペクトル
を第１図に示す。
に秤量したのち、１０−３７ｍ１Ｈｇ以上の真空で封入
し、熔融炉中で８００〜１０００℃で５〜１０時間熔融
撹拌し、空気中又は水中に急冷することにより行なわれ
る。得られた塊状ガラスは、切断して板状としたり、窒
素ガス中で再加熱して目的の形状に加工したり、塊状ま
たは粉末ガラスを電子ビーム法、フラツシヤ一法、スパ
ツタ一法などで目的基板の上に直接蒸着して薄膜面を形
成させたりして使用に供される。か＼る方法により形成
されたα−Ｓ系カルコゲナイドガラスの透過スペクトル
を第１図に示す。
第１図イはＧｅ含量２０ａｔ％のｅ−ｓカルコゲナイド
ガラスをスライドガラス上に蒸着により８００Ａ０、１
４００Ａ０、２２００Ａ０形成したもの、口はｅ含量３
０ａｔ％のｅ−ｓ系カルコゲナイドガラスをスライドガ
ラス上に１２００Ａ０、２３００Ｎ１３９００Ａ０形成
したもの、ハはｅ含量４０ａｔ％のｅ−ｓ系カルコゲナ
イドガラスをスライドガラス上に蒸着により８００Ａ０
、１５００Ａ０、５３００Ａ０形成したものの透過スペ
タトルを示す。第１図よりｅ含量が２０ａｔ％および３
０ａｔ％では吸収端が非常にシヤープであることがわか
る。このような透過スペクトルを示すｅ−ｓ系カルコゲ
ナイドガラスに光を照射することにより、第２図に示す
様に光ブリーチング現象をおこし、吸収端が短波長側に
シフトし、透過率が増加する。照射光としては、水銀灯
光、キセノン灯光、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３２８Ａ
０）、Ａｒレーザー光（４８８０Ａ０）等が使用される
。また太陽光のようなすべての波長を含む光を照射して
も同様の効果が認められるが、ｅ−ｓ膜の組成および厚
さにより定まる吸収端付近の波長あるいはそれより短い
波長の光を照射するのが効果的である。第２図はｅ含量
３０ａｔ％のｅ−ｓ系カルコゲナイドガラスを５０００
Ａ０の薄膜に形成し、光強度１３０ｍｗ／Ｃ７ｌの水銀
灯光で光照射をＯ分、２分、１０分、６０分おこなつた
場合の波長に対する透過率を示したものである。第３図
はｅ含量３０ａｔ％および４０ａｔ％のｅ−Ｓ系カルコ
ゲナイド薄膜に光強度１３０ｍｗ眉の水銀灯光を照射し
たときの、照射時間に対する透過率２０％を示す波長の
変化量△λを示したものである。
ガラスをスライドガラス上に蒸着により８００Ａ０、１
４００Ａ０、２２００Ａ０形成したもの、口はｅ含量３
０ａｔ％のｅ−ｓ系カルコゲナイドガラスをスライドガ
ラス上に１２００Ａ０、２３００Ｎ１３９００Ａ０形成
したもの、ハはｅ含量４０ａｔ％のｅ−ｓ系カルコゲナ
イドガラスをスライドガラス上に蒸着により８００Ａ０
、１５００Ａ０、５３００Ａ０形成したものの透過スペ
タトルを示す。第１図よりｅ含量が２０ａｔ％および３
０ａｔ％では吸収端が非常にシヤープであることがわか
る。このような透過スペクトルを示すｅ−ｓ系カルコゲ
ナイドガラスに光を照射することにより、第２図に示す
様に光ブリーチング現象をおこし、吸収端が短波長側に
シフトし、透過率が増加する。照射光としては、水銀灯
光、キセノン灯光、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３２８Ａ
０）、Ａｒレーザー光（４８８０Ａ０）等が使用される
。また太陽光のようなすべての波長を含む光を照射して
も同様の効果が認められるが、ｅ−ｓ膜の組成および厚
さにより定まる吸収端付近の波長あるいはそれより短い
波長の光を照射するのが効果的である。第２図はｅ含量
３０ａｔ％のｅ−ｓ系カルコゲナイドガラスを５０００
Ａ０の薄膜に形成し、光強度１３０ｍｗ／Ｃ７ｌの水銀
灯光で光照射をＯ分、２分、１０分、６０分おこなつた
場合の波長に対する透過率を示したものである。第３図
はｅ含量３０ａｔ％および４０ａｔ％のｅ−Ｓ系カルコ
ゲナイド薄膜に光強度１３０ｍｗ眉の水銀灯光を照射し
たときの、照射時間に対する透過率２０％を示す波長の
変化量△λを示したものである。
第３図より分るように、Ｇｅ含量４０ａｔ％に比して３
０ａｔ％のＧｅ−Ｓ系カルコゲナイドガラスは顕著なる
光ブリーチング現象を示す。本発明におけるＧｅ−Ｓ系
薄膜の光ブリーチング現象は次のような光分解反応と考
えられる。（Ｇｅ−Ｓ）Ｈ４ｌ（Ｇｅｒｉｃｈ）Ｃｌｕ
ｓｔｅｒ＋（Ｓｒｉｃｈ）Ｍａｔｒｉｘ即ち、Ｇｅ−Ｓ
糸薄膜における光ブリーチング現象は、局所的にＧｅリ
ツチはＧｅ−Ｇｅ結合を含む微細クラスターが形成され
、マトリツクスがＳリツチになるために生じた現象であ
ると考えられる。
０ａｔ％のＧｅ−Ｓ系カルコゲナイドガラスは顕著なる
光ブリーチング現象を示す。本発明におけるＧｅ−Ｓ系
薄膜の光ブリーチング現象は次のような光分解反応と考
えられる。（Ｇｅ−Ｓ）Ｈ４ｌ（Ｇｅｒｉｃｈ）Ｃｌｕ
ｓｔｅｒ＋（Ｓｒｉｃｈ）Ｍａｔｒｉｘ即ち、Ｇｅ−Ｓ
糸薄膜における光ブリーチング現象は、局所的にＧｅリ
ツチはＧｅ−Ｇｅ結合を含む微細クラスターが形成され
、マトリツクスがＳリツチになるために生じた現象であ
ると考えられる。
次に本発明のＧｅ−Ｓ系ガラスの他の特徴である光ドー
ピング現象について説明する。
ピング現象について説明する。
本発明のｅ−Ｓ系カルコケナイドガラス表面に金属薄膜
を形成し、次いで光を照射することにより金属は著しく
ガラス中に拡散固溶化する。本発明に使用される金属と
してはＡｇ，Ｃｕ，Ｎｌ等が挙げられるがＡｇ及びＣｕ
が顕著なるドーピング現象を生じる。本発明においてガ
ラス表面に金属膜を形成する方法は蒸着法、無電解メツ
キ法公知の方法が適用される。第４図はＧｅ含量３０ａ
ｔ％、Ｇｅ−Ｓｌ２ＯＯＡＯ薄膜上にＭを３００Ａ０蒸
着により形成させ、光強度７０ｍｗ／ＣＴｉｌの光を照
射したときの透過スベクトルである。
を形成し、次いで光を照射することにより金属は著しく
ガラス中に拡散固溶化する。本発明に使用される金属と
してはＡｇ，Ｃｕ，Ｎｌ等が挙げられるがＡｇ及びＣｕ
が顕著なるドーピング現象を生じる。本発明においてガ
ラス表面に金属膜を形成する方法は蒸着法、無電解メツ
キ法公知の方法が適用される。第４図はＧｅ含量３０ａ
ｔ％、Ｇｅ−Ｓｌ２ＯＯＡＯ薄膜上にＭを３００Ａ０蒸
着により形成させ、光強度７０ｍｗ／ＣＴｉｌの光を照
射したときの透過スベクトルである。
Ａｇのドープルにより吸収端は長波長側にシフトし、透
過率は吸収端付近で減少し、長波長側では増加している
。第５図はスライドガラス上にＧｅ含量４０ａｔ％およ
び３０ａｔ％のＧｅ−Ｓ薄膜を夫々１０００Ａ０、１８
００Ｎ蒸着し、次いでＡｇ薄膜を２００Ａ０蒸着して形
成した薄膜に光強度１１ｍｗ／／（−ｄの光を照射した
ときの照射時間と波長７００ｎｍでの光学密度変化量１
０ｇ（ＴＯ／Ｔｔ）の関係を示したものである。
過率は吸収端付近で減少し、長波長側では増加している
。第５図はスライドガラス上にＧｅ含量４０ａｔ％およ
び３０ａｔ％のＧｅ−Ｓ薄膜を夫々１０００Ａ０、１８
００Ｎ蒸着し、次いでＡｇ薄膜を２００Ａ０蒸着して形
成した薄膜に光強度１１ｍｗ／／（−ｄの光を照射した
ときの照射時間と波長７００ｎｍでの光学密度変化量１
０ｇ（ＴＯ／Ｔｔ）の関係を示したものである。
この図よりＧｅ含量３０ａｔ％のＧｅ−Ｓ薄膜では短時
間で顕著なる光ドーピング現象が生じることが分る。以
上説明したように本発明のＧｅ−Ｓ系カルコゲナイドガ
ラスは顕著なる光ブリーチング現象、光ドーピング現象
を示すため、画像あるいはある種のパターンの光を照射
することにより光記録体として、実用的価値大なるもの
である。
間で顕著なる光ドーピング現象が生じることが分る。以
上説明したように本発明のＧｅ−Ｓ系カルコゲナイドガ
ラスは顕著なる光ブリーチング現象、光ドーピング現象
を示すため、画像あるいはある種のパターンの光を照射
することにより光記録体として、実用的価値大なるもの
である。
例えば、光ブリーチングすることにより前述した如く光
学的密度差が顕著に生じるためホログラムとして利用さ
れる。又、光照射した部分が酸性溶液に対して溶解しに
くいのに反し、光照射しない部分の薄膜が酸性溶液（例
えば１．０％以下の塩酸水溶液）で容易に溶解除去でき
る性質を利用してフオトマスクとしても利用される。（
なお、アルカリ溶液では酸の場合とは逆に光照射部分が
容易に溶解し、未照射部分が残る。）本発明にあつて光
照射により書き込んだ光記録体の読み出し方法としては
、前述した如く光学的密度差を利用する方法、溶解度差
を利用する方法の他に次の如く全く新規なる現象を利用
することも可能である。
学的密度差が顕著に生じるためホログラムとして利用さ
れる。又、光照射した部分が酸性溶液に対して溶解しに
くいのに反し、光照射しない部分の薄膜が酸性溶液（例
えば１．０％以下の塩酸水溶液）で容易に溶解除去でき
る性質を利用してフオトマスクとしても利用される。（
なお、アルカリ溶液では酸の場合とは逆に光照射部分が
容易に溶解し、未照射部分が残る。）本発明にあつて光
照射により書き込んだ光記録体の読み出し方法としては
、前述した如く光学的密度差を利用する方法、溶解度差
を利用する方法の他に次の如く全く新規なる現象を利用
することも可能である。
即ち、スライドガラス上に本発明のＧｅ−Ｓ系薄膜を形
成させ、次いで所定の画像又はパターンの光を照射した
後、この薄膜表面に金属薄膜を形成し、次いでこの二層
に形成された薄膜の表面又は裏面から光を照射すること
により読み出しが可能である。第６図は、スライドガラ
ス上にＧｅ含量３０ａｔ％のＧｅ−Ｓ薄膜を４５００Ａ
０蒸着し、光強度１３０ｍＷ／Ｃ！ｌで６０分ブリーチ
ングさせた膜にＡｇを３００Ｎ蒸着し、次いで光強度１
１ｍＷ／ＣＴ！ｌでドーピングしたときの照射時間に対
する、波長７００ｎｍでの光学密度変化１０ｇ（ＴＯ／
Ｔｔ）を示したものである（ｏ印）。
成させ、次いで所定の画像又はパターンの光を照射した
後、この薄膜表面に金属薄膜を形成し、次いでこの二層
に形成された薄膜の表面又は裏面から光を照射すること
により読み出しが可能である。第６図は、スライドガラ
ス上にＧｅ含量３０ａｔ％のＧｅ−Ｓ薄膜を４５００Ａ
０蒸着し、光強度１３０ｍＷ／Ｃ！ｌで６０分ブリーチ
ングさせた膜にＡｇを３００Ｎ蒸着し、次いで光強度１
１ｍＷ／ＣＴ！ｌでドーピングしたときの照射時間に対
する、波長７００ｎｍでの光学密度変化１０ｇ（ＴＯ／
Ｔｔ）を示したものである（ｏ印）。
光ブリーチングにより膜の光吸収特性が変化し、それに
よりドーピングの分光感度特性が、蒸着のみの膜のドー
ピングの場合（・印）と比べ変化している。即ち蒸着の
みの膜ではブリーチングさせた膜に比ベドーピング速度
が速く、ドープ量も多いため、コントラストの高い読み
出しができる。
よりドーピングの分光感度特性が、蒸着のみの膜のドー
ピングの場合（・印）と比べ変化している。即ち蒸着の
みの膜ではブリーチングさせた膜に比ベドーピング速度
が速く、ドープ量も多いため、コントラストの高い読み
出しができる。
第１図イ，口，ハはＧｅ−Ｓ薄膜の透過ｚベクトル、第
２図は光ブリーチングしたときの透過スペクトル、第３
図は光ブリーチンク化たときの照射時間に対する波長の
変化量、第４図は光ドーピングしたときの透過スペクト
ル、第５図は光ドーピングしたときの照射時間に対する
光学的密度変化量、第６図は蒸着のみの膜と光ブリーチ
ングした膜に光ドーピングしたときの照射時間に対する
光学的密度変化量、をそれぞれ示す。
２図は光ブリーチングしたときの透過スペクトル、第３
図は光ブリーチンク化たときの照射時間に対する波長の
変化量、第４図は光ドーピングしたときの透過スペクト
ル、第５図は光ドーピングしたときの照射時間に対する
光学的密度変化量、第６図は蒸着のみの膜と光ブリーチ
ングした膜に光ドーピングしたときの照射時間に対する
光学的密度変化量、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 原子百分率で１５〜３３％のＧｅを含むＧｅ−Ｓ系
ガラスの表面に光を照射し画像露光する工程、該光を照
射したガラス表面に金属薄膜を形成する工程、該金属薄
膜を形成したガラスの全面に光を照射する工程とからな
ることを特徴とするＧｅ−Ｓ系カルコゲナイドガラスに
光照射像を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772375A JPS5944617B2 (ja) | 1975-11-18 | 1975-11-18 | ヒカリプリ−チング ヒカリド−ピングヨウガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772375A JPS5944617B2 (ja) | 1975-11-18 | 1975-11-18 | ヒカリプリ−チング ヒカリド−ピングヨウガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5262322A JPS5262322A (en) | 1977-05-23 |
| JPS5944617B2 true JPS5944617B2 (ja) | 1984-10-31 |
Family
ID=15205311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13772375A Expired JPS5944617B2 (ja) | 1975-11-18 | 1975-11-18 | ヒカリプリ−チング ヒカリド−ピングヨウガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944617B2 (ja) |
-
1975
- 1975-11-18 JP JP13772375A patent/JPS5944617B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5262322A (en) | 1977-05-23 |
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