JPS6345843A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPS6345843A
JPS6345843A JP18940686A JP18940686A JPS6345843A JP S6345843 A JPS6345843 A JP S6345843A JP 18940686 A JP18940686 A JP 18940686A JP 18940686 A JP18940686 A JP 18940686A JP S6345843 A JPS6345843 A JP S6345843A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
polysiloxane
group
rubber
epoxy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18940686A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toku Nagasawa
徳 長沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP18940686A priority Critical patent/JPS6345843A/en
Publication of JPS6345843A publication Critical patent/JPS6345843A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the reliability and to gain low stress effect while securing the sealability and surface appearance by a method wherein a semiconductor element is sealed by epoxy resin compound containing specified kind of polysiloxane rubber. CONSTITUTION:Assuming alkyl group or alyl group as R, polysiloxane rubber is produced by making mixed-reaction of polysiloxane (silicon oil) A with functional group mainly comprising repeating unit represented by the formula I while added or added condense-reacted to each other as well as added or added condense-reacted to epoxy group with polysiloxane B mainly comprising the same unit reacted to each other as well as a hardener. A semiconductor element is sealed by means of epoxy resin compound mixed with the rubber, epoxy resin and the hardener. Through these procedures, the reliability can be improved by the low stress effect of rubber. Furthermore, the semiconductor element can be provided with excellent sealability and appearance during the formation process due to higher affinity between the rubber and the matrix resin.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、耐湿信頼性等の特性に優れた半導体装置に
関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor device having excellent characteristics such as moisture resistance and reliability.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、通常セ
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
により封止され、半導体装置化されている。上記セラミ
ックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く、
しかも中空パッケージのため機械的強度も高く信頼性の
高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比較
的高価なものであることと、量産性に劣る欠点があるた
め、最近では上記プラスチックパッケージを用いた樹脂
封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従来
からエポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成績
を収めている。
Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually sealed with ceramic packages, plastic packages, or the like to form semiconductor devices. The above-mentioned ceramic package has heat resistance in the constituent material itself,
It also has excellent moisture resistance, so it is resistant to temperature and humidity.
Moreover, since it is a hollow package, it has high mechanical strength and can be sealed with high reliability. However, since the constituent materials are relatively expensive and the mass productivity is poor, resin sealing using the above-mentioned plastic package has recently become mainstream. Epoxy resin compositions have conventionally been used for this type of resin sealing, and have achieved good results.

上記エポキシ樹脂組成物としては、特に、O−クレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂と、硬化剤としてのフェノー
ルノボラック樹脂等、その他、硬化促進剤としての第三
級アミン、無機充填剤としての溶融シリカ等で構成され
るものが、封止作業性(特にトランスファー成形時の作
業性)に優れているとして賞用されている。
The above-mentioned epoxy resin composition is particularly composed of an O-cresol novolac epoxy resin, a phenol novolac resin as a curing agent, a tertiary amine as a curing accelerator, fused silica as an inorganic filler, etc. These products have been praised for their excellent sealing workability (especially workability during transfer molding).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、半導体分野の技術革新はめざましく、最
近では、集積度の向上とともに、素子サイズの大形化、
配線の微細化が進む反面、パッケージ形状の小形化、薄
形化が進むようになっており、これに伴って、半導体素
子の封止材料においても、従来以上の低応力性、耐熱性
、耐湿性が要求されるようになっている。これまでの封
止用エポキシ樹脂組成物は、IC,LSI等の半導体素
子の封止材料としては充分優れているが、例えば8ピン
以上、特に16ピン以上のような大形半導体装置の封止
材料としては、素子に加わる収縮応力が大きくなりすぎ
て、耐熱衝撃性の低下や残留応力の増加を招く傾向があ
る。
However, technological innovation in the semiconductor field is remarkable, and recently, along with improvements in the degree of integration, element sizes have become larger and
While interconnects are becoming finer, packages are becoming smaller and thinner, and along with this, encapsulation materials for semiconductor devices are also becoming more resistant to stress, heat, and moisture than ever before. Sexuality is now in demand. Conventional epoxy resin compositions for sealing have been sufficiently excellent as sealing materials for semiconductor elements such as ICs and LSIs, but for example, they are used for sealing large semiconductor devices with 8 or more pins, especially 16 pins or more. As for the material, shrinkage stress applied to the element becomes too large, which tends to cause a decrease in thermal shock resistance and an increase in residual stress.

これらの欠点は、特に冷熱試験を行うと顕著に判明する
。すなわち、上記従来の大形半導体装置について冷熱試
験を行うと、封止樹脂や素子の保護膜であるパッシベー
ション膜に水分浸入路となるクラックが発生する。この
ように冷熱試験でクラックを生じるような装置は、通常
の使用状態においてもクラックを生じやすいものであり
、耐湿性等の緒特性が劣り、半導体装置としての信頼性
にいまひとつ欠ける。
These shortcomings are particularly noticeable when conducting thermal tests. That is, when a thermal test is performed on the above conventional large-sized semiconductor device, cracks, which serve as paths for moisture infiltration, occur in the sealing resin and the passivation film that is a protective film for the element. A device that cracks during a thermal test is likely to crack even under normal use, has poor moisture resistance and other characteristics, and lacks reliability as a semiconductor device.

このような欠点を解消するため、封止樹脂にポリブタジ
ェンやシリコーンオイル等の液状ゴムを添加して硬化樹
脂マトリックス中に液状ゴムのドメインを形成し、低応
力化を図ることが提案されており、耐湿性等の観点から
シリコーンオイルが多用されている。しかしながら、一
般に、シリコーンオイルを添加すると、得られる半導体
装置の捺印性が悪くなったり、成形作業時に金型汚れが
多くなって製品の外観が悪くなるという難点を生じてい
る。
In order to overcome these drawbacks, it has been proposed to add liquid rubber such as polybutadiene or silicone oil to the sealing resin to form domains of liquid rubber in the cured resin matrix to reduce stress. Silicone oil is often used from the viewpoint of moisture resistance. However, in general, when silicone oil is added, the imprintability of the resulting semiconductor device deteriorates, and mold stains increase during molding operations, resulting in poor appearance of the product.

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、耐
湿信頼性等の特性に優れ、しかも捺印性の低下や外観悪
化の生じていない半導体装置の提供をその目的とする。
The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device which has excellent characteristics such as moisture resistance and reliability, and which does not suffer from deterioration in stampability or deterioration in appearance.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
エポキシ樹脂および硬化剤を主要成分とし、下記の2種
類のポリシロキサン(シリコーン:tイル)(A)、 
 (B)の反応生成物であるポリシロキサンゴムを含有
しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
するという構成をとる。
In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention includes:
The main components are epoxy resin and curing agent, and the following two types of polysiloxane (silicone) (A),
A configuration is adopted in which a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing polysiloxane rubber, which is a reaction product of (B).

(A)相互間で付加もしくは付加縮合反応し少なくとも
一方がエポキシ基および/または硬化剤と付加もしくは
付加縮合反応する2種類の官能基のうちの一方の官能基
を含有するポリシロキサンであって、下記の一般式(1
)で表される繰返し単位を主体とするポリシロキサン。
(A) a polysiloxane containing one of two types of functional groups that undergo an addition or addition condensation reaction with each other and at least one of which reacts with an epoxy group and/or a curing agent, The following general formula (1
) A polysiloxane mainly composed of repeating units represented by

(B)上記2種類の官能基のうちの他方の官能基を含有
するポリシロキサンであって上記の一般式CI)で表さ
れる繰返し単位を主体とするポリシロキサン。
(B) A polysiloxane containing the other of the above two types of functional groups, which is mainly composed of repeating units represented by the above general formula CI).

すなわち、本発明者は、上記シリコーンオイルの使用に
よる欠点を解消するため研究を重ねた結果、上記特定の
官能基を有する2種類のポリシロキサンを混合し、その
2種類の官能基との反応により生成するポリシロキサン
ゴムをエポキシ樹脂組成物中に含有させると、そのポリ
シロキサンゴムの有する低応力効果により信鯨性の向上
が実現されると同時に、上記ポリシロキサンゴムがマト
リックス樹脂成分と反応し、マトリックス樹脂との親和
性が高まってこれまでのように捺印性の低下や成形作業
時における金型汚れ等を生じなくなるということを見い
だしこの発明に到達した。
That is, as a result of repeated research in order to eliminate the drawbacks caused by the use of silicone oil, the present inventor mixed two types of polysiloxanes having the above-mentioned specific functional groups, and by reaction with the two types of functional groups, When the resulting polysiloxane rubber is included in an epoxy resin composition, the low stress effect of the polysiloxane rubber improves reliability, and at the same time, the polysiloxane rubber reacts with the matrix resin component, The present invention was achieved by discovering that the affinity with the matrix resin is increased and the deterioration of marking properties and mold staining during molding work, which have been observed in the past, are no longer caused.

この発明で用いるエポキシ樹脂組成物は、上記の2種類
のポリシロキサン(A)、  (B)の反応生成物であ
るポリシロキサンゴムとエポキシ樹脂と硬化剤とを用い
て得られる。
The epoxy resin composition used in this invention is obtained using polysiloxane rubber, which is a reaction product of the above two types of polysiloxanes (A) and (B), an epoxy resin, and a curing agent.

上記ポリシロキサンゴムは予め合成し、エポキシ樹脂組
成物の配合時に混合してもよく、また、マトリックス樹
脂成分であるエポキシ樹脂または硬化剤を反応溶媒とし
、そのなかで上記2種類のポリシロキサン(A)、(B
)を反応させることにより合成してもよい。後者のよう
にするとポリシロキサンゴムとマトリックス樹脂との界
面の結合性が向上し、得られる半導体装置の耐熱衝撃性
が向上するようになるため好ましい。
The above polysiloxane rubber may be synthesized in advance and mixed at the time of blending the epoxy resin composition, or the epoxy resin or curing agent as a matrix resin component is used as a reaction solvent, and the above two types of polysiloxane (A ), (B
) may be synthesized by reacting. The latter method is preferable because it improves the bonding property at the interface between the polysiloxane rubber and the matrix resin, and improves the thermal shock resistance of the resulting semiconductor device.

上記の2種類のポリシロキサン(A)、  (B)のう
ちの(A)は、相互間で付加もしくは付加縮合反応する
2種類の官能基のうちの一方の官能基を含有するもので
あって、上記一般式(1,’)で表される繰返し単位を
主体とするポリシロキサンである。ここで主体とすると
は実質的に上記一般式(1)で表される繰返し単位でポ
リシロキサンが構成されるという意味である。また、ポ
リシロキサン(B)は上記2種類の官能基のうちの他方
の官能基を含有するポリシロキサンであって、上記ポリ
シロキサン(A)と同様、上記一般式(1)で表される
繰返し単位を主体とするものである。
Of the above two types of polysiloxanes (A) and (B), (A) contains one of the two types of functional groups that undergo an addition or addition condensation reaction with each other. , is a polysiloxane mainly composed of repeating units represented by the above general formula (1,'). Here, "mainly" means that the polysiloxane is substantially composed of repeating units represented by the above general formula (1). Further, the polysiloxane (B) is a polysiloxane containing the other of the above two types of functional groups, and like the above polysiloxane (A), the polysiloxane (B) is a polysiloxane containing a repeating group represented by the above general formula (1). It is mainly based on units.

そして、上記2種類の官能基のうちの少なくとも一方に
はマトリックス樹脂成分、すなわち、エポキシ樹脂成分
あるいは硬化剤成分と反応するものが選ばれる。これに
より生成ポリシロキサンゴムとマトリックス樹脂との界
面が良く結合し、低応力性、耐熱衝撃性の向上効果が実
現されるようになる。
At least one of the above two types of functional groups is selected to be one that reacts with the matrix resin component, that is, the epoxy resin component or the curing agent component. As a result, the interface between the produced polysiloxane rubber and the matrix resin is well bonded, and the effects of improving low stress properties and thermal shock resistance are realized.

上記のような2種類のポリシロキサン(A)。Two types of polysiloxanes (A) as described above.

(B)は、ゴム質となる必要があり、そのため、互いに
付加反応あるいは付加縮合反応によってゴム化する官能
基を有するのである。その官能基として、一方がエポキ
シ基、他方はアミノ基、カルボキシル基およびメルカプ
ト基から選択される少なくとも1種の官能基があげられ
る。この場合、上記ポリシロキサン(A>、  (B)
は官能基当たりの下記の繰返し単位においてnが5以上
であればその効果を実現しうる。
(B) needs to be rubbery, and therefore has functional groups that can be made into rubber by mutual addition reaction or addition condensation reaction. Examples of the functional group include an epoxy group on one side and at least one type of functional group selected from an amino group, a carboxyl group, and a mercapto group on the other side. In this case, the above polysiloxane (A>, (B)
This effect can be achieved if n is 5 or more in the following repeating unit per functional group.

また、官能基は、ポリシロキサンの末端に存在しても側
鎖として存在してもかまわない。官能基とシリコーン原
子との間は通常アルキレン結合で結合されているがこれ
に限定するものではない。
Further, the functional group may be present at the terminal end of the polysiloxane or as a side chain. The functional group and the silicone atom are usually bonded via an alkylene bond, but the bond is not limited to this.

上記2種類のポリシロキサン(A)、  (B)におけ
る一方の官能基と他方の官能基との当量比は0.2〜5
.0が好ましく、より好ましいのは0.5〜2.0であ
る。
The equivalent ratio of one functional group to the other functional group in the above two types of polysiloxanes (A) and (B) is 0.2 to 5.
.. 0 is preferable, and 0.5 to 2.0 is more preferable.

上記ポリシロキサン(A)、  (B)を反応させてポ
リシロキサンゴムにする方法は、予めポリシロキサンゴ
ムを合成するかマトリックス樹脂成分中で合成するかに
かかわらず、ポリシロキサン同士を予め均一に混合して
おくことが好ましい。ポリシロキサンを反応させてゴム
化する際の温度は100〜250℃の温度に設定するこ
とが好適であり、より好適なのは150〜200℃であ
る。
In the method of reacting the above polysiloxanes (A) and (B) to form polysiloxane rubber, the polysiloxanes are uniformly mixed together in advance, regardless of whether the polysiloxane rubber is synthesized in advance or in the matrix resin component. It is preferable to keep it. The temperature at which the polysiloxane is reacted to form a rubber is preferably set at a temperature of 100 to 250°C, more preferably 150 to 200°C.

このようにして合成されたポリシロキサンゴムのエポキ
シ樹脂組成物中における含有量は、エポキシ樹脂組成物
中のエポキシ樹脂、硬化剤およびポリシロキサンゴムの
合計量の5重量%(以下「%」と略す)以上で25%以
下に設定することが好ましい。すなわち、5%未満では
顕著な低応力性が得られず、逆に25%を超えるとパッ
ケージ強度が弱くなり、取り扱い上問題を生じるからで
ある。上記ポリシロキサンゴムはエポキシ樹脂組成物中
に分散含有されるのであり、その粒径が小さいほど耐熱
衝撃性および残留応力の低下に対して好ましい効果を与
える。この場合、エポキシ樹脂組成物をトランスファー
モールドに供する場合におけるゲート詰まり等の観点か
ら粒径は200μm以下に設定することが好ましい。
The content of the polysiloxane rubber synthesized in this way in the epoxy resin composition is 5% by weight (hereinafter abbreviated as "%") of the total amount of the epoxy resin, curing agent, and polysiloxane rubber in the epoxy resin composition. ) or more and is preferably set to 25% or less. That is, if it is less than 5%, remarkable low stress properties cannot be obtained, whereas if it exceeds 25%, the package strength becomes weak and problems arise in handling. The above-mentioned polysiloxane rubber is dispersed and contained in the epoxy resin composition, and the smaller the particle size, the better the effect on thermal shock resistance and reduction of residual stress. In this case, the particle size is preferably set to 200 μm or less from the viewpoint of gate clogging when the epoxy resin composition is used in a transfer mold.

上記ポリシロキサンゴムを分散含存させるエポキシ樹脂
組成物の主要成分となるエポキシ樹脂は、1分子中に2
個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば特
に制限するものではない。
The epoxy resin which is the main component of the epoxy resin composition in which the above-mentioned polysiloxane rubber is dispersed contains 2 in 1 molecule.
There are no particular restrictions on the epoxy compound as long as it has at least two epoxy groups.

すなわち、従来から半導体装置の封止樹脂として用いら
れているノボラック型エポキシ樹脂等各種のエポキシ樹
脂が好適に使用できるのであり、その他、ビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテルやその多量体であるエビビ
ス型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、
レゾルシン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等も好
適なエポキシ樹脂として使用可能である。
In other words, various epoxy resins such as novolac type epoxy resin, which has been conventionally used as a sealing resin for semiconductor devices, can be suitably used.In addition, diglycidyl ether of bisphenol A and Ebis type epoxy resin, which is a polymer thereof, can be suitably used. , bisphenol F type epoxy resin,
Resorcinol type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, etc. can also be used as suitable epoxy resins.

ノボラック型エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量
160〜250.軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、このうち、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂と
しては、エポキシ当量180〜210.軟化点60〜1
10℃のものが一般に用いられる。また、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量160
〜200、軟化点60〜110℃のものが一般に用いら
れる。
The novolac type epoxy resin usually has an epoxy equivalent of 160 to 250. Those having a softening point of 50 to 130°C are used, and among these, Talesol novolac type epoxy resin has an epoxy equivalent of 180 to 210. Softening point 60-1
A temperature of 10°C is generally used. In addition, as a phenol novolak type epoxy resin, the epoxy equivalent is 160
~200°C and a softening point of 60~110°C are generally used.

上記エポキシ樹脂と共に用いられる硬化剤としてはノボ
ラック型フェノール樹脂、酸無水物またはアミンを好適
な例としてあげることができ、これらは単独で、あるい
は併用できる。
Suitable examples of the curing agent used with the above epoxy resin include novolac type phenolic resin, acid anhydride, and amine, and these can be used alone or in combination.

上記ノボラック型フェノール樹脂としては、フェノール
、クレゾール、ビスフェノールA等のフェノール類とホ
ルアルデヒド等のアルデヒド類を酸性触媒下で縮合する
ことにより得られるフェノールノボラック樹脂、タレゾ
ールノボラック樹脂。
Examples of the novolac type phenolic resin include phenol novolac resins and talesol novolac resins obtained by condensing phenols such as phenol, cresol, and bisphenol A with aldehydes such as formaldehyde under an acidic catalyst.

ビスフェノールAノボラック樹脂等をあげることができ
、特に軟化点50〜130℃のものが好ましい。
Examples include bisphenol A novolak resin, and those having a softening point of 50 to 130°C are particularly preferred.

上記酸無水物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸
、無水メチルテ゛トラヒドロフタル酸、無水テトラヒド
ロフタル酸、無水トリメリット酸、無水メチルエンドメ
チレンテトラヒドロフタル酸、シクロヘキサン−1,2
−ジカルボン酸無水物、シクロヘキサン−3,4−ジカ
ルボン酸無水物、トリメリット酸無水物のエチレングリ
コールエステル等をあげることができる。
Examples of the acid anhydrides include phthalic anhydride, maleic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, and cyclohexane-1,2
-dicarboxylic anhydride, cyclohexane-3,4-dicarboxylic anhydride, ethylene glycol ester of trimellitic anhydride, and the like.

また、アミンとしては、m−フェニレンジアミン、p−
フェニレンジアミン、4.4’  −ジアミノジフェニ
ルメタン、4.4゛ −ジアミノジフェニルスルフィド
、1.5−ジアミノナフタリン、2.4−ビス(β−ア
ミノ−1−ブチル)トルエン、ビス(p−β−アミノ−
1−ブチルフェニル)エーテル、ビス(p−β−メチル
−〇−アミノフェニル)ベンゼン、1,3−ジアミノ−
4−イソプロピルベンゼン、m−キシリレンジアミン、
p−キシリレンジアミン、2.4−ジアミノトルエン、
2.6−ジアミノトルエン、ビス(4−アミノシクロヘ
キシル)メタン、3−メチルへブタメチレンジアミン、
4.4−ジメチルへブタメチレンジアミン、オクタメチ
レンジアミン、2.5−ジメチルへキサメチレンジアミ
ン、2.5−メチルへブタメチレンジアミン、3−メチ
ルへブタメチレンジアミン、1,4−シクロヘキサンジ
アミン等をあげることができる。
In addition, as the amine, m-phenylenediamine, p-
Phenylene diamine, 4.4'-diaminodiphenylmethane, 4.4'-diaminodiphenyl sulfide, 1.5-diaminonaphthalene, 2.4-bis(β-amino-1-butyl)toluene, bis(p-β-amino −
1-butylphenyl)ether, bis(p-β-methyl-〇-aminophenyl)benzene, 1,3-diamino-
4-isopropylbenzene, m-xylylenediamine,
p-xylylene diamine, 2,4-diaminotoluene,
2.6-diaminotoluene, bis(4-aminocyclohexyl)methane, 3-methylhebutamethylenediamine,
4.4-dimethylhbutamethylenediamine, octamethylenediamine, 2.5-dimethylhexamethylenediamine, 2.5-methylhexamethylenediamine, 3-methylhbutamethylenediamine, 1,4-cyclohexanediamine, etc. I can give it to you.

また、この発明では、上記原料以外に必要に応じて硬化
促進剤、充填剤、離型剤等のその他の原料を用いること
ができる。硬化促進剤としては、エポキシ樹脂の硬化反
応の触媒となるものを全て用いることができ、例えば、
2,4.6−)リ (ジメチルアミノメチル)フェノー
ル、2−メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン
等をあげることができる。充填剤としては、石英ガラス
粉、珪砂粉、タルク等を用いることができる。離型剤と
しては、従来公知のステアリン酸、パルミチン酸の長鎖
カルボン酸、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウ
ム等の長鎖カルボン酸の金属塩、カルナバワックス、エ
ステル系ワックス類等を用いることができる。
Moreover, in this invention, other raw materials such as a curing accelerator, a filler, a mold release agent, etc. can be used as necessary in addition to the above-mentioned raw materials. As the curing accelerator, any substance that acts as a catalyst for the curing reaction of the epoxy resin can be used, for example,
Examples include 2,4.6-)li(dimethylaminomethyl)phenol, 2-methylimidazole, and triphenylphosphine. As the filler, quartz glass powder, silica sand powder, talc, etc. can be used. As the mold release agent, conventionally known long-chain carboxylic acids such as stearic acid and palmitic acid, metal salts of long-chain carboxylic acids such as zinc stearate and calcium stearate, carnauba wax, ester waxes, and the like can be used.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えば、硬化
剤としてノボラック型フェノール樹脂あるいは酸無水物
を用いた場合、つぎのようにして製造することができる
。すなわち、まず、前記エポキシ樹脂と硬化剤の少なく
とも一方を加熱溶融した中に、予め混合した互いに反応
性を有する官能基をもつ少な(とも2種以上のポリシロ
キサン(シリコーンオイル)、例えば、エポキシ基含有
ジメチルポリシロキサンとアミノ基含有ポリジメチルシ
ロキサンを滴下しながら加熱攪拌を行い、反応終了後に
冷却し、ポリシロキサンゴム(シリコーンゴム)含有の
エポキシ樹脂あるいは硬化剤を得る。ついで、このもの
と、エポキシ樹脂および硬化剤の他方と、必要に応じて
硬化促進剤、離型剤、充填剤等のその他の原料を混合し
、80〜120℃で数分間混練することにより製造する
ことができる。なお、硬化促進剤を用いる場合には、通
常、得られるエポキシ樹脂組成物の150℃におけるゲ
ル化時間が30〜90秒となるようにその添加量を調整
して使用することが行われる。なお、硬化剤としてアミ
ン系硬化剤を用いるときは、シリコーンゴムをエポキシ
樹脂あるいは該硬化剤中で前もって合成した後、微粉砕
しておき、全成分をトライブレンドするのが好ましい。
The epoxy resin composition used in the present invention can be produced as follows, for example, when a novolac type phenol resin or an acid anhydride is used as a curing agent. That is, first, at least one of the epoxy resin and the curing agent is heated and melted, and a premixed mixture of two or more polysiloxanes (silicone oils) having mutually reactive functional groups, such as epoxy group The dimethylpolysiloxane containing dimethylpolysiloxane and the polydimethylsiloxane containing amino groups are heated and stirred while being dropped, and after the reaction is completed, the epoxy resin or curing agent containing polysiloxane rubber (silicone rubber) is obtained. It can be produced by mixing the other of the resin and the curing agent with other raw materials such as a curing accelerator, a mold release agent, and a filler as needed, and kneading the mixture at 80 to 120°C for several minutes. When using a curing accelerator, the amount added is usually adjusted so that the gelation time at 150° C. of the resulting epoxy resin composition is 30 to 90 seconds. When an amine curing agent is used as the agent, it is preferable to synthesize the silicone rubber in the epoxy resin or the curing agent in advance, pulverize it, and then triblend all the components.

この発明において、上記硬化剤の含有量は、エポキシ樹
脂を固化させることができる充分な量、すなわち、前記
エポキシ樹脂の1エポキシ当量当たり、0.4〜2.0
当量、好ましくは0.6〜1.5当量用いることが好ま
しい。より具体的には、前記エポキシ樹脂の1エポキシ
当量に対して硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂
を用いた場合には、0.5〜2.0当量、好ましくは0
.8〜1.5当量、また硬化剤として酸無水物を使用し
た場合では0.4〜1.2当量、好ましくは0.6〜1
.0当量、さらに硬化剤としてアミンを用いた場合には
0.5〜2.0当量、好ましくは0.8〜1.5当量と
することが望ましい。
In this invention, the content of the curing agent is a sufficient amount to solidify the epoxy resin, that is, 0.4 to 2.0 per 1 epoxy equivalent of the epoxy resin.
It is preferred to use equivalents, preferably 0.6 to 1.5 equivalents. More specifically, when a novolac type phenol resin is used as a curing agent for 1 epoxy equivalent of the epoxy resin, 0.5 to 2.0 equivalent, preferably 0.
.. 8 to 1.5 equivalents, or 0.4 to 1.2 equivalents when an acid anhydride is used as a curing agent, preferably 0.6 to 1
.. When an amine is used as a curing agent, it is preferably 0.5 to 2.0 equivalents, preferably 0.8 to 1.5 equivalents.

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスファー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
Sealing of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a conventional method, for example, a known molding method such as transfer molding.

このようにして得られる半導体装置は、極めて低応力性
、捺印性9表面外観性に優れている。
The semiconductor device thus obtained has extremely low stress properties and excellent marking properties and surface appearance.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明の半導体装置は、マトリックス
樹脂と界面での結合性を有する三次元架橋したポリシロ
キサンゴムを含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて封
止されており、その封止プラスチックパッケージが、従
来のエポキシ樹脂組成物製のものとは異なるため、捺印
性や連続生産時の表面外観性を確保したままで低応力化
が実現されている。特に、上記特殊なエポキシ樹脂組成
物による封止により、超LSI等の封止に充分対応でき
、素子サイズが16m”以上の大形半導体装置において
も、上記のように捺印性や連続生産時の表面外観性を損
なうことなく高信顛度が得られるようになるのであり、
これが最大の特徴である。
As described above, the semiconductor device of the present invention is encapsulated using a special epoxy resin composition containing a three-dimensionally crosslinked polysiloxane rubber that has bonding properties at the interface with a matrix resin, and the encapsulating plastic Since the package is different from conventional epoxy resin compositions, it is possible to reduce stress while maintaining sealability and surface appearance during continuous production. In particular, sealing with the special epoxy resin composition mentioned above can be used to seal very large scale integrated circuits, etc., and even in large semiconductor devices with an element size of 16 m" or more, it is possible to improve the sealability during continuous production as described above. High reliability can be achieved without compromising surface appearance.
This is its biggest feature.

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.

〔実施例1〕 攪拌機付きセパラブルフラスコ中で0−タレゾールノボ
ラックエポキシ樹脂(エポキシ当量220、軟化点80
℃)56重量部(以下「部」と略す)を加熱溶融し、こ
の中に、予め室温で均一混合した両末端アミノプロピル
ポリジメチルシロキサン(アミン当量10000)5部
と両末端グリシジルプロピルポリジメチルシロキサン(
エポキシ当量10000)10部との混合物を攪拌しな
がら滴下し、滴下後、200℃で10時間攪拌した。得
られた内容物の全景とフェノールノボラック樹脂(水酸
基当量110.軟化点80℃)28部、溶融性シリカ粉
末257部、シランカップリング剤(A−186,日本
ユニーカー社製)2部、硬化促進剤(2,4,6−)リ
スジメチルアミノメチルフェノール)0.45部および
離型剤(カルナバワックス)2.5部を80〜100℃
の熱口−ルで3分間溶融混練して冷却したのち粉砕し、
10メツシュパス粉体とし、半導体封止用のエポキシ樹
脂組成物を得た。そして、これを用い下記のようにして
半導体装置を製造した。
[Example 1] 0-talesol novolac epoxy resin (epoxy equivalent weight 220, softening point 80) in a separable flask with a stirrer
°C) 56 parts by weight (hereinafter abbreviated as "parts") are heated and melted, and into this are added 5 parts of both-terminated aminopropyl polydimethylsiloxane (amine equivalent: 10,000) and both-terminated glycidylpropyl polydimethylsiloxane, which have been uniformly mixed at room temperature in advance. (
A mixture of 10 parts of epoxy equivalent (10,000) was added dropwise with stirring, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 200°C for 10 hours. A panoramic view of the obtained contents and 28 parts of phenol novolac resin (hydroxyl equivalent: 110, softening point: 80°C), 257 parts of fusible silica powder, 2 parts of silane coupling agent (A-186, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.), hardening accelerator 0.45 parts of agent (2,4,6-)lisdimethylaminomethylphenol) and 2.5 parts of mold release agent (carnauba wax) were heated at 80 to 100°C.
Melt and knead for 3 minutes in a hot mill, cool, and then crush.
10 mesh pass powder was used to obtain an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. Then, using this, a semiconductor device was manufactured in the following manner.

〔実施例2〕 側鎖アミノプロピルポリジメチルシロキサン(アミン3
12009分子量3000)12部と末端グリシジルプ
ロピルポリジメチルシロキサン(エポキシ当1500)
12部とを均一に予備混合した。0−タレゾールノボラ
ックエポキシ樹脂(エポキシ当ff1230.軟化点7
5℃)50部をフラスコ中にて加熱溶融し、デイスパー
にて攪拌混合しながら光の予備混合物を滴下し、滴下後
180℃で10時間攪拌した。得られた内容物全量とフ
ェノールノボラック樹脂(水酸基当itl 10゜軟化
点80℃)25部を使用する以外は実施例1と同様にし
てエポキシ樹脂組成物を得た。
[Example 2] Side chain aminopropyl polydimethylsiloxane (amine 3
12009 molecular weight 3000) 12 parts and terminal glycidylpropyl polydimethylsiloxane (1500 per epoxy)
12 parts were uniformly premixed. 0-Taresol novolac epoxy resin (epoxy ff1230. Softening point 7
5° C.) was heated and melted in a flask, and the light premix was added dropwise while stirring and mixing with a disper. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 180° C. for 10 hours. An epoxy resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the entire content obtained and 25 parts of a phenol novolac resin (itl 10° per hydroxyl group, softening point 80°C) were used.

〔実施例3〕 側鎖にグリシジルプロピルおよびポリプロピレングライ
コールを有するポリジメチルシロキサン(エポキシ当I
I 000.グライコール含有量50%)2.5部と末
端メルカプトプロピルポリジメチルフェニルシロキサン
(メチル/フェニル比率=20/1.メルカプト当ff
15000)2.5部を均一に予備混合した。フェノー
ルノボラック樹脂(水酸基当量110.軟化点80t)
34部をフラスコ中にて加熱溶融し、デイスパーにて攪
拌混合しながら、先の予備混合物を滴下し、滴下後17
0℃で12時間攪拌した。得られた内容物全量とO−タ
レゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量220
.軟化点80℃)68部を使用する以外は実施例1と同
様にしてエポキシ樹脂組成物を得た。
[Example 3] Polydimethylsiloxane having glycidylpropyl and polypropylene glycol in the side chain (epoxy
I 000. Glycol content 50%) 2.5 parts and terminal mercaptopropyl polydimethylphenylsiloxane (methyl/phenyl ratio = 20/1. mercapto ff
15,000) were uniformly premixed. Phenol novolac resin (hydroxyl equivalent: 110. Softening point: 80t)
34 parts were heated and melted in a flask, and while stirring and mixing with a disper, the previous premix was added dropwise, and after dropping, 17 parts
The mixture was stirred at 0°C for 12 hours. The total amount of the obtained contents and O-talesol novolac epoxy resin (epoxy equivalent: 220
.. An epoxy resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 68 parts (softening point: 80°C) were used.

〔実施例4〕 側鎖グリシジルプロビルポリジメチルシロキサン(エホ
キシ当1200.分子量3000)5部と末端カルボキ
シプロピルポリメチルフェニルシロキサン(メチル/フ
ェニル比率= 10/1.カルボキシル当1600)1
0部とを均一に予備混合した。その後の工程は実施例1
と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得た。
[Example 4] 5 parts of side-chain glycidylpropyl polydimethylsiloxane (1200 per epoxy, molecular weight 3000) and 1 part of terminal carboxypropyl polymethylphenylsiloxane (methyl/phenyl ratio = 10/1. 1600 per carboxyl)
0 parts were uniformly premixed. The subsequent steps are Example 1
An epoxy resin composition was obtained in the same manner as above.

〔実施例5〕 末端アミノプロピルポリジメチルシロキサン(アミン当
15000)10部と、末端グリシジルプロピルポリジ
メチルシロキサン(エポキシ当量500)2部とを均一
に混合し窒素気流下260℃で20時間加熱し、ゴム状
物質を得た。得られたゴム状物質の全量と0−タレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当fi220.軟
化点80℃)60部、フェノールノボラック樹脂(水酸
基当量110.軟化点80℃)30部、溶融性シリカ粉
末260部、シランカップリング剤(A−186、日本
ユニカー社vg)2部、カーボンブラック2部、硬化促
進剤(2,4,6−)リスジメチルアミノメチルフェノ
ール)0.45部および離型剤(カルナバワックス)2
.5部を80〜100t’の熱ロールで3分間混練した
。つぎに、これを冷却した後粉砕し、10メツシュパス
粉体とし、半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を得た。
[Example 5] 10 parts of terminal aminopropyl polydimethylsiloxane (15,000 amine equivalent) and 2 parts of terminal glycidylpropyl polydimethylsiloxane (epoxy equivalent 500) were uniformly mixed and heated at 260°C for 20 hours under a nitrogen stream. A gummy substance was obtained. The total amount of the obtained rubbery substance, 60 parts of 0-talesol novolac epoxy resin (epoxy equivalent fi 220, softening point 80°C), 30 parts of phenol novolac resin (hydroxyl equivalent 110, softening point 80°C), 260 parts of fusible silica powder 1 part, 2 parts of silane coupling agent (A-186, Nippon Unicar Co., Ltd. vg), 2 parts of carbon black, 0.45 part of curing accelerator (2,4,6-)lith dimethylaminomethylphenol), and mold release agent ( carnauba wax) 2
.. 5 parts were kneaded for 3 minutes using a hot roll of 80-100 t'. Next, this was cooled and pulverized to obtain a 10 mesh pass powder to obtain an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.

〔比較例1〕 実施例1において、アミノプロピルポリジメチルシロキ
サンを15部とし、グリシジルプロピルポリジメチルシ
ロキサンを使用しないで、反応温度を170℃とする以
外は実施例1と同様にした。
[Comparative Example 1] The same procedure as in Example 1 was carried out except that 15 parts of aminopropylpolydimethylsiloxane were used, glycidylpropylpolydimethylsiloxane was not used, and the reaction temperature was 170°C.

〔比較例2〕 ポリジメチルシロキサンを使用せず、エポキシ樹脂との
予備反応を行わない以外は実施例1と同様にした。
[Comparative Example 2] The same procedure as Example 1 was carried out except that polydimethylsiloxane was not used and the preliminary reaction with the epoxy resin was not performed.

〈半導体装置の製造〉 上記粉末状のエポキシ樹脂組成物を用い、表面外観と捺
印性を調べるため、48個取りの金型で42ピンDIP
を連続で300シヨツト成形した。モールドは、低圧ト
ランスファー成形法を用いた。すなわち、高周波加熱装
置を用いて90℃に予め熱したタブレットを175℃の
金型に注入時間20秒で注入し、成形時間2分で成形し
た。
<Manufacture of semiconductor devices> Using the above powdered epoxy resin composition, 42-pin DIP was performed in a 48-cavity mold to examine the surface appearance and marking properties.
300 shots were continuously molded. The mold used a low pressure transfer molding method. That is, a tablet preheated to 90° C. using a high-frequency heating device was injected into a mold at 175° C. for an injection time of 20 seconds, and molded for a molding time of 2 minutes.

このようにして得られた42ピンDIPの成形物を下記
のような試験(表面外観性、捺印性、耐熱衝撃性)に供
した。すなわち、表面外観性は成形物に対する目視判定
で行い、捺印性は成形物の表面にボンマークC銀を捺印
し、175℃で5時間ポストキュアしたのち、トリクロ
ロエチレンをしみ込ませた綿棒で荷重500gをかけ、
完全に消えるまでの往復回数を求めて評価した。
The thus obtained 42-pin DIP molded product was subjected to the following tests (surface appearance, imprintability, thermal shock resistance). That is, the surface appearance quality was determined by visual inspection of the molded product, and the marking property was determined by stamping Bonmark C silver on the surface of the molded product, post-curing it at 175°C for 5 hours, and then applying a load of 500 g with a cotton swab soaked in trichlorethylene. ,
Evaluation was performed by calculating the number of round trips until it completely disappeared.

また、耐熱衝撃試験は、耐熱衝撃試験用素子を同様にし
てモールドしたのち175℃で5時間ポストキュアした
ものを40個用意した。この試料を150℃と一80℃
のシリコーンオイルに5分間ごとに交互に浸漬すること
を500サイクル行い、その後パッケージを発煙硝酸に
よって加熱溶解除去し、素子表面の保護膜である窒化珪
素膜にクラックの認められたものの個数を求めて評価し
た。
In addition, for the thermal shock test, 40 elements for the thermal shock test were molded in the same manner and post-cured at 175° C. for 5 hours. This sample was heated to 150°C and -80°C.
The package was immersed in silicone oil for 5 minutes alternately for 500 cycles, and then the package was heated and dissolved with fuming nitric acid to remove it, and the number of cracks found in the silicon nitride film, which is the protective film on the element surface, was determined. evaluated.

以上の試験の結果を下記の第1表にまとめて示した。The results of the above tests are summarized in Table 1 below.

(以下余白) 第一一」−一一聚 以上のように、実施別品は耐熱衝撃性2表面外観性、捺
印性の全てに優れており、バランスのとれた信鯨性の高
い半導体装置であることがわかる。
(Left below) 11'' - 11 As mentioned above, the implemented product is excellent in thermal shock resistance, surface appearance, and stamping properties, making it a well-balanced and highly reliable semiconductor device. I understand that there is something.

手続補正書鳴発 昭和61年10月 3日 1.11牛の耘 昭和61刷翁犠藻189406号 2、発明の名称 半導体装置 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所 ガ斯成和旧1蒲1丁目1番2号 名 称  (396)日東電気工業株式会社イ豐者鎌居
五朗 な   し 7、補正の内容 (1)  明細書第7頁第9行目、「親和性が高まって
これまでのように」とあるを「親和性が高まることと、
上記シロキサンゴムが固形状であることからこれまでの
ように」と訂正する。
Procedural amendment issued October 3, 1985 1.11 Cow's 1989 Printed by the old man sacrificial seaweed No. 189406 2, Name of the invention Semiconductor device 3, Person making the amendment Relationship to the case Patent applicant's address Formerly No. 1, 1-1-2 Name (396) Nitto Electric Industry Co., Ltd. No. 7, Contents of amendment (1) Page 7, line 9 of the specification, ``Increased affinity ``As before,'' was replaced with ``Increased affinity.''
Since the above-mentioned siloxane rubber is in solid form, it has been corrected as before.

(2)  明細書第19頁第13行目、「合しながら光
の予備混合物を」とあるを「合しながら先の予備混合物
を」と訂正する。
(2) On page 19, line 13 of the specification, the phrase ``while combining the light premix'' is corrected to ``while combining the previous premix.''

8、添付書類の目録8. List of attached documents

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)エポキシ樹脂および硬化剤を主要成分とし、下記
の2種類のポリシロキサン(A)、(B)の反応生成物
であるポリシロキサンゴムを含有しているエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。 (A)相互間で付加もしくは付加縮合反応し少なくとも
一方がエポキシ樹脂および/ま たは硬化剤と付加もしくは付加縮合反応 する2種類の官能基のうちの一方の官能 基を含有するポリシロキサンであつて、 下記の一般式( I )で表される繰返し単 位を主体とするポリシロキサン。 ▲数式、化学式、表等があります▼……( I ) Rはアルキル基もしくはアリール基で あり、相互に同じであつても異なつてい てもよい。 (B)上記2種類の官能基のうちの他方の官能基を含有
するポリシロキサンであつて上 記の一般式( I )で表される繰返し単位 を主体とするポリシロキサン。
(1) Semiconductor elements can be fabricated using an epoxy resin composition containing an epoxy resin and a curing agent as main components and polysiloxane rubber which is a reaction product of the following two types of polysiloxanes (A) and (B). A semiconductor device that is sealed. (A) a polysiloxane containing one of two functional groups that react with each other and at least one of which reacts with an epoxy resin and/or a curing agent; A polysiloxane whose main component is a repeating unit represented by the general formula (I) below. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼... (I) R is an alkyl group or an aryl group, and they may be the same or different. (B) A polysiloxane containing the other of the above two types of functional groups, which is mainly composed of repeating units represented by the above general formula (I).
(2)一方の官能基がエポキシ基であり、他方の官能基
がアミノ基、カルボキシル基およびメルカプト基から選
択された少なくとも一つの官能基である特許請求の範囲
第1項記載の半導体装置。
(2) The semiconductor device according to claim 1, wherein one functional group is an epoxy group and the other functional group is at least one functional group selected from an amino group, a carboxyl group, and a mercapto group.
JP18940686A 1986-08-12 1986-08-12 Semiconductor device Pending JPS6345843A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18940686A JPS6345843A (en) 1986-08-12 1986-08-12 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18940686A JPS6345843A (en) 1986-08-12 1986-08-12 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6345843A true JPS6345843A (en) 1988-02-26

Family

ID=16240743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18940686A Pending JPS6345843A (en) 1986-08-12 1986-08-12 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6345843A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63202616A (en) * 1987-02-18 1988-08-22 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin molding material
JPS63241020A (en) * 1987-03-27 1988-10-06 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin molding material for sealing electronic component
JPH02123758A (en) * 1988-11-02 1990-05-11 Nitto Denko Corp Semiconductor device
JP2014028923A (en) * 2012-06-26 2014-02-13 Nippon Shokubai Co Ltd Curable resin composition and sealing material

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63202616A (en) * 1987-02-18 1988-08-22 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin molding material
JPS63241020A (en) * 1987-03-27 1988-10-06 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin molding material for sealing electronic component
JPH02123758A (en) * 1988-11-02 1990-05-11 Nitto Denko Corp Semiconductor device
JP2014028923A (en) * 2012-06-26 2014-02-13 Nippon Shokubai Co Ltd Curable resin composition and sealing material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02222441A (en) Sealing resin composition and resin-sealed semiconductor device
JPH0329259B2 (en)
JPS6345843A (en) Semiconductor device
JPS6263453A (en) Semiconductor device
JP2710921B2 (en) Semiconductor device
JPH02133947A (en) Semiconductor device
JPS62128162A (en) Semiconductor device
JP3413962B2 (en) Epoxy resin composition for molding
JP3334336B2 (en) Molding resin composition
JPH07118366A (en) Epoxy resin composition
JP2690795B2 (en) Epoxy resin composition
JPH02166116A (en) Epoxy resin molding material for sealing electronic component
JPH04216818A (en) Resin composition for semiconductor sealing
JP3013511B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP2703733B2 (en) Semiconductor device
JPH02155915A (en) Epoxy resin composition
JPH07102148A (en) Semiconductor-sealing resin composition
JP2635621B2 (en) Resin composition for semiconductor device encapsulation
JP2716962B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP2751786B2 (en) Curing agent for epoxy resin, epoxy resin composition, and semiconductor device
JPH0841292A (en) Production of epoxy resin composition and epoxy resin composition for sealing semiconductor
JP3468900B2 (en) Semiconductor device
JPH05156126A (en) Epoxy resin composition and its cured article
JP2534317B2 (en) Semiconductor device
JPH07173255A (en) Epoxy resin composition