JPS5943062B2 - Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices - Google Patents

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices

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JPS5943062B2
JPS5943062B2 JP54097309A JP9730979A JPS5943062B2 JP S5943062 B2 JPS5943062 B2 JP S5943062B2 JP 54097309 A JP54097309 A JP 54097309A JP 9730979 A JP9730979 A JP 9730979A JP S5943062 B2 JPS5943062 B2 JP S5943062B2
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resin composition
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semiconductor devices
anhydride
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泰英 菅原
秀夫 稲吉
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    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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    • H01L23/296Organo-silicon compounds
    • HELECTRICITY
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置を封止するためのエポキシ樹脂組
成物に係わるもので、その目的とするところは、耐湿性
のすぐれた樹脂封止半導体装置を提供するところにある
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device, and an object thereof is to provide a resin-encapsulated semiconductor device with excellent moisture resistance. be.

最近の半導体装置例えば、IC、LSIトランジスタ、
ダイオード等は、セラミック、キヤン封止タイプに比べ
て大量生産性、生産工程の合理化の面で有利で、かつ低
コストな製品が得られる樹脂封止方式で生産されている
Recent semiconductor devices such as IC, LSI transistor,
Diodes and the like are produced using a resin encapsulation method, which is advantageous in terms of mass productivity and rationalization of the production process, and can yield products at low cost, compared to ceramic and can encapsulation types.

しかしながら、樹脂封止型半導体装置は、セラミック、
キヤン封止タイプに比べ気密性に若干劣り、事実、樹脂
封止型半導体製品(TRS、IC、LSI等)において
、耐湿不良の問題が起つている。そこで、このような樹
脂封止半導体製品の耐湿不良を防ぐために、いろいろな
改良が所々方々でなされている。それら改良方法につい
て例を挙げて云うと、半導体素子そのものをシリコーン
樹脂、ポリイミド樹脂等の有機化合物でアンダーコート
してから樹脂封止する方法、耐湿不良の原因の一つと考
えられる封止材中のイオン性物質を除去したり、イオン
性物質をトラップするような添加剤を加えたりまた、封
止剤そのものの耐湿性透湿、吸湿性を少なくするために
金属酸化物を添加するなどの方法等がある。この他にも
種々の改良方法が考えられ、検討がなされている。本発
明者らは、耐湿性の良好な樹脂封止型半導体製品を得る
ために封止材であるエポキシ樹脂組成物について耐湿性
改良の検討を行つた。
However, resin-sealed semiconductor devices are
The airtightness is slightly inferior to that of the can-sealed type, and in fact, the problem of poor moisture resistance has occurred in resin-sealed semiconductor products (TRS, IC, LSI, etc.). Therefore, in order to prevent such poor moisture resistance of resin-sealed semiconductor products, various improvements have been made here and there. Examples of these improvement methods include a method of undercoating the semiconductor element itself with an organic compound such as silicone resin or polyimide resin and then sealing it with resin, and Methods include removing ionic substances, adding additives that trap ionic substances, and adding metal oxides to reduce the moisture resistance and moisture absorption of the sealant itself. There is. In addition to this, various improvement methods have been considered and are being studied. The present inventors investigated ways to improve the moisture resistance of an epoxy resin composition as a sealing material in order to obtain a resin-sealed semiconductor product with good moisture resistance.

封止材の耐湿性を改良する手段としては前述したことの
ほかに、一般にカツプリング剤を用いることが知られて
いる。そこで、われわれは、カツプリング剤の中でも特
にシランカツプリング剤について、種々検討した。そし
て、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤を必須成分とす
るエポキシ樹脂組成物に種々のシランカツプリング剤を
添加し、それらの硬化物の耐湿性を調べるとともに、半
導体装置(MOS型C)をトランスフアーモールドし、
その製品についても耐湿性を調べた。その結果、シラン
カツプリング剤の中で、エポキシ基を有するシランカツ
プリング剤とメルカプト基を有するシランカツプリング
剤を併用したエポキシ樹脂組成物は、硬化物の耐湿性が
、シランカツプリング剤を単独及び併用添加した硬化物
の耐湿性とほぼ同等にもかかわらず、MOS型1Cの耐
湿性が著しく向上することがわかつた。本発明の特徴と
するところは、分子内に2個以上のオキシラン環を有す
るエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤とから成る半導体
装置封止用エポキシ樹脂組成物に於て、シランカツプリ
ング剤にエポキシシランとメルカプトシランを前者1に
対して後者0.01〜1の範囲で併用、かつ、その総量
がエポキシ樹脂100部に対し、0.1〜5部の範囲に
配合するところにある。
In addition to the methods described above, it is generally known to use a coupling agent as a means for improving the moisture resistance of the sealing material. Therefore, we conducted various studies on coupling agents, especially silane coupling agents. Then, various silane coupling agents were added to the epoxy resin composition, which has an epoxy resin, a curing agent, and a curing accelerator as essential components, and the moisture resistance of the cured products was investigated. transfer mold,
The product was also tested for moisture resistance. As a result, among silane coupling agents, epoxy resin compositions in which a silane coupling agent having an epoxy group and a silane coupling agent having a mercapto group are used together have a cured product with a moisture resistance that is lower than that of a silane coupling agent alone. It was found that the moisture resistance of MOS type 1C was significantly improved, although the moisture resistance of the cured product added in combination was almost the same as that of the cured product. A feature of the present invention is that in an epoxy resin composition for semiconductor device encapsulation comprising an epoxy resin having two or more oxirane rings in the molecule, a curing agent, and a curing accelerator, a silane coupling agent is used. Epoxysilane and mercaptosilane are used together in a ratio of 0.01 to 1 part of the latter to 1 part of the former, and the total amount is blended in a range of 0.1 to 5 parts to 100 parts of the epoxy resin.

これら、エポキシシランとメルカプトシランカツプリン
グ剤との配合量は、エポキシ樹脂100重量部に対して
、0.1重量部未満になると耐湿性の向上効果があまり
見られなくなり、また、5重量部を超えると硬化物のガ
ラス転移点が低くなり好ましくない。
If the blending amount of these epoxy silane and mercaptosilane coupling agents is less than 0.1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin, the effect of improving moisture resistance will not be seen much. If it exceeds this, the glass transition point of the cured product will become low, which is not preferable.

また、最適な配合量としては、0.5〜3.0重量部の
範囲が好ましい。本発明の対象となるエポキシ樹脂は、
特に限定されたものでなく、公知のエポキシ化合物が広
く使用できる。
Further, the optimum blending amount is preferably in the range of 0.5 to 3.0 parts by weight. The epoxy resin targeted by the present invention is
There are no particular limitations, and a wide variety of known epoxy compounds can be used.

例えば、ビスフエノールA1ビスフエノールF1レゾル
シノール、フエノールノボラツク、クレゾールノボラツ
クなどのフエノール類のグリシジルエーテル、ブタンジ
オール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリ
コールなどのアルコール類のグリシジルエーテル、フタ
ル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸などのカル
ボン酸類のグリシジルエステル、アニリン、イソシアヌ
ール酸などの窒素原子に結合した活性水素をグリシジル
基で置換したものなどのグリシジル型(メチルグリシジ
ル型も含む)エポキシ樹脂、分子内のオレフイン結合を
過酸等でエポキシ化して得られるビニルシクロヘキセン
ジエポキシド、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル
−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、
2−(3,4−エポキシ)シクロヘキシル−5,5−ス
ピロ(3,4−エポキシ)シクロヘキサン一m−ジオキ
サンなどのいわゆる脂環型エポキシドなどが用いられる
。また、硬化剤としては公知のエポキシ樹脂用硬化剤を
用いることができる。幾つか例示すると、例えば、無水
マレイン酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸
、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水エンドメチレンテト
ラヒドロフタル酸、無水メチルエンドメチレンテトラヒ
ドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、テト
ラクロル無水フタル酸、無水エンドジクロロメチレンテ
トラクロルフタル酸、テトラブロム無水フタル酸、無水
トリメリツト酸、シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物、ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリツト酸二無水物などのいわゆる酸無水物硬化剤、ジ
アミノジフエニルメタン、ジアミノジフエニルエーテル
、ジアミノジフエニルスルホン、ベンジジン、ジアニシ
ジン、フエニレンジアミン、メチレンビス(0−クロロ
アニリン)、3,3′−ジカルボキシルベンジジン、3
,3′−ジカルボキシルジアミノジフエニルメタンなど
の芳香族アミン、フエノールノボラツク、クレゾールノ
ボラツクや、フエノール、クレゾール等とパラキシリレ
ンジメトキサイドとの縮合物、フエノール、クレゾール
等とジフエニルエーテル、ホルムアルデヒドとの縮合物
などの多価フエノール性水酸基を有するいわゆるフエノ
ール系硬化剤などがある。さらに、エポキシ樹脂と反応
してオキサトリトン環を生成して硬化するとともに、そ
れ自身が3量化してポリマー化するイソシアネート類、
例えばトリレンジイソシアネート、ジフエニルメタンジ
イソアネート、水素化ジフエニルメタンジイソシアネー
ト、ヘキサン−1,6−ジイソシアネート、ナフタリン
ジイソシアネート、ポリメチレンポリフエニレンポリイ
ソシアネート、および上記イソシアネートの2量化ない
し3量化したものなどがある。また、ジアミノジフエニ
ルメタン、ポリメチレンポリフエニレンポリアミンなど
のアミンと無水マレイン酸から合成されるマレイミド類
も、それ自身重合することは勿論、分子中に残存するア
ミド酸がエポキシ樹脂が反応して硬化するものであり、
エポキシ樹脂の硬化剤として用いることができる。また
、上記マレイミド類とポリアミンの付加物も、エポキシ
樹脂の硬化剤として用いることができる。硬化促進剤と
しては、エポキシ樹脂用として有用な公知のものは全て
使用できる。特に、潜在性の優れたものとしてテトラ置
換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、テトラ置換アル
ソニウム・テトラ置換ボレート、テトラ置換アンモニウ
ム・テトラ置換ボレート、各種イミダゾール化合物のボ
レート化合物及びジメチルアミノエタノールと無水酸と
の反応生成物を使用するのが好ましい。その他に各種イ
ミダゾール化合物とその誘導体なども有効である。また
、これらの硬化促進剤を2種以上併用してもかまわない
。また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、トランジス
タ、IC,LSI等の半導体装置をトランスフアモール
ドするために無機充填剤を配合することが好ましい。無
機充填剤としては、例えば炭酸カルシウム、シリカ粉、
ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、石英ガラス粉
、タルク、クレー、マイカ、ガラス繊維粉などが有用で
あり、これらは、必要に応じて2種以上併用してもかま
わない。また、その他の添加 :剤として、離型剤、着
色剤、表面カツプリング剤、難燃助剤などを配合しても
よい。本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料に調整す
るに当つては、固状の成分材料をそれぞれ粉砕し、つい
て所望の割合で十分に混合する。
For example, glycidyl ethers of phenols such as bisphenol A1 bisphenol F1 resorcinol, phenol novolak, and cresol novolak, glycidyl ethers of alcohols such as butanediol, polyethylene glycol, and polypropylene glycol, phthalic acid, isophthalic acid, and tetrahydrophthalic acid. Glycidyl-type (including methylglycidyl-type) epoxy resins, such as glycidyl esters of carboxylic acids such as aniline and isocyanuric acid, in which the active hydrogen bonded to the nitrogen atom is replaced with a glycidyl group, Vinyl cyclohexene diepoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate obtained by epoxidation with acid etc.
So-called alicyclic epoxides such as 2-(3,4-epoxy)cyclohexyl-5,5-spiro(3,4-epoxy)cyclohexane and m-dioxane are used. Further, as the curing agent, a known curing agent for epoxy resins can be used. To name a few, for example, maleic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride. Acids, so-called acid anhydrides such as endo dichloromethylenetetrachlorophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, trimellitic anhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride Curing agent, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenyl ether, diaminodiphenyl sulfone, benzidine, dianisidine, phenylenediamine, methylenebis(0-chloroaniline), 3,3'-dicarboxylbenzidine, 3
, 3'-dicarboxyldiaminodiphenylmethane and other aromatic amines, phenol novolac, cresol novolac, condensates of phenol, cresol, etc. and paraxylylene dimethoxide, phenol, cresol, etc. and diphenyl ether, formaldehyde. There are so-called phenolic curing agents having polyhydric phenolic hydroxyl groups such as condensates with. Furthermore, isocyanates that react with epoxy resins to form oxatritone rings and harden, and also trimerize and polymerize themselves;
For example, tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, hexane-1,6-diisocyanate, naphthalene diisocyanate, polymethylene polyphenylene polyisocyanate, and dimerized or trimerized products of the above isocyanates. There is. In addition, maleimides synthesized from amines such as diaminodiphenylmethane and polymethylene polyphenylene polyamine and maleic anhydride not only polymerize themselves, but also react with the amic acid remaining in the molecule with the epoxy resin. It hardens,
It can be used as a curing agent for epoxy resins. Furthermore, adducts of the above maleimides and polyamines can also be used as curing agents for epoxy resins. As the curing accelerator, all known ones useful for epoxy resins can be used. In particular, compounds with excellent latent properties include tetra-substituted phosphonium/tetra-substituted borate, tetra-substituted arsonium/tetra-substituted borate, tetra-substituted ammonium/tetra-substituted borate, borate compounds of various imidazole compounds, and reaction products of dimethylaminoethanol and anhydride. It is preferable to use In addition, various imidazole compounds and their derivatives are also effective. Furthermore, two or more of these curing accelerators may be used in combination. Further, it is preferable to mix an inorganic filler into the epoxy resin composition of the present invention in order to transfer mold semiconductor devices such as transistors, ICs, and LSIs. Examples of inorganic fillers include calcium carbonate, silica powder,
Zirconium silicate, calcium silicate, quartz glass powder, talc, clay, mica, glass fiber powder, etc. are useful, and two or more of these may be used in combination, if necessary. In addition, other additives such as a mold release agent, a coloring agent, a surface coupling agent, and a flame retardant aid may be added. In preparing the epoxy resin composition of the present invention into a molding material, each of the solid component materials is ground and thoroughly mixed in a desired ratio.

混合に (は、ミキシングロール機、ニーダ、リボンミ
キサー、ボールミルなど慣用の混合機械を使用できる。
得られた混合物は、そのままトランスフア成形に適用で
きる。以下、本発明について実施例、比較例を用いて
こ具体的に説明する。
For mixing, conventional mixing machines such as mixing roll machines, kneaders, ribbon mixers, and ball mills can be used.
The obtained mixture can be directly applied to transfer molding. Below, the present invention will be described using examples and comparative examples.
This will be explained in detail.

実施例 1 〔組成〕 上記(a)〜(g)の成分を50〜80℃に加熱した8
インチのミキシングロールで3〜10分間溶融混練し、
その後冷却し、かつ粉砕してエポキシ樹脂組成物を調製
した。
Example 1 [Composition] Components (a) to (g) above were heated to 50 to 80°C.
Melt and knead on an inch mixing roll for 3 to 10 minutes,
Thereafter, it was cooled and pulverized to prepare an epoxy resin composition.

比較例 1〜2 実施例1の硬化剤をフエノールノボラツクレジン(分子
量約800)に変更し、かつこの系に表1に示すシラン
カツプリング剤を配合してエポキシ樹脂組成物を調製し
た。
Comparative Examples 1 to 2 Epoxy resin compositions were prepared by changing the curing agent in Example 1 to phenol novolac resin (molecular weight approximately 800) and blending the silane coupling agent shown in Table 1 with this system.

実施例 2 〔組成〕 上記(a)〜(1)の成分を50〜60℃に加熱した8
インチのミキシングロールで、5〜10分間溶融混練し
、その後冷却し、かつ粉砕してエポキシ樹脂組成物を調
製した。
Example 2 [Composition] Components (a) to (1) above were heated to 50 to 60°C.
An epoxy resin composition was prepared by melt-kneading for 5 to 10 minutes using an inch-inch mixing roll, then cooling and pulverizing.

比較例 3 実施例2のシランカツプリング剤を表2に示す量に配合
したエボキシ樹脂組成物を調製した。
Comparative Example 3 An epoxy resin composition containing the silane coupling agent of Example 2 in the amount shown in Table 2 was prepared.

実施例1,2及び比較例1〜3のそれぞれの試料につい
て、硬化物の耐湿性、ガラス転移点及びMOSICモー
ルド品の耐湿性を調べた。それらの結果を表1,2に示
した。硬化物の耐湿性は、成形温度170℃、成形圧力
50kg/Cd、成形時間3〜5分の条件でトランスフ
アモールドした厚さ2m71L1直径100鼎の円板試
験片を用い、1700C15時間後硬化した後、120
0C、2気圧下の水蒸気中に100時間放置し、その時
の吸湿率を求めた。
For each sample of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3, the moisture resistance of the cured product, the glass transition point, and the moisture resistance of the MOSIC molded product were examined. The results are shown in Tables 1 and 2. The moisture resistance of the cured product was determined using a disk test piece with a thickness of 2 m, 71 L, and a diameter of 100 mm, which was transfer-molded under the conditions of a molding temperature of 170°C, a molding pressure of 50 kg/Cd, and a molding time of 3 to 5 minutes, and was cured at 1700C for 15 hours. After, 120
The sample was left in water vapor at 0C and 2 atmospheres for 100 hours, and the moisture absorption rate at that time was determined.

硬化物のガラス転移点は、上記成形条件と同じ条件でト
ランスフアモールドした直径10m7fL1長さ100
mmの丸棒試験片を用い、170℃、5時間後硬化した
後、ASTM−D696に準じた装置を用いて測定した
The glass transition point of the cured product is 10 m in diameter, 7 fL, and 100 m in length when transfer molded under the same molding conditions as above.
After post-curing at 170° C. for 5 hours using a round bar test piece of mm, measurement was performed using an apparatus according to ASTM-D696.

比較例 4 実施例1の組成でシランカツプリング剤を配合しないエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。
Comparative Example 4 An epoxy resin composition having the composition of Example 1 but not containing a silane coupling agent was prepared.

そして、MOS型1Cをモールドし、その耐湿性を調べ
た。次に、前記実施例および比較例で得たMOS型IC
の耐湿性を図に示す。該MOS型1Cの耐湿・性は前述
の成形条件と同じ条件でトランスフアモールドし、17
0℃で5時間後硬化した後、120℃、2気圧下の水蒸
気中に放置し、耐湿不良発生状況を調べた。図において
、曲線Aは実施例1、試料滝3、曲線Bは比較例2、試
料滉10、曲線Cは比較例2、試料滝11、曲線Dは比
較例4(カツプリング剤なし)、曲線Eは比較例1、試
料滝6、曲線Fは比較例1、試料滝8のMOS型ICの
耐湿性を示す。以上詳述した通り、シランカツプリング
剤としてメルカプトシランとエポキシシランを併用する
ことにより、MOSICの耐湿性が著しく向上すること
がわかる。
Then, a MOS type 1C was molded and its moisture resistance was examined. Next, the MOS type IC obtained in the above examples and comparative examples
The figure shows the moisture resistance of The moisture resistance and properties of the MOS type 1C were determined by transfer molding under the same molding conditions as described above.
After post-curing at 0°C for 5 hours, it was left in water vapor at 120°C and 2 atm, and the occurrence of moisture resistance defects was investigated. In the figure, curve A is Example 1, Sample 3, curve B is Comparative Example 2, Sample 10, curve C is Comparative Example 2, Sample 11, curve D is Comparative Example 4 (no coupling agent), curve E curve F shows the moisture resistance of the MOS type IC of Comparative Example 1 and Sample Taki 8. As detailed above, it can be seen that the combined use of mercaptosilane and epoxysilane as silane coupling agents significantly improves the moisture resistance of MOSIC.

また、メルカプトシランとエポキシシランとの併用割合
は、エポキシシラン1に対してメルカプトンランが0.
1〜1で、しかもその配合量がエポキシ樹脂100重量
部に対して0.1〜5.0重量部の範囲が、硬化物のガ
ラス転移点、耐湿性に対して最も良いことがわかる。
Furthermore, the ratio of the combined use of mercaptosilane and epoxysilane is 1:1 of epoxysilane and 0.0:0 of mercaptosilane.
It can be seen that a range of 0.1 to 5.0 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin is best for the glass transition point and moisture resistance of the cured product.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図はMOS型1Cの耐湿性を示すグラフである。 The figure is a graph showing the moisture resistance of MOS type 1C.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 分子内に2個以上のオキシラン環を有するエポキシ
樹脂、硬化剤、硬化促進剤とから成る半導体装置封止用
エポキシ樹脂組成物に於て、シランカップリング剤にエ
ポキシランとメルカプトシランを前者1に対して後者0
.01〜1の範囲で併用し、かつ、その総量がエポキシ
樹脂100重量部に対し0.1〜5重量部の範囲に配合
してなることを特徴とした半導体装置封止用エポキシ樹
脂組成物。
1. In an epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices comprising an epoxy resin having two or more oxirane rings in the molecule, a curing agent, and a curing accelerator, the former 1 contains epoxylan and mercaptosilane as a silane coupling agent. for the latter 0
.. An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device, which is used in combination in the range of 0.01 to 1 and the total amount thereof is in the range of 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin.
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