JPS5943857A - 硼素又は燐基の還元剤を用いるニツケル及び／又はコバルト化学メツキ浴 - Google Patents
硼素又は燐基の還元剤を用いるニツケル及び／又はコバルト化学メツキ浴Info
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- JPS5943857A JPS5943857A JP58137922A JP13792283A JPS5943857A JP S5943857 A JPS5943857 A JP S5943857A JP 58137922 A JP58137922 A JP 58137922A JP 13792283 A JP13792283 A JP 13792283A JP S5943857 A JPS5943857 A JP S5943857A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はニッケル及び／又はコハルＩ・化′下メッキ用
メッキ浴に関するもので、このメッキ浴中には硼素又は
燐を基盤とする還元剤が使用されている。
メッキ浴に関するもので、このメッキ浴中には硼素又は
燐を基盤とする還元剤が使用されている。
二゛ンケル、コバルト、二°ンケル・二ｌハ゛ルトメ′
ンキば、被メツキ部の形状に関係なく又被メツキ部が金
属性であるか、プラスチック性であるかに関係なく均一
なメッキが得られることから、多年にわたって広く工業
的に使用されてきた。
ンキば、被メツキ部の形状に関係なく又被メツキ部が金
属性であるか、プラスチック性であるかに関係なく均一
なメッキが得られることから、多年にわたって広く工業
的に使用されてきた。
ニッケル及び／又はコバルト化学メッキすなわち自触媒
作用（ａｕｔｏｃａｔａｌｙｓｉｓ ）によるメッキを
行う際に現在使用しているメッキ浴はずへて、浴が酸性
であるかアルカリ性であるかに拘わらず、アルカリ性次
亜燐酸か水素化＠素誘導体の形の硼素か燐を基盤にした
還元剤を用いている。これらのメッキ浴は、上記還元剤
の他に、メッキ金属の１種以上の塩、上記金属の錯化試
薬の１種以上及び、安定化剤を含有する。
作用（ａｕｔｏｃａｔａｌｙｓｉｓ ）によるメッキを
行う際に現在使用しているメッキ浴はずへて、浴が酸性
であるかアルカリ性であるかに拘わらず、アルカリ性次
亜燐酸か水素化＠素誘導体の形の硼素か燐を基盤にした
還元剤を用いている。これらのメッキ浴は、上記還元剤
の他に、メッキ金属の１種以上の塩、上記金属の錯化試
薬の１種以上及び、安定化剤を含有する。
錯化試薬は、金属を熔解状態に保ち、メッキ反応で金属
が消費されるのと同じ速度で金属を遊１４１【させる働
きをする。安定化剤は化学メッキに利用されるような自
触媒反応には不ｉＩＪ欠で、メッキ反応の速度を低下さ
・Ｕイ１イＩＩＩＩｊきをし、被メッキＱ１５に望めの
均一なメッキを施すことを可能にする。
が消費されるのと同じ速度で金属を遊１４１【させる働
きをする。安定化剤は化学メッキに利用されるような自
触媒反応には不ｉＩＪ欠で、メッキ反応の速度を低下さ
・Ｕイ１イＩＩＩＩｊきをし、被メッキＱ１５に望めの
均一なメッキを施すことを可能にする。
１−集的に使用される安定化剤は、酸性浴用のものは有
機無機イオウ誘導体がらなり、塩基性用のものは元素の
周期分類による第１１１ａ 、 ＩＶａ 、シ、ｌ屈中
の金属やメタにｌイド稲にタリウムの化合物からなる。
機無機イオウ誘導体がらなり、塩基性用のものは元素の
周期分類による第１１１ａ 、 ＩＶａ 、シ、ｌ屈中
の金属やメタにｌイド稲にタリウムの化合物からなる。
このようにして調製されたメッキ浴は殆どのｐ−１，１
通の工業的使用に充分適用され得るが、本出願人は、こ
れらのメッキ浴を適用するのが困難な４−１１定の事例
に直面した。
通の工業的使用に充分適用され得るが、本出願人は、こ
れらのメッキ浴を適用するのが困難な４−１１定の事例
に直面した。
出１頭人は、例えば、タービン羽根のように非常にｉ＋
１」’（Ｍｒでしかも例えば硫黄含有雰囲気のような非
常に腐蝕性雰囲気中で作動することを必要とされる金属
部品の製造に携わってきた。このような状況において、
そのような部品をクロミウム・アルミニウム処理によっ
て保護するだめの表面処理法が発達してきた（フランス
特許７４ ２．１６９４参照）。
１」’（Ｍｒでしかも例えば硫黄含有雰囲気のような非
常に腐蝕性雰囲気中で作動することを必要とされる金属
部品の製造に携わってきた。このような状況において、
そのような部品をクロミウム・アルミニウム処理によっ
て保護するだめの表面処理法が発達してきた（フランス
特許７４ ２．１６９４参照）。
この熱化学処理はニッケルであらかじめ破ｉＷされた、
好ましくは化学ニッケルメッキであらかじめ被覆された
部品に施されるものである。
好ましくは化学ニッケルメッキであらかじめ被覆された
部品に施されるものである。
不幸にも、硫黄含有の安定化剤を含むメッキ？？？を用
いる化学メッキでは、メッキ金属と共に硫黄が析出され
る。この硫黄は１０００分の３〜５市１社部の濃度で析
出し、メッキ層及び／又番ま被２ノ・ンキ物質を腐蝕損
傷することになる可能１ηかある。これと同様に、タリ
ウム等の重金属の化合物からなる安定化剤を含有するメ
ッキ浴を使用した場合は、メッキ層中にこの重金属が混
入することになる。
いる化学メッキでは、メッキ金属と共に硫黄が析出され
る。この硫黄は１０００分の３〜５市１社部の濃度で析
出し、メッキ層及び／又番ま被２ノ・ンキ物質を腐蝕損
傷することになる可能１ηかある。これと同様に、タリ
ウム等の重金属の化合物からなる安定化剤を含有するメ
ッキ浴を使用した場合は、メッキ層中にこの重金属が混
入することになる。
この重金属が５重量％の濃度でメッキ層中に存在すると
、これがメッキ層及び／又は被メツキ基質中で拡散及び
／又は癒着して被メツキ合金の機械的特性をかなり低下
させる。
、これがメッキ層及び／又は被メツキ基質中で拡散及び
／又は癒着して被メツキ合金の機械的特性をかなり低下
させる。
更に、これらの化学的金属メッキ技術は、食品貯蔵用ガ
ラス容器製造に使用される型をメッキするのに用いられ
る。この際メッキ浴に含まれている安定化剤の存在によ
って有毒物質が発生し、この有毒物質がガラス中に拡散
することによって食物裳品に接する可能性がある。そこ
で、出和人はメッキ層中に有毒物質を生じることのない
、Ｊ、うス５゛メッキ浴を使用して化学ニッケル及び／
又はゴＪハル）・メッキを施す５−１１−ができるよう
に”３ることが望ましいことを見いだした。
ラス容器製造に使用される型をメッキするのに用いられ
る。この際メッキ浴に含まれている安定化剤の存在によ
って有毒物質が発生し、この有毒物質がガラス中に拡散
することによって食物裳品に接する可能性がある。そこ
で、出和人はメッキ層中に有毒物質を生じることのない
、Ｊ、うス５゛メッキ浴を使用して化学ニッケル及び／
又はゴＪハル）・メッキを施す５−１１−ができるよう
に”３ることが望ましいことを見いだした。
フランス公開９゛コ１許出願番号２３２９７６２では、
イ１１機コラ化合物から成るという点で通常に使用され
ている安定化剤とはＷなるタイプの安定化剤を提唱して
いる。このような化合物は、ヨウ素のイｒ在が硫黄の存
在に匹敵する程の影響を及はずことになるので、従来の
安定化剤での欠点し１改善されない。他のハ１コゲン元
素に関しても同しことが菖える。
イ１１機コラ化合物から成るという点で通常に使用され
ている安定化剤とはＷなるタイプの安定化剤を提唱して
いる。このような化合物は、ヨウ素のイｒ在が硫黄の存
在に匹敵する程の影響を及はずことになるので、従来の
安定化剤での欠点し１改善されない。他のハ１コゲン元
素に関しても同しことが菖える。
本発明の好ましい具体例では、従来の安定化剤でみられ
る上記の不利益が生じることのないよ）な安定化剤を含
有する、ニッケル及び／又は二ノハルト化学メッキ用メ
ッキ浴を提案している。
る上記の不利益が生じることのないよ）な安定化剤を含
有する、ニッケル及び／又は二ノハルト化学メッキ用メ
ッキ浴を提案している。
本発明は、被析出金属の塩、前記金属の１１り」ニ対を
有しかつｌ１Ｉａ属（硼素、アルミニウムを除＜） 、
ＩＶａ Ｂ（炭素を除＜）、Ｖａ属（窒素、３Ｊｉを除
＜）、Ｖｌａ属（酸素を除く）、 ＶＩＩａ属（フッ素
、塩素を除く）の群の手金属又はメタ１ｔイｌ−を含を
しない水溶性有機化合物から成る、ニッケル及び／又は
コバルト化学メッキ用メッキ浴を提案するものである。
有しかつｌ１Ｉａ属（硼素、アルミニウムを除＜） 、
ＩＶａ Ｂ（炭素を除＜）、Ｖａ属（窒素、３Ｊｉを除
＜）、Ｖｌａ属（酸素を除く）、 ＶＩＩａ属（フッ素
、塩素を除く）の群の手金属又はメタ１ｔイｌ−を含を
しない水溶性有機化合物から成る、ニッケル及び／又は
コバルト化学メッキ用メッキ浴を提案するものである。
硼素、アルミニウム、炭素、窒素、燐、部ｆ、に、フッ
素、塩素は、メッキ析出物中に含まれることが無いため
、又はメッキ析出物中から除去することができるため、
或は、毒性・腐蝕性の副作用を及ぼさないために、安定
化剤の成分として’ＡＩ：１足できるものである。
素、塩素は、メッキ析出物中に含まれることが無いため
、又はメッキ析出物中から除去することができるため、
或は、毒性・腐蝕性の副作用を及ぼさないために、安定
化剤の成分として’ＡＩ：１足できるものである。
とりわけ、フッ素と塩素は除去することができる。除去
段階を避ける場合には、安定化剤中にはｖＩＩａ属に属
するメタロイドを含有してはならない。
段階を避ける場合には、安定化剤中にはｖＩＩａ属に属
するメタロイドを含有してはならない。
適当な方法で自触媒作用現象を観察することによって、
本発明者゛等は所望の結果を得るために安定化剤が必要
とする特質を確かめることができた。
本発明者゛等は所望の結果を得るために安定化剤が必要
とする特質を確かめることができた。
本発明者等の注意はまずメッキ用金属の電子構造にむに
ノられた。例えば、ニッケルは１０個ではなく８個の電
子を持つ３ｄ穀と、２個の電子を持つために飽和状態に
ある４ｓ穀を持っている。電子的安定化状態に達するた
めに、ニツゲノ目ｊ４ｓ穀の２個の電子を失う（酸化剤
の攻撃によってカチ、２＋ オンＮ＋ に成る）か３ｄ穀を飽和するために２つの
′電子をＪｄｉ穫する（す（向にある。化学メッキが行
われている間は、還元剤はニッケルと接すると酸化する
傾向があり、ニッケルは還元屑される何！向を自する。
ノられた。例えば、ニッケルは１０個ではなく８個の電
子を持つ３ｄ穀と、２個の電子を持つために飽和状態に
ある４ｓ穀を持っている。電子的安定化状態に達するた
めに、ニツゲノ目ｊ４ｓ穀の２個の電子を失う（酸化剤
の攻撃によってカチ、２＋ オンＮ＋ に成る）か３ｄ穀を飽和するために２つの
′電子をＪｄｉ穫する（す（向にある。化学メッキが行
われている間は、還元剤はニッケルと接すると酸化する
傾向があり、ニッケルは還元屑される何！向を自する。
還元剤の酸化によって放出される電子はニッケルの３
ｄ 穀を飽和するが、ニラゲル陰・イオンが存在するこ
とは物理的に不可能なので、ニッケルはそれ自体の持つ
過剰の電子を最も近くにある陽イオンに与え、これらの
陽イオン＆Ｊ過剰の電子を受取り、メッキ析出物中に入
り込む。このようにして起こる電子化学的反応はメッキ
現象自体によって触媒される。
ｄ 穀を飽和するが、ニラゲル陰・イオンが存在するこ
とは物理的に不可能なので、ニッケルはそれ自体の持つ
過剰の電子を最も近くにある陽イオンに与え、これらの
陽イオン＆Ｊ過剰の電子を受取り、メッキ析出物中に入
り込む。このようにして起こる電子化学的反応はメッキ
現象自体によって触媒される。
その後本発明者等はこの性質をメッキ能の低下のために
使用するとイ［利かもしれないこと、こればニッケル原
子の３ｄ穀を飽和するために近つきやすい電子対を持つ
物質を添加しζこの１ジノ質をニッケル原子上に吸着さ
せることを可能に′二することによって達成されること
を認めた。
使用するとイ［利かもしれないこと、こればニッケル原
子の３ｄ穀を飽和するために近つきやすい電子対を持つ
物質を添加しζこの１ジノ質をニッケル原子上に吸着さ
せることを可能に′二することによって達成されること
を認めた。
本発明に従って本出願人等が行った、ユ・ニッケル及び
／又はコバルト化学メッキ浴に関する試験によって、結
論的結果が得られた。
／又はコバルト化学メッキ浴に関する試験によって、結
論的結果が得られた。
この条件に合う適当な化合物としζ６．１、窒（ユ及び
／又は酸素のへテロ原子を１個以上イｊする芳香属複素
環式化合物がある。
／又は酸素のへテロ原子を１個以上イｊする芳香属複素
環式化合物がある。
従って安定化剤ば、例えば、ビＩＩ−ル、インドール、
プリン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テ
］・ラゾール及び類似の化合物等の５原子窒素性複素環
式化合物から成る］Ｙから１巽択してよい。
プリン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テ
］・ラゾール及び類似の化合物等の５原子窒素性複素環
式化合物から成る］Ｙから１巽択してよい。
安定化剤は、例えば、ピリジン、ジノリン、ピ素性複素
環式化合物の群から選んでもよい。
環式化合物の群から選んでもよい。
非置換複素環式化合物の方が一般的に良い結果がｉηら
れるが、複素環式化合物の１１１Ｍ以上の炭素原子が例
えば、炭化水素基、アルコール官能基、カルボン酸、エ
ーテル、エステル、アミン、脂肪族又は芳香族誘導体、
ハロケン原子、二） １＋又はニドし１ソ型置換基によ
って置換されたものであってもよい。
れるが、複素環式化合物の１１１Ｍ以上の炭素原子が例
えば、炭化水素基、アルコール官能基、カルボン酸、エ
ーテル、エステル、アミン、脂肪族又は芳香族誘導体、
ハロケン原子、二） １＋又はニドし１ソ型置換基によ
って置換されたものであってもよい。
複数の窒素原子を有する複素環式化合物に於ては、少な
くとも一個の非置換窒素原子が無ければ近づきやすい電
子列が無くなるので、少なくとも１個の非置換窒素へ１
子が残っていれば１個以上の窒素原子上に置換基があっ
てもよい。
くとも一個の非置換窒素原子が無ければ近づきやすい電
子列が無くなるので、少なくとも１個の非置換窒素へ１
子が残っていれば１個以上の窒素原子上に置換基があっ
てもよい。
本発明者らは、塩化Ｎ−メチルピリジニウムは安定化特
性を持っ゛（おらずこの化合物を含んでいる化学メッキ
浴は非常に急速に分解することを観察しており、これは
電子対が置換基によっておおわれることによっ゛（起こ
ると説明できる。
性を持っ゛（おらずこの化合物を含んでいる化学メッキ
浴は非常に急速に分解することを観察しており、これは
電子対が置換基によっておおわれることによっ゛（起こ
ると説明できる。
少なくとも１個の非置換窒素原子が残ってさえいれば、
一つの芳香族環を作っていて置換基をｔ４っている少な
くとも２つの隣合った原子（窒素又は炭素）を自する複
素環式化合物を使用するごとができる。
一つの芳香族環を作っていて置換基をｔ４っている少な
くとも２つの隣合った原子（窒素又は炭素）を自する複
素環式化合物を使用するごとができる。
置換基を持ち窒素を含む適当な複素環式化合物としては
、ニコチン酸（α−ピリジンカルボン酸）、ジノリン酸
（α、β−ピリジンジカルボン酸）、２−アミノキノリ
ン、リボフラビン、アクリジンが挙げられる。
、ニコチン酸（α−ピリジンカルボン酸）、ジノリン酸
（α、β−ピリジンジカルボン酸）、２−アミノキノリ
ン、リボフラビン、アクリジンが挙げられる。
本発明に従うニッケル及び／又はｍｌハルト化学メッキ
浴中に使用される安定化剤のもう一−−一つの型は、芳
香族酸素化複素環式化合物とそれらの置換誘導体である
。適当な例としてはフラン等、環の１以上の炭素原子が
上記の窒素を含む複素環式化合物に対して示したものと
類似した置換基で置換されていてもいなくてもよいが、
５原子複素環式化合物が挙げられる。
浴中に使用される安定化剤のもう一−−一つの型は、芳
香族酸素化複素環式化合物とそれらの置換誘導体である
。適当な例としてはフラン等、環の１以上の炭素原子が
上記の窒素を含む複素環式化合物に対して示したものと
類似した置換基で置換されていてもいなくてもよいが、
５原子複素環式化合物が挙げられる。
最後に、本発明における安定化剤として適当な化合物の
第３の型は、水に可溶で分子中のＲやＲ′が脂肪族ラデ
ィカルを呈するＲ−０−Ｒ’型のヘビーエーテルである
。適当なヘビーエーテルとしては、浴の沸点をほとんど
の工業用メッキ浴の作動最低温度である７０℃以下に下
げないような充分な分子量を持つものが挙げられる。特
に、各３個以上の炭素原子を持つラディカルＲ，Ｒ’を
イ１するエーテルが適する。
第３の型は、水に可溶で分子中のＲやＲ′が脂肪族ラデ
ィカルを呈するＲ−０−Ｒ’型のヘビーエーテルである
。適当なヘビーエーテルとしては、浴の沸点をほとんど
の工業用メッキ浴の作動最低温度である７０℃以下に下
げないような充分な分子量を持つものが挙げられる。特
に、各３個以上の炭素原子を持つラディカルＲ，Ｒ’を
イ１するエーテルが適する。
本発明に従う安定化剤は、望ましくない硫ｖ１、金属、
メタロイドを含まず、非常な高ｉ’ｊ＋！ｔで作動する
合金部品のメッキや食品に接触する製品の製造に満足の
いくものである。
メタロイドを含まず、非常な高ｉ’ｊ＋！ｔで作動する
合金部品のメッキや食品に接触する製品の製造に満足の
いくものである。
更に、本発明で示されている型の安定化剤はメッキ用金
属に直接作Ｊ１目−るので、使用される還元剤に関係な
く使用しζよいことが認められるかもしれない。しかし
ながら、還元剤が例えば、Ｎａｎ１１４やＫＢＩ＋４等
の８１素水素化物やＢ１１３、Ｒが脂肪族基であるＲ２
ＮＨ等のアミノボレン等の硼素水素化物を基盤にしたも
のである場合には、硫黄や重金属を基盤にした一次安定
化剤を化学メッキ浴中に使用する祭に普通に行われてき
たように、還元剤の活性を低下さ一已る為に二次安定化
剤を使用する必要性がある。この目的で、やや酸性から
かなりアルカリ性までの浴中にはクロム化合物が使用で
き、強アルカリ性の浴中にはヒ素化合物が使用できる。
属に直接作Ｊ１目−るので、使用される還元剤に関係な
く使用しζよいことが認められるかもしれない。しかし
ながら、還元剤が例えば、Ｎａｎ１１４やＫＢＩ＋４等
の８１素水素化物やＢ１１３、Ｒが脂肪族基であるＲ２
ＮＨ等のアミノボレン等の硼素水素化物を基盤にしたも
のである場合には、硫黄や重金属を基盤にした一次安定
化剤を化学メッキ浴中に使用する祭に普通に行われてき
たように、還元剤の活性を低下さ一已る為に二次安定化
剤を使用する必要性がある。この目的で、やや酸性から
かなりアルカリ性までの浴中にはクロム化合物が使用で
き、強アルカリ性の浴中にはヒ素化合物が使用できる。
この様な二次安定化剤は得られる金属メッキ層中に残留
しない。
しない。
本発明に従うメッキ浴は、安定化剤として単独化合物を
含有していても化合物の混合物を金白していてもよい。
含有していても化合物の混合物を金白していてもよい。
安定化剤の濃度は作動条件による。メッキ浴中の安定化
剤が少な過ぎると浴が自然に分１９１″し、−・方浴中
の安定化剤が多過ぎるとメッキ速度が事実上ゼロにまで
低下する。
剤が少な過ぎると浴が自然に分１９１″し、−・方浴中
の安定化剤が多過ぎるとメッキ速度が事実上ゼロにまで
低下する。
酸性浴では、安定化剤の濃度は約５．７ Ｘ ｉｏ’Ｍ
から６．９Ｘ１０ Ｍの範囲にあるのが好ましく、約
６．３ｘ ｌＱ−３Ｍの濃度が好適である。
から６．９Ｘ１０ Ｍの範囲にあるのが好ましく、約
６．３ｘ ｌＱ−３Ｍの濃度が好適である。
アルカリ性浴では、安定化剤の濃度は約２．５×４
１０ Ｍから３．５×１０Ｍの範囲にあるのが好まし
く、約３ Ｘ １０−４Ｍの濃度が好適である。
く、約３ Ｘ １０−４Ｍの濃度が好適である。
本発明の非常に詳細な点について特殊な実施例を引用し
ながら下記で述べているが、これらの実施例を限定的な
ものと考えるべきではない。濃度はモル濃度即ち、モル
／リットルで表わしている。
ながら下記で述べているが、これらの実施例を限定的な
ものと考えるべきではない。濃度はモル濃度即ち、モル
／リットルで表わしている。
実施例はやや酸性浴、ややアルカリ浴、アルヵリ浴のそ
れぞれについてあげられており、例中てはＮＪ＋素、ｔ
Ａを基盤にした還元剤を使用している。
れぞれについてあげられており、例中てはＮＪ＋素、ｔ
Ａを基盤にした還元剤を使用している。
実施例
Ａ、やや酸性浴： ４．０ ＜ ＰＨ＜ １．０実施
例１ 金属塩： 塩化ニッケル穴水化物 ０．１’３Ｍ
錯化試薬； クエン酸すトリウム ４．３×１０−２
Ｍコハクｆ１（ナトリウム ４．４ｘ Ｈｌ−２Ｍ酢
酸すトリウム ２．４Ｘ １０−ＬＭ安定化剤ニ ー次安定化剤：ピリジン６．３ｘ ｔｏ−３Ｍ二次安定
化剤：０．５Ｍ塩化りしｌム六水化物と０゜７Ｍクエン
酸の溶液２０ｍ６にアンモニアを加えてｐＨを６に合１
）せると、浴１１ゴに９ Ｘ ４０−３Ｍの塩化クロム
六水化物（ＣｒＣｊ！３．６１１２０ ）と１．４×１
０−２Ｍのクエン酸が含まれることになる。
例１ 金属塩： 塩化ニッケル穴水化物 ０．１’３Ｍ
錯化試薬； クエン酸すトリウム ４．３×１０−２
Ｍコハクｆ１（ナトリウム ４．４ｘ Ｈｌ−２Ｍ酢
酸すトリウム ２．４Ｘ １０−ＬＭ安定化剤ニ ー次安定化剤：ピリジン６．３ｘ ｔｏ−３Ｍ二次安定
化剤：０．５Ｍ塩化りしｌム六水化物と０゜７Ｍクエン
酸の溶液２０ｍ６にアンモニアを加えてｐＨを６に合１
）せると、浴１１ゴに９ Ｘ ４０−３Ｍの塩化クロム
六水化物（ＣｒＣｊ！３．６１１２０ ）と１．４×１
０−２Ｍのクエン酸が含まれることになる。
、Ｈは電気的方法で測定し、希アンモニ）′を加えるこ
とによっ゛（５，θ〜５．５に調節した。
とによっ゛（５，θ〜５．５に調節した。
この様な浴は５０℃から８０°Ｃの温度領域でこの浴は
ジエチルアミノボランの水溶液を還元剤として用いて試
験された。
ジエチルアミノボランの水溶液を還元剤として用いて試
験された。
７０℃の浴温で、２．５グラム／リツトルのジエチルア
ミノボラン濃度で、約１０μｍ ／ ｈのメッキ速度が
得られた。
ミノボラン濃度で、約１０μｍ ／ ｈのメッキ速度が
得られた。
実施例２
本メッキ浴が実施例１の浴と異るのはとりわけ錯化試薬
に於てである。組成は次の如くであった。
に於てである。組成は次の如くであった。
金属塩： 塩化ニッケル六水化物 ０．２１Ｍ錯化
試薬： グリコール酸 ３ＸＩＯ＝Ｍ乳酸
１．Ｇｘ ］（１１４４Ｍコハク酸
５．５Ｘ １０ Ｍ安定他剤ニ ー次安定化剤：ピリジン ６．３Ｘ １０＝Ｍ
二次安定化剤；塩化クロム穴水化物 ９Ｘ１０−３Ｍク
エン酸 １．４Ｘ １０ ＭＰＨは電気
的方法で測定し、希アンモニアを加えることによって６
．０〜６，５に調節した。
試薬： グリコール酸 ３ＸＩＯ＝Ｍ乳酸
１．Ｇｘ ］（１１４４Ｍコハク酸
５．５Ｘ １０ Ｍ安定他剤ニ ー次安定化剤：ピリジン ６．３Ｘ １０＝Ｍ
二次安定化剤；塩化クロム穴水化物 ９Ｘ１０−３Ｍク
エン酸 １．４Ｘ １０ ＭＰＨは電気
的方法で測定し、希アンモニアを加えることによって６
．０〜６，５に調節した。
この様な浴は７０℃から８０℃の’ＩＡ度領１・戊で使
用することができる。
用することができる。
この浴はジエチルアミノボランの水溶ｌ＆を還元剤とし
て用いて試験された。
て用いて試験された。
４ ｇ／βのシエナルアミノボラン′をＪ目い人：ｌ
易合、７０°Ｃ〜８０°Ｃの浴温でそれぞれ１０へ１５
１！ ｍ／ｈのメッキ速度が？ａられた。
易合、７０°Ｃ〜８０°Ｃの浴温でそれぞれ１０へ１５
１！ ｍ／ｈのメッキ速度が？ａられた。
実施例３
塩化ニッケル穴水化物の代わりに塩化−ｌハルト六水化
物を０．２Ｍ′／Ｒ度で使用しζいるという点以外では
実施例２と全く同しである浴を調ｊｌｉｌｌし）こ。
物を０．２Ｍ′／Ｒ度で使用しζいるという点以外では
実施例２と全く同しである浴を調ｊｌｉｌｌし）こ。
この様な浴は７０℃から８０ ’ＣＱ）温度領域で使用
することができる。
することができる。
この浴はジエチルアミノボランの水溶液を還元剤として
用いて試験されノこ。
用いて試験されノこ。
４ Ｂ／Ｉ！のジエチルアミノボランを用いた場合、７
０°Ｃ〜８０”Ｃの浴温でそれぞれ１０〜１５１！ １
ｎ ／ ｈのメッキ速度が得られた。
０°Ｃ〜８０”Ｃの浴温でそれぞれ１０〜１５１！ １
ｎ ／ ｈのメッキ速度が得られた。
実施例４
塩化ニッケル穴水化物のみを使用する代わりに０．１７
Ｍの塩化クロム六水化物と０．０４２ Ｍの塩化コバル
ト六水化物の混合物を使用しているという点以外では実
施例２と全く同じである浴を調製した。
Ｍの塩化クロム六水化物と０．０４２ Ｍの塩化コバル
ト六水化物の混合物を使用しているという点以外では実
施例２と全く同じである浴を調製した。
この様な浴は７０℃から８０℃の／ｌ’ｌＡ度ｆｉｌｆ
戎で使用することができる。
戎で使用することができる。
この浴はジエチルアミノボランの氷？’ｊ目ｔ−を還元
剤として用いて試験された。
剤として用いて試験された。
４ｇ／Ｎのジエチルアミノボランを用いた場合、７０℃
〜８０°Ｃの浴温でそれぞれ１０〜１５μｍ ／ ｈの
メッキ速度が得られた。
〜８０°Ｃの浴温でそれぞれ１０〜１５μｍ ／ ｈの
メッキ速度が得られた。
実施例５
本メ・７キ浴では実施例２におけると同し種１１°ｊの
錯化試薬を用いた。
錯化試薬を用いた。
金属塩： 塩化ニッケル六水化物 ０．２１Ｍ錯化
試薬： グリコールｗＩ（１４７Ｍ安定化剤： イミダ
ゾール ６．８ｘ １（ｈ３ ＭｐＨは電気的方法
で測定し、希アンモニアを加えることによって５，８〜
６．２に調節した。
試薬： グリコールｗＩ（１４７Ｍ安定化剤： イミダ
ゾール ６．８ｘ １（ｈ３ ＭｐＨは電気的方法
で測定し、希アンモニアを加えることによって５，８〜
６．２に調節した。
この様な浴は８５℃から９０ ’Ｃの温度領域で使用す
ることができる。
ることができる。
この浴は次亜ｖ４酸ナトリウムの水／８’ｔｔ’ｉを還
元剤として用いて試験された。
元剤として用いて試験された。
浴？Ａ！＋ ８８℃に於−ζ、１０ｇ／６の次亜燐酸す
トリウム濃度で、約１５μｍ ／ ｈのメッキ速度がｉ
Ｍられた。
トリウム濃度で、約１５μｍ ／ ｈのメッキ速度がｉ
Ｍられた。
Ｂ、ややアルカリ性情： ７．０＜ ｐＨ＜９．０ヤ
ヤアルカリ性浴に対しては、アンモニウム、塩が優良な
錯化試薬となる。
ヤアルカリ性浴に対しては、アンモニウム、塩が優良な
錯化試薬となる。
実施例６
金属塩： 塩化ニッケル六水化物 ０．２１Ｍ錯
化試蘂： コハク酸 ０．３Ｍクエン
酸ニアンモニウムアンモニ ラム ８．８Ｘ １０ Ｍ安定化剤ニ ー次安定化剤；ピリジン ６．３Ｘ １０
Ｍ二次安定化剤：塩化りＩＩム穴氷水化物ｌＸｌ０−３
Ｍクエン酸 １．４Ｘ］、ＯＭｐＨは電気
的方法で測定し、希アンモニアを本メッキ浴は５０℃か
ら７０℃の？ＡＡ度領域で使用された。
化試蘂： コハク酸 ０．３Ｍクエン
酸ニアンモニウムアンモニ ラム ８．８Ｘ １０ Ｍ安定化剤ニ ー次安定化剤；ピリジン ６．３Ｘ １０
Ｍ二次安定化剤：塩化りＩＩム穴氷水化物ｌＸｌ０−３
Ｍクエン酸 １．４Ｘ］、ＯＭｐＨは電気
的方法で測定し、希アンモニアを本メッキ浴は５０℃か
ら７０℃の？ＡＡ度領域で使用された。
本メッキ浴はジメチルアミノボランの水ｌ客演を還元剤
として用いて試験された。
として用いて試験された。
５０℃から７０°Ｃの範囲の浴温に於て、還元剤濃度４
ｇ／Ｉ！で、５〜１０ ｐ ｍ ／ ｋ＋のメッキ速度
が得られた。
ｇ／Ｉ！で、５〜１０ ｐ ｍ ／ ｋ＋のメッキ速度
が得られた。
実施例７
金属塩： 塩化ニッケル六水化物 ０．ｉ２Ｍ錯
化試薬： クエン酸三ナトリウムづ叫・リウム０．３
５Ｍ 塩化アンモニウム ＩＭ 安定化剤： イミダゾール ６．８Ｘ １０−３
ＭｐＨは電気的方法で測定し、ａ縮アン−〔ニアを加え
ることによって８．９〜９．５に調節した。
化試薬： クエン酸三ナトリウムづ叫・リウム０．３
５Ｍ 塩化アンモニウム ＩＭ 安定化剤： イミダゾール ６．８Ｘ １０−３
ＭｐＨは電気的方法で測定し、ａ縮アン−〔ニアを加え
ることによって８．９〜９．５に調節した。
本メッキ浴は８５℃から９０°Ｃの温度領域で使用する
ことができる。
ことができる。
本メッキ浴は次亜燐酸ナトリウムの水溶液を還元剤とし
て用いて試験された。
て用いて試験された。
浴？Ｍ、 ８８°Ｃに於て、還元剤濃度１０ｇ／７！で
、約１５ Ｉｔ ｍ ／ ｋ＋のメッキ速度が得られた
。
、約１５ Ｉｔ ｍ ／ ｋ＋のメッキ速度が得られた
。
実施例８
金属塩： 塩化−ｌパル１−大水化物 ０．１２
Ｍ錯化試薬： クエン酸三す１リウノ・づ川・リウム
０．３５Ｍ 塩化アンモニウム １Ｍ 安定化剤： イミダゾール ６．８Ｘ １０−３
Ｍｐ Ｈは電気的方法で測定し、濃縮アンモニアを加え
ることによって８．９〜９．５に８１１ａ節した。
Ｍ錯化試薬： クエン酸三す１リウノ・づ川・リウム
０．３５Ｍ 塩化アンモニウム １Ｍ 安定化剤： イミダゾール ６．８Ｘ １０−３
Ｍｐ Ｈは電気的方法で測定し、濃縮アンモニアを加え
ることによって８．９〜９．５に８１１ａ節した。
本メッキ浴は８５℃から９０°Ｃの温度領域で使用する
ことができる。
ことができる。
本メッキ浴は次亜燐酸ナトリウノ・の水／８１１ｋを還
元剤として用いて試験された。
元剤として用いて試験された。
浴温９３℃に於゛ζ、還元剤濃度ｌｏｇ／７！で、約１
５ Ｉｔ ｍ ／ ｈのメッキ速度が得られた。
５ Ｉｔ ｍ ／ ｈのメッキ速度が得られた。
Ｃ９強アルカリ性性浴 ｐＨ＞９．０実施例９
金属塩： 塩化ニッケル六水化物 ０．１３Ｍ錯
化試薬： エチレンジアミン ＬＭ安定化剤
ニ 一次安定化剤： イミダゾール ２．９Ｘ １０−４
Ｍ二次安定化剤： 砒酸 ４．４Ｘ １０
ＭｐＨを１３から１４の範囲の適当な値に合わせる為
にカセイソーダの１Ｍ溶液を使用した。
化試薬： エチレンジアミン ＬＭ安定化剤
ニ 一次安定化剤： イミダゾール ２．９Ｘ １０−４
Ｍ二次安定化剤： 砒酸 ４．４Ｘ １０
ＭｐＨを１３から１４の範囲の適当な値に合わせる為
にカセイソーダの１Ｍ溶液を使用した。
本メッキ浴は９２℃から９５℃の温度範囲に維持した。
本メッキ浴は水素化硼素すｌ・リウムの水溶液を還元剤
として用いて試験された。
として用いて試験された。
上記温度範囲の浴温に於て、０．釘／７！の還元剤濃度
で、１５〜２０μｍ ／ ｈのメッキ速度が得られた。
で、１５〜２０μｍ ／ ｈのメッキ速度が得られた。
実施例１０
イミダゾールの代わりに２．９Ｘ １０＝Ｍのフルフリ
ルアルコールが使用された以外は実施例９と全く同しで
ある浴を１１％した。
ルアルコールが使用された以外は実施例９と全く同しで
ある浴を１１％した。
本メッキ浴は９２゛ｃから９５℃の＾１．１１度Ｑ１０
囲に維持された。
囲に維持された。
本メッキ浴は水素化硼素すトリウノ・の水ｒ；ｆ ｌｔ
’ｉ。
’ｉ。
を還元剤として用いて試験された。
上記温度範囲の浴温に於て、０．５ｇ／ ｇの還元剤濃
度で、５〜ｌｏｌｚｍ／ｈのメ・ツキ速ｍ−が得られた
。
度で、５〜ｌｏｌｚｍ／ｈのメ・ツキ速ｍ−が得られた
。
手続補正８（自発）
昭和５８年８月１９日
特許庁長官 殿
■、事件の表示
特願昭 ５８−１３７９２２
２、発明の名称
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
４、代理人
明細書の全文
６．１＋ｌｉ正の内容 別紙の通り３３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■） 析出させようとする金属の塩、前記金属の１以上
の錯化試薬、硼素又は燐基の還元剤及び安定化剤を含ん
で成り、前記安定化剤は近づきやすい重子対を有しかつ
ｌ１ｌａ属（Ｒ１１素、アルミニウムは除＜）、ＩＶａ
属（炭素は除く）、ｖａ属（窒素、燐は除（）Ｖｌａ属
（酸素は除く）又はＶＩＩａＤＥ（フン素、塩素は除く
）の群の金属又はメタロイドを含有しない水溶性有機化
合物から成る、ニッケル及び／又はコバルト化学メッキ
用メッキ浴。 ２） 安定化剤がＶＩＩａ属のメタロイドのいずれをも
含まない特許請求の範囲第１項記載のメッキ浴。 ３） 窒素及び／又は酸素のへテロ原Ｊ′−を１個以上
有する芳香族複素環式化合物から成るＩＩＹから安定化
剤が選ばれる、特許請求の範囲第１１１′１記戎のメッ
キ浴。 ４） 環中に１個以上の窒素原子を有する、５原子躯複
素環式化合物ならびにそれらのＮ又はＣ置換誘導体から
成る群から安定化剤が選ばれる、特許請求の範囲第３項
記載のメッキ浴。 ５） ピロール、インドール、プリン、・イミダゾール
、ピラゾール、トリアゾール、テトラヅール及びこれら
の類似化合物から成る群から安定化剤が選ばれる、特許
請求の範囲第４項記載のメッキ浴。 ６） 環中に１個以上の窒素原子を有する、６原子Ｐ複
素環式化合物ならびにそれらのＮ又はＣ置換誘導体から
成る群から安定化剤が選ばれる、特許請求の範囲第３項
記載のメッキ浴。 ７） ピリジン、ジノリン、ピリダジン、ピリミジン
、ピラジン及びこれらの類似化合物から成る群から安定
化剤が選ばれる、特許請求の範囲第６項記載のメッキ浴
。 ８） フラン等のように、５原子酸素化複素環式化合物
ならびにそれらの置換誘導体から成る群から安定化剤が
選はれる、特許請求の範囲第３項記載のメッキ浴。 ９） 水溶性へし一エーテルから成る群から安定化剤が
選ばれる、４・Ｋ許請求の範囲第１項記載のメッキ浴。 １０） 数種の安定化剤の混合物を含む、特許請求の
範囲第１項記載のメッキ浴。 １１） 該メッキ浴が酸であり、安定化剤のモル濃度
が約５．７ Ｘ １０ Ｍから約６．９ Ｘ １０−
３Ｍの範囲にあり好ましく ＬＪ約６．３ Ｘ １０
Ｍである、特許請求の範囲第１項記載のメッキ浴。 １２） 該メッキ浴がアルカリであり、安定化剤のモ
ル濃度が約２．５ ｘ ｉｏ Ｍから約：３．５ ｘ
ＩＱ−４Ｍの範囲にあり好ましくは約３Ｘ、１０Ｍで
ある、特許請求の範囲第１項記載のメッキ浴。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8213431 | 1982-07-30 | ||
| FR8213431A FR2531103B1 (fr) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | Bain pour le depot chimique de nickel et/ou de cobalt utilisant un reducteur a base de bore ou de phosphore |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943857A true JPS5943857A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=9276523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137922A Pending JPS5943857A (ja) | 1982-07-30 | 1983-07-29 | 硼素又は燐基の還元剤を用いるニツケル及び／又はコバルト化学メツキ浴 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4486233A (ja) |
| EP (1) | EP0102874B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5943857A (ja) |
| DE (1) | DE3368088D1 (ja) |
| FR (1) | FR2531103B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003183845A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-07-03 | Shipley Co Llc | 無電解めっき液用安定剤及びそれらの使用方法 |
| JP2009522445A (ja) * | 2005-12-29 | 2009-06-11 | エルジー・ケム・リミテッド | コバルト系列合金無電解鍍金溶液及び無電解鍍金方法 |
| JP2019210501A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 奥野製薬工業株式会社 | 無電解ニッケルめっき液用安定剤、並びにそれを用いためっき液、めっき方法及び分析方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US5624480A (en) * | 1993-04-07 | 1997-04-29 | Henkel Corporation | Composition and process for substitutionally plating zinciferous surfaces |
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| EP0066656B1 (en) * | 1981-06-02 | 1985-09-25 | Asahi Glass Company Ltd. | Process for preparing nickel layer |
-
1982
- 1982-07-30 FR FR8213431A patent/FR2531103B1/fr not_active Expired
-
1983
- 1983-07-27 EP EP83401550A patent/EP0102874B1/fr not_active Expired
- 1983-07-27 DE DE8383401550T patent/DE3368088D1/de not_active Expired
- 1983-07-29 JP JP58137922A patent/JPS5943857A/ja active Pending
- 1983-07-29 US US06/518,431 patent/US4486233A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009522445A (ja) * | 2005-12-29 | 2009-06-11 | エルジー・ケム・リミテッド | コバルト系列合金無電解鍍金溶液及び無電解鍍金方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US4486233A (en) | 1984-12-04 |
| FR2531103A1 (fr) | 1984-02-03 |
| EP0102874A1 (fr) | 1984-03-14 |
| DE3368088D1 (en) | 1987-01-15 |
| FR2531103B1 (fr) | 1985-11-22 |
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