JPS5943820B2 - 位置整合装置 - Google Patents

位置整合装置

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JPS5943820B2
JPS5943820B2 JP56182284A JP18228481A JPS5943820B2 JP S5943820 B2 JPS5943820 B2 JP S5943820B2 JP 56182284 A JP56182284 A JP 56182284A JP 18228481 A JP18228481 A JP 18228481A JP S5943820 B2 JPS5943820 B2 JP S5943820B2
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光義 小泉
靖彦 原
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は2物体例えば半導体ウェハとマスクを位置整合
する位置整合装置に関するものである。
従来のマスク・アライメント装置には、マスクに位置整
合用ターゲットとして設けられた透明な窓を、半導体ウ
ェハー上に位置整合用ターゲットとして設けられたエッ
チング部をのぞかせて重畳し上記窓からエッチング部の
反射光量を検出してマスクと半導体ウェハの相対位置を
知る反射光量方式と、位置整合用ターゲットとして線状
パターンをマスク及び半導体ウェハ上に形成し、スリッ
トの振動や、鏡の回動を利用して線状パターンの光像を
光走査にてマスクと半導体ウェハの相対位置を知る光走
査方式とがある。前者のマスクアライメント装置は半導
体ウェハの平滑面やエッチング部での反射光量特性及び
、照明むらによる光量の不均一性、の問題が存在した。
また後者のマスクアライメント装置はスリット及び、鏡
による光像の走査速度が不均一であるため、マスクと半
導体ウェハの相対的位置を正確に検出することが困難で
あると共に、スリットの振動及び鏡の回動を機械駆動に
よらなければならないため、機械1駆動部の信頼性が悪
い欠点を有していた。
本発明の目的は、上記従来の欠点をなくし、第1識別パ
ターンを有する第1の物体と第2識別パターンを有する
第2の物体の位置整合精度を向上させ、高い信頼性を有
する位置整合装置を提供することにある。
即ち本発明は、第1の識別パターンを形成した第1の物
体と、第2の識別パターンを形成した第2の物体とを相
対的に位置合せする位置整合装置において、上記第1の
識別パターンと第2の識別パターンを光学的に重畳して
結像させる光学系と、該光学系によつて光学的に重畳し
て結像される光像をX軸方向及びY軸方向について撮像
する少くとも一次元的に素子を配列した複数の固体撮像
素子と、該固体撮像素子の各々から得られるX軸方向の
映像信号及びY軸方向の映像信号にもとづいて第1の物
体と第2の物体の相対的X軸方向及びY軸方向の偏位を
求め、これら偏位がなくなるように相対的に移動させて
両者を位置整合する整合手段とを備え付けたことを特徴
とする位置整合装置である。
また本発明は、上記位置整合装置において、上記複数の
固体撮像素子を、X軸方向及びY軸方向に2次元的に素
子を配列した2次元固体撮像素子によつて形成し、この
2次元固体撮像素子から得られる信号をY軸方向及びX
軸方向に電気的に総計してX軸方向の映像信号及びY軸
方向の映像信号に変換する変換手段を設けたことを特徴
へする位置整合装置である。以下本発明を図に示す実施
例にもとづいて具体的に説明する。
第1図はマスクを示したものであり、第2図は半導体ウ
エハを示したものである。同図に示すマスク1には、半
導体ウエハ6の所定の位置4に露光焼付けする回路パタ
ーン2と、半導体ウエハ6と位置整合するために両端に
2個の第1の識別パターンである位置整合用ターゲツト
パターン3a,3bを形成している。一方半導体ウエハ
6には、上記位置整合用のターゲツトパターン3a,3
bに対応した位置に、2個第2の識別パターンである位
置整合用ターゲツトパターン5a,5bを形成している
。上記マスクの位置整合用のターゲツトパターデ3a,
3bとしては、例えば第1図に示す如く透明な領域にL
形の不透明な線を十字状に配列し、十字状で一定の巾を
有する透明な帯を形成したものがある。この透明な帯は
識別領域であり、各々の帯の一端を始端、他端を終端と
する。また半導体ウエハの位置整合用ターゲツトパター
ン5a,5bとしては、例えば第2図に示す如く周囲と
反射率の異なる十字の細線にて形成したものがある。次
に本発明のマスク位置整合装置について第3図乃至第6
図にもとづいて説明する。7は回転テーブルで、半導体
ウエハ6を載置している。
8はX軸移動テーブルにして、回転テーブル7を回転自
在に支持し、回転テーブル7を回転させるモータ9を取
付けている。
10はY軸移動テーブルにして、X軸移動テーブル8を
X軸方向に摺動自在に載置し、X軸移動テーブル8をX
軸方向に移動させるX軸モータ11を取付けている。
更に上記YllllllL駆動テーブル10は基台(図
示せず)にY軸方向に摺動自在に載置され、Y軸方向に
移動させるY軸モータ12に連結している。一方マスク
1は上記半導体ウエハ6に対し、微小な間隔を設けて配
置し、基台(図示せず)に取付けられた保持部材(図示
せず)に取付けられている。13a及び13bは各々位
置整合用ターゲツト3a及び3bに相対して設けられた
光学系にして第4図に示す如く構成されている。
即ち光学系13a及び13bは、重畳された位置整合用
ターゲツトパターンの光像を拡大する対物レンズ14、
半透明鏡15、コンデンサレンズ16、光源17、半透
明鏡18、軸心方向を上下方向に配置し上記半透明鏡1
8によつて反射された光像のX軸方向の巾を縮小するシ
リンドリカルレンズ20、及び軸心方向をX軸方向に配
置し、半透明鏡18を通過してきた光像のY軸方向の巾
を縮小するシリンドリカルレンズ21から構成されてい
る。即ち半透明鏡18及びシリンドリカルレンズ20は
対物レンズ14によつて拡大された光像のY成分をその
ままホトダイオードアレイ22a,22bの上下方向に
投射し、X成分を縮小してホトダイオードアレイ22a
,22bの巾内に投射するよう配置されている。更に半
透明鏡18及びシリンドリカルレンズ21は上記拡大さ
れた光像のX成分をそのままホトダイオードアレイ23
a,23b0X方向に投影し、Y成分を縮小してホトダ
イオードアレイ23a,23bの巾内に投影するよう配
置されている。22a,22bは多数個のホトダイオー
ド素子を一列に配列したY軸用ホトダイオードアレイに
して、長手方向をシリンドリカルレンズ20の軸方向に
配置し、シリンドリカルレンズ20を通過した光像を受
光し、スキヤン信号に応じてホトダイオード素子の各々
から電気信号をシリーズに出力するものである。
23a,23bは多数個のホトダイオード素子を一列に
配列したX軸用ホトダイオードアレイにして、長手方向
をシリンドリカルレンズ21の軸方向に配置し、シリン
ドリカルレンズ21を通過した光像を受光し、スキヤン
信号に応じてホトダイオード素子の各々から電気信号を
シリーズに出力するものである。
24はスキヤン信号発生回路にして、出力信号であるス
キヤン信号25a,25bをホトダイオードアレイ22
a,22b及びホトダイオードアレイ23a,23bに
接続している。
28aは処理回路にして、ホトダイオードアレイ22a
から出力される信号26aにて第5図に示す如く、マス
ク1上の位置整合用ターゲツト3aと半導体ウエハ6上
の位置整合用ターゲツト5aとのY軸方向の基準距離Δ
2に対する偏差ΔY,を求める回路である。
28bは処理回路にしてホトダイオードアレイ22bか
ら出力される信号26bにて、第5図に示す如く位置整
合用ターゲツト33bと位置整合用ターゲツト5bとの
Y軸方向の基準距離Δ2に対する偏差ΔY2を求める回
路である。
29aは処理回路にしてホトダイオードアレイ23aか
ら出力される信号27aにて第5図に示す如く位置整合
用ターゲツト3aと位置整合用ターゲツト5aとのX軸
方向の基準距離Δ1に対する偏差ΔX1を求める回路で
ある。
29bは処理回路にしてホトダイオードアレイ23bか
ら出力される信号27bにて第5図に示す如く位置整合
用ターゲツト3bと位置整合用ターゲツト5bとのX軸
方向の基準距離Δ1に対する偏差ΔX2を求める回路で
ある。
30は演算回路にして、処理回路28aから出力される
Δy1の信号と、処理回路28bから出力されるΔY2
の信号と処理回路29aから出力されるΔX1の信号と
、処理回路29bから出力されるΔX2の信号とにもと
づいて演算処理を施し、マスク1と半導体ウエハ6のX
軸方向の相対的変位量Δx、マスク1と半導体ウエハ6
のY軸方向の相対的変位量Δy、回転テーブル7の回転
軸心を中心にしてマスク1と半導体ウエハ6の回転方向
の相対的変位量Δθを求める回路である。
31は駆動回路にして演算回路30から出力されるΔx
の信号が零になるまでX軸モータ11を駆動し、演算回
路30から出力されるΔyの信号が零になるまでY軸モ
ータ12を駆動し、演算回路30から出力されるΔθの
信号が零になるまでモータ9を駆動するものである。
上記構成によりまず半導体ウエハ6を回転テーブル6に
載置し、マスク1を保持部材(図示せず)に載置すると
半導体ウエハ6の位置整合用ターゲツトパターン5a,
5bとマスク1の位置整合用ターゲツトパターン3a,
3bは第5図A,bに示す如く重畳されて配置される。
次に光源17を点灯すると、光源17から照射された光
はコンデンサレンズ16により平行光線に変換され半透
明鏡15で反射し、対物レンズ14を通して重畳された
位置整合用ターゲツトパターン3a,5a及び3b,5
bを照射する。位置整合用ターゲツトパターン5aから
反射された光は位置整合用ターゲツトパターン3aの透
明領域を通過して光像として形成される。この光像は、
対物レンズ14によつて拡大され、半透明鏡15を通過
して半透明鏡18に達する。この光像の内半透明鏡18
で反射した光像は、シリンドリカルレンズ20にて第6
図に示す如くX軸方向にWXからホトダイオードアレイ
22aの巾寸法LXに縮少されてホトダイオードアレイ
22aの受光面に結像され、半透明鏡を通過した光像は
、シリンドリカルレンズ21にて第6図に示す如くY軸
方向にWYからホトダイオードアレイ23aの巾寸法L
Yに縮少されてホトダイオードアレイ23aの受光面に
結像される。一方位置整合用ターゲツトパターン5bか
ら反射された光は位置整合用ターゲツトパターン3bか
ら透明領域を通過し光像として形成される。この光像は
前記と同様に半透明鏡18に達し、半透明鏡18で反射
した光像はホトダイオードアレイ22bの受光面に結像
され、半透明鏡18を通過した光像はホトダイオードア
レイ23bの受光面に結像される。即ちホトダイオード
アレイ22a,23a及び22b,23bのホトダイオ
ード素子は、第6図に示すように各々重畳された位置整
合用パターン5a,3a及び5b,3bを対物レンズ1
4にて拡大された光像をX軸方向にホトダイオード素子
の一定間隔に分割した絵素即ち検知領域を受像し、更に
Y軸方向にホトダイオード素子の一定間隔に分割した絵
素即ち検知領域を受像する。次にホトダイオードアレイ
22a,22bは各々スキヤン信号発生回路24から出
力されるスキヤン信号にて第6図に示すスキヤン方向に
スキヤンされ、第6図に示す如くホトダイオード素子か
ら出力される信号が連らなつた形の信号26a,26b
が出力される。処理回路28a,28bは各々上記信号
26a,26bをビツト処理して第1番目のピーク値と
第2番目のピーク値の間の距離,A,,ya2、即ち時
間Tyal,tya2及び第2番目のピーク値と第3番
目のピーク値の間の距離Ybl,yb2、即ち時間Ty
bl,tyb2を求め、次に示す(1)式及び(2)式
から偏差ΔY,,ΔY2を求める。但しΔh: ダイオ
ード素子(ビツト)の間隔Δt: 隣り合つたダイオー
ド素子をスキヤンするのに要する時間k:対物レンズ1
4による像の拡大率 . ΔH K: K−rフから求まる時間と変位の換算定数 同様にホトダイオードアレイ23a,23bもスキヤン
され、第6図に示す如くホトダイオード素子から出力さ
れる信号が連らなつた形の信号27a,27bが出力さ
れる。
処理回路29a,29bは各々上記信号26a,26b
をビツト処理して、第1番目のピーク値と第2番目のピ
ーク値の間の距離Xal,xa2、即ち時間Txal,
txa2及び第2番目のピーク値と第3番目のピーク値
の間の距離Xbl,Xb2、即ち時間TXbl,tXb
2を求め、次に示す(3)式及び(4)式から偏差ΔX
l,ΔX2を求める。なお、第6図に示す如く位置整合
用ターゲツトパターン5a,5bが位置整合用ターゲツ
トパターン3a,3bに対して大きく傾いている場合に
は信号26a,26b、及び27a,27bの山の中心
の番地もしくはピーク値を示す番地を位置整合用ターゲ
ツトパターン5a,5bの中心位置とすればよい。更に
演習回路30は、上記処理回路によつて求められたΔX
l,ΔX2,ΔY,,ΔY2の信号にもとづいて次のよ
うに演算を施し、マスク1と半導体ウエハ6の相対変位
量ΔX,ΔY,Δθを求める。即ち第7図に示す如く回
転テーブル7の回転軸心pを中心にして、マスク1の位
置整合用ターゲツトパターン3a,3bと半導体ウエハ
6の位置整合用ターゲツトパターン5a,5bとの回転
方向の相対的変位量Δθは次に示す(5)式の関係を有
する。上記(5)式の関係から次の(6)式の関係を有
する。
Vυ\−JlkiJ乙ノt−′但しLは位置整合用ター
ゲツトパターン5a,5bの中心間距離であり、θoは
1/Lなる値に相当する定数である。
なおΔθがΔYl,ΔY2の関係であるのは、位置整合
用ターゲツトパターン5a,5bがX軸方向に2個配置
されているからである。更にマスク1の位置整合用ター
ゲツトパターン3a,3bと半導体ウエハ6の位置整合
用ターゲツトパターン5a,5bとのX軸方向の相対的
変位量ΔXは、次に示す(7)式及び(8)式の関係を
有する。口一1T′ 2\―′1i511Cノ またマスク1の位置整合用ターゲツトパターン3a,3
bと半導体ウエハ6の位置整合用ターゲツトパターン5
a,5bとのY軸方向の相対的変位量Δyは次に示す(
9)式及び[))式の関係を有する。
次に上記の如く求められたΔX,ΔY,Δθの相対的変
位置の信号を駆動回路31に送信する。駆動回路31は
求められたΔX,ΔY,Δθの値だけ、逆方向にX軸モ
ータ11、Y軸モータ12、モータ9を駆動し、上記Δ
X,ΔY,Δθが全て零になつた時点でマスク1と半導
体ウエハ6は精度よく位置整合される。前記ホトダイオ
ードアレイとしては、1024個のホトダイオード素子
を一列に配列して25.4m1Lの長さを有するものが
すでに存在する。
また、位置整合用ターゲツトパターンはl〜2m77!
角にて形成されている。従つて位置整合用ターゲツトパ
ターンの全面をホトダイオードアレイに受像させたとし
てもマスクと半導体ウエハの位置決め精度は1μm〜2
μm程度得られる。上記実施例は光像検出素子として、
一列にホトダイオード素子を配列したホトダイオードア
レイを2個用いているが、光学系13a,13bの半透
明鏡18、シリンドリカルレンズ20,21を削除し、
網状の絵素即ち検知領域を受像するホトダイオード素子
を2次元平面内に縦横配列したホトダイオードマトリツ
クスをホトダイオードアレイ23a,23bの位置に配
置すれば、前記実施例と同じ作用効果を達成することが
できる。
なおホトダイオードマトリツクスを用いた場合、X軸方
向の位置整合用ターゲツトパターン5a,5bと位置整
合用ターゲツトパターン3a,3bの相対的変位量を求
めるときは、Y軸方向に配列されたダイオード素子の信
号をスキヤンすると同時に電気的に集積し、Y軸方向の
位置整合用ターゲツトパターン5a,5bと位置整合用
ターゲツトパターン3a,3bの相対的変位量を求める
ときにはX軸方向に配列されたダイオード素子の信号を
スキヤンすると同時に電気的に集積すれば、前記実施例
のシリンドリカルレンズにて光像を巾方向に縮少したの
と同様な作用が得られる。また前記実施例において、十
字形の透明な帯で形成されたマスクの位置整合用ターゲ
ツトパターンと周囲と異なる反射率を有する十字の細線
にて形成され半導体ウエハの位置整合用ターゲツトパタ
ーンとを重畳したものであるが、この他例えば第8図a
乃至第8図dに示す如く所定の識別領域を形成するよう
に透明もしくは不透明の[形、L形、もしくは・印で囲
んだパターンまたは正方形の透明なパターン等で形成し
たマスクの位置合せ用ターゲツトパターンと、第9図a
乃至第9図cに示す如く、周囲と反射率もしくは透過率
が異なる・印、正方形、もしくは十字の帯等で形成され
た半導体ウエハの位置合せ用ターゲツトパターンとを組
合せて重畳しても前記実施例と同一の作用効果が達成で
きるので、位置整合用ターゲツトパターンは種々な形状
で選定され、前記実施例に限定されるものではない。
更に前記実施例においてX,Y方向は直交しているか必
ずしも直交座標に限定されるものではない。
以上説明したように本発明によれば、従来の位置整合装
置に比較して、反射光量のむら、照明むらなどに影響さ
れることが防止されると共に、機械的走査機構がないた
め、コンパクトで且信頼性を向上させた位置整合装置を
得ることができる効果を奏する。
また本発明によれば座標機能を有する一次元または2次
元固体撮像素子から電気的走査によつて映像信号が得ら
れるので、この映像信号の時間軸と識別パターンの相対
的変位量が正確に対応し、上記映像信号に対して簡単な
デイジタル的論理演算を施すだけで、正確に識別パター
ンの相対的変位量が求まり、優れた実用的効果が得られ
る。また本発明によれば、゜一次元または2次元固体撮
像素子を形成する素子の番地(座標)が固定しているた
め、位置整合装置として長期安定性に優れ、高信頼度が
得られる実用的効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はマスクを示した図、第2図は半透体ウエハを示
した図、第3図は本発明のマスク位置整合用装置の一実
施例を示した概略構成図、第4図は第3図に示す光学系
を詳細に示した図第5図はマスクの位置整合用ターゲツ
トパターンと半導体ウエハの位置整合用ターゲツトパタ
ーンが重畳されたときの状態を示した図、第6図は第3
図に示すホトダイオードアレイにて受光される光像とホ
トダイオードアレイから得られる信号波形を示した図、
第7図はマスクの位置合せ用ターゲツトパターンと半導
体ウエハの位置整合用ターゲツトパターンの相対的変位
量の関係を示した図、第8図はマスクの位置合せ用ター
ゲツトパターンの例を示した図、第9図は半導体ウエハ
の位置整合用ターゲツトパターンの例を示した図である
。 1・・・・・・マスク、3a,3b・・・・・・位置整
合用ターゲツトパターン、5a,5b・・・・・・位置
整合用ターゲツトパターン、6・・・・・・半導体ウエ
ハ 13a,13b・・・・・・光学系、14・・・・
・・対物レンズ、17・・・・・・光源、18・・・・
・・半透明鏡、20,21・・・・・・シリンドリカル
レンズ、22a,22b,23a,23b・・・・・・
ホトダイオードアレイ、24・・・・・・スキヤン信号
発生回路、28a,28b,29a,29b・・・・・
・処理回路、29・・・・・・演算回路、30・・・・
・・駆動回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1の識別パターンを形成した第1の物体と、第2
    の識別パターンを形成した第2の物体とを相対的に位置
    合せする位置整合装置において、上記第1の識別パター
    ンと第2の識別パターンを光学的に重畳して結像させる
    光学系と、該光学系によつて光学的に重畳して結像され
    る光像をX軸方向及びY軸方向について撮像する少くと
    も一次元的に素子を配列した複数の固体撮像素子と、該
    固体撮像素子の各々から得られるX軸方向の映像信号及
    びY軸方向の映像信号にもとづいて第1の物体と第2の
    物体の相対的X軸方向及びY軸方向の偏位を求め、これ
    ら偏位がなくなるように相対的に移動させて両者を位置
    整合する整合手段とを備え付けたことを特徴とする位置
    整合装置。 2 第1の識別パターンを形成した第1の物体と、第2
    の識別パターンを形成した第2の物体とを相対的に位置
    合せする位置整合装置において、上記第1の識別パター
    ンと第2の識別パターンを光学的に重畳して結像させる
    光学系と、該光学系によつて光学的に重畳して結像され
    る光像を撮像するようにX軸方向及びY軸方向に2次元
    的に素子を配列した2次元固体撮像素子と、該2次元固
    体撮像素子から得られる信号をY軸方向及びX軸方向に
    電気的に総計してX軸方向の映像信号及びY軸方向の映
    像信号に変換する変換手段と、該変換手段から得られる
    X軸方向の映像信号及びY軸方向の映像信号にもとづい
    て、第1の物体と第2の物体の相対的X軸方向及びY軸
    方向の偏位を求め、これら偏位がなくなるように相対的
    に移動させて両者を位置整合する位置整合手段とを備え
    付けたことを特徴とする位置整合装置。
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JP (1) JPS5943820B2 (ja)

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JPS59109805A (ja) * 1982-12-16 1984-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置検出装置

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JPS57118643A (en) 1982-07-23

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